JP2009004756A5 - - Google Patents
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Claims (4)
- 同一の基板上にアナログ駆動回路とデジタル駆動回路とが形成された非接触タグを有し、
前記アナログ駆動回路のトランジスタは劈開単結晶半導体層を用いて形成されており、
前記デジタル駆動回路のうち変調回路のトランジスタは前記劈開単結晶半導体層を用いて形成されており、
前記デジタル駆動回路のうち前記変調回路以外の回路のトランジスタは非単結晶半導体層を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 同一の基板上にアナログ駆動回路とデジタル駆動回路とが形成された非接触タグを有し、
前記アナログ駆動回路のトランジスタは劈開単結晶半導体層を用いて形成されており、
前記デジタル駆動回路のトランジスタは非単結晶半導体層を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１又は請求項２において、
前記基板上にフォトＩＣが設けられており、
前記フォトＩＣの回路のトランジスタは前記劈開単結晶半導体層を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記劈開単結晶半導体層は、水素、ヘリウム及びハロゲンから選ばれた一又は複数の同一の原子から成るイオン種を単結晶半導体基板に注入して、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域にイオン層を形成し、前記単結晶表面に接合層を形成し、前記接合層と基板とを貼り合わせた後、前記単結晶半導体基板にエネルギーを加えることによって前記イオン層に亀裂を生じさせることによって、前記基板上に残存させた半導体層であることを特徴とする半導体装置。
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