JP2015072764A5 - - Google Patents

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  1. 樹脂基板を有し、表示領域とその外側の非表示領域とに区画されて、前記表示領域の前記樹脂基板上に薄膜トランジスタとエレクトロルミネッセンス発光素子が形成された第1基板と、
    前記第1基板の前記表示領域の上面に対向するように配置された第2基板と、
    前記第1基板の前記非表示領域上に圧着されたICチップと、
    を備え、
    前記第1基板は、
    前記樹脂基板と前記ICチップとの間に、平面視形状が前記ICチップよりも大きく、前記樹脂基板よりも硬度の高い少なくとも1つの支持基板有し、
    前記ICチップは、
    平面視で前記少なくとも1つの支持基板のうちの一つが設けられた領域の内側に位置することを特徴とする表示装置。
  2. 請求項1に記載の表示装置において、
    前記少なくとも1つの支持基板が、平面視で前記表示領域の外側に位置することを特徴とする表示装置。
  3. 請求項1または請求項2に記載の表示装置において、
    前記少なくとも1つの支持基板のうちの一つが金属からなる金属支持基板であることを特徴とする表示装置。
  4. 請求項3に記載の表示装置において、
    前記金属支持基板が前記薄膜トランジスタの配線と同層に形成されていることを特徴とする表示装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の表示装置において、
    前記少なくとも1つの支持基板のうちの一つが絶縁材料からなる絶縁支持基板である、
    ことを特徴とする表示装置。
  6. 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の表示装置において、
    前記少なくとも1つの支持基板のうちの一つがポリシリコンで形成されていることを特徴とする表示装置。
  7. 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の表示装置において、
    前記少なくとも1つの支持基板は、絶縁材料からなる絶縁支持基板と金属からなる金属支持基板とを含み、
    前記絶縁支持基板は、前記金属指示基板よりも前記樹脂基板の側に形成され、
    前記絶縁支持基板と前記金属指示基板との間には絶縁膜が形成されている、
    ことを特徴とする表示装置。
  8. 請求項7に記載の表示装置において、
    前記絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜であることを特徴とする表示装置。
  9. 基礎基板上に表示領域とその外側の非表示領域とに区画された樹脂基板を形成する工程と、
    前記樹脂基板上に前記樹脂基板よりも硬度が高い少なくとも1つの支持基板形成する工程と、
    前記樹脂基板の前記表示領域上に、薄膜トランジスタとエレクトロルミネッセンス発光素子とを形成する工程と、
    前記表示領域に対向するように対向基板を配置する工程と、
    前記少なくとも1つの支持基板のうちの一つの前記非表示領域上に、平面視形状が前記少なくとも1つの支持基板のうちの前記一つよりも小さいICチップを、平面視で前記少なくとも1つの支持基板のうちの前記一つが設けられた領域よりも内側に位置するように圧着する工程と、
    前記基礎基板を前記樹脂基板から剥離する工程と、
    を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
  10. 請求項9に記載の表示装置の製造方法において、
    前記少なくとも1つの支持基板を形成する工程において、
    前記少なくとも1つの支持基板を、平面視で前記表示領域の外側に位置するように形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
  11. 請求項9または請求項10に記載の表示装置の製造方法において、
    金属により、前記少なくとも1つの支持基板のうちの一つである金属支持基板を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
  12. 請求項11に記載の表示装置の製造方法において、
    前記金属支持基板を、前記薄膜トランジスタの配線と同層に形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
  13. 請求項9乃至12のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法において、
    ポリシリコンにより、前記少なくとも1つの支持基板のうちの一つである絶縁支持基板を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
  14. 請求項9乃至13のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法において、
    前記少なくとも1つの支持基板は、絶縁材料からなる絶縁支持基板と金属からなる金属支持基板とを含み、
    前記絶縁支持基板は、前記金属指示基板よりも前記樹脂基板の側に形成され、
    前記絶縁支持基板と前記金属指示基板との間には、絶縁膜が形成されている、
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
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