JP2009004534A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持体基板3と、この支持体基板3の上に設けられた第1絶縁膜4と、第1絶縁膜4の上に設けられ、上面に半導体素子pMOS、nMOSが形成された複数の柱状の単結晶柱5aと、単結晶柱5aの側面を囲むように閉ループパターンで形成された第2絶縁膜10とを有する半導体装置1において、単結晶柱5aの上面の外周部は、単結晶柱5aの側面の近くになるにつれ徐々にその上面の高さが低くなり、その側面につながる傾斜面5bである。
【選択図】図1
Description
しかしながら、第2絶縁膜と単結晶層との界面の上部ではリーク電流が発生しやすく、第2絶縁膜から離して、半導体素子が形成されている。そこで、第2絶縁膜からセルフアラインに所定の距離だけ離して半導体素子が形成されることが望まれる。また、第2絶縁膜と単結晶層との界面の上部でのリーク電流の発生の低減が望まれる。
前記第1絶縁膜をストッパに、平面視で前記単結晶層と前記第1耐酸化膜とが合同で重なるように前記単結晶層と前記第1耐酸化膜をエッチングして、前記第1絶縁膜の上に複数の柱状の単結晶柱を形成し、
前記第1耐酸化膜を前記単結晶柱の上に配置したまま、前記単結晶柱を熱酸化し、前記単結晶柱の側面を囲むように閉ループパターンで形成され、前記第1耐酸化膜の外周部の直下にせり出し部を有する第2絶縁膜を形成し、
前記第1耐酸化膜を除去して、前記単結晶柱の上面を露出させ、
前記単結晶柱の前記上面に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記第2絶縁膜を形成したことにより、
前記せり出し部の下の前記単結晶柱の前記上面は、前記側面の近くになるにつれ徐々に前記上面の高さが低くなり、前記側面につながる傾斜面になっていることを特徴とする。
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置1のゲート18より上層を透視した平面図(すなわち図1(b)のパッシベーション膜13、層間絶縁膜12、電極14を透視している)であり、図1(b)は、図1(a)のI−I矢視断面図である。
図6(a)は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置1の平面図であり、図6(b)は、図6(a)のVI−VI矢視断面図である。図6(b)においては、図1(b)に示したパッシベーション膜13、層間絶縁膜12、電極14の図示を省略している。
前記単結晶柱5aの上面の外周部は、単結晶柱5aの側面の近くになるにつれ徐々に前記上面の高さが低くなり、単結晶柱5aの側面につながる傾斜面5bになっている。そして、この傾斜面5bの内側に、さらに、第3絶縁膜22を介して、p型MOSFET(pMOS)およびn型MOSFET(nMOS)が形成されている。
2 SOI基板
3 支持体基板
4 第1絶縁膜
5 単結晶層
5a 単結晶柱
5b 傾斜面
6 絶縁膜
7 第1耐酸化膜
8 レジスト層
9 トレンチ
10 第2絶縁膜
10a バーズビーク
11 多結晶ポリシリコン膜
12 層間絶縁膜
13 パッシベーション膜
14 電極
15 ウェル
16 ソース・ドレイン領域
17 ゲート絶縁膜
18 ゲート
19、19a 絶縁膜
21 第2耐酸化膜
22、22a 第3絶縁膜
Claims (11)
- 支持体基板と、
前記支持体基板の上に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜の上に設けられ、上面に半導体素子が形成された複数の柱状の単結晶柱と、
前記単結晶柱の側面を囲むように閉ループパターンで形成された第2絶縁膜とを有する半導体装置において、
前記上面の外周部は、前記側面の近くになるにつれ徐々に前記上面の高さが低くなり、前記側面につながる傾斜面であることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2絶縁膜は、前記傾斜面の上にせり出したせり出し部を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2絶縁膜の前記せり出し部の上面は、せり出し部の先端から基端に向けて、徐々に高さが高くなっていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第2絶縁膜の前記せり出し部の厚さは、せり出し部の先端から基端に向けて、徐々に厚くなっていることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第2絶縁膜は、前記単結晶柱を熱酸化した熱酸化膜であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記傾斜面の内側の前記上面に前記半導体素子が形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記傾斜面と前記半導体素子との間と、前記半導体素子相互の間との前記上面に設けられ、前記半導体素子相互の素子分離をする第3絶縁膜を有することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第3絶縁膜は、前記単結晶柱を熱酸化した熱酸化膜であり、前記半導体素子の近傍において、前記半導体素子の近くになるにつれ徐々に厚さが薄くなることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記第2絶縁膜の前記傾斜面の上方の厚さは、前記傾斜面の端部における前記第3絶縁膜の厚さ以上であることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の半導体装置。
- 支持体基板上に第1絶縁膜と単結晶層とを順に積層したSOI基板の前記単結晶層の上方に第1耐酸化膜を形成し、
前記第1絶縁膜をストッパに、平面視で前記単結晶層と前記第1耐酸化膜とが合同で重なるように前記単結晶層と前記第1耐酸化膜をエッチングして、前記第1絶縁膜の上に複数の柱状の単結晶柱を形成し、
前記第1耐酸化膜を前記単結晶柱の上に配置したまま、前記単結晶柱を一部熱酸化し、前記単結晶柱の側面を囲むように閉ループパターンで形成され、前記第1耐酸化膜の外周部の直下にせり出し部を有する第2絶縁膜を形成し、
前記第1耐酸化膜を除去して、前記単結晶柱の上面を露出させ、
前記単結晶柱の前記上面に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記第2絶縁膜を形成したことにより、
前記せり出し部の下の前記単結晶柱の前記上面は、前記側面の近くになるにつれ徐々に前記上面の高さが低くなり、前記側面につながる傾斜面になっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 露出させた前記単結晶柱の前記上面における前記半導体素子を形成する領域の上に第2耐酸化膜を形成し、
前記第2耐酸化膜を前記単結晶柱の上に配置したまま、前記単結晶柱の前記傾斜面と前記半導体素子との間と、前記半導体素子相互の間との前記上面を熱酸化して、前記半導体素子を形成する領域の周囲にバーズビークを有し、前記半導体素子相互の素子分離をする第3絶縁膜を形成することを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
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