JP2008541453A - 電子デバイスにおけるエレクトロマイグレーションを最小限に抑えるための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、米国特許法(35.U.S.C)第119条(e)に基づき、2005年5月10日出願の米国仮特許出願第60/679,610号の利益を主張する。米国仮特許出願第60/679,610号は、参照により本明細書に組み込まれる。
「a」および「an」は、各々1つまたは複数を意味する。
本発明は、
1)基板上に電子回路を形成すること、
2)電子回路の全体または一部を耐エレクトロマイグレーション組成物で処理すること、および
任意に、、3)段階2)の製品を被覆することを含む方法に関する。
この耐エレクトロマイグレーション組成物は、
A)耐エレクトロマイグレーション剤と、
B)オルガノシランと、
任意に、C)触媒と、
任意に、D)キャリアとを含む。
上記式中、R4、R5およびR6は各々独立して、水素原子、炭素原子1〜6個のアルキル基、アセチルおよびアルケニルから選択される。R7は、水素、炭素原子1〜6個のアルキル基、アセチル、アルケニルまたは−NH2である。R8は、エチレン、n−プロピレン、イソプロピレンなど、炭素原子少なくとも2個の二価の炭化水素基である。チオ尿素誘導体の例は、米国特許出願公開第2004/0170848A1号に開示されている。
上記式中、R1は上に記載したとおりである。R9は、水素原子、炭素原子1〜6個のアルキル基、−SH、−SCH2CH2CH2SO3Na、−NH2、−NHCH3,または−N(CH3)2である。R10は、炭素原子1〜6個のアルキル基、アルケニルまたはカルボキシアルキルである。R11は、ハロゲン原子または硫酸塩を含むアニオンである。ベンゾチアゾール誘導体の例は、米国特許出願公開第2004/0170848A1号に開示されている。
成分B)オルガノシラン
任意選択の成分C)は、縮合反応を容易にするために耐エレクトロマイグレーション組成物に添加することができる触媒である。この触媒は、ルイス酸、第一級、第二級または第三級有機アミン、金属酸化物、チタン化合物、スズ化合物、ジルコニウム化合物あるいはこれらの組合せを含んでよい。適切な触媒は当技術分野で公知であり、米国特許第4753977号の第4欄35行目〜第5欄57行目に記載されている触媒に例示される。成分C)の量は、選択される触媒のタイプおよび耐エレクトロマイグレーション組成物中の残りの組成物の選択を含む様々な要因に依存するが、成分C)の量は、成分A)、B)およびC)の総重量に基づき0%〜50%でよい。
成分D)キャリア
これらの実施例は、当業者に本発明を説明するためのものであり、特許請求の範囲に記載されている本発明の範囲を限定するものと解釈すべきではない。
図1は、上述の方法を用いて作製したPDPの一部分である。このPDPは、前面ガラスシート(1)および背面ガラスシート(2)を含む。Ag電極(3)は、一方または両方のガラスシート(1)、(2)に設けられる。このPDPの本体は、Ag電極(3)の一部を覆う誘電体層(4)を含む。Ag電極(3)の縁部は、Ag電極(3)とフレキシブル回路テープ(図示せず)との電気接触を可能にするためにむき出しのままである。このフレキシブル回路テープは、ACF(6)によってAg電極(3)に取り付けられる。耐エレクトロマイグレーション組成物を塗布してAg電極(3)の先端部とACF(6)との間に耐エレクトロマイグレーション層(5)を形成することにより、エレクトロマイグレーションの発生を低減することができる。
水滴試験は、比較的低い電圧で電極間のギャップに脱イオン水の滴を適用することを含み、これらの実施例では2ボルトを使用した。電極パターンは、SIR(表面絶縁抵抗)において使用されるものである。水滴は光学顕微鏡で観察することができ、導体間で短絡が生じるのにかかる時間は電流の増加によって測定される。電源に損傷を与えることを回避するために電流制限を設定する。この試験は、Mercado,L.L.,White,J.,Sarihan,V.&Lee,T.T.「Failure mechanism study of ACF packages.」IEEE Trans.Comp.Hybrids&Man.Tech.2003,26(3)509に記載されている。
耐エレクトロマイグレーション組成物の試料を、表1の成分を混合することによって調製する。プライマは、(C)5重量部のテトラブトキシチタネート、(B)5重量部の2−メチオキシ−1−メチルエチルオルトシリケート、(B)5重量部のテトラプロピルオルトシリケートおよび85重量部のオクタメチルトリシロキサンを含んでいた。MBTは、メルカプトベンゾチアゾールであった。IRGAMET(登録商標)39は、CIBA(登録商標) Specialty Chemicalsから購入したN,N−ビス(2−エチルヘキシル)−アル−メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−メタンアミンであった。BTAは、ベンゾトリアゾールであった。CUVAN(登録商標)484は、米国コネチカット州ノーウォークのR.T. Vanderbilt Companyから市販されているアルキルチアジアゾールであった。CUVAN(登録商標)826は、やはりR.T. Vanderbilt Companyから入手可能な2,5−シメルカプト(cimercapto)−1,3,4−チアジアゾール誘導体であった。6−HQは、6−ヒドロキシキノンであった。IRGAMET(登録商標)30は、やはりCIBA(登録商標) Specialty Chemicalsからのトリアゾール誘導体であった。2−MBは、2−メルカプトベンズイミダゾールであった。COBRATEC(登録商標) CBTは、米国オハイオ州シンシナティのPMC Specialties Group, Inc.からのカルボキシベンゾトリアゾールであった。ERAは、耐エレクトロマイグレーション剤を意味した。
2 裏面ガラス
3 銀電極
4 誘電体層
5 耐マイグレーション層
6 ACF、異方性導電接着剤
Claims (13)
- 電子回路においてAgのエレクトロマイグレーションを最小限に抑えるための方法であって、
1)基板上に前記電子回路を形成する段階と、
2)前記電子回路の全体または一部を耐エレクトロマイグレーション組成物で処理する段階であって、前記耐エレクトロマイグレーション組成物が、
A)耐エレクトロマイグレーション剤と、
B)オルガノシランと、
任意に、C)触媒と、
任意に、D)キャリアと
を含む段階と、
任意に、3)段階2)の製品を被覆する段階と
を含む方法。 - 段階3)が存在し、段階2)の前記製品が、封入剤、導電性膜、導電性接着剤またはこれらの組合せから選択されるコーティングで被覆される、請求項1に記載の方法。
- プラズマディスプレイパネルを作製する方法であって、
1)ガラスパネル上にAg電極を形成する段階と、
2)前記Ag電極を耐エレクトロマイグレーション組成物で処理する段階であって、前記耐エレクトロマイグレーション組成物が、
A)耐エレクトロマイグレーション剤と、
B)オルガノシランと、
任意に、C)触媒と、
任意に、D)炭化水素、シリコーンオイル、またはこれらの組合せからなる群から選択されるキャリアと、
を含む段階と、
3)段階2)の製品を被覆する段階と
を含む方法。 - 成分A)が、アクリジン、2−アミノ−チアゾール、2−アミノ−チアゾリン、2−アミノ−1,2−4トリアゾール、アニオニン、ベンズイミダゾール、(2−ベンズイミダゾリルチオ)コハク酸、ベンゾオキサゾール(およびその誘導体)、ベンゾチアゾール(およびその誘導体)、ベンズイミダゾール(およびその誘導体)、ベンゾトリアゾール、3−ベンジルアミノ−l−ブチン、デカメチレンイミド、ジアミノヘプタン、ジシアンジアミン、N,N−ジ−(2−エチルヘキシル)−4−メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−メタンアミン、2,5−ジメルカプト−1,3,4チアジアゾール、ジプロパルギルエーテル、ジプロパルギルチオエーテル、6−N−エチルプリン、1−エチルアミノ−2−キノリン(およびその誘導体)、ヘキサメチレン−3,5−ジニトロベンゼン、ヘキサメチレンイミド、ヘキサメチレンイミンベンゾエート、ヘキサメチレンテトラミン、イミダゾール(およびその誘導体)、3−イソプロピルアミノ−1−ブチン、メルカプタン、メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトチアゾリン、d−オキシイミノ−b−ビニルキヌクリジン、1,10−フェナチオジン、フェナントロリン、フェノチアジン、プロパルギルキノリニウムブロミド、カプロン酸プロパルギル、(2−チオ−2’−ベンゾ−チアゾリル)ブタン二酸、チオフェノール(およびその誘導体)、トルイジンまたはこれらの組合せから選択される、請求項1、2または3に記載の方法。
- 成分A)が、
I)下記式の少なくとも1つの基によってその脂肪族基または脂環式基が置換された脂肪族または脂環式のモノカルボン酸またはポリカルボン酸であって、
II)
III)
IV)下記の式
V)下記の式
VI)下記の式
VII)下記の式
VIII)下記の式
IX)下記の式
X)下記の式
から選択される、請求項1、2または3に記載の方法。 - 成分B)が、アルコキシシラン、アミノアルキルシラン、エポキシアルキルシラン、メルカプトアルキルシランまたはこれらの組合せを含む、請求項1,2、または3に記載の方法。
- 成分C)が存在し、ルイス酸、第一級、第二級または第三級有機アミン、金属酸化物、チタン化合物、スズ化合物、ジルコニウム化合物またはこれらの組合せから選択される触媒を含む、請求項1、2または3に記載の方法。
- 請求項3に記載の方法によって作製されたプラズマディスプレイパネル。
- (i)前面ガラス板と、
(ii)前記前面ガラス板の反対側の背面ガラス板と、
(iii)前記前面ガラス板および前記背面ガラス板の少なくとも一方に設けられ、むき出しの縁部および覆われた部分を有するAg電極と、
(iv)前記Ag電極の前記覆われた部分を覆う誘電体層と、
(v)前記Ag電極の前記縁部の上に設けられ、
A)耐エレクトロマイグレーション剤と、
B)オルガノシランと、
任意に、C)触媒と、
任意に、D)炭化水素、シリコーンオイル、またはこれらの組合せからなる群から選択されるキャリアと、
を含む耐エレクトロマイグレーション組成物と、
を含むプラズマディスプレイパネル。 - 前記Ag電極の上に異方性導電膜をさらに含む、請求項9に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 成分A)が、
I)下記式の少なくとも1つの基によってその脂肪族基または脂環式基が置換された脂肪族または脂環式のモノカルボン酸またはポリカルボン酸であって、
II)
III)
IV)下記の式
V)下記の式
VI)下記の式
VII)下記の式
VIII)下記の式
IX)下記の式
X)下記の式
から選択される、請求項8、9または10に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 成分B)が、アルコキシシラン、アミノアルキルシラン、エポキシアルキルシラン、メルカプトアルキルシランまたはこれらの組合せを含む、請求項8,9、または10に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 成分C)が存在し、ルイス酸、第一級、第二級または第三級有機アミン、金属酸化物、チタン化合物、スズ化合物、ジルコニウム化合物またはこれらの組合せから選択される触媒を含む、請求項8,9、または10に記載のプラズマディスプレイパネル。
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