KR101216577B1 - 전자 장치에서 전자이동을 최소화하는 방법 - Google Patents

전자 장치에서 전자이동을 최소화하는 방법 Download PDF

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Abstract

전자 회로에서 Ag 전자이동을 감소시키는 방법은 전자 회로를 전자이동 방지 조성물로 처리하는 단계를 포함한다. 이러한 공정은 레지스터, 캐패시터 및 디스플레이[예: 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 또는 액정 디스플레이(LCD)] 등의 서로 밀접한 전자 회로를 갖는 전자 장치의 제조시 유용하다.
전자 장치, 전자이동, Ag, 전자회로, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 액정 디스플레이(LCD).

Description

전자 장치에서 전자이동을 최소화하는 방법{Process for minimizing electromigration in an electronic device}
상호 참조문헌
본원은 35 U.S.C. §119(e)하에 2005년 5월 10일에 출원된 미국 가출원 제60/679,610호의 이점을 주장한다. 미국 가출원 제60/679,610호는 본원에 참고로 인용되어 있다.
기술분야
본 발명은 은(Ag)의 전자이동을 최소화하기 위한 공정에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 전자 회로에서 Ag의 전자이동을 최소화하기 위한 공정에 관한 것이다. 당해 공정은 레지스터, 캐패시터 및 디스플레이[예: 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 또는 액정 디스플레이(LCD)] 등의 서로 밀접한 전자 회로를 갖는 전자 장치의 제조 동안 유용하다.
배경
인가 전기장, 온도 및 습도의 영향하에, Ag[금속 형태로 또는 합금(예: CuAg, AgPd 또는 SnAg)으로서]를 Ag+ 이온으로 전환시키고, 이동시킨 다음, 재침착시켜 신규한 Ag 금속 영역을 형성시킬 수 있다. 전자 장치에서, 이러한 신규한 Ag 금속 영역은 종종 덴드라이트(dendrite) 또는 "휘스커(whisker)" 형태를 갖는데, 이러한 영역은 Ag 전도를 단락(short circuit)시킨다. 전자이동은 네 가지 요건을 필요로 한다: 이동 금속; 전압 변위(voltage gradient); 습도 또는 연속 수막, 및 가용성 이온. Ag가 양극 용해(anodically soluble)되고, 전자이동 공정을 개시하기 위한 낮은 활성 에너지가 요구되기 때문에, Ag 이동이 문제가 된다.
Ag의 전자이동이 더 심각한 문제를 야기하는 전자 산업의 두 가지 동향은, 첫 번째는 땜납에서의 납(Pb)의 감소와 두 번째는 회로의 지속적인 소형화이다. Pb 대체 땜납은 증가한 양의 Ag 금속을 함유하고, 따라서 Ag 이동 기회가 더 많아진다. 회로 크기의 축소는 회로 소자 간의 더 적은 분리를 의미하는 것으로, 이로 인해 AC 및 DC 둘 다의 조건하에 전자이동을 구동하는 전기장 변위(Volts/m)가 더 높아지고, 단락 가능성이 증가한다.
가용성 이온종은 본질적으로 Ag 이동을 위한 이온 전도성 경로가 발생하도록 제공하고, 이온성 오염물의 성질은 Ag 이동의 중요성에 주요한 영향을 미친다고 공지되어 있다. 높은 이온 이동성은 이온 반경, 전기음성도, 전자 친화도 및 전하 대 크기와 같은 이러한 인자에 의해 영향을 받는다. 이들 이온의 발생원은 다양하지만, 일반적으로 기판 또는 회로 제작 공정의 잔류물에서 발견될 수 있다. 특히 높은 습도 및 온도에 노출되는 경우, 높은 극성 및 친수성 기판, 예를 들면, 유리 및 몇몇 에폭시 기판이 특히 Ag 이동을 허용한다.
요약
본 발명은 전자 회로에서 전자이동을 감소시키기 위한 공정에 관한 것이다. 당해 공정은 전자 회로를 전자이동 방지 조성물(electromigration resistant composition)로 처리함을 포함한다. 본 발명은 추가로 이러한 공정을 사용하여 제조된 PDP에 관한 것이다.
발명의 상세한 설명
달리 언급하지 않는 한, 모든 양, 비 및 %는 중량 기준이다. 다음은 본원에 사용한 정의 목록이다.
정의
"a" 및 "an"는 각각 하나 이상을 의미한다.
"부식"이라는 용어는 인가 전기장의 존재 또는 부재하에 금속이 산화되거나 합금화되는 공정을 의미한다.
"전자이동"이라는 용어는 인가 전기장의 영향하에 금속이 비금속 매질로 이동하는 것을 의미한다.
공정
본 발명은,
기판에 전자 회로를 형성하는 단계(1),
전자 회로의 전부 또는 일부를 전자이동 방지 조성물로 처리하는 단계(2) 및
임의로, 단계(2)의 생성물을 피복하는 단계(3)를 포함하는 공정에 관한 것이다.
전자 회로는 PDP에 유용한 Ag 전극[예: 어드레스 전극, 디스플레이 전극 및 주사 전극(scanning electrode)]을 포함할 수 있다. 전극은 비처리되거나 피복될 수 있다. 전자 회로는 통상의 수단으로 형성될 수 있다.
이러한 공정에 사용한 기판은 특별히 제한적이지 않다. 선택한 기판은 상기한 공정의 사용을 포함하는 각종 인자, 예를 들면, 제조된 전자 장치의 유형에 따라 좌우될 것이다. 기판은 전자 장치의 제조시 사용되는 임의의 물질일 수 있다. 기판은, 예를 들면, 전자 장치 패키징에 통상적으로 사용되는 세라믹 기판, 가요성 기판 또는 경질 기판일 수 있다. 적합한 기판의 예에는 유리, 세라믹, 금속, 금속 피복면, 중합체 및 이들의 배합물이 포함된다.
금속 및 금속 피복물에는 알루미늄, 크롬, 구리, 금, 납, 니켈, 백금, 땜납, 스테인레스 강, 주석, 티탄, 이들의 합금 및 이들의 배합물이 포함된다.
세라믹에는 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소, 산화규소, 산질화규소 및 이들의 배합물이 포함된다.
중합체에는 벤조사이클로부텐, 비스말레이미드, 시아네이트, 에폭시, 폴리벤조옥사졸, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리페닐렌 에테르, 폴리비닐리덴 클로라이드 및 이들의 배합물이 포함된다.
이론으로 제한함 없이, 단계(2)에서의 처리는 전자 회로와 단계(3)에서 도포될 수 있는 후속적인 피복물 사이의 계면을 제공한다고 사료된다. 전자 회로는 침지법, 분무법, 유동 피복법, 롤 피복법, 와이핑법(wiping) 또는 스핀 피복법 등의 전형적인 수단으로 처리할 수 있다.
임의의 단계(3)에서, 단계(2)로부터 처리된 전자 회로는, 예를 들면, 캡슐화제, 전도성 막, 전도성 접착제 또는 이들의 배합물으로 피복될 수 있다. 캡슐화제는 열 경화, 방사선 경화 또는 호기성 경화(aerobical cure)(예: 습윤 경화)될 수 있다. 캡슐화제는 에폭시, 실리콘, 우레탄 또는 아크릴일 수 있다. 전도성 막은 비등방성 전도성 막(ACF)일 수 있다. 접착제는 비등방성 전도성 접착제(ACA)일 수 있다. 전자이동 방지 조성물은 이러한 캡슐화제, ACF 또는 ACA의 성능에 불리한 영향을 미쳐서는 안된다.
전자이동 방지 조성물
전자이동 방지 조성물은,
전자이동 방지제(A),
오가노실란(B),
임의로, 촉매(C) 및
임의로, 담체(D)를 포함한다.
성분(A)의 양은 성분(A)에 대해 선택된 전자이동 방지제(들)의 선택, 성 분(B)에 대한 오가노실란(들)의 선택, 임의로, 성분(C)에 대한 촉매(들)의 선택, 및 임의로, 성분(D)에 대한 담체(들)의 선택에 따를 것이다. 그러나, 전자이동 방지 조성물에서 성분(A)의 양은 성분(A), (B) 및 (C)를 합한 중량을 기준으로 하여, 1 내지 50%의 범위일 수 있다. 또는, 조성물은, 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 0.01 내지 50%, 또는 0.01 내지 5%, 또는 0.01 내지 0.5%를 함유할 수 있다.
성분(A)은 헤테로사이클릭 방향족 화합물을 포함할 수 있다. 헤테로사이클릭 방향족 화합물은 환에 질소원자 또는 황원자를 포함할 수 있다. 환에 질소원자를 함유하는 헤테로사이클릭 방향족 화합물은 치환되거나 치환되지 않은 5원 환을 포함할 수 있다. 당해 환은 머캅토, 아미노 또는 카복실 그룹으로 치환될 수 있다.
성분(A)은 지방족 또는 지환족 그룹이 하나 이상의 화학식 I의 그룹에 의해 치환된 지방족 또는 지환족 모노-카복실산 또는 폴리-카복실산을 포함할 수 있다:
Figure 112007080641189-pct00001
위의 화학식 I에서,
Rl은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬 그룹, 할로겐화 알킬 그룹, 알콕시 그룹, 알킬티오 그룹, 알킬설포닐 그룹, 사이클로알킬 그룹, 페닐 그룹, 알킬페닐 그룹, 페닐알킬 그룹, 할로겐원자, -CN, -NO2, -COOH, -COO-알킬, -OH, 1급 아미노, 2 급 아미노, 3급 아미노 또는 카바모일 그룹이고,
R2는 탄소원자, 산소원자, 황원자 또는 NH이고,
R3은 지방족 또는 지환족 모노-카복실산 또는 폴리-카복실산 함유 화합물이다.
상기 화학식 I의 적합한 지방족 또는 지환족 모노-카복실산 또는 폴리-카복실산의 예에는 본원에 참고로 인용된 미국 특허 제4,612,049호(컬럼 4, 라인 20 내지 컬럼 10, 라인 34)에 기재된 화합물이 포함되지만, 이로써 제한되지 않는다.
성분(A)은 티오우레아 유도체를 포함할 수 있다. 티오우레아 유도체는 화학식 II의 화합물, 화학식 III의 화합물 및 이들의 배합물로부터 선택된 화합물을 포함할 수 있다:
Figure 112007080641189-pct00002
Figure 112007080641189-pct00003
위의 화학식 II 및 III에서,
R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, 아세틸 및 알케닐로부터 선택되고,
R7은 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, 아세틸, 알케닐 또는 -NH2이며,
R8은 탄소수 2 이상의 2가 탄화수소 그룹, 예를 들면, 에틸렌, n-프로필렌 또는 이소프로필렌이다.
티오우레아 유도체의 예는 미국 특허원 제2004/0170848 Al호에 기재되어 있다.
성분(A)은 벤조티아졸 유도체를 포함할 수 있다. 벤조티아졸 유도체는 화학식 IV의 화합물, 화학식 V의 화합물 및 이들의 배합물로부터 선택된 화합물을 포함할 수 있다:
Figure 112007080641189-pct00004
Figure 112007080641189-pct00005
위의 화학식 IV 및 V에서,
Rl은 위에서 정의된 바와 같고,
R9는 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, -SH, -SCH2CH2CH2SO3Na, -NH2, -NHCH3 또는 -N(CH3)2이며,
R10은 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, 알케닐 또는 카복시알킬이며,
R11은 할로겐원자 또는 설페이트를 포함하는 음이온이다.
벤조티아졸 유도체의 예는 미국 특허원 제2004/0170848 Al호에 기재되어 있다.
성분(A)은 디알킬디티오카밤산을 포함할 수 있다. 디알킬디티오카밤산은 화학식 VI의 화합물을 포함할 수 있다:
Figure 112007080641189-pct00006
위의 화학식 VI에서,
R12 및 Rl3은 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹이고,
Rl4는 -S- 또는 -SCH2CH2CH2SO3-이며,
R15는 수소원자, 암모늄, 나트륨 또는 칼륨이다.
디알킬디티오카밤산의 예는 미국 특허원 제2004/0170848 A1호에 기재되어 있다. 적합한 티오 화합물의 예는 본원에 참고로 인용된 미국 특허원 제2004/0170848 Al호의 문단 [0016] 내지 [0029]에 기재되어 있다.
성분(A)은 o-알킬크산트산 유도체를 포함할 수 있다. o-알킬크산트산 유도체는 화학식 VII의 화합물을 포함할 수 있다:
Figure 112007080641189-pct00007
위의 화학식 VII에서,
R14 및 R15는 위에서 정의한 바와 같고,
R16은 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹이다.
성분(A)은 화학식 VIII의 헤테로사이클릭 화합물을 포함할 수 있다:
Figure 112007080641189-pct00008
위의 화학식 VIII에서,
R1은 위에서 정의한 바와 같고,
R17은 탄소수 1 내지 30의 알킬 그룹이며,
Rl8은 탄소원자, 산소원자 또는 황원자이다.
이러한 헤테로사이클릭 화합물의 예 및 이의 제조방법은 미국 특허 제2,963,433호에 기재되어 있다.
성분(A)는 머캅토벤조티아졸의 아민염 유도체를 포함할 수 있다. 당해 아민염 유도체는 화학식 IX의 화합물을 포함할 수 있다:
Figure 112007080641189-pct00009
위의 화학식 IX에서,
R1은 위에서 정의한 바와 같고,
R19는 탄소수 4 내지 30의 알킬 또는 알케닐 그룹이다.
머캅토벤조티아졸의 아민염 유도체의 예는 미국 특허 제3,966,623호에 기재되어 있다.
성분(A)은 2,5-비스-하이드로카빌디티오-1,3,4-티아디아졸을 포함할 수 있다. 2,5-비스-하이드로카빌디티오-1,3,4-티아디아졸은 화학식 X의 화합물을 포함할 수 있다:
Figure 112007080641189-pct00010
위의 화학식 X에서,
R2O 및 R21은 각각 독립적으로 탄소수 4 내지 30의 알킬 그룹 또는 탄소수 4 내지 30의 알케닐 그룹이다.
2,5-비스-하이드로카빌디티오-1,3,4-티아디아졸의 예는 미국 특허 제3,966,623호에 기재되어 있다.
성분(A)은 머캅토티아졸을 포함할 수 있다. 머캅토티아졸은 화학식 XI의 화합물을 포함할 수 있다:
Figure 112007080641189-pct00011
위의 화학식 XI에서,
R22 및 R23은 각각 독립적으로 수소원자 및 알킬 그룹으로부터 선택된다.
머캅토티아졸의 예는 미국 특허 제2,708,660호에 기재되어 있다.
성분(A)은 이미다졸린을 포함할 수 있다. 이미다졸린은 화학식 XII의 화합물을 포함할 수 있다:
Figure 112007080641189-pct00012
위의 화학식 XII에서,
R24는 각각 독립적으로 수소원자 또는 알킬 그룹이고,
R25는 분자량 75 미만의 그룹이며,
R26은 탄소수 8 내지 20의 탄화수소 그룹이다.
이미다졸린의 예는 미국 특허 제2,708,660호에 기재되어 있다.
성분(A)으로서 사용하기에 적합한 헤테로사이클릭 방향족 화합물의 예로는 아크리딘, 2-아미노-티아졸, 2-아미노-티아졸린, 2-아미노-1,2,4-트리아졸, 아니오닌, 벤즈이미다졸, (2-벤즈이미다졸릴티오)숙신산, 벤조옥사졸 (및 이의 유도체), 벤조티아졸 (및 이의 유도체), 벤즈이미다졸 (및 이의 유도체), 벤조트리아졸(BTA), 3-벤질아미노-l-부틴, 데카메틸렌 이미드, 디아미노헵탄, 디시안디아민, N,N-디-(2-에틸헥실)-4-메틸-lH-벤조트리아졸-1-메탄아민, 2,5-디머캅토-1,3,4-티아디아졸, 디프로파길 에테르, 디프로파길 티오에테르, 6-N-에틸 푸린, 1-에틸아미노-2-퀴놀린 (및 이의 유도체), 헥사메틸렌-3,5-디니트로벤젠, 헥사메틸렌 이미드, 헥사메틸렌 이민벤조에이트, 헥사메틸렌 테트라민, 이미다졸 (및 이의 유도체), 3-이소프로필아미노-1-부틴, 머캅탄, 머캅토벤조티아졸(MBT), 2-머캅토티아졸린, d-옥시이미노-b-비닐 퀸쿠클리딘, 1,10-페나티오딘, 페난트롤린, 페노티아진, 프로파길 퀴놀리늄 브로마이드, 프로파길 카프로에이트, (2-티오-2'-벤조-티아졸릴)부타오네디오산, 티오페놀 (및 이의 유도체), 톨루이딘 및 이들의 배합물을 들 수 있지만, 이로써 제한되지 않는다.
성분(A)으로서 사용될 수 있는 화합물의 예는 미국 특허 제2,963,433호; 제3,966,623호; 제4,612,049호; 제5,008,153호; 제5,173,130호; 제6,583,201호 및 미국 특허원 제2004/0170848호에 기재되어 있다. 성분(A)으로서 사용하기에 적합한 화합물은 당해 기술분야에 공지되어 있으며, 시판중이다. 예로는 시바 스페셜티 케미칼스(CIBA® Speciality Chemicals)의 이르가메트(IRGAMET®) 30 또는 이르가메트 39; 알.티. 반더빌트(R. T. Vanderbilt)의 쿠밴(CUVAN®) 826 및 쿠밴 484; 및 라인 케미 그룹(Rhein Chemie Groups)의 애디틴(Additin®) 8210, 8213, 8221, 8239 시리즈가 포함된다. 당해 기술분야의 숙련가는 상기한 단일 화합물 또는 구조가 상이한 상기 화합물 중의 두 가지 이상을 포함하는 배합물이 성분(A)으로서 사용될 수 있음을 인지할 것이다.
성분(B) 오가노실란
성분(B)은 오가노실란이다. 전자이동 방지 조성물에 가한 오가노실란의 양은 성분(A), (B) 및 (C)를 합한 중량을 기준으로 하여, 50 내지 90%일 수 있다. 오가노실란은, 예를 들면, 알콕시실란, 아미노 알킬 실란, 에폭시 알킬 실란, 머캅토 알킬 실란 또는 이들의 배합물일 수 있다. 알콕시실란의 예로는 2-메톡시-1-메틸에틸오르토실리케이트, 테트라에틸 오르토실리케이트, 테트라프로필 오르토실리케이트 및 이들의 배합물이 포함된다. 아미노 알킬 실란의 예로는 γ-아미노프로필트리에톡시실란, 아미노프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)- γ-아미노프로필트리메톡시실란이 포함된다. 머캅토 알킬 실란의 예에는 γ-머캅토프로필트리메톡시실란이 포함되지만, 이로써 제한되지 않는다. 성분(B)으로서 사용하기에 적합한 오가노실란의 예는 미국 특허 제5,008,153호 및 이에 참고로 인용된 문헌에 기재되어 있다. 또는, 전자이동 방지 조성물은, 성분(A) 및 (B)의 전부 또는 일부 이외에, 또는 이 대신에 성분(A) 및 (B)의 반응 생성물을 포함할 수 있다.
성분(C) 촉매
임의의 성분(C)은, 축합 반응을 촉진시키기 위해 전자이동 방지 조성물에 가할 수 있는 촉매이다. 촉매는 루이스산; 1급, 2급 또는 3급 유기아민; 금속 산화물; 티탄 화합물; 주석 화합물; 지르코늄 화합물; 또는 이들의 배합물을 포함할 수 있다. 적합한 촉매는 당해 기술분야에 공지되어 있으며, 예로는 미국 특허 제4,753,977호(컬럼 4, 라인 35 내지 컬럼 5, 라인 57)에 기재되어 있는 촉매를 들 수 있다. 성분(C)의 양은 선택한 촉매의 유형 및 전자이동 방지 조성물 중의 나머지 성분의 선택을 포함하는 각종 인자에 따르지만, 성분(C)의 양은 성분(A), (B) 및 (C)를 합한 중량을 기준으로 하여, 0 내지 50%일 수 있다.
성분(C)은 티탄 촉매를 포함할 수 있다. 적합한 티탄 촉매에는 유기작용성(organofunctional) 티타네이트, 실옥시티타네이트 및 이들의 배합물이 포함된다. 유기작용성 티타네이트의 예로는 1,3-프로판디옥시티탄 비스(에틸아세토아세테이트); 1,3-프로판디옥시티탄 비스(아세틸아세토네이트); 디이소프로폭시티탄 비스(아세틸아세토네이트); 2,3-디-이소프로폭시-비스(에틸아세테이트)티탄; 티탄 나프테네이트; 테트라프로필티타네이트; 테트라부틸티타네이트; 테트라에틸헥실티타네이트; 테트라페닐티타네이트; 테트라옥타데실티타네이트; 테트라부톡시티탄; 테트라이소프로폭시티탄; 에틸트리에탄올아민티타네이트; 베타디카보닐티탄 화합물(예: 비스(아세틸아세토닐)디이소프로필티타네이트), 또는 이들의 배합물을 들 수 있다. 기타 유기작용성 티타네이트는 미국 특허 제4,143,088호(컬럼 7, 라인 15 내지 컬럼 10, 라인 35)에 예시되어 있다. 실옥시티타네이트의 예로는 테트라키스(트리메틸실옥시)티탄, 비스(트리메틸실옥시)비스(이소프로폭시)티탄 또는 이들의 배합물을 들 수 있다.
촉매는 주석 화합물을 포함할 수 있다. 적합한 주석 화합물의 예로는 디부틸주석디라우레이트; 디부틸주석디아세테이트; 디부틸주석디메톡사이드; 카보메톡시페닐 주석 트리스-우베레이트; 주석 옥토에이트; 이소부틸 주석 트리세로에이트; 디메틸 주석 디부티레이트; 디메틸 주석 디-네오데코노에이트; 트리에틸 주석 타르트레이트; 디부틸 주석 디벤조에이트; 주석 올레에이트; 주석 나프테네이트; 부틸 주석 트리-2-에틸헥소에이트; 주석 부티레이트 또는 이들의 배합물을 들 수 있다.
촉매는 지르코늄 화합물을 포함할 수 있다. 적합한 지르코늄 화합물의 예로는 지르코늄 옥토에이트를 들 수 있다.
성분(D) 담체
임의의 성분(D)은, 전자이동 방지 조성물의 제조 또는 도포를 용이하게 하기 위해 전자이동 방지 조성물에 가할 수 있는 담체이다. 전자이동 방지 조성물에 가한 담체의 양은 전자이동 방지 조성물의 중량을 기준으로 하여, 0 내지 99%일 수 있다. 담체는 상기한 공정의 단계(1)의 기판 및 단계(2)의 전자 회로를 습윤화시킬 수 있는 액체일 수 있다. 적합한 담체의 예로는 극성 용매, 예를 들면, 물, 알콜, 또는 이들의 배합물을 들 수 있다. 적합한 알콜의 예에는 에탄올, 메탄올, 이소프로판올, 부탄올 및 글리콜 에테르, 예를 들면, 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르가 포함된다. 또는, 담체는 탄화수소, 예를 들면, 나프타를 포함할 수 있다. 또는, 담체는 실리콘 오일을 포함할 수 있다. 성분(D)으로서 사용하기에 적합한 담체의 예는 미국 특허 제5,008,153호에 기재되어 있다.
본 발명의 전자이동 방지 조성물은 임의의 통상적인 수단에 의해, 예를 들면, 모든 성분을 주위 온도에서 혼합함으로써 제조될 수 있다.
본 발명의 전자이동 방지 조성물은 미국 특허원 제2004/01708848호 및 미국 특허 제4,612,049호에 기재되어 있는 막 형성제(film-former)를 함유하지 않는다. '막 형성제를 함유하지 않음'은 전자이동 방지 조성물이 막 형성제를 전혀 함유하지 않거나, 예를 들면, 전자이동 방지 조성물이 Ag 미량과 캡슐화제, ACA 또는 ACF 사이에 존재할 경우, 전자 회로의 의도된 용도를 방해하지 않는 양의 막 형성제를 함유함을 의미한다.
도 1은 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 부분이다.
참조 번호
1. 전면 유리
2. 후면 유리
3. 은 전극
4. 절연층
5. 이동방지층
6. ACF, 비등방성 전도성 접착제
실시예
이들 실시예는 당해 기술분야의 숙련가에게 본 발명을 설명하려는 것이지, 청구의 범위에 나타낸 발명의 범위를 제한하려는 것으로 해석되어서는 안된다.
참고실시예 1 - PDP에서 전자이동 방지 조성물의 용도
도 1은 상기한 공정을 사용하여 제조된 PDP 부분이다. PDP는 전면 유리 시트(1) 및 후면 유리 시트(2)를 포함한다. Ag 전극(3)을 유리 시트(1) 및 (2) 중의 하나 또는 둘 다에 도포한다. PDP의 바디는 Ag 전극(3)의 일부를 덮고 있는 절연층(4)을 함유한다. Ag 전극(3)의 가장자리는 Ag 전극(3)과 가요성 회로 테이프(도시하지 않음) 사이에 전기 접촉이 가능하도록 비처리 상태로 유지된다. 가요성 회로 테이프를 ACF(6)에 의해 Ag 전극(3)에 붙인다. Ag 전극(3)의 선단과 ACF(6) 사이에 전자이동 방지층(5)을 형성하기 위한 전자이동 방지 조성물의 도포는 전자이동 발생을 감소시킬 수 있다.
참조실시예 2 - 시험 방법
물방울 시험(water drop testing)은 탈이온수 방울을 비교적 낮은 전압에서 전극 사이의 간극에 가함을 포함한다; 2V가 이들 실험에 사용되었다. 전극 패턴은 SIR(표면 절연 저항)에 사용된 것이다. 물방울은 광학 현미경으로 관찰될 수 있고, 전도체 사이에 단시간 동안 형성되는데 소요되는 시간은 전류 증가에 의해 측정된다. 전력 공급의 손실을 방지하기 위해 전류 범위를 설정한다. 이러한 시험은 문헌[참조: Mercado, L.L., White, J., Sarihan, V.& Lee, T.T. "Failure mechanism study of ACF packages." IEEE Trans. Comp. Hybrids & Man. Tech. 2003, 26(3) 509]에 기재되어 있다.
이들 실시예에서, 각각의 조성물은 Ag 전극 사이의 간극이 6.25mil인 회로 기판[P-IPC-B-25-1, 제조: 미국 인디아나주 인디아나폴리스 소재의 다이버시파이드 시스템스(Diversified Systems)]에 피복되어 있다. 실온에서 최대 1,000초 동안 2V DC 바이어스를 사용하여, 이온 교환을 통해 정제된 3㎕의 탈이온수 방울을 사용한다. 탈이온수 방울을 땜납 마스크로 2.54mm2 면적으로 제한할 수 있다. 당해 실험의 의도는 표면에 이온 불순물을 유도하여 전해질의 농도를 증가시키고 은 이동 을 촉진시키는 것이었다. 전류가 1Amp에 도달하는 시간을 기록하였다.
비교실시예 1 및 2, 및 실시예 3 내지 13
전자이동 방지 조성물의 샘플은 표 1의 성분을 혼합하여 제조한다. 프라이머는 테트라부톡시 티타네이트(C) 5부, 2-메톡시-1-메틸에틸오르토실리케이트(B) 5부, 테트라프로필 오르토실리케이트(B) 5부 및 옥타메틸트리실록산 85부를 함유하였다. MBT는 머캅토벤조티아졸이었다. 이르가메트 39는 시바 스페셜티 케미칼스에서 구입한 N,N-비스(2-에틸헥실)-아르-메틸-1H-벤조트리아졸-1-메탄아민이었다. BTA는 벤조트리아졸이었다. 쿠밴 484는 미국 코네티컷주 노르워크 소재의 알.티. 반더빌트 캄파니에서 시판중인 알킬티아디아졸이었다. 쿠밴 826은 알.티. 반더빌트 캄파니에서 시판중인 2,5-시머캅토-1,3,4-티아디아졸 유도체이었다. 6-HQ는 6-하이드록시퀴논이었다. 이르가메트 30은 시바 스페셜티 케미칼스의 트리아졸 유도체이었다. 2-MB는 2-머캅토벤즈이미다졸이었다. 코브라텍(COBRATEC®) CBT는 미국 오하이오주 신시네티 소재의 피엠씨 스페셜티즈 그룹, 인코포레이티드(PMC Specialties Group, Inc.)의 카복시벤조트리아졸이었다. ERA는 전자이동 방지제를 의미한다.
실시예 3 내지 13의 전자이동 방지 조성물은 각각 회로 기판에 도포되었다. 비교를 위해, 도포되지 않은 회로 기판(실시예 1)과, 전자이동 방지제의 부재하에 프라이머로 피복된 회로 기판(실시예 2)을 참조실시예 2의 방법에 따라 시험하였다. 결과를 표 1에 나타내었다. 결과는, 시험한 각 전자이동 방지제가 정지(failure) 전에 시간을 연장(1Amp에 도달하는 전류)시킴을 나타낸다. 당해 기술분야의 숙련가는 과도한 실험 없이 전자이동 방지제의 양을 최적화할 수 있을 것이다.
Figure 112010082974308-pct00027
본 발명의 공정 및 전자이동 방지 조성물은 전자 장치에서 Ag의 전자이동을 감소시켜, 단락으로 인한 장치의 정지를 감소시킨다. 이론으로 제한함 없이, 본 발명의 공정 및 전자이동 방지 조성물이 부식을 감소시킬 수도 있을 것으로 사료된다. 본 발명의 공정은 레지스터, 캐패시터 및 디스플레이(예: PDP 또는 LCD) 등의 서로 밀접한 전자 회로를 갖는 전자 장치의 제조 동안 유용하다. 본 발명의 공정은, 미국 특허원 제2005/0062417Al호에 기재되어 있는 바와 같이 PDP 장치의 제조 동안 사용되어, 예를 들면, 플라즈마 디스플레이 텔레비젼에서 단락을 유발할 수 있는 Ag의 전자이동을 최소화할 수 있다.

Claims (21)

  1. 기판에 Ag 전극을 포함하는 전자 회로를 형성하는 단계(1) 및
    전자 회로의 전부 또는 일부를 전자이동 방지 조성물로 처리하는 단계(2)를 포함하고,
    상기 단계(2)의 전자이동 방지 조성물이 전자이동 방지제(A), 오가노실란(B) 및 담체(D)를 포함하는, 전자 회로에서 Ag의 전자이동을 최소화하는 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 단계(2)로부터 처리된 전자 회로를 캡슐화제, 전도성 막, 전도성 접착제 및 이들의 배합물로부터 선택된 피복물로 피복하는 단계(3)을 추가로 포함하는, 전자 회로에서 Ag의 전자이동을 최소화하는 방법.
  5. 유리 패널에 Ag 전극을 형성하는 단계(1),
    Ag 전극을 전자이동 방지 조성물로 처리하는 단계(2) 및
    단계(2)로부터 처리된 Ag 전극을 피복하는 단계(3)를 포함하고,
    상기 단계(2)의 전자이동 방지 조성물이 전자이동 방지제(A), 오가노실란(B) 및 탄화수소, 실리콘 오일 및 이들의 배합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 담체(D)를 포함하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서, 성분(A)가 아크리딘, 2-아미노-티아졸, 2-아미노-티아졸린, 2-아미노-1,2,4-트리아졸, 아니오닌, 벤즈이미다졸, (2-벤즈이미다졸릴티오)숙신산, 벤조옥사졸 (및 이의 유도체), 벤조티아졸 (및 이의 유도체), 벤즈이미다졸 (및 이의 유도체), 벤조트리아졸, 3-벤질아미노-1-부틴, 데카메틸렌 이미드, 디아미노헵탄, 디시안디아민, N,N-디-(2-에틸헥실)-4-메틸-lH-벤조트리아졸-1-메탄아민, 2,5-디머캅토-1,3,4-티아디아졸, 디프로파길 에테르, 디프로파길 티오에테르, 6-N-에틸 푸린, 1-에틸아미노-2-퀴놀린 (및 이의 유도체), 헥사메틸렌-3,5-디니트로벤젠, 헥사메틸렌 이미드, 헥사메틸렌 이민벤조에이트, 헥사메틸렌 테트라민, 이미다졸 (및 이의 유도체), 3-이소프로필아미노-1-부틴, 머캅탄, 머캅토벤조티아졸, 2-머캅토티아졸린, d-옥시이미노-b-비닐 퀸쿠클리딘, 1,10-페나티오딘, 페난트롤린, 페노티아진, 프로파길 퀴놀리늄 브로마이드, 프로파길 카프로에이트, (2-티오-2'-벤조-티아졸릴)부타오네디오산, 티오페놀 (및 이의 유도체), 톨루이딘 및 이들의 배합물로부터 선택되는, 전자 회로에서 Ag의 전자이동을 최소화하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 성분(A)가,
    (I) 지방족 또는 지환족 그룹이 하나 이상의 화학식 I의 그룹에 의해 치환된 지방족 또는 지환족 모노-카복실산 또는 폴리-카복실산,
    (II) 화학식 II의 화합물, 화학식 III의 화합물 및 이들의 배합물로부터 선택된 티오우레아 유도체,
    (III) 화학식 IV의 화합물, 화학식 V의 화합물 및 이들의 배합물로부터 선택된 벤조티아졸 유도체,
    (IV) 화학식 VI의 디알킬디티오카밤산,
    (V) 화학식 VII의 o-알킬크산트산 유도체,
    (VI) 화학식 VIII의 헤테로사이클릭 화합물,
    (VII) 화학식 IX의 머캅토벤조티아졸의 아민염 유도체,
    (VIII) 화학식 X의 2,5-비스-하이드로카빌디티오-1,3,4-티아디아졸,
    (IX) 화학식 XI의 머캅토티아졸 및
    (X) 화학식 XII의 이미다졸린으로부터 선택되는, 전자 회로에서 Ag의 전자이동을 최소화하는 방법.
    화학식 I
    Figure 112012027551052-pct00014
    화학식 II
    Figure 112012027551052-pct00015
    화학식 III
    Figure 112012027551052-pct00016
    화학식 IV
    화학식 V
    Figure 112012027551052-pct00018
    화학식 VI
    Figure 112012027551052-pct00019
    화학식 VII
    Figure 112012027551052-pct00020
    화학식 VIII
    Figure 112012027551052-pct00021
    화학식 IX
    Figure 112012027551052-pct00022
    화학식 X
    Figure 112012027551052-pct00023
    화학식 XI
    Figure 112012027551052-pct00024
    화학식 XII
    Figure 112012027551052-pct00025
    위의 화학식 I 내지 XII에서,
    Rl은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬 그룹, 할로겐화 알킬 그룹, 알콕시 그룹, 알킬티오 그룹, 알킬설포닐 그룹, 사이클로알킬 그룹, 페닐 그룹, 알킬페닐 그룹, 페닐알킬 그룹, 할로겐원자, -CN, -NO2, -COOH, -COO-알킬, -OH, 1급 아미노, 2급 아미노, 3급 아미노 또는 카바모일 그룹이고,
    R2는 탄소원자, 산소원자, 황원자 또는 NH이고,
    R3은 지방족 또는 지환족 모노-카복실산 또는 폴리-카복실산 함유 화합물이며,
    R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, 아세틸 및 알케닐로부터 선택되고,
    R7은 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, 아세틸, 알케닐 또는 -NH2이며,
    R8은 탄소수 2 이상의 2가 탄화수소 그룹이고,
    R9는 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, -SH, -SCH2CH2CH2SO3Na, -NH2, -NHCH3 또는 -N(CH3)2이며,
    R10은 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, 알케닐 또는 카복시알킬이고,
    R11은 할로겐원자 또는 설페이트를 포함하는 음이온이며,
    R12 및 Rl3은 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹이고,
    Rl4는 -S- 또는 -SCH2CH2CH2SO3-이며,
    R15는 수소원자, 암모늄, 나트륨 또는 칼륨이고,
    R16은 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹이며,
    R17은 탄소수 1 내지 30의 알킬 그룹이고,
    Rl8은 탄소원자, 산소원자 또는 황원자이며,
    R19는 탄소수 4 내지 30의 알킬 또는 알케닐 그룹이고,
    R2O 및 R21은 각각 독립적으로 탄소수 4 내지 30의 알킬 그룹 또는 탄소수 4 내지 30의 알케닐 그룹이며,
    R22 및 R23은 각각 독립적으로 수소원자 및 알킬 그룹으로부터 선택되고,
    R24는 각각 독립적으로 수소원자 또는 알킬 그룹이며,
    R25는 분자량 75 미만의 그룹이고,
    R26은 탄소수 8 내지 20의 탄화수소 그룹이다.
  9. 제1항에 있어서, 성분(B)가 알콕시실란, 아미노 알킬 실란, 에폭시 알킬 실란, 머캅토 알킬 실란 또는 이들의 배합물을 포함하는, 전자 회로에서 Ag의 전자이동을 최소화하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 루이스산; 1급, 2급 또는 3급 유기 아민; 금속 산화물; 티탄 화합물; 주석 화합물; 지르코늄 화합물 및 이들의 배합물로부터 선택된 촉매를 포함하는 성분(C)를 추가로 포함하는, 전자 회로에서 Ag의 전자이동을 최소화하는 방법.
  11. 삭제
  12. 제5항의 방법으로 제조한, 플라즈마 디스플레이 패널.
  13. 전면 유리 시트(i),
    전면 유리 시트와 마주보는 후면 유리 시트(ii),
    전면 유리 시트와 후면 유리 시트 중의 하나 이상에 피복되고, 비처리 가장자리 부분과 피복된 부분을 갖는 Ag 전극(iii),
    Ag 전극의 피복된 부분을 덮고 있는 절연층(iv) 및
    Ag 전극의 가장자리 부분에 걸쳐 도포된 전자이동 방지 조성물(v)을 포함하고,
    상기 전자이동 방지 조성물(v)이 전자이동 방지제(A), 오가노실란(B) 및 탄화수소, 실리콘 오일 및 이들의 배합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 담체(D)를 포함하는, 플라즈마 디스플레이 패널.
  14. 제13항에 있어서, Ag 전극에 걸쳐 비등방성 전도성 막을 추가로 포함하는, 플라즈마 디스플레이 패널.
  15. 제5항에 있어서, 성분(A)가 아크리딘, 2-아미노-티아졸, 2-아미노-티아졸린, 2-아미노-1,2,4-트리아졸, 아니오닌, 벤즈이미다졸, (2-벤즈이미다졸릴티오)숙신산, 벤조옥사졸 (및 이의 유도체), 벤조티아졸 (및 이의 유도체), 벤즈이미다졸 (및 이의 유도체), 벤조트리아졸, 3-벤질아미노-1-부틴, 데카메틸렌 이미드, 디아미노헵탄, 디시안디아민, N,N-디-(2-에틸헥실)-4-메틸-lH-벤조트리아졸-1-메탄아민, 2,5-디머캅토-1,3,4-티아디아졸, 디프로파길 에테르, 디프로파길 티오에테르, 6-N-에틸 푸린, 1-에틸아미노-2-퀴놀린 (및 이의 유도체), 헥사메틸렌-3,5-디니트로벤젠, 헥사메틸렌 이미드, 헥사메틸렌 이민벤조에이트, 헥사메틸렌 테트라민, 이미다졸 (및 이의 유도체), 3-이소프로필아미노-1-부틴, 머캅탄, 머캅토벤조티아졸, 2-머캅토티아졸린, d-옥시이미노-b-비닐 퀸쿠클리딘, 1,10-페나티오딘, 페난트롤린, 페노티아진, 프로파길 퀴놀리늄 브로마이드, 프로파길 카프로에이트, (2-티오-2'-벤조-티아졸릴)부타오네디오산, 티오페놀 (및 이의 유도체), 톨루이딘 및 이들의 배합물로부터 선택되는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  16. 제5항에 있어서, 성분(A)가,
    (I) 지방족 또는 지환족 그룹이 하나 이상의 화학식 I의 그룹에 의해 치환된 지방족 또는 지환족 모노-카복실산 또는 폴리-카복실산,
    (II) 화학식 II의 화합물, 화학식 III의 화합물 및 이들의 배합물로부터 선택된 티오우레아 유도체,
    (III) 화학식 IV의 화합물, 화학식 V의 화합물 및 이들의 배합물로부터 선택된 벤조티아졸 유도체,
    (IV) 화학식 VI의 디알킬디티오카밤산,
    (V) 화학식 VII의 o-알킬크산트산 유도체,
    (VI) 화학식 VIII의 헤테로사이클릭 화합물,
    (VII) 화학식 IX의 머캅토벤조티아졸의 아민염 유도체,
    (VIII) 화학식 X의 2,5-비스-하이드로카빌디티오-1,3,4-티아디아졸,
    (IX) 화학식 XI의 머캅토티아졸 및
    (X) 화학식 XII의 이미다졸린으로부터 선택되는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
    화학식 I
    Figure 112012027551052-pct00028
    화학식 II
    Figure 112012027551052-pct00029
    화학식 III
    Figure 112012027551052-pct00030
    화학식 IV
    Figure 112012027551052-pct00031
    화학식 V
    Figure 112012027551052-pct00032
    화학식 VI
    Figure 112012027551052-pct00033
    화학식 VII
    Figure 112012027551052-pct00034
    화학식 VIII
    Figure 112012027551052-pct00035
    화학식 IX
    Figure 112012027551052-pct00036
    화학식 X
    Figure 112012027551052-pct00037
    화학식 XI
    Figure 112012027551052-pct00038
    화학식 XII
    Figure 112012027551052-pct00039
    위의 화학식 I 내지 XII에서,
    Rl은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬 그룹, 할로겐화 알킬 그룹, 알콕시 그룹, 알킬티오 그룹, 알킬설포닐 그룹, 사이클로알킬 그룹, 페닐 그룹, 알킬페닐 그룹, 페닐알킬 그룹, 할로겐원자, -CN, -NO2, -COOH, -COO-알킬, -OH, 1급 아미노, 2급 아미노, 3급 아미노 또는 카바모일 그룹이고,
    R2는 탄소원자, 산소원자, 황원자 또는 NH이고,
    R3은 지방족 또는 지환족 모노-카복실산 또는 폴리-카복실산 함유 화합물이며,
    R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, 아세틸 및 알케닐로부터 선택되고,
    R7은 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, 아세틸, 알케닐 또는 -NH2이며,
    R8은 탄소수 2 이상의 2가 탄화수소 그룹이고,
    R9는 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, -SH, -SCH2CH2CH2SO3Na, -NH2, -NHCH3 또는 -N(CH3)2이며,
    R10은 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, 알케닐 또는 카복시알킬이고,
    R11은 할로겐원자 또는 설페이트를 포함하는 음이온이며,
    R12 및 Rl3은 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹이고,
    Rl4는 -S- 또는 -SCH2CH2CH2SO3-이며,
    R15는 수소원자, 암모늄, 나트륨 또는 칼륨이고,
    R16은 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹이며,
    R17은 탄소수 1 내지 30의 알킬 그룹이고,
    Rl8은 탄소원자, 산소원자 또는 황원자이며,
    R19는 탄소수 4 내지 30의 알킬 또는 알케닐 그룹이고,
    R2O 및 R21은 각각 독립적으로 탄소수 4 내지 30의 알킬 그룹 또는 탄소수 4 내지 30의 알케닐 그룹이며,
    R22 및 R23은 각각 독립적으로 수소원자 및 알킬 그룹으로부터 선택되고,
    R24는 각각 독립적으로 수소원자 또는 알킬 그룹이며,
    R25는 분자량 75 미만의 그룹이고,
    R26은 탄소수 8 내지 20의 탄화수소 그룹이다.
  17. 제5항에 있어서, 성분(B)가 알콕시실란, 아미노 알킬 실란, 에폭시 알킬 실란, 머캅토 알킬 실란 또는 이들의 배합물을 포함하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  18. 제5항에 있어서, 루이스산; 1급, 2급 또는 3급 유기 아민; 금속 산화물; 티탄 화합물; 주석 화합물; 지르코늄 화합물 및 이들의 배합물로부터 선택된 촉매를 포함하는 성분(C)를 추가로 포함하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  19. 제13항에 있어서, 성분(A)가,
    (I) 지방족 또는 지환족 그룹이 하나 이상의 화학식 I의 그룹에 의해 치환된 지방족 또는 지환족 모노-카복실산 또는 폴리-카복실산,
    (II) 화학식 II의 화합물, 화학식 III의 화합물 및 이들의 배합물로부터 선택된 티오우레아 유도체,
    (III) 화학식 IV의 화합물, 화학식 V의 화합물 및 이들의 배합물로부터 선택된 벤조티아졸 유도체,
    (IV) 화학식 VI의 디알킬디티오카밤산,
    (V) 화학식 VII의 o-알킬크산트산 유도체,
    (VI) 화학식 VIII의 헤테로사이클릭 화합물,
    (VII) 화학식 IX의 머캅토벤조티아졸의 아민염 유도체,
    (VIII) 화학식 X의 2,5-비스-하이드로카빌디티오-1,3,4-티아디아졸,
    (IX) 화학식 XI의 머캅토티아졸 및
    (X) 화학식 XII의 이미다졸린으로부터 선택되는, 플라즈마 디스플레이 패널.
    화학식 I
    Figure 112012027551052-pct00040
    화학식 II
    Figure 112012027551052-pct00041
    화학식 III
    Figure 112012027551052-pct00042
    화학식 IV
    Figure 112012027551052-pct00043
    화학식 V
    Figure 112012027551052-pct00044
    화학식 VI
    Figure 112012027551052-pct00045
    화학식 VII
    Figure 112012027551052-pct00046
    화학식 VIII
    Figure 112012027551052-pct00047
    화학식 IX
    Figure 112012027551052-pct00048
    화학식 X
    Figure 112012027551052-pct00049
    화학식 XI
    Figure 112012027551052-pct00050
    화학식 XII
    Figure 112012027551052-pct00051
    위의 화학식 I 내지 XII에서,
    Rl은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬 그룹, 할로겐화 알킬 그룹, 알콕시 그룹, 알킬티오 그룹, 알킬설포닐 그룹, 사이클로알킬 그룹, 페닐 그룹, 알킬페닐 그룹, 페닐알킬 그룹, 할로겐원자, -CN, -NO2, -COOH, -COO-알킬, -OH, 1급 아미노, 2급 아미노, 3급 아미노 또는 카바모일 그룹이고,
    R2는 탄소원자, 산소원자, 황원자 또는 NH이고,
    R3은 지방족 또는 지환족 모노-카복실산 또는 폴리-카복실산 함유 화합물이며,
    R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, 아세틸 및 알케닐로부터 선택되고,
    R7은 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, 아세틸, 알케닐 또는 -NH2이며,
    R8은 탄소수 2 이상의 2가 탄화수소 그룹이고,
    R9는 수소원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, -SH, -SCH2CH2CH2SO3Na, -NH2, -NHCH3 또는 -N(CH3)2이며,
    R10은 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹, 알케닐 또는 카복시알킬이고,
    R11은 할로겐원자 또는 설페이트를 포함하는 음이온이며,
    R12 및 Rl3은 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹이고,
    Rl4는 -S- 또는 -SCH2CH2CH2SO3-이며,
    R15는 수소원자, 암모늄, 나트륨 또는 칼륨이고,
    R16은 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹이며,
    R17은 탄소수 1 내지 30의 알킬 그룹이고,
    Rl8은 탄소원자, 산소원자 또는 황원자이며,
    R19는 탄소수 4 내지 30의 알킬 또는 알케닐 그룹이고,
    R2O 및 R21은 각각 독립적으로 탄소수 4 내지 30의 알킬 그룹 또는 탄소수 4 내지 30의 알케닐 그룹이며,
    R22 및 R23은 각각 독립적으로 수소원자 및 알킬 그룹으로부터 선택되고,
    R24는 각각 독립적으로 수소원자 또는 알킬 그룹이며,
    R25는 분자량 75 미만의 그룹이고,
    R26은 탄소수 8 내지 20의 탄화수소 그룹이다.
  20. 제13항에 있어서, 성분(B)가 알콕시실란, 아미노 알킬 실란, 에폭시 알킬 실란, 머캅토 알킬 실란 또는 이들의 배합물을 포함하는, 플라즈마 디스플레이 패널.
  21. 제13항에 있어서, 루이스산; 1급, 2급 또는 3급 유기 아민; 금속 산화물; 티탄 화합물; 주석 화합물; 지르코늄 화합물 및 이들의 배합물로부터 선택된 촉매를 포함하는 성분(C)를 추가로 포함하는, 플라즈마 디스플레이 패널.
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