JP2008503066A - 材料の放射率を増大させるシステム及び方法 - Google Patents
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- 材料の放射率を増大させる方法において、
前記材料の表面を機械加工するステップと、
前記材料の前記加工された面をエッチングするステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 前記機械加工ステップは、前記表面を機械的に粗面化するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記機械加工ステップは、前記表面を工具と噛み合わせるステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記機械加工ステップは、前記表面を粒状媒体と接触させるステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記接触ステップは、前記表面をショットピーニングするステップを含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記機械加工ステップは、前記表面を1つ又は多数の液体噴流と接触させるステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記エッチングステップは、前記加工された表面を反応性酸と接触させることによってなされることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記材料は、耐熱性金属を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記耐熱性金属は、レニウムを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記耐熱性金属は、モリブデンを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記耐熱性金属は、タングステンを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記耐熱性金属は、レニウム、モリブデン、タングステン、及びニオビウムの少なくとも1つを含む合金を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記材料は、放射加熱要素であることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 請求項1に記載のプロセスによって作製された材料を備える放射加熱器。
- 請求項2に記載のプロセスによって作製された材料を備える放射加熱器。
- 請求項3に記載のプロセスによって作製された材料を備える放射加熱器。
- 前記材料は、電気抵抗加熱フィラメントであることを特徴とする請求項14に記載の加熱器。
- 請求項14の前記加熱器と、被加工品を前記加熱器の近傍に保持するように配置された構造体とを備える被加工品を加熱するシステム。
- 反応室と、前記反応室に配置された請求項17に記載の加熱器と、前記加熱器に近接して前記反応室に配置される半導体ウエハホルダーとを備える半導体処理反応装置。
- 増大された放射率を有する要素において、前記要素は、第1の表面を有する材料を含み、 前記第1の表面は、前記材料の前記第1の表面を機械加工及びエッチングすることによって生成された微細組織欠陥と転位の少なくとも1つを含むことを特徴とする要素。
- 前記要素は、放射加熱要素を含むことを特徴とする請求項20に記載の要素。
- 前記放射加熱要素の前記材料は、耐熱性金属を含み、前記耐熱性金属は、単独又は合金の形態にあることを特徴とする請求項21に記載の要素。
- 前記放射加熱要素の前記材料は、レニウム、モリブデン、タングステン、及びニオビウムの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項22に記載の要素。
- ウエハキャリア用の材料を作製する方法において、
材料の表面を機械的に粗面化するステップと、
前記粗面化された表面を化学的にエッチングするステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項24のプロセスによって作製された前記材料を備えるウエハキャリア。
- 前記材料は、レニウム、モリブデン、タングステン、及びニオビウムの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項25に記載のウエハキャリア。
- 熱吸収面用の材料を作製する方法において、
材料の表面を機械的に粗面化するステップと、
前記粗面化された表面を化学的にエッチングするステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項27のプロセスによって作製された前記材料を備える熱吸収面。
- 前記材料は、レニウム、モリブデン、タングステン、及びニオビウムの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項28に記載の熱吸収面。
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