JP2008306800A - 発電制御装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】直流出力部にバッテリを有しないシステムにおいて、電圧応答性が向上した発電機制御装置を提供することにある。
【解決手段】PWM信号生成部429は、発電装置の直流電圧出力端子に電気的な負荷が接続されている状態で、直流電圧出力端子の直流電圧を制御するために発電装置の界磁巻線端子に印加する界磁電圧を生成する。フィードバック制御部422は、PWM信号生成部429に与える界磁電圧指令値を演算する。また、フィードバック制御部422は、直流電圧の検出値と直流電圧指令値との電圧偏差を演算し、電圧偏差からPI演算により前記界磁電圧指令値を生成するPI制御部423を有する。フィードバック制御部422は、PI制御部423の出力に対して、発電機の界磁電圧から直流電圧までの入出力伝達特性に基づいて、電圧偏差に補償を施した上で、界磁電圧指令値を生成する補償部424,425を備える。
【選択図】図9

Description

本発明は、発電機を制御する発電制御装置に関する。
従来から、界磁巻線型の三相同期発電機とダイオード整流装置を組み合わせた発電装置は、車載用発電機として使用され、オルタネータと称せられる。オルタネータは、界磁電圧を制御することによって発電機出力を所望の値に追従させる発電装置である。オルタネータは、発電機電機子電流をインバータやチョッパで制御する必要がないため、製造コストが安価で、自動車用発電機として広く普及している。
オルタネータの出力電圧の制御は、検出した直流出力電圧を直流電圧指令値と比較して、PIコントローラなどにより、界磁電圧をフィードバック制御する方法が一般的である(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、界磁電圧を制御する方法は、PIコントローラのフィードバックゲインが一定であるため、直流電圧の制御性能が電機子制御型に比べ劣り、直流電圧の応答性能が回転数、負荷の変動によって大きく変化する。
そこで、直流電圧値と直流電圧指令値の偏差に応じてPI制御を行う際に、発電装置の動作条件に応じてフィードバックゲインを変えるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。例えば、三相同期発電機の回転数変動が直流電流の変動に及ぼす影響は、回転数が低い領域では大きく、高い領域では小さいことから、フィードバックゲインの与え方は、回転数が低い領域では小さく、回転数が高い領域では大きくする。これによって回転数変動による発電電力の変動を抑えることができる。また、三相同期発電機の界磁電流が増大すると直流電流の変化が飽和することから、電気負荷が要求する電力に発電装置が高応答で電力を供給できるように、界磁電流の増加に応じてゲインを増大させている。
特開昭60−106338号公報 特開平5−176476号公報
しかしながら、特許文献2記載のものは、直流出力部にバッテリを並列接続して利用するもので、直流電圧をバッテリの定格電圧値に一定に保持するように直流電圧フィードバックによって一般に制御される。即ち、バッテリと並列接続されている電気負荷の変動や三相同期発電機の回転数変動による変動を抑制するように直流電圧は定電圧制御される。
しかし、直流出力にバッテリが接続されていない場合は、特許文献2記載のようにフィードバックゲインを与えると、直流電圧の変動が大きくなる。つまり特許文献2記載の方式は、バッテリによって電圧変動が小さく抑えられている状態のもとで、界磁電流から出力電流までの応答性に対してフィードバックゲインを決めているものである。従って、オルタネータの出力にバッテリが接続されていない場合は、前述のフィードバックゲインで制御すると電圧の変動が助長され、電圧フィードバックゲインを大きくすると電圧のオーバーシュートが生じ、また、電圧フィードバックゲインが小さいと電圧の応答性が低下する。また、このような現象は、バッテリを持たない場合だけでなく、容量の小さいバッテリを持つ場合や、容量の大きいバッテリを持つ場合でもバッテリが満充電状態にある場合においても、同様に生じる。
本発明では、電圧応答性を向上させることができる発電機制御装置を提供することにある。
(1)上記発電機制御装置を達成するために、本発明の代表的なものは、界磁巻線型の三相同期発電機と該三相同期発電機から出力される三相交流電圧を直流電圧に整流するダイオード整流装置から構成される発電装置と、前記発電装置の出力により直接駆動される三相同期電動機とから構成される発電駆動システムに用いられ、前記発電装置の直流電圧出力端子に電気的な負荷が接続されている状態で、前記直流電圧出力端子の直流電圧を制御するために前記発電装置の界磁巻線端子に印加する界磁電圧を生成するPWM信号生成部と、前記PWM信号生成部に与える界磁電圧指令値を演算するフィードバック制御部とを有し、前記フィードバック制御部は、前記直流電圧の検出値と直流電圧指令値との電圧偏差を演算し、該電圧偏差からPI演算により前記界磁電圧指令値を生成するPI制御部を有する発電制御装置であって、前記フィードバック制御部は、前記PI制御部の出力に対して、前記発電機の界磁電圧から直流電圧までの入出力伝達特性に基づいて、前記電圧偏差に補償を施した上で、前記界磁電圧指令値を生成する補償部を備えるようにしたものである。
かかる構成により、電圧応答性が向上し得るものとなる。
(2)上記(1)において、好ましくは、前記補償部は、前記PI制御部の出力に対して、前記三相同期発電機の回転数によって補償を施した上で、前記界磁電圧指令値を生成する回転数変動補償部である。
(3)上記(2)において、好ましくは、前記回転数変動補償部は、前記PI制御部の出力に対して、前記PI制御部の伝達特性の絶対値を前記三相同期電動機の回転数に反比例させて補償するものである。
(4)上記(1)において、好ましくは、前記補償部は、前記PI制御部の出力に対して、前記発電装置の直流電流によりゲインを補償するゲイン補償部である。
(5)上記(1)において、好ましくは、前記補償部は、前記PI制御部の出力に対して、前記発電装置の界磁電流によりゲインを補償するゲイン補償部である。
(6)上記(1)において、好ましくは、前記補償部は、前記PI制御部の出力に対して、前記発電装置の直流電圧によりゲインを補償するゲイン補償部である。
(7)上記(1)において、好ましくは、前記補償部は、 前記PI制御部の出力に対して、前記発電装置の界磁電流から直流電圧までの増幅率が増加すると減少し、前記増幅率が減少すると増加する補償要素によって補償を施した上で、前記界磁電圧指令値を生成するものである。
(8)上記(1)において、好ましくは、前記補償部は、前記発電装置の直流電圧から前記発電装置の界磁電圧までの入出力関係の基準となるモデルであり、前記発電装置の直流電圧が入力すると、磁気飽和の影響がないと仮定した場合の基準界磁電圧を出力する規範モデルを用い、前記規範モデルが出力する基準界磁電圧に前記発電装置の界磁電圧を近づけるための規範界磁電圧量補償を求める規範界磁電圧量補償部を備え、前記PI制御部の出力に対して、前記規範界磁電圧量補償部によって元米良得た規範界磁電圧量補償によって補償を施した上で、前記界磁電圧指令値を生成する回転数変動補償部である。
(9)上記目的を達成するために、本発明は、電機子巻線を備えた電機子、および界磁巻線を備えた界磁を有する発電機本体と、前記界磁巻線に供給される界磁電流を制御して前記電機子巻線の出力を制御する制御器とを有する発電機の制御装置であって、前記発電機本体の磁気回路が飽和状態にある時、前記発電機本体の磁気回路が非飽和状態にある時よりも、前記界磁巻線の界磁電圧のピーク値が大きくなるように、前記界磁電流を制御するための界磁指令を前記制御器に出力するようにしたものである。
かかる構成により、電圧応答性が向上し得るものとなる。
(10)上記目的を達成するために、本発明は、車輪を駆動するエンジンにより駆動され、電機子巻線を備えた電機子、および界磁巻線を備えた界磁を有する発電機本体と、前記界磁巻線に供給される界磁電流を制御して前記電機子巻線の出力を制御する制御器とを有する発電機と、該発電機から出力された電力を駆動源とし、前記エンジンにより駆動される車輪とは異なる車輪を駆動する電動機と、前記発電機および前記電動機の駆動を制御する制御装置と、有し、前記制御装置は、前記発電機本体の磁気回路が飽和状態にある時、前記発電機本体の磁気回路が非飽和状態にある時よりも、前記界磁巻線の界磁電圧のピーク値が大きくなるように、前記界磁電流を制御するための界磁指令を前記制御器に出力するようにしたものである。
かかる構成により、電圧応答性が向上し得るものとなる。
本発明によれば、電圧応答性を向上することができる。
以下、図1〜図10を用いて、本発明の一実施形態による発電機制御装置の構成及び動作について説明する。
最初に、図1を用いて、本実施形態による発電機制御装置を搭載する電気式4輪駆動車の構成及び動作について説明する。
図1は、本発明の一実施形態による発電機制御装置を搭載する電気式4輪駆動車の構成を示すシステムブロック図である。
図1に示す電気式4輪駆動車は、発電装置であるオルタネータと、このオルタネータの出力電圧により駆動される同期電動機の間に、オルタネータの出力電圧を蓄積するバッテリを有しないものである。すなわち、オルタネータの出力電圧によって同期電動機が直接駆動されるものである。なお、本実施形態では、バッテリを持たないシステムに本発明を適用した場合を例に挙げて説明するが、容量の小さいバッテリを持つシステムに対しても本発明を適用してもいいし、容量の大きいバッテリを持つシステムでもバッテリが満充電状態にある時には本発明を適用できる。
電気式4輪駆動車は、前輪2をエンジン6で駆動し、後輪4を三相同期電動機300で駆動するシステムである。エンジン6にはベルトプーリ3を介してオルタネータ200が接続され、オルタネータ200で発電された電力によって三相同期電動機300が駆動される。即ち、前輪2およびエンジン6と、後輪4は機械的に接続されておらず、電気配線によって接続されている。前輪2のトルクはエンジン6とオルタネータ200のトルクで決まり、後輪4で発生するトルクは三相同期電動機300で発生するトルクによる。電気式4輪駆動車は、滑りやすい路面での発進性能に優れている。例えば、登坂路面で前輪がスリップすると、スリップが増大しないようにエンジン6のトルクを低下させると共に、オルタネータ200での発電した電力でもって、後輪に接続された三相同期電動機300を駆動することで、スリップを回避することができる。
本例のシステムは、オルタネータで発電する電力で直接三相同期電動機300を駆動する方式であり、大容量のバッテリを搭載しない、若しくは、小容量のバッテリを搭載しているものである。このため、電気システムの搭載スペースを小型化できる。また、エンジンの動力を後輪に機械的に伝達する機械式4輪駆動車と比べて、本方式は後輪が出すことができるトルクに関して同等であり、高応答な電気制御による後輪の粘着性能において勝っている。
オルタネータ200は、三相同期発電機210と、界磁電圧調整器211と、整流回路220とを備えている。三相同期発電機210が出力する三相交流電力は、整流回路220によって直流電力に変換される。界磁電圧調整器211は、三相同期発電機210の界磁コイルに供給する界磁電圧を調整し、それによって、三相同期発電機210の出力電力を変えることができる。界磁電圧の指令値は、4輪駆動コントロールユニット(4WD−CU)400から、界磁PWM信号として与えられる。
オルタネータ200の出力電力は、コンデンサ250と、インバータ310とを介して、三相同期電動機300に供給される。インバータ310は、オルタネータ200の直流出力電力を、三相交流電力に変換する。三相交流電力は、三相同期電動機300のU相,V相,W相の三相電機子コイルに供給される。インバータ310を構成するスイッチング素子のゲート端子には、ゲートドライバ315からゲート信号が供給される。ゲートドライバ315は、4WD−CU400からのゲート指令に応じて、インバータ310を構成するスイッチング素子をオン・オフ制御する。コンデンサ250は、インバータ310のスイッチング動作によって生じるリップルを平滑化するために備えられている。
界磁電圧調整器311は、三相同期電動機300の界磁コイルに供給する界磁電圧を調整し、それによって、三相同期電動機300の出力トルクを変えることができる。界磁電圧の指令値は、4輪駆動コントロールユニット(4WD−CU)400から、界磁PWMとして与えられる。
三相同期電動機300と後輪4の間には、ディファレンシャルギア700が据え付けられている。ディファレンシャルギア700は、三相同期電動機300のトルクを、左右の後輪4に均等に分配する。オルタネータ200及び三相同期電動機300は、4WD−CU400によって制御される。4WD−CU400には、エンジン6の回転数を示すエンジン回転数信号、アクセルペダルの踏込量を示すアクセル開度信号、ブレーキペダルの踏込量を示すブレーキストローク信号、変速機のシフト位置を示すシフト位置信号などが入力する。
次に、図2を用いて、本実施形態による発電機制御装置を含む4WD−CU400の構成及び動作について説明する。
図2は、本発明の一実施形態による発電機制御装置を含む4WD−CUの構成を示すシステムブロック図である。なお、図1と同一符号は、同一部分を示している。
4WD−CU400は、車両制御装置410と、発電機制御装置420と、電動機制御装置430とから構成される。
車両制御装置(V−CU)410は、エンジン6からエンジン回転数信号、ドライバからアクセル開度信号、ブレーキストローク信号、シフト位置信号、発電機制御装置420からトルク制限信号、電動機制御装置430から三相同期電動機300の交流電圧を入力とし、発電機制御装置420に電力指令信号を出力し、また、電動機制御装置430にトルク指令を出力する。
V−CU410は、各入力信号を、プログラムに基づいて演算し、演算結果を出力信号として、発電機制御装置(G−CU)420、電動機制御装置(M−CU)430に出力する。
G−CU420は、エンジン6からエンジン回転数信号、V−CU410から電力指令信号、および直流電圧信号を入力とし、オルタネータ200の界磁電圧調整器211に界磁電圧デューティPWM信号を出力し、また、V−CU410にトルク制限信号を出力する。G−CU420は、各入力信号を、プログラムに基づいて演算し、演算結果を出力信号として、V−CU410、界磁電圧調整器211に出力する。
M−CU430は、V−CU410からトルク指令信号、及び三相同期電動機300の電動機回転数信号、相電流信号、直流電流信号、直流電圧信号、界磁電流信号を入力とし、V−CU410に交流電圧を出力し、また、ゲートドライバ315にゲート信号指令値を出力する。M−CU430は、入力信号を、プログラムに基づいて演算し、演算結果を出力信号としてゲートドライバ315、界磁電圧調整器311、V−CU410に出力する。
オルタネータ200は、界磁巻線型の三相同期発電機210、整流回路220、界磁電圧調整器211から構成される発電装置である。
次に、図3を用いて、本実施形態による発電機制御装置によって制御されるオルタネータ200の構成について説明する。
図3は、本発明の一実施形態による発電機制御装置によって制御されるオルタネータの構成を示す断面図である。なお、図1と同一符号は、同一部分を示している。
三相同期発電機210は、回転子213(界磁)と、固定子218(電機子)とを備えている。回転子213は、爪部が対向して互い違いに配置された爪磁極209と、爪磁極209の内周側に設けられた界磁巻線212を備えている。界磁巻線212は、軸方向に巻回されている。爪磁極209は、界磁巻線212によって生じた界磁磁束を回転子表面に伝える。爪磁極209は、シャフト207に固定されている。
フロントハウジング206Fとリアハウジング206Rには、それぞれ、ベアリング208F,208Rが取り付けられている。回転子213は、ベアリング208F,208Rにより、フロントハウジング206Fとリアハウジング2065Rに対して回転可能に保持されている。
シャフト207には、スリップリング216が設けられている。スリップ216は、界磁巻線212と接続されている。ブラシ217とスリップリング216は接触している。外部から供給される界磁電圧は、ブラシ217とスリップリング216を介して、界磁巻線212に供給される。
フロントハウジング206Fの内周側には、固定子218が取り付けられている。固定子218は、固定子巻線219を備えている。
界磁巻線型の三相同期発電機210は、回転子213に界磁巻線212を設けているので、低速から高速までの幅広い回転速度に対応することができる発電装置である。すなわち、回転子213が低回転のときには界磁電流を大きくし、界磁磁束を増加させることで必要な発電電圧を確保する。一方、回転子213が高回転のときには界磁電流を小さくし界磁磁束を減少させることで誘起電圧の過大な上昇を防ぐことができる。
次に、図4を用いて、本実施形態による発電機制御装置によって制御されるオルタネータ200の回路構成について説明する。
図4は、本発明の一実施形態による発電機制御装置によって制御されるオルタネータの回路構成を示す回路図である。なお、図1及び図3と同一符号は、同一部分を示している。
回転子213の界磁巻線212は、スリップリング216とブラシ217を介して、端子Aと端子Fとに接続されている。一方、端子Fに印加される電圧は、界磁電圧調整器211によって制御される。
界磁電圧調整器211は、発電制御装置420で生成された界磁デューティPWM信号に基づいて、界磁巻線212を流れる界磁電流を制御し、端子Bから出力される直流電圧を制御する。界磁デューティPWM信号は、2レベル電圧で構成される矩形波信号であり、界磁電圧調整器211の端子Cに与えられる。トランジスタ211aは、端子Cに印加される矩形波電圧に従ってオン状態とオフ状態を繰り返す。トランジスタ211aがオンの状態では、端子Fの電圧は略0ボルトとなるため、端子Aと端子Fに接続されている界磁巻線212に印加される電圧は端子Aの電圧と略等しい。一方、トランジスタ211aがオフの状態では、界磁巻線212に界磁電流が流れている限り、端子Aと端子Fはダイオード215によって導通状態となり、界磁巻線212に印加される電圧は略0ボルトとなる。界磁巻線212に印加される界磁電圧Vfの平均値は、トランジスタ211aのオン時間Tonとオフ時間Toffによって、次の式(1)のように表される。
Figure 2008306800
ここで、Vdcは直流電圧である。
界磁巻線212に界磁電圧Vfが印加されると界磁電流が流れ、界磁磁束が発生する。回転子213の界磁巻線212が生じせしめる界磁磁束は、回転磁界として、固定子218の電機子巻線219と鎖交し、電機子巻線219に誘起電圧が発生する。誘起電圧によって生じる線間電圧は交流電圧であるため、整流器220によって整流され、端子Bに直流電圧が現れる。
図1に示したように、オルタネータ200の直流電圧出力端子は、平滑コンデンサ250を並列接続して、インバータ310に接続されている。インバータ310は三相交流電圧を出力し、界磁巻線型の三相同期電動機300に供給する。三相同期電動機300の機械出力は、クラッチ600とディファレンシャルギア700を介して後輪4に伝達される。
平滑コンデンサ250はオルタネータ200で発生する高調波およびインバータ310で発生する高調波を平滑化するために設けられた回路であり、電解コンデンサまたはフィルムコンデンサで構成されている。平滑コンデンサ250は、高調波を吸収することが目的であるため、三相同期電動機300からの回生エネルギを蓄積できるほどの容量はなく、例えば数百マイクロファラッド程度の微小容量しか持たない。
インバータ310は、オルタネータ200で発電された直流電力を入力すると、三相交流電圧を出力し、この電力によって三相同期電動機300が駆動される。インバータ310は、M−CU430が出力する三相交流電圧指令値に基づいて制御されるゲートドライバ315からの信号が入力し、三相交流電圧を出力する。平滑コンデンサ250を介した直流電力は、インバータ310により三相交流電圧となり、三相同期電動機300が駆動される。インバータ310は、例えばIGBTのような自己消弧型半導体素子と、その素子に逆並列に接続されたダイオードを組み合わせた構成が一般的である。
ゲートドライバ315から出力される信号はインバータ310の自己消弧型半導体素子のゲートもしくはベースを操作し、点弧する役目を持つ。なお、M−CU430とインバータ315の電位は、ゲートドライバ315の内部の変圧器またはフォトカプラによって直流的に絶縁されている場合が一般的である。
次に、図5〜図10を用いて、本実施形態による発電機制御装置であるG−CU420の構成及び制御内容について説明する。
最初に、図5を用いて、本実施形態による発電機制御装置であるG−CU420の全体構成について説明する。
図5は、本発明の一実施形態による発電機制御装置であるG−CUの構成を示すブロック図である。なお、図1及び図2と同一符号は、同一部分を示している。
発電機制御装置(G−CU)420は、エンジン回転数信号、電力指令信号、および直流電圧信号を入力とし、界磁電圧デューティPWM信号を出力する。
G−CU420は、直流電圧指令値生成部421と、フィードバック制御部422と、減算器AA1と、割算器AA2と、PWM信号生成部429とを備えている。G−CU420の直流電圧指令値生成部421とフィードバック制御部422は、以下の制御内容に基づいて入力信号を演算し、その結果を出力する。
直流電圧指令値生成部421は、エンジン回転数信号と電力指令信号を用いて直流電圧指令信号を生成する。減算器AA1は、直流電圧指令信号と直流電圧の偏差を算出し、フィードバック制御部422に出力する。
フィードバック制御部422は、上記偏差に対し制御演算を行い、界磁電圧指令を出力する。割算器AA2は、界磁電圧指令を直流電圧により割り算し、界磁デューティ信号を生成する。界磁デューティ信号は、PWM信号生成部429によって界磁電圧デューティPWM信号に変換され、出力される。
界磁電圧指令はオルタネータに入力され、即ち直流電圧フィードバック系が形成されている。このとき、直流電圧フィードバック系にオルタネータの界磁電圧から直流電圧までの発電機特性が含まれる。ここで、オルタネータの発電機特性は磁気飽和をはじめとする原因によって大きく変化する。
次に、図6を用いて、本実施形態による発電機制御装置によって制御される直流電圧フィードバック系の全体構成について説明する。
図6は、本発明の一実施形態による発電機制御装置であるG−CUの構成を示すブロック図である。なお、図1及び図2と同一符号は、同一部分を示している。
オルタネータ200の三相同期発電機210は、界磁巻線212を備えている。ここで、界磁巻線212の抵抗分をRfgとし、リアクタンス分をLfgとする。また、界磁巻線212に流れる界磁電流をIfgとする。
三相同期発電機210の出力は、整流器220により整流され、インバータ310に入力する。ここで、インバータ310に入力する入力電流をIdcとし、入力電圧をVdcとする。
次に、図7を用いて、本実施形態による発電機制御装置によって制御される直流電圧フィードバック系におけるオルタネータの電圧・電流特性と、インバータの負荷特性について説明する。
図7は、本発明の一実施形態による発電機制御装置によって制御される直流電圧フィードバック系におけるオルタネータの電圧・電流特性と、インバータの負荷特性の説明図である。
図7は、オルタネータ200の回転数がωg=N1の場合における、オルタネータの電圧・電流特性に、インバータが定電力で動作している時の2つの負荷特性を重ねたものを示している。
実線Ifg1は、界磁電流がIfg1の場合において、直流電流Idcと直流電圧Vdcが取りうる値を示す等界磁特性を示している。実線Ifg1+ΔIfg1は、等界磁特性Ifg1に対して、界磁電流を僅かΔIfg1だけ増加したときの等界磁特性を示している。
一方、破線P1,P2は、それぞれ、インバータが定電力P1,P2で動作している時の負荷特性を示している。
界磁電流Ifgを、Ifg1からIfg1+ΔIfg1まで変化させると、定電力特性P1の場合には、直流電圧はΔVdc1だけ増加するのに対して、定電力特性P1の場合には、直流電圧はΔVdc2だけ増加する。すなわち、A1の場合の直流電圧の変化ΔVdc1よりも、A2の場合の直流電圧の変化ΔVdc2の方が大きい。従って、負荷特性がP1の場合に従来の制御法を適用する場合は出力応答がオーバーシュートしにくいが、負荷特性がP2の場合に従来の制御法を適用すると、電圧のオーバーシュートが生じる恐れがある。同様に、発電電流の大小だけでフィードバックゲインを決めることもできない。
次に、図8を用いて、本実施形態による発電機制御装置によって制御される直流電圧フィードバック系におけるは界磁電流を一定に流した時のオルタネータの電圧・電流特性について説明する。
図8は、本発明の一実施形態による発電機制御装置によって制御される直流電圧フィードバック系におけるは界磁電流を一定に流した時のオルタネータの電圧・電流特性の説明図である。
図8において、図8(a)は、オルタネータの回転数ωgがN1の場合を示し、図8(b)は、オルタネータの回転数ωgがN2の場合を示している。ここで、N2>N1である。
また、図8(a),(b)において、実線Ifg1は、界磁電流がIfg1の場合の等界磁特性を示している。実線Ifg1+ΔIfg1は、等界磁特性Ifg1に対して、界磁電流を僅かΔIfg1だけ増加したときの等界磁特性を示している。
一方、破線P1は、インバータが定電力P1で動作している時の負荷特性を示している。
図8(b)に示すように、オルタネータの回転数が高い場合(ωg=N2)は、図8(a)に示すオルタネータの回転数が低い場合(ωg=N1)に比べ、等界磁特性の傾きが急である。即ちオルタネータの回転数が高い時は、低い時に比べ、界磁電流の変化に対する出力電圧の変化が大きくなる。
図7に代表される特性の違いは、直流電圧の応答性に大きな影響を及ぼす。インバータ310と電動機300の消費電力を一定とし、同一の直流電圧ステップ応答を低回転と高回転で比較すると、従来例の制御方式では回転数の増大と共に直流電圧フィードバックゲインを増大させるので、低回転では直流電圧の応答が遅く、高回転では応答は速いがオーバーシュートを生じる可能性がある。すなわち、例えば、オルタネータの回転数ωg=N1のときに直流電圧のステップ応答がオーバーシュートしない範囲でフィードバックゲインをできるだけ大きく設定すると、オルタネータの回転数ωg=N2での直流電圧のステップ応答はオーバーシュートする。また、オルタネータの回転数ωg=N2のときに直流電圧ステップ応答がオーバーシュートしない範囲でフィードバックゲインをできるだけ大きく設定すると、オルタネータの回転数ωg=N1での直流電圧のステップ応答は遅くなる。つまり、オルタネータの回転数ωg=N1rpmに代表される回転数が低い領域では直流電圧の偏差から出力までの増幅率が小さく、逆にオルタネータの回転数ωg=N2rpmに代表される回転数が高い領域では大きくなるため、上記のような応答性の差が生じる。
以上の従来の技術課題を解決するために、本実施形態では、オルタネータ200の操作量である界磁電圧を最適化している。
本実施形態は、界磁電流から出力状態までの発電機伝達特性の低周波ゲインの大小に応じた界磁電圧操作量によって特徴付けられる発電装置を示している。この特徴が界磁電圧制御型の発電機にとって望ましいことを図6の直流出力の界磁電圧型発電機であるオルタネータを例にとって説明する。
オルタネータ200は、界磁巻線212と、三相同期発電機210と、ダイオードブリッジによる整流器220とを備えている。オルタネータ200の直流電圧出力端子には、コンデンサ250が取り付けられ、インバータ310に電力が供給される。いま出力状態として、電圧Vdcの過渡応答性の良し悪しを調べるため、電気的特性の微小変動分について考える。初期状態には電気的特性が(Vfg,Ifg,Vdc,Idc)であったのが、Δt秒後に(Vfg+ΔVfg,Ifg+ΔIfg,Vdc+ΔVdc,Idc+ΔIdc)に変化したとする。
このとき、界磁電圧から界磁電流までの伝達特性は、以下の式(2)となる。
Figure 2008306800
また、界磁電流から出力電圧までの伝達特性は、以下の式(3)のように、という一時遅れ系でそれぞれ表すことができる。
Figure 2008306800
ここで、Cはコンデンサ250の静電容量であり、k,aは発電機および負荷の状態に応じて変化する変数である。
ここで、オルタネータの内部磁束Ψを、以下の式(4)により定義すると、a,kは、次の式(5)、式(6)のように表される。
Figure 2008306800
なお、式(4)において、ωgは、オルタネータ200の回転数である。
Figure 2008306800
Figure 2008306800
ここで、Rはオルタネータの電機子内部抵抗、Ψはオルタネータの内部磁束を表す。
式(5)において、ωg・(∂Ψ/∂Idc)は、Rに比べて十分大きいので、式(5)は、以下の式(7)で近似できる。
Figure 2008306800
また、式(3)において、R・Idcは小さいので、式(3)は、以下の式(8)で近似できる。
Figure 2008306800
今、式(3)において、コンデンサの容量Cが(1/a)−(Idc/Vdc)に比べて十分小さいと仮定すると、ΔVdc/ΔIfgのゲイン|G(0)|は、式(3)に、式(7)と式(8)を代入することで、以下の式(9)により、|G(0)|で近似することができる。
Figure 2008306800
即ち、式(2)と式(9)とから、以下の式(10)として差し支えない。
Figure 2008306800
ただし、|G(0)|/ωgは、図10(a)に示した特性となる。ここで、ΔVdc/ΔIfgのゲイン|G(0)|は、オルタネータの界磁電流から直流電圧までの増幅率を表す。
ゲイン|G(0)|は、式(9)に示したように分母が1−a×(Idc/Vdc)、分子がkである。aはIfgを固定した時の−ΔVdc/ΔIfgであって、等界磁特性の傾きは−aで表される。kはIdcを固定した時のΔVdc/ΔIfgである。等界磁特性の間隔が密であるとき、kは小さく、疎であるときkは大きくなる。ただし、aとkは共に正の値をとる。
ここで、図7及び図8を例にして、ゲイン|G(0)|の特性について説明する。
図7は、インバータ310及び三相同期電動機300が消費する2つの異なる電力特性P1,P2での|G(0)|の特性を説明するための図である。図7の等界磁特性はオルタネータの界磁電流を一定にした時の特性で、界磁電流がIfg1とIfg1+ΔIfg1の2つの特性を示している。
ここでは、A1とA2の2つの動作範囲で比較する。
まず、Ifg1とIfg1+ΔIfg1の2つの等界磁特性に対する傾きの絶対値は、A1よりもA2の方がやや大きい。従って、aもA2の方が大きくなる。
また、Idcを一定とした時のIfg1とIfg1+ΔIfg1の2つの等界磁特性の間隔はA1の近傍よりもA2の近傍の方が疎である。従って、kはA2の方が大きい。
更に、定電力特性の傾きの絶対値である|Vdc/Idc|は、A2の近傍よりもA1の近傍の方が大きい。
ここで、等界磁特性と定電力特性を傾きの絶対値で比較すると、A1およびA2の近傍では共に等界磁特性の方が大きいので、0<a<Vdc/Idc、即ち0<a×(Idc/Vdc)<1である。
A1とA2でのaおよびIdc/Vdcの大小関係より、1−a×(Idc/Vdc)はA1の方が大きくなる。
ところで、式(9)に示した|G(0)|の定義によると、|G(0)|はΔVdcに比例し、ΔIfgに反比例する。
A1およびA2の近傍でのIfg1とIfg1+ΔIfg1の2つの等界磁特性を比較すると、|G(0)|の大小関係はそれぞれΔVdc1とΔVdc2に比例する。従って、このことからも|G(0)|はA2の方が大きいことがわかる。
以上のパラメタを比較したものを、以下の(表1)に示す。
Figure 2008306800
図8はインバータ310及び三相同期電動機300が消費する電力特性P1を一定とし、オルタネータの回転数がωg=N1とωg=N2であるときに|G(0)|が持つ特性を説明するための図である。
以下、A1の範囲における特性について比較する。A1の範囲が示す直流電圧と直流電流の領域はωg=N1のグラフもωg=N2のグラフも共に等しい。
ωg=N1とωg=N2の2つの回転数に対する等界磁特性の傾きの絶対値は、N1よりもN2の方が大きい。従って、aはN2の方が大きい。
また、Idcを一定とした時のIfg2とIfg2+ΔIfg2の2つの等界磁特性の間隔はωg=N1よりもωg=N2の方が疎である。従って、kはωg=N2の方が大きい。
更に、定電力特性の傾きの絶対値はVdc/Idcであるので、ωg=N2よりもωg=N1の方が大きい。ここで、0<a×(Idc/Vdc)<1であるので、1−a×(Idc/Vdc)はωg=N1の方が大きくなる。
ところで、式(9)より、|G(0)|の大小関係はそれぞれΔVdc3とΔVdc4に比例する。従って、このことからも|G(0)|はωg=N2の方が大きいことがわかる。
以上のパラメタを比較したものを、以下の(表2)に示す。
Figure 2008306800
以上の図7と図8から、界磁電流の変化ΔIfgに対する直流電圧の変化ΔVdcの比率はオルタネータおよびインバータの動作条件によって大きく異なり、その比率は|G(0)|の値に対応していることがわかる。
以上説明した内容に基づき、前述の式(10)に示した界磁電圧から直流電圧までの1次遅れ系の伝達関数に対して制御系を組み、|G(0)|の大小が直流電圧制御における応答時間に及ぼす影響を考察する。
次に、図9を用いて、本実施形態による発電機制御装置に用いるフィードバック制御部422の構成について説明する。
図9は、本発明の一実施形態による発電機制御装置に用いるフィードバック制御部の構成を示すブロック図である。
フィードバック制御部422は、PI制御部423と、ゲイン補償部424と、回転数変動補償部425とを備えている。
ここで、仮にPI制御部423の比例ゲインをKpi×Lfgとし、積分ゲインをKpi×Rfgとすると、PI制御部423の伝達特性Ctrl(s)は、次の式(11)となる。
Figure 2008306800
ただし、Kpiは定数である。
図9の例では、Ctrl(s)の後段に、直流電圧の応答性を調整するためのゲイン補償424で補償ゲインKcを乗じ、回転数変動補償部425でオルタネータの回転数の逆数である回転数変動補償(1/ωg)を乗じている。
ここで、界磁電圧指令と界磁巻線212に実際に印加される界磁電圧は等しいと考えて差し支えないので、直流電圧偏差から直流電圧までの前向き伝達特性は、式(12)のようになる。
Figure 2008306800
従って、直流電圧指令信号から直流電圧までの伝達特性は、式(13)のようになる。
Figure 2008306800
ただし、τは直流電圧の応答性を決定する時定数で、式(14)のように与えられる。
Figure 2008306800
即ち、τが小さければ直流電圧指令信号から直流電圧までの応答時間が短く、τが大きければ応答時間は長くなる。式(14)より、直流電圧の応答時間τはKpi、Kc、|G(0)|、ωgで決まる値であるので、|G(0)|に応じてこれらのパラメタを変化させることで応答時間を調整できる。
次に、図10を用いて、本実施形態による発電機制御装置によって制御されるオルタネータのゲインと、フィードバック制御時の補償ゲインについて説明する。
図10は、本発明の一実施形態による発電機制御装置によって制御されるオルタネータのゲインと、フィードバック制御時の補償ゲインの説明図である。
既に述べたようにオルタネータが有する|G(0)|/ωgは、図10(a)示す特性を有するので、式(14)のτのばらつきを抑えるためには、ゲイン補償部424の補償ゲインKcを図10(a)の|G(0)|/ωgの逆数に比例、即ち、ωg /|G(0)|に比例する値とする。
このようにして求めた補償ゲインKcは、図10(b)に示す特性となる。すなわち、補償ゲインKcは、ゲイン|G(0)|/ωgが増加すると減少し、また、ゲイン|G(0)|/ωgが減少すると増加するような値である。
ここで、|G(0)|/ωgは図10(a)に示すようにIfgとIdcで決まるパラメタであるので、図10(b)に示した制御器の補償ゲインKcもIfgとIdcを引数とするパラメタである。したがって、ゲイン補償部424は、発電装置の直流電流Idcによりゲインを補償し、また、発電装置の界磁電流Ifgによりゲインを補償する。
さらに、ωgとVdcとIfgが決まればIdcが一意に定まるので、|G(0)|/ωgの特性はIfgとVdcとωgを引数とする関数と捉えることができる。つまり、制御器の補償ゲインKcもIfgとVdcとωgを引数とする関数として考えてよい。したがって、ゲイン補償部424は、発電装置の直流電圧Vdcによりゲインを補償する。
ここで、従来例と、本実施形態の相違について説明する。
特許文献1に記載の方法は、最も一般的なPI制御法であり、図9に示したPI制御部423のみを有するものであり、ゲイン補償部424と、回転数変動補償部425とを備えていないものである。
すなわち、ゲイン|G(0)|が変化しても、それを補う補償ゲインKc、回転数変動保証(1/ωg)が乗じられておらず、回転数変動補償τのばらつきが大きいものである。
特許文献2に記載の方法は、Kcを変化させるという点で、本実施形態と類似しているが、ゲイン|G(0)|の増減に対するKcの変化の仕方が、本実施形態と異なる。特許文献2では、直流電圧はバッテリによって略一定に保たれている状態での制御法であり、この条件では|G(0)|増加に対してKcを増加させて直流電流の応答時間のばらつきを抑えるという目的は達成される。しかし、直流部にバッテリがなく極めて小容量の平滑用コンデンサのみが接続されている本実施形態が想定する状況下では、特許文献2の方法ではかえって直流電圧の応答時間τのばらつきが大きくなる。
本実施形態が提案する手法は、ゲイン|G(0)|の大きさに応じて直流電圧の応答時間τのばらつきを小さくするために、Kcを適切に変化させることにある。
以上、本実施形態と、従来例である特許文献1、2で比較し特徴をまとめたものを表3に示す。
Figure 2008306800
以上説明したように、本実施形態によれば、オルタネータの界磁特性の非線形性に応じて発電機を制御しているので、広い動作領域で直流電圧応答のばらつきが小さくなる。即ち、オルタネータ特性が磁気回路の飽和や回転数変動による誘起電圧の変化に対しても直流電圧の応答性をロバストにすることができる。例えば本実施形態では、電機子巻線を備えた電機子(固定子)および界磁巻線を備えた界磁(回転子)を有する発電機本体の磁気回路が飽和状態にある時、発電機本体の磁気回路が非飽和状態にある時よりも、界磁巻線の界磁電圧のピーク値が大きくなるように、界磁電流を制御するための界磁指令を、発電制御装置から、界磁巻線に供給される界磁電流を制御する制御器(界磁電圧調整器)に出力している。これにより、本実施形態によれば、オルタネータの応答性を向上できるので、オルタネータの動作点によらず、モータ駆動に必要な電力を応答良く供給でき、車両駆動装置による車輪の駆動性能を向上できる。
次に、図11及び図12を用いて、本発明の他の実施形態による発電機制御装置の構成及び動作について説明する。なお、本実施形態による発電機制御装置を搭載する電気式4輪駆動車の構成は、図1に示したものと同様である。また、本実施形態による発電機制御装置を含む4WD−CU400の構成は、図2に示したものと同様である。また、本実施形態による発電機制御装置によって制御されるオルタネータ200の構成は、図3に示したものと同様である。また、本実施形態による発電機制御装置によって制御されるオルタネータ200の回路構成は、図4に示したものと同様である。さらに、本実施形態による発電機制御装置であるG−CU420の全体構成は、図5に示したものと同様である。
ここで、図11及び図12を用いて、本実施形態による発電機制御装置に用いるフィードバック制御部422の構成について説明する。
図11及び図12は、本発明の他の実施形態による発電機制御装置に用いるフィードバック制御部の構成を示すブロック図である。
図11に示す本実施形態において、PI制御部の比例ゲインをKpi×Lfg、積分ゲインをKpi×RfgとするPI制御部の伝達特性Ctrl(s)と、回転数変動補償(1/ωg)の項は、図9と同一であるが、補償ゲインKcは乗じられていない。その代わりに、規範界磁電圧量補償部426が新たに加わり規範界磁電圧量補償Vfgcが界磁電圧指令値を補償する要素として加算されている。
図12は、規範界磁電圧量補償部426における、具体的なVfgcの生成方法を表している。規範界磁電圧量補償部426は、規範モデル427と、ローパスフィルタ428とを備えている。
図12に示す規範モデル427は、直流電圧から界磁電圧までの入出力関係の基準となるモデルで、(ωg・Gn)は式(9)に示した|G(0)|に相当するパラメータである。ここで、オルタネータの実特性では|G(0)|が磁気飽和と回転数変動の両方によって変化するのに対し、ωg・Gnは磁気飽和による特性を取り除いた一種の理想モデルで、回転数変動のみで変化する要素となっている。ただし、Gnは一定値である。検出した直流電圧の信号を規範モデル427に入力すると、磁気飽和の影響がないと仮定した場合の基準界磁電圧Vfgrefが規範モデル427から出力される。この基準界磁電圧に界磁電圧Vfgを近づけるための規範界磁電圧量補償Vfgcは、界磁電圧Vfgと基準界磁電圧Vfgrefの偏差に基づいて求まる。
ただし、界磁電圧Vfgと基準界磁電圧Vfgrefの偏差には高周波成分が多く含まれるため、この偏差をローパスフィルタQ(s)に通して界磁電圧補償量Vfgcとしている。
従って、磁気飽和補償Vfgと回転数変動補償によってオルタネータの非線形な特性は補償され、その結果、オルタネータの動作条件が変動しても直流電圧の応答時間は変動しにくくなる。
本実施形態では、|G(0)|/ωgが増加するとVfgcによって、界磁電圧指令値の変化が抑制され、反対に|G(0)|/ωgが減少すると界磁電圧指令値の変化が大きくなるようにVfgcが補償する。その結果として、τのばらつきは小さくなるため、広い動作領域で直流電圧応答のばらつきが小さくなる。
なお、規範界磁電圧量補償Vfgcは、オルタネータの動作条件に合わせて予めテーブル化するようにしてもよいものである。
以上説明したように、本実施形態によっても、オルタネータの界磁特性の非線形性に応じて発電機を制御しているので、広い動作領域で直流電圧応答のばらつきが小さくなる。即ち、オルタネータ特性が磁気回路の飽和や回転数変動による誘起電圧の変化に対しても直流電圧の応答性をロバストにすることができる。
本発明の一実施形態による発電機制御装置を搭載する電気式4輪駆動車の構成を示すシステムブロック図である。 本発明の一実施形態による発電機制御装置を含む4WD−CUの構成を示すシステムブロック図である。 本発明の一実施形態による発電機制御装置によって制御されるオルタネータの構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態による発電機制御装置によって制御されるオルタネータの回路構成を示す回路図である。 本発明の一実施形態による発電機制御装置であるG−CUの構成を示すブロック図である。 本発明の一実施形態による発電機制御装置であるG−CUの構成を示すブロック図である。 本発明の一実施形態による発電機制御装置によって制御される直流電圧フィードバック系におけるオルタネータの電圧・電流特性と、インバータの負荷特性の説明図である。 本発明の一実施形態による発電機制御装置によって制御される直流電圧フィードバック系におけるは界磁電流を一定に流した時のオルタネータの電圧・電流特性の説明図である。 本発明の一実施形態による発電機制御装置に用いるフィードバック制御部の構成を示すブロック図である。 本発明の一実施形態による発電機制御装置によって制御されるオルタネータのゲインと、フィードバック制御時の補償ゲインの説明図である。 本発明の他の実施形態による発電機制御装置に用いるフィードバック制御部の構成を示すブロック図である。 本発明の他の実施形態による発電機制御装置に用いるフィードバック制御部の構成を示すブロック図である。
符号の説明
2…前輪
3…ベルトプーリー
4…後輪
6…エンジン
200…オルタネータ
209…爪磁極
210…三相同期発電機
211…界磁電圧調整器
211a…トランジスタ
212…界磁巻線
213…回転子
214,215…ダイオード
218…固定子
219…電機子巻線
220…整流器
250…コンデンサ
300…三相同期電動機
310…インバータ
311…界磁電圧調整器
315…ゲートドライバ
400…4WD−CU
410…V−CU
420…G−CU
421…直流電圧指令生成部
422…フィードバック制御部
423…PI制御部
424…ゲイン補償部
425…回転数変動補償部
426…規範界磁電圧量補償部
427…規範モデル
428…ローパスフィルタ
429…PWM信号生成部
430…M−CU
600…クラッチ
700…ディファレンシャルギア

Claims (10)

  1. 界磁巻線型の三相同期発電機と該三相同期発電機から出力される三相交流電圧を直流電圧に整流するダイオード整流装置から構成される発電装置と、前記発電装置の出力により直接駆動される三相同期電動機とから構成される発電駆動システムに用いられ、
    前記発電装置の直流電圧出力端子に電気的な負荷が接続されている状態で、前記直流電圧出力端子の直流電圧を制御するために前記発電装置の界磁巻線端子に印加する界磁電圧を生成するPWM信号生成部と、
    前記PWM信号生成部に与える界磁電圧指令値を演算するフィードバック制御部とを有し、
    前記フィードバック制御部は、前記直流電圧の検出値と直流電圧指令値との電圧偏差を演算し、該電圧偏差からPI演算により前記界磁電圧指令値を生成するPI制御部を有する発電制御装置であって、
    前記フィードバック制御部は、前記PI制御部の出力に対して、前記発電機の界磁電圧から直流電圧までの入出力伝達特性に基づいて、前記電圧偏差に補償を施した上で、前記界磁電圧指令値を生成する補償部を備えることを特徴とする発電制御装置。
  2. 請求項1記載の発電制御装置において、
    前記補償部は、前記PI制御部の出力に対して、前記三相同期発電機の回転数によって補償を施した上で、前記界磁電圧指令値を生成する回転数変動補償部であることを特徴とする発電制御装置。
  3. 請求項2記載の発電制御装置において、
    前記回転数変動補償部は、前記PI制御部の出力に対して、前記PI制御部の伝達特性の絶対値を前記三相同期電動機の回転数に反比例させて補償することを特徴とする発電制御装置。
  4. 請求項1記載の発電制御装置において、
    前記補償部は、前記PI制御部の出力に対して、前記発電装置の直流電流によりゲインを補償するゲイン補償部であることを特徴とする発電制御装置。
  5. 請求項1記載の発電制御装置において、
    前記補償部は、前記PI制御部の出力に対して、前記発電装置の界磁電流によりゲインを補償するゲイン補償部であることを特徴とする発電制御装置。
  6. 請求項1記載の発電制御装置において、
    前記補償部は、前記PI制御部の出力に対して、前記発電装置の直流電圧によりゲインを補償するゲイン補償部であることを特徴とする発電制御装置。
  7. 請求項1記載の発電制御装置において、
    前記補償部は、
    前記PI制御部の出力に対して、前記発電装置の界磁電流から直流電圧までの増幅率が増加すると減少し、前記増幅率が減少すると増加する補償要素によって補償を施した上で、前記界磁電圧指令値を生成することを特徴とする発電制御装置。
  8. 請求項1記載の発電制御装置において、
    前記補償部は、
    前記発電装置の直流電圧から前記発電装置の界磁電圧までの入出力関係の基準となるモデルであり、前記発電装置の直流電圧が入力すると、磁気飽和の影響がないと仮定した場合の基準界磁電圧を出力する規範モデルを用い、
    前記規範モデルが出力する基準界磁電圧に前記発電装置の界磁電圧を近づけるための規範界磁電圧量補償を求める規範界磁電圧量補償部を備え、
    前記PI制御部の出力に対して、前記規範界磁電圧量補償部によって元米良得た規範界磁電圧量補償によって補償を施した上で、前記界磁電圧指令値を生成する回転数変動補償部であることを特徴とする発電制御装置。
  9. 電機子巻線を備えた電機子、および界磁巻線を備えた界磁を有する発電機本体と、前記界磁巻線に供給される界磁電流を制御して前記電機子巻線の出力を制御する制御器とを有する発電機の制御装置であって、
    前記発電機本体の磁気回路が飽和状態にある時、前記発電機本体の磁気回路が非飽和状態にある時よりも、前記界磁巻線の界磁電圧のピーク値が大きくなるように、前記界磁電流を制御するための界磁指令を前記制御器に出力する、
    ことを特徴とする発電機制御装置。
  10. 車輪を駆動するエンジンにより駆動され、電機子巻線を備えた電機子、および界磁巻線を備えた界磁を有する発電機本体と、前記界磁巻線に供給される界磁電流を制御して前記電機子巻線の出力を制御する制御器とを有する発電機と、
    該発電機から出力された電力を駆動源とし、前記エンジンにより駆動される車輪とは異なる車輪を駆動する電動機と、
    前記発電機および前記電動機の駆動を制御する制御装置と、有し、
    前記制御装置は、前記発電機本体の磁気回路が飽和状態にある時、前記発電機本体の磁気回路が非飽和状態にある時よりも、前記界磁巻線の界磁電圧のピーク値が大きくなるように、前記界磁電流を制御するための界磁指令を前記制御器に出力する、
    ことを特徴とする車両駆動装置。
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