JP2008305900A5 - - Google Patents
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Description
そのため、アルカリ水溶液中での金属不純物の吸着防止のために、種々の錯化剤(キレート剤)の使用が提案されている。エチレンジアミン四酢酸(EDTA)やジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)のようなアミノカルボン酸類は、古くからキレート剤として知られており、半導体製造分野にも提案されているが(特許文献1および2)、キレート化合物が不安定で効果は十分ではない。
その他にも、アミノホスホン酸類(特許文献3)、縮合リン酸類(特許文献4)、チオシアン酸塩(特許文献5)、亜硝酸イオンおよび硝酸イオン(特許文献6)などのキレート剤が提案されている。しかしながら、これら多くのキレート剤は、SC−1洗浄液中を対象としているために、アンモニアのような比較的弱アルカリ性の溶液中では効果があるものの、水酸化ナトリウムや水酸化テトラメチルアンモニウムのような強アルカリ性水溶液中では効果が認められない。
また近年、効果があるものとして、エチレンジアミンジオルトヒドロキシフェニル酢酸がキレート剤として提案されているが(特許文献7)、このキレート剤は、EDTAなどの一般的なキレート剤と比べると大きな効果が認められるものの、半導体メーカーやシリコンウェハメーカーが要求する金属吸着防止のレベルにはいまだ至っていない。
その他にも、アミノホスホン酸類(特許文献3)、縮合リン酸類(特許文献4)、チオシアン酸塩(特許文献5)、亜硝酸イオンおよび硝酸イオン(特許文献6)などのキレート剤が提案されている。しかしながら、これら多くのキレート剤は、SC−1洗浄液中を対象としているために、アンモニアのような比較的弱アルカリ性の溶液中では効果があるものの、水酸化ナトリウムや水酸化テトラメチルアンモニウムのような強アルカリ性水溶液中では効果が認められない。
また近年、効果があるものとして、エチレンジアミンジオルトヒドロキシフェニル酢酸がキレート剤として提案されているが(特許文献7)、このキレート剤は、EDTAなどの一般的なキレート剤と比べると大きな効果が認められるものの、半導体メーカーやシリコンウェハメーカーが要求する金属吸着防止のレベルにはいまだ至っていない。
すなわち本発明は、基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物であって、一般式(1)
式中、
Rは、任意の1または2以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、炭素数2〜6のアルキレン基、1,2−シクロヘキシレン基、または1,2−フェニレン基であり、
環AおよびBは、任意の1または2以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、ベンゼン環であり、
ここで、置換基は、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数2〜10のアルキニル基、炭素数1〜10のアシル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、カルボキシル基、スルホン酸基、シアノ基、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、ハロゲンおよびニトロ基からなる群より選択される、
で表されるキレート剤、およびアルカリ成分を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記キレート剤が、N,N’−ビス(サリチリデン)−1,2−エタンジアミン、N,N’−ビス(サリチリデン)−1,2−プロパンジアミン、またはN,N’−ビス(サリチリデン)−1,3−プロパンジアミンである、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記アルカリ成分が、水酸化テトラメチルアンモニウムである、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記アルカリ成分が、水酸化ナトリウムおよび/または水酸化カリウムである、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記水溶液組成物が、さらに他のキレート剤を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記アルカリ成分の濃度が、0.01〜1.0wt%であり、前記キレート剤の濃度が、0.0005〜1.0wt%である、洗浄液に用いられる、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記水溶液組成物が、さらに防食剤を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記水溶液組成物が、さらに界面活性剤を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記アルカリ成分の濃度が、1.0〜50wt%であり、前記キレート剤の濃度が、0.001〜5.0wt%である、エッチング液に用いられる、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記基板がシリコンウェハであり、洗浄またはエッチング後の該シリコンウェハ表面のNi濃度が、20×1010atoms/cm2以下となる、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記アルカリ性水溶液組成物を用いて、基板を洗浄またはエッチングし、該基板表面のNi濃度を20×1010atoms/cm2以下とする、基板の洗浄またはエッチングの方法に関する。
Rは、任意の1または2以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、炭素数2〜6のアルキレン基、1,2−シクロヘキシレン基、または1,2−フェニレン基であり、
環AおよびBは、任意の1または2以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、ベンゼン環であり、
ここで、置換基は、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数2〜10のアルキニル基、炭素数1〜10のアシル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、カルボキシル基、スルホン酸基、シアノ基、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、ハロゲンおよびニトロ基からなる群より選択される、
で表されるキレート剤、およびアルカリ成分を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記キレート剤が、N,N’−ビス(サリチリデン)−1,2−エタンジアミン、N,N’−ビス(サリチリデン)−1,2−プロパンジアミン、またはN,N’−ビス(サリチリデン)−1,3−プロパンジアミンである、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記アルカリ成分が、水酸化テトラメチルアンモニウムである、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記アルカリ成分が、水酸化ナトリウムおよび/または水酸化カリウムである、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記水溶液組成物が、さらに他のキレート剤を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記アルカリ成分の濃度が、0.01〜1.0wt%であり、前記キレート剤の濃度が、0.0005〜1.0wt%である、洗浄液に用いられる、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記水溶液組成物が、さらに防食剤を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記水溶液組成物が、さらに界面活性剤を含有する、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記アルカリ成分の濃度が、1.0〜50wt%であり、前記キレート剤の濃度が、0.001〜5.0wt%である、エッチング液に用いられる、アルカリ性水溶液組成物に関する。
また、前記基板がシリコンウェハであり、洗浄またはエッチング後の該シリコンウェハ表面のNi濃度が、20×1010atoms/cm2以下となる、アルカリ性水溶液組成物に関する。
さらに、前記アルカリ性水溶液組成物を用いて、基板を洗浄またはエッチングし、該基板表面のNi濃度を20×1010atoms/cm2以下とする、基板の洗浄またはエッチングの方法に関する。
本発明に用いる界面活性剤としては、半導体およびその他の電子デバイスの製造において、基板処理に用いられる界面活性剤であれば特に限定されないが、非イオン型の界面活性剤が好ましく、特にポリオキシアルキレンアルキルエーテルおよびポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルの構造のものが好ましい。
使用する濃度としては、十分な効果を示せば特に限定されないが、十分な効果の発揮と保存時の安定性などを考慮して、好ましくは0.01〜5wt%であり、さらに好ましくは0.05〜2wt%でる。
使用する濃度としては、十分な効果を示せば特に限定されないが、十分な効果の発揮と保存時の安定性などを考慮して、好ましくは0.01〜5wt%であり、さらに好ましくは0.05〜2wt%でる。
〔実施例1〕
(高濃度水酸化ナトリウムエッチング液)
清浄なシリコンウェハ(P+型、抵抗率0.01〜0.02Ω・cm)を、0.5重量%濃度の希ふっ酸に、25℃で1分間浸漬した後、水洗を1分間行い、自然酸化膜を除去した。このシリコンウェハを、溶媒として水を用いて表1に示す組成に調製した処理液に、80℃で10分間浸漬してエッチングした後、水洗を5分間行い、乾燥した。このシリコンウェハ表面のFeおよびNiの濃度を、全反射蛍光X線装置を用いて測定した。測定結果を表1に示す。
(高濃度水酸化ナトリウムエッチング液)
清浄なシリコンウェハ(P+型、抵抗率0.01〜0.02Ω・cm)を、0.5重量%濃度の希ふっ酸に、25℃で1分間浸漬した後、水洗を1分間行い、自然酸化膜を除去した。このシリコンウェハを、溶媒として水を用いて表1に示す組成に調製した処理液に、80℃で10分間浸漬してエッチングした後、水洗を5分間行い、乾燥した。このシリコンウェハ表面のFeおよびNiの濃度を、全反射蛍光X線装置を用いて測定した。測定結果を表1に示す。
〔実施例2〕
(水酸化テトラメチルアンモニウム洗浄液)
清浄なシリコンウェハに、FeおよびNiの原子吸光用標準液を、それぞれ濃度10ppbに調整した溶液を塗布し、1分間放置してFeおよびNiで汚染した。このシリコンウェハを、溶媒として水を用いて表2に示す組成に調製した処理液に、25℃で3分間浸漬して洗浄し、その後超純水で3分間の流水リンスを行った。リンス後にシリコンウェハを乾燥し、処理前後のFeおよびNiの表面濃度を全反射蛍光X線装置で測定し、FeおよびNiに対する洗浄能力を評価した。測定結果を表2に示す。
なお、洗浄前のシリコンウェハ表面の汚染レベルは、FeおよびNiともに、1013atoms/cm2レベルであった。
(水酸化テトラメチルアンモニウム洗浄液)
清浄なシリコンウェハに、FeおよびNiの原子吸光用標準液を、それぞれ濃度10ppbに調整した溶液を塗布し、1分間放置してFeおよびNiで汚染した。このシリコンウェハを、溶媒として水を用いて表2に示す組成に調製した処理液に、25℃で3分間浸漬して洗浄し、その後超純水で3分間の流水リンスを行った。リンス後にシリコンウェハを乾燥し、処理前後のFeおよびNiの表面濃度を全反射蛍光X線装置で測定し、FeおよびNiに対する洗浄能力を評価した。測定結果を表2に示す。
なお、洗浄前のシリコンウェハ表面の汚染レベルは、FeおよびNiともに、1013atoms/cm2レベルであった。
Claims (11)
- 基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物であって、一般式(1)
Rは、任意の1または2以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、炭素数2〜6のアルキレン基、1,2−シクロヘキシレン基、または1,2−フェニレン基であり、
環AおよびBは、任意の1または2以上の水素が、同一または異なる置換基で置換されていてもよい、ベンゼン環であり、
ここで、置換基は、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数2〜10のアルキニル基、炭素数1〜10のアシル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、カルボキシル基、スルホン酸基、シアノ基、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、ハロゲンおよびニトロ基からなる群より選択される、
で表されるキレート剤、およびアルカリ成分を含有する、前記水溶液組成物。 - キレート剤が、N,N’−ビス(サリチリデン)−1,2−エタンジアミン、N,N’−ビス(サリチリデン)−1,2−プロパンジアミン、またはN,N’−ビス(サリチリデン)−1,3−プロパンジアミンである、請求項1に記載の水溶液組成物。
- アルカリ成分が、水酸化テトラメチルアンモニウムである、請求項1または2に記載の水溶液組成物。
- アルカリ成分が、水酸化ナトリウムおよび/または水酸化カリウムである、請求項1または2に記載の水溶液組成物。
- 水溶液組成物が、さらに他のキレート剤を含有する、請求項1〜4のいずれかに記載の水溶液組成物。
- アルカリ成分の濃度が、0.01〜1.0wt%であり、キレート剤の濃度が、0.0005〜1.0wt%である、洗浄液に用いられる、請求項1〜5のいずれかに記載の水溶液組成物。
- 水溶液組成物が、さらに防食剤を含有する、請求項6に記載の水溶液組成物。
- 水溶液組成物が、さらに界面活性剤を含有する、請求項6または7に記載の水溶液組成物。
- アルカリ成分の濃度が、1.0〜50wt%であり、キレート剤の濃度が、0.001〜5.0wt%である、エッチング液に用いられる、請求項1〜5のいずれかに記載の水溶液組成物。
- 基板がシリコンウェハであり、洗浄またはエッチング後の該シリコンウェハ表面のNi濃度が、20×1010atoms/cm2以下となる、請求項1〜9のいずれかに記載の水溶液組成物。
- 請求項1〜10のいずれかに記載の水溶液組成物を用いて、基板を洗浄またはエッチングし、該基板表面のNi濃度を20×1010atoms/cm2以下とする、基板の洗浄またはエッチングの方法。
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