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US12/115,115 US8864932B2 (en) 2007-06-05 2008-05-05 Plasma processing apparatus, electrode temperature adjustment device and electrode temperature adjustment method
KR1020080049137A KR101011858B1 (ko) 2007-06-05 2008-05-27 플라즈마 처리 장치, 전극 온도 조정 장치, 전극 온도 조정방법
TW097120747A TWI427668B (zh) 2007-06-05 2008-06-04 A plasma processing device, an electrode temperature adjusting device, and an electrode temperature adjusting method
CN2008100986513A CN101320675B (zh) 2007-06-05 2008-06-05 等离子体处理装置、电极温度调整装置、电极温度调整方法

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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5519992B2 (ja) * 2009-10-14 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 基板載置台の温度制御システム及びその温度制御方法
US8889021B2 (en) * 2010-01-21 2014-11-18 Kla-Tencor Corporation Process condition sensing device and method for plasma chamber
US8916793B2 (en) 2010-06-08 2014-12-23 Applied Materials, Inc. Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow
US9338871B2 (en) * 2010-01-29 2016-05-10 Applied Materials, Inc. Feedforward temperature control for plasma processing apparatus
US8880227B2 (en) 2010-05-27 2014-11-04 Applied Materials, Inc. Component temperature control by coolant flow control and heater duty cycle control
US8591755B2 (en) * 2010-09-15 2013-11-26 Lam Research Corporation Methods for controlling plasma constituent flux and deposition during semiconductor fabrication and apparatus for implementing the same
CN102127757A (zh) * 2011-01-14 2011-07-20 映瑞光电科技(上海)有限公司 Mocvd反应系统
JP5712741B2 (ja) * 2011-03-31 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
GB2489761B (en) * 2011-09-07 2015-03-04 Europlasma Nv Surface coatings
US10274270B2 (en) 2011-10-27 2019-04-30 Applied Materials, Inc. Dual zone common catch heat exchanger/chiller
CN102592986B (zh) * 2012-03-09 2017-03-15 上海集成电路研发中心有限公司 通孔形成方法
JP2014005494A (ja) * 2012-06-22 2014-01-16 Ulvac Japan Ltd プラズマ処理装置
KR101227153B1 (ko) * 2012-09-05 2013-01-31 (주)테키스트 열전소자를 이용한 반도체 제조 설비의 광역 온도제어시스템
US9916967B2 (en) * 2013-03-13 2018-03-13 Applied Materials, Inc. Fast response fluid control system
CN103617941B (zh) * 2013-11-14 2016-05-25 中国科学院等离子体物理研究所 一种强流离子源电极的液态金属两级冷却方法
JP6219227B2 (ja) * 2014-05-12 2017-10-25 東京エレクトロン株式会社 ヒータ給電機構及びステージの温度制御方法
JP6219229B2 (ja) * 2014-05-19 2017-10-25 東京エレクトロン株式会社 ヒータ給電機構
JP6525751B2 (ja) * 2015-06-11 2019-06-05 東京エレクトロン株式会社 温度制御方法及びプラズマ処理装置
CN105097408B (zh) * 2015-07-21 2017-09-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种干法刻蚀机台及其使用方法
CN106803475B (zh) * 2015-11-26 2019-01-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种等离子体处理装置
CN105513958A (zh) * 2015-12-25 2016-04-20 武汉华星光电技术有限公司 一种蚀刻设备及反应槽装置
JP2018063974A (ja) * 2016-10-11 2018-04-19 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、温度制御方法、および載置台
KR102587615B1 (ko) 2016-12-21 2023-10-11 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치의 온도 조절기 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
JP6803815B2 (ja) * 2017-07-25 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び、基板処理装置の運用方法
JP6920245B2 (ja) * 2018-04-23 2021-08-18 東京エレクトロン株式会社 温度制御方法
JP7094154B2 (ja) * 2018-06-13 2022-07-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
DE102018209730A1 (de) * 2018-06-15 2019-12-19 Terraplasma Gmbh Verfahren zum Prüfen einer Elektrodenanordnung zur Erzeugung eines nicht-thermischen Plasmas und Plasmaquelle mit einer solchen Elektrodenanordnung, eingerichtet zur Durchführung eines solchen Verfahrens
US12015131B2 (en) * 2018-07-06 2024-06-18 Carrier Corporation Electrochemical heat transfer system
CN110139458A (zh) * 2019-04-02 2019-08-16 珠海宝丰堂电子科技有限公司 一种等离子设备的电极装置及等离子设备
JP6624623B1 (ja) * 2019-06-26 2019-12-25 伸和コントロールズ株式会社 温度制御装置及び温調装置
US12170188B2 (en) * 2019-07-26 2024-12-17 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate processing apparatus and interlock method thereof
CN112786422B (zh) * 2019-11-08 2024-03-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种聚焦环、等离子体处理器及方法
CN113745082B (zh) * 2020-05-28 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及其加热装置与工作方法
CN114150294A (zh) * 2020-09-08 2022-03-08 吕宝源 固态金属有机源的集中供给系统
CN114792618B (zh) * 2022-04-22 2025-05-02 合肥京东方显示技术有限公司 等离子体设备的下电极结构和等离子体设备

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03102820A (ja) * 1989-09-18 1991-04-30 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
JPH03134187A (ja) * 1989-10-18 1991-06-07 Hitachi Ltd エッチング方法および装置
JPH07335570A (ja) * 1994-06-06 1995-12-22 Anelva Corp プラズマ処理における基板温度制御方法
US6440221B2 (en) * 1996-05-13 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Process chamber having improved temperature control
JP2001077088A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP3411539B2 (ja) * 2000-03-06 2003-06-03 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP4456218B2 (ja) * 2000-03-16 2010-04-28 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
US7201936B2 (en) * 2001-06-19 2007-04-10 Applied Materials, Inc. Method of feedback control of sub-atmospheric chemical vapor deposition processes
TWI241868B (en) * 2002-02-06 2005-10-11 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Plasma processing method and apparatus
JP2003282532A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Seiko Epson Corp 被処理体の処理方法
KR100810794B1 (ko) * 2002-11-20 2008-03-07 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 방법
JP4493932B2 (ja) 2003-05-13 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 上部電極及びプラズマ処理装置
JP4672455B2 (ja) * 2004-06-21 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US7740737B2 (en) * 2004-06-21 2010-06-22 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
JP4579025B2 (ja) * 2005-03-25 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 温度調整方法，温度調整装置，プラズマ処理装置
US20060213763A1 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Tokyo Electron Limited Temperature control method and apparatus, and plasma processing apparatus

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