JP2008297168A - ZnOウィスカー膜及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に形成されたZnOウィスカー膜であって、ZnO結晶を主成分(モル比50%以上)としており、アスペクト比が2以上のウィスカー形状粒子集積膜であり、高い比表面積と高い導電率を両立させたナノ構造体であり、基板上に形成したZnOウィスカー膜である、ことからなるZnOウィスカー膜、酸化亜鉛が析出する反応溶液系で、原料濃度、温度及び/又はpHを調整してZnO結晶を析出させ、基板上にZnOウィスカー膜を形成させることからなるZnOウィスカー膜の製造方法及びその電子デバイス材料。
【選択図】図5
Description
(1)基板上に形成されたZnOウィスカー膜であって、1)ZnO結晶を主成分(モル比50%以上)としている、2)アスペクト比が2よりも大きいウィスカー形状粒子集積膜である、3)高い比表面積と高い導電率を両立させたナノ構造体である、4)基板上に形成したZnOウィスカー膜である、ことを特徴とするZnOウィスカー膜。
(2)ZnOシード層の上に形成したZnOウィスカー膜である、前記(1)に記載のZnOウィスカー膜。
(3)ウィスカー形状粒子が、ひげ状粒子、針状粒子、棒状粒子、又はロッド状粒子である、前記(1)に記載のZnOウィスカー膜。
(4)基板が、FTO、ガラス、シリコン、金属、セラミックス又はポリマー基板である、前記(1)に記載のZnOウィスカー膜。
(5)基板の形体が、平板、粒子、繊維又は複雑形状である、前記(1)のZnOウィスカー膜。
(6)酸化亜鉛が析出する反応溶液系で、原料濃度、温度及び/又はpHを調整してZnO結晶を析出させ、基板上にZnOウィスカー膜を形成させることを特徴とするZnOウィスカー膜の製造方法。
(7)反応溶液系に、ヘキサメチレンテトラアミン、エチレンジアミン若しくはアンモニア、及び/又はポリエチレンイミン、アミノ基を有するポリマー若しくはアミノ基を有するモノマーを配合する、前記(6)に記載のZnOウィスカー膜の製造方法。
(8)平坦基板又は凹凸基板を用いることにより、ZnOウィスカーを基板に垂直又は非垂直に成長させる、前記(6)に記載のZnOウィスカー膜の製造方法。
(9)基板上にZnO結晶のシード層を作製し、該ZnOシード層の上にZnOウィスカー膜を形成する、前記(6)に記載のZnOウィスカー膜の製造方法。
(10)反応溶液系の溶液条件又はシード層の緻密化の程度を調整することにより、単位基板面積当たりのウィスカーの数を調整する、前記(6)又は(9)に記載のZnOウィスカー膜の製造方法。
(11)前記(1)から(5)のいずれかに記載の高比表面積と高導電率を両立させたナノ構造体のZnOウィスカー膜からなることを特徴とする電子デバイス材料。
(12)前記(11)に記載の電子デバイス材料を用いて構成された電子デバイスであって、分子センサー、ガスセンサー、溶液センサー又は色素増感型態様電池の電子デバイスであることを特徴とする電子デバイス。
本発明は、上記従来の事情を鑑みてなされたものであり、ZnOウィスカー膜を提供し、かつ、この作製方法を提供することを解決すべき課題としている。本発明の手法では、例えば、ZnOシードをもとに、ZnO結晶をウィスカー形状へと異方結晶成長させ、基板に垂直方向にZnOウィスカーが配向成長したZnOウィスカー膜を形成する。
(1)液相プロセスにおけるZnOシード層の形成と、ZnO結晶の異方成長を利用して、ZnOウィスカー膜を反応溶液中において合成することができる。
(2)気相プロセスを用いていないため、簡便な装置で、低コストにて、平板及び複雑形状の固体表面にZnOウィスカー膜を作製することができる。
(3)水熱処理や高温・長時間のZnO結晶化の処理を経ることなく、ZnOウィスカー膜を得ることができる。
(4)本発明のウィスカー膜は、高い比表面積及び高い導電率と、ウィスカー間の空間制御性を両立させることのできるナノ構造体であり、例えば、分子センサー、ガスセンサー、溶液センサー、色素増感型太陽電池の電子デバイスにおいて、高い特性を発現できるものとして有用である。
(5)また、蛍光デバイス、圧電デバイス、熱ルミネセンスデバイス、高熱伝導利用デバイス(ヒートシンク等)、熱電材料等としても有用である。
(1)ZnOシード層の作製方法
酢酸亜鉛(zinc acetate dihydrate(Zn(CH3COO)2・2H2O,99%))を無水エタノール中に溶解した。酢酸亜鉛濃度は、0.01M(mol/L)であった。
硝酸亜鉛(zinc nitrate hexahydrate(Zn(NO3)2・6H2O,99%))0.025M、ヘキサメチレンテトラアミン(hexamethylenetetramine(HMT,C6H12N4,99%))0.025M、0.005Mのポリエチレンイミン(polyethylenimine(PEI,(C2H5N)n,branched mean molecular weight of 600,99%))の混合水溶液を200ml調製した。
“FTO基板上に堆積させたZnO”(図1a)及び“ZnOシード層形成FTO基板上に作製したZnOウィスカー膜”(図1b)のXRDパターンを図1に示す。いずれのXRDパターンにおいても、FTO基板表面のSnO2由来の回折線が見られる。
ZnOウィスカーは、とがった先端と、平坦な六角形面を、6枚の長方形でつないだ形状を有している。ウィスカー膜においては、基板から遠ざかるに従い、ウィスカー形は徐々に細くなり、針状の形状に近づいて行く。
Claims (12)
- 基板上に形成されたZnOウィスカー膜であって、1)ZnO結晶を主成分(モル比50%以上)としている、2)アスペクト比が2よりも大きいウィスカー形状粒子集積膜である、3)高い比表面積と高い導電率を両立させたナノ構造体である、4)基板上に形成したZnOウィスカー膜である、ことを特徴とするZnOウィスカー膜。
- ZnOシード層の上に形成したZnOウィスカー膜である、請求項1に記載のZnOウィスカー膜。
- ウィスカー形状粒子が、ひげ状粒子、針状粒子、棒状粒子、又はロッド状粒子である、請求項1に記載のZnOウィスカー膜。
- 基板が、FTO、ガラス、シリコン、金属、セラミックス又はポリマー基板である、請求項1に記載のZnOウィスカー膜。
- 基板の形体が、平板、粒子、繊維又は複雑形状である、請求項1に記載のZnOウィスカー膜。
- 酸化亜鉛が析出する反応溶液系で、原料濃度、温度及び/又はpHを調整してZnO結晶を析出させ、基板上にZnOウィスカー膜を形成させることを特徴とするZnOウィスカー膜の製造方法。
- 反応溶液系に、ヘキサメチレンテトラアミン、エチレンジアミン若しくはアンモニア、及び/又はポリエチレンイミン、アミノ基を有するポリマー若しくはアミノ基を有するモノマーを配合する、請求項6に記載のZnOウィスカー膜の製造方法。
- 平坦基板又は凹凸基板を用いることにより、ZnOウィスカーを基板に垂直又は非垂直に成長させる、請求項6に記載のZnOウィスカー膜の製造方法。
- 基板上にZnO結晶のシード層を作製し、該ZnOシード層の上にZnOウィスカー膜を形成する、請求項6に記載のZnOウィスカー膜の製造方法。
- 反応溶液系の溶液条件又はシード層の緻密化の程度を調整することにより、単位基板面積当たりのウィスカーの数を調整する、請求項6又は9に記載のZnOウィスカー膜の製造方法。
- 請求項1から5のいずれかに記載の高比表面積と高導電率を両立させたナノ構造体のZnOウィスカー膜からなることを特徴とする電子デバイス材料。
- 請求項11に記載の電子デバイス材料を用いて構成された電子デバイスであって、分子センサー、ガスセンサー、溶液センサー又は色素増感型態様電池の電子デバイスであることを特徴とする電子デバイス。
Priority Applications (2)
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