JP4899229B2 - ZnOウィスカー膜及びそれらの作製方法 - Google Patents
ZnOウィスカー膜及びそれらの作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4899229B2 JP4899229B2 JP2007072248A JP2007072248A JP4899229B2 JP 4899229 B2 JP4899229 B2 JP 4899229B2 JP 2007072248 A JP2007072248 A JP 2007072248A JP 2007072248 A JP2007072248 A JP 2007072248A JP 4899229 B2 JP4899229 B2 JP 4899229B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zno
- whisker
- particles
- film
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
(1)ZnO結晶を主成分(モル比50%以上)とするZnOウィスカーを堆積させて形成したZnOウィスカー膜であって、
アスペクト比が少なくても2のウィスカー形状粒子であり、該ウィスカー粒子が、ひげ状粒子、針状粒子、又は棒状粒子であり、350nmの励起光によって、350から700nmの波長範囲の少なくともUV領域(370−400nm)においてフォトルミネッセンス特性を有し、上記ウィスカー粒子が、直径10−50nm、長さ1000−2000nmの高アスペクト比を有するZnO結晶を含むZnOウィスカーを基板上に溶液中で堆積させて形成したZnOウィスカーネットワーク膜であり、(10−10)面の回折強度が(0002)の回折強度よりも強く、ランダムなZnO粒子と比べて高い比表面積と高い導電率を両立させたナノ構造体からなるZnOウィスカー膜。
(2)前記(1)に記載のZnOウィスカー膜を構成要素として含むことを特徴とする高比表面積と高導電率を両立させた導電性ZnOウィスカー部材。
(3)前記(1)に記載のZnOウィスカー膜を溶液プロセスにより製造する方法であって、
酸化亜鉛が析出する酢酸亜鉛を含む水溶液反応系で、エチレンジアミンを錯化剤として添付し、温度、原料濃度、乃至pH条件のいずれかの条件を調整してZnO結晶を析出させ、アスペクト比が少なくても2のウィスカー形状粒子であり、該ウィスカー粒子が、ひげ状粒子、針状粒子、又は棒状粒子であり、350nmの励起光によって、350から700nmの波長範囲の少なくともUV領域(370−400nm)においてフォトルミネッセンス特性を有し、上記ウィスカー粒子が、直径10−50nm、長さ1000−2000nmの高アスペクト比を有するZnO結晶を含むZnOウィスカーを基板上に溶液中で堆積させることにより、(10−10)面の回折強度が(0002)の回折強度よりも強く、ランダムなZnO粒子と比べて高い比表面積と高い導電率を両立させたナノ構造体からなるZnOウィスカー膜を形成させること、を特徴とするZnOウィスカー膜の製造方法。
(4)溶液反応系が、亜鉛含有水溶液の水熱反応系である、前記(3)に記載の方法。
(5)基板として、シリコン、ガラス、金属、セラミックス、又はポリマーの基板を用いる、前記(3)に記載の方法。
本発明で用いるウィスカーは、ZnO結晶を主成分(モル比50%以上)とするZnOウィスカーであって、アスペクト比が2以上のウィスカー形状粒子であり、図3cのフォトルミネッセンススペクトルで示される可視光領域におけるフォトルミネッセンス特性を有することを特徴とするものである。本発明では、ウィスカーが、直径10−50nm、長さ1000−2000nmの高アスペクト比を有すること、ウィスカーが、図2cのX線回折パターンを示すこと、ウィスカー粒子が、ひげ状粒子、針状粒子、又は棒状粒子であること、を特徴としている。
(1)ZnO結晶の異方成長を利用することにより、溶液プロセスでZnOウィスカー及びZnOウィスカー膜を作製することができる。
(2)有機物の添加を用いていないため、不純物の混入を回避することができる。
(3)数百℃での高温加熱処理を経ることなく、ZnO結晶ウィスカー及びウィスカー膜を得ることができる。
(4)本発明は、ZnOウィスカー膜を、高い比表面積と高い導電率を両立させることのできるナノ構造体として提供するものであり、例えば、分子センサー、ガスセンサー、色素増感型太陽電池の分野において、高い特性を発現できる電子デバイスを提供することを可能とするものである。
(1)作製方法
15mMの酢酸亜鉛(Zn(CH3COO)2)水溶液を調製した後、15−45mMのエチレンジアミンを錯化剤として添加し、溶液を60℃にて3時間保持した。この際、エチレンジアミンと亜鉛のモル比を、[ethylendiamine]/[Zn]=(a)1:1、(b)2:1、(c)3:1と変化させた。
図1に、ZnO粒子のSEMによる二次電子像写真を示す。エチレンジアミン15mM含有水溶液中([ethylendiamine]/[Zn]=(a)1:1)において、六角柱状ZnO粒子が生成した(図1a)。図2に、ZnO粒子のX線回折パターンを示す。XRDからは、析出した粒子がZnO結晶であることが示された。(10−10)及び(0002)の回折強度は、ランダムなZnO粒子の回折パターンと同様であった。
エチレンジアミン濃度を更に増加させて、[ethylendiamine]/[Zn]=3:1とし、ZnO粒子の生成速度を更に高めた。ウィスカー形状を有するZnO結晶粒子が生成した。ウィスカーは、直径10−50nm、長さ1000−2000nmの高いアスペクト比を有していた(図1c)。
Claims (5)
- ZnO結晶を主成分(モル比50%以上)とするZnOウィスカーを堆積させて形成したZnOウィスカー膜であって、
アスペクト比が少なくても2のウィスカー形状粒子であり、該ウィスカー粒子が、ひげ状粒子、針状粒子、又は棒状粒子であり、350nmの励起光によって、350から700nmの波長範囲の少なくともUV領域(370−400nm)においてフォトルミネッセンス特性を有し、上記ウィスカー粒子が、直径10−50nm、長さ1000−2000nmの高アスペクト比を有するZnO結晶を含むZnOウィスカーを基板上に溶液中で堆積させて形成したZnOウィスカーネットワーク膜であり、(10−10)面の回折強度が(0002)の回折強度よりも強く、ランダムなZnO粒子と比べて高い比表面積と高い導電率を両立させたナノ構造体からなるZnOウィスカー膜。 - 請求項1に記載のZnOウィスカー膜を構成要素として含むことを特徴とする高比表面積と高導電率を両立させた導電性ZnOウィスカー部材。
- 請求項1に記載のZnOウィスカー膜を溶液プロセスにより製造する方法であって、
酸化亜鉛が析出する酢酸亜鉛を含む水溶液反応系で、エチレンジアミンを錯化剤として添付し、温度、原料濃度、乃至pH条件のいずれかの条件を調整してZnO結晶を析出させ、アスペクト比が少なくても2のウィスカー形状粒子であり、該ウィスカー粒子が、ひげ状粒子、針状粒子、又は棒状粒子であり、350nmの励起光によって、350から700nmの波長範囲の少なくともUV領域(370−400nm)においてフォトルミネッセンス特性を有し、上記ウィスカー粒子が、直径10−50nm、長さ1000−2000nmの高アスペクト比を有するZnO結晶を含むZnOウィスカーを基板上に溶液中で堆積させることにより、(10−10)面の回折強度が(0002)の回折強度よりも強く、ランダムなZnO粒子と比べて高い比表面積と高い導電率を両立させたナノ構造体からなるZnOウィスカー膜を形成させること、を特徴とするZnOウィスカー膜の製造方法。 - 溶液反応系が、亜鉛含有水溶液の水熱反応系である、請求項3に記載の方法。
- 基板として、シリコン、ガラス、金属、セラミックス、又はポリマーの基板を用いる、請求項3に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007072248A JP4899229B2 (ja) | 2007-03-20 | 2007-03-20 | ZnOウィスカー膜及びそれらの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007072248A JP4899229B2 (ja) | 2007-03-20 | 2007-03-20 | ZnOウィスカー膜及びそれらの作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008230895A JP2008230895A (ja) | 2008-10-02 |
JP4899229B2 true JP4899229B2 (ja) | 2012-03-21 |
Family
ID=39904146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007072248A Expired - Fee Related JP4899229B2 (ja) | 2007-03-20 | 2007-03-20 | ZnOウィスカー膜及びそれらの作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4899229B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5005414B2 (ja) * | 2007-04-09 | 2012-08-22 | 石原産業株式会社 | 酸化亜鉛及びその製造方法並びにそれを用いた化粧料 |
JP5136982B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2013-02-06 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ZnOウィスカー膜、ZnOウィスカー膜形成のためのシード層及びそれらの作製方法 |
WO2010050430A1 (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 柱状ZnO粒子の製造方法及びそれによって得られた柱状ZnO粒子 |
KR101201897B1 (ko) * | 2008-12-12 | 2012-11-16 | 한국전자통신연구원 | 산화물 반도체 나노섬유를 이용한 초고감도 가스센서 및 그제조방법 |
EP2237339A3 (en) | 2009-03-30 | 2011-10-26 | TDK Corporation | Electrode for photoelectric conversion elements, manufacturing method of the same, and dye-sensitized solar cell |
JP5339372B2 (ja) * | 2009-11-25 | 2013-11-13 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Zn(OH)2ナノシートとZnOナノウィスカー膜によるハイブリッドフィルム、ZnOナノシートとZnOナノウィスカー膜によるハイブリッドフィルム、およびそれらの作製方法 |
US8629411B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-01-14 | First Solar, Inc. | Photoluminescence spectroscopy |
US9120681B2 (en) | 2011-04-28 | 2015-09-01 | Sakai Chemical Industry Co., Ltd. | Method for production of zinc oxide particles |
CA2834233C (en) | 2011-04-28 | 2019-02-26 | Sakai Chemical Industry Co., Ltd. | Hexagonal prism-shaped zinc oxide particles and method for production of the same |
CN104005087B (zh) * | 2014-05-09 | 2016-04-27 | 洛阳威乐美科技有限公司 | 一种氧化锌晶须的制备方法 |
WO2018080013A1 (ko) * | 2016-10-25 | 2018-05-03 | 롯데첨단소재(주) | 열가소성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 성형품 |
KR20180071935A (ko) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 롯데첨단소재(주) | 인조대리석용 조성물 |
KR102161339B1 (ko) | 2017-11-08 | 2020-09-29 | 롯데첨단소재(주) | 열가소성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 성형품 |
KR102253248B1 (ko) * | 2017-12-26 | 2021-05-18 | 롯데첨단소재(주) | 열가소성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 성형품 |
-
2007
- 2007-03-20 JP JP2007072248A patent/JP4899229B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008230895A (ja) | 2008-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4899229B2 (ja) | ZnOウィスカー膜及びそれらの作製方法 | |
Shi et al. | Growth of flower-like ZnO via surfactant-free hydrothermal synthesis on ITO substrate at low temperature | |
Yin et al. | Mild solution synthesis of zinc oxide films with superhydrophobicity and superhydrophilicity | |
Habibi et al. | Structure and morphology of nanostructured zinc oxide thin films prepared by dip-vs. spin-coating methods | |
Samanta et al. | Substrate effect on morphology and photoluminescence from ZnO monopods and bipods | |
WO2008038685A1 (fr) | Particule d'oxyde de zinc, film particulaire d'oxyde de zinc, et leurs procédés de production | |
JP4665175B2 (ja) | 高c軸配向高比表面積ZnO結晶自立膜及びその作製方法 | |
Qiu et al. | Synthesis and Characterization of Flower‐Like Bundles of ZnO Nanosheets by a Surfactant‐Free Hydrothermal Process | |
JP5263750B2 (ja) | ナノ針状アナターゼTiO2結晶集積粒子と多孔質アナターゼTiO2結晶膜の作製方法 | |
Kumar et al. | Growth of novel ZnO nanostructures by soft chemical routes | |
Duan et al. | A template-free CVD route to synthesize hierarchical porous ZnO films | |
JP2015212213A (ja) | グラフェンシートとの一体化ZnOナノロッド、およびグラフェンシート上へのZnOナノロッドの製造方法 | |
Hector et al. | Chemical synthesis of β-Ga2O3 microrods on silicon and its dependence on the gallium nitrate concentration | |
He et al. | Effect of Co-doping content on hydrothermal derived ZnO array films | |
Kovalenko et al. | Formation of single-crystalline BaTiO3 nanorods from glycolate by tuning the supersaturation conditions | |
Yang et al. | The competition growth of ZnO microrods and nanorods in chemical bath deposition process | |
Suwanboon et al. | Fabrication and properties of nanocrystalline zinc oxide thin film prepared by sol-gel method | |
Zhang et al. | Silica-controlled structure and optical properties of zinc oxide sol–gel thin films | |
Siriphongsapak et al. | Hydrothermal growth of ZnO nanostructures using sodium hydroxide as a source of hydroxide ion | |
Ravichandran et al. | Synthesis, optical and morphological studies of sol-gel derived ZnO/PVP one dimensional nano-composite | |
Deenathayalan et al. | Effect of growth layer solution concentration on the structural and optical properties of hydrothermally grown zinc oxide nanorods | |
Morkoç Karadeniz et al. | A comparative study on structural and optical properties of ZnO micro-nanorod arrays grown on seed layers using chemical bath deposition and spin coating methods | |
Rahman et al. | Comprehensive review of micro/nanostructured ZnSnO 3: characteristics, synthesis, and diverse applications | |
Zhang et al. | Study on synthesis and optical properties of ZnO hierarchical nanostructures by hydrothermal method | |
JP2011111346A (ja) | Zn(OH)2ナノシートとZnOナノウィスカー膜によるハイブリッドフィルム、ZnOナノシートとZnOナノウィスカー膜によるハイブリッドフィルム、およびそれらの作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110516 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110711 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110801 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111101 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20111109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111129 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |