JP5540365B2 - ZnOシード層、ZnOウィスカーパターン及びそれらの作製方法 - Google Patents
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Description
(1)酸化亜鉛が析出する反応系で、パターン化されたシード層を介して基板上に析出させたZnOウィスカーパターンであって、
基板表面上に形成されたパターン化シード層の上にZnOウィスカーが結晶成長した構造を有し、c軸方向に異方成長したZnOウィスカーが、基板に垂直方向に直立して配向成長しており、上記シード層が、基板の表面に被覆された20nm以下のZnOナノ粒子から構成されていて、ZnOウィスカーと基板との間に多結晶ZnOシード層を有しないことを特徴とするZnOウィスカーパターン。
(2)酸化亜鉛が析出する反応系が、硝酸亜鉛溶液又は酢酸亜鉛溶液である、前記(1)に記載のZnOウィスカーパターン。
(3)基板が、FTO、ガラス、シリコン、金属、セラミックス、又はポリマーの基板である、前記(1)に記載のZnOウィスカーパターン。
(4)基板が、平板状、粒子、又は繊維の形態を有する、前記(1)に記載のZnOウィスカーパターン。
(5)ZnOウィスカーパターンを作製する方法であって、
1)基板上に酢酸亜鉛水和物又は硝酸亜鉛水和物の層の領域を形成する、2)これにフォトマスクを介して光照射して、無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層のパターン化シード層の領域を加熱処理を経ずに形成する、3)これを酸化亜鉛が析出する所定の温度の反応系に浸漬して該パターン化シード層の無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層をZnOナノ粒子又は単結晶の結晶層に変えるとともに、該パターン化シード層の上にZnOウィスカーを結晶成長させる、4)これらの工程によりZnOウィスカーパターンを形成する、ことを特徴とするZnOウィスカーパターンの作製方法。
(6)反応系が、温度0〜99℃の反応系である、前記(5)に記載のZnOウィスカーパターンの作製方法。
(7)基板が、FTO、ガラス、シリコン、金属、セラミックス、又はポリマーの基板である、前記(5)又は(6)に記載のZnOウィスカーパターンの作製方法。
(8)基板が、平板状、粒子、又は繊維の形態を有する、前記(5)から(7)のいずれか一項に記載のZnOウィスカーパターンの作製方法。
(9)反応系の温度、原料濃度、pH条件、及び/又はシード層の緻密化の程度を調整することにより、ZnOウィスカーパターンの緻密の程度を調整する又はウィスカーの数密度を1−1000本/μm2に制御する、前記(5)から(8)のいずれか一項に記載のZnOウィスカーパターンの作製方法。
(10)前記(1)から(4)のいずれかに記載のZnOウィスカーパターンを形成してなるナノ構造体を構成要素として含むことを特徴とする高導電性部材。
(11)部材が、分子センサー、ガスセンサー、又は色素増感型太陽電池である、前記(10)に記載の高導電性部材。
本発明は、光照射によりシード層を合成すること、及び該シード層の上にZnOウィスカーパターンを形成することを最も主要な特徴とする。本発明の方法では、光照射によりパターン化シード層を形成し、そのシード層を用いて、ZnOウィスカーパターンを形成することができる。ここで、ウィスカー状粒子(ひげ状粒子、針状粒子、棒状粒子、ロッド状粒子を含む。)とは、アスペクト比が2以上の異方性粒子を指す。アスペクト比とは、長さ/直径の比のことで、球状粒子や立方体粒子では1、針状粒子や棒状粒子やウィスカー状粒子では1以上となる。
(1)シード層を、光照射により形成することができる。特に、シード層を、光照射により、室温で形成することができる。
(2)そのため、従来必要とされていた、350℃程度以上での高温加熱処理を必要としない。そのため、ポリマー基板等の低耐熱性基板上にZnOウィスカーパターンを形成することができる。
(3)FTOコーティングガラス基板やITOコーティングガラス基板に代えて、導電膜コーティングポリマー等のポリマーフィルムを基板に用いた際、曲げられるフレキシブルデバイスの実現、軽量化、低コスト化、薄層化等を実現することができる。
(4)FTOやITO基板上にZnOウィスカー膜を形成する際、従来はシード層形成における高温加熱処理によりFTO層あるいはITO層の抵抗増加が引き起こされていたが、これらの抵抗増加を回避することができる。
(5)シード層及びZnO結晶の異方成長を用いて、ZnOウィスカーパターンを水溶液中において合成することができる。
(6)気相プロセスを用いていないため、簡便な装置で、低コストにて、平板及び複雑形状等の固体表面にウィスカー膜を作製することができる。
(7)水熱処理や高温・長時間のZnO結晶化処理を経ることなく、ウィスカーパターンを得ることができる。
(8)ウィスカー膜は、高い比表面積、高い導電率、ウィスカー間空間制御性を両立させることのできるナノ構造体であり、分子センサー、ガスセンサー、色素増感型太陽電池等において、高い特性を発現できるものと期待される。
シード層の作製及び該シード層を用いたZnOウィスカーパターンの形成の概要を図1に示す。酢酸亜鉛二水和物(zinc acetate dihydrate(Zn(CH3COO)2・2H2O,99%))を無水エタノール中に溶解した。この時の酢酸亜鉛二水和物濃度は、0.01M(mol/L)であった。
(照射条件)
フォトマスク:凸版印刷製、テストチャート
紫外線照射装置:低圧水銀ランプ、セン特殊光源製、SUV110GS−36、110W、low pressure UV lamp(SUV110GS−36,SEN Light Corporation)
大気、常圧条件下の照射距離(基板とランプの距離):2.0cm
硝酸亜鉛(zinc nitrate hexahydrate(Zn(NO3)2・6H2O,99%))0.1M、ヘキサメチレンテトラアミン(hexamethylenetetramine(HMT,C6H12N4,99%))0.1M、0.02Mのポリエチレンイミン(polyethylenimine(PEI,(C2H5N)n,branched mean molecular weight of 600,99%))の混合水溶液を、200ml調製した。
Claims (11)
- 酸化亜鉛が析出する反応系で、パターン化されたシード層を介して基板上に析出させたZnOウィスカーパターンであって、
基板表面上に形成されたパターン化シード層の上にZnOウィスカーが結晶成長した構造を有し、c軸方向に異方成長したZnOウィスカーが、基板に垂直方向に直立して配向成長しており、上記シード層が、基板の表面に被覆された20nm以下のZnOナノ粒子から構成されていて、ZnOウィスカーと基板との間に多結晶ZnOシード層を有しないことを特徴とするZnOウィスカーパターン。 - 酸化亜鉛が析出する反応系が、硝酸亜鉛溶液又は酢酸亜鉛溶液である、請求項1に記載のZnOウィスカーパターン。
- 基板が、FTO、ガラス、シリコン、金属、セラミックス、又はポリマーの基板である、請求項1に記載のZnOウィスカーパターン。
- 基板が、平板状、粒子、又は繊維の形態を有する、請求項1に記載のZnOウィスカーパターン。
- ZnOウィスカーパターンを作製する方法であって、
1)基板上に酢酸亜鉛水和物又は硝酸亜鉛水和物の層の領域を形成する、2)これにフォトマスクを介して光照射して、無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層のパターン化シード層の領域を加熱処理を経ずに形成する、3)これを酸化亜鉛が析出する所定の温度の反応系に浸漬して該パターン化シード層の無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層をZnOナノ粒子又は単結晶の結晶層に変えるとともに、該パターン化シード層の上にZnOウィスカーを結晶成長させる、4)これらの工程によりZnOウィスカーパターンを形成する、ことを特徴とするZnOウィスカーパターンの作製方法。 - 反応系が、温度0〜99℃の反応系である、請求項5に記載のZnOウィスカーパターンの作製方法。
- 基板が、FTO、ガラス、シリコン、金属、セラミックス、又はポリマーの基板である、請求項5又は6に記載のZnOウィスカーパターンの作製方法。
- 基板が、平板状、粒子、又は繊維の形態を有する、請求項5から7のいずれか一項に記載のZnOウィスカーパターンの作製方法。
- 反応系の温度、原料濃度、pH条件、及び/又はシード層の緻密化の程度を調整することにより、ZnOウィスカーパターンの緻密の程度を調整する又はウィスカーの数密度を1−1000本/μm2に制御する、請求項5から8のいずれか一項に記載のZnOウィスカーパターンの作製方法。
- 請求項1から4のいずれかに記載のZnOウィスカーパターンを形成してなるナノ構造体を構成要素として含むことを特徴とする高導電性部材。
- 部材が、分子センサー、ガスセンサー、又は色素増感型太陽電池である、請求項10に記載の高導電性部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008005051A JP5540365B2 (ja) | 2008-01-11 | 2008-01-11 | ZnOシード層、ZnOウィスカーパターン及びそれらの作製方法 |
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JP5540365B2 true JP5540365B2 (ja) | 2014-07-02 |
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JP (1) | JP5540365B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
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JP5136982B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2013-02-06 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ZnOウィスカー膜、ZnOウィスカー膜形成のためのシード層及びそれらの作製方法 |
US11133390B2 (en) * | 2013-03-15 | 2021-09-28 | The Boeing Company | Low temperature, thin film crystallization method and products prepared therefrom |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06230216A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Nippon Paint Co Ltd | 着色パターン形成方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009167038A (ja) | 2009-07-30 |
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