JPH06230216A

JPH06230216A - 着色パターン形成方法

Info

Publication number: JPH06230216A
Application number: JP1867393A
Authority: JP
Inventors: Masanobu Yomogihara; 正伸蓬原; Yutaka Ishida; 裕石田; Akira Fujishima; 昭藤嶋; Kazuhito Hashimoto; 和仁橋本
Original assignee: Nippon Paint Co Ltd
Current assignee: Nippon Paint Co Ltd
Priority date: 1993-02-05
Filing date: 1993-02-05
Publication date: 1994-08-19

Abstract

(57)【要約】【目的】パターン形成工程を簡略化し、任意な形状の
微細パターンを形成する着色パターン形成方法を提供す
る。【構成】基板上に、透明導電性膜を必要に応じて形成
し、更に光半導体膜を形成し、マスクを用いて光半導体
膜をパターン状に溶解し、該基板を電着塗装する。ＲＧ
Ｂパターンを形成するには、パターン形成をずらして溶
解、電着塗装を繰り返すことにより得られる。【効果】フォトレジストを使用する必要がなく、工程
が簡略化、任意の形状の微細パターンを得ることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光照射により所望のパ
ターンを形成する着色パターン形成方法、特に本発明は
光半導体膜に光照射を行い、その後光照射部を反応溶液
にて除去することによりパターンを形成し、一色以上の
着色パターン形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、着色パターンの形成方法としては
染色法、分散法があったが、いずれも工程数が多く、パ
ターン精度が悪いという欠点があった。

【０００３】そこで、これらの欠点を解決すべく、近年
着色パターン形成方法として、特開昭６０−３３５０７
号公報及び特開昭６４−８２０９２号公報等が提案され
ている。なお、この特開昭６０−３３５０７号公報の
「色フィルタの製造方法」及び特開昭６４−８２０９２
号公報の「表面着色体の製造方法」は、主に撮影管等の
カラーフィルタの製造方法として利用されている。

【０００４】まず、特開昭６０−３３５０７号公報に
は、基板上に形成したＩＴＯ（酸化インジウム・酸化ス
ズ）等の透明導電膜のにフォトレジストを形成し、所定
のフォトマスクを用いて露光、現像してレジストパター
ンを形成し、レジストパターンの開口部に電着塗装する
方法が開示されている。

【０００５】すなわち、図５に示すように、まず所定の
ガラス基板１０に蒸着法あるいは塗布法によってＩＴＯ
膜６２を形成し（ステップ１）、このＩＴＯ膜６２上全
面にフォトレジスト６４を塗布する（ステップ２）。そ
して、所定のフォトマスク１６を用いて露光し（ステッ
プ３）、現像してレジストパターンを形成する（ステッ
プ４）。その後、レジストパターンの開口部に電着塗料
６６を電着塗装により析出凝固させる（ステップ５）。
次に、先に形成したレジストパターンを除去し（ステッ
プ６）、再度フォトレジスト６４を全面に塗布して（ス
テップ７）、前述同様にレジストパターンを形成し、露
光工程、現像工程、電着塗装工程を行い第２色目を電着
塗装する。この方法によれば、ステップ７からステップ
３、４、５、６を１ルーチンとして複数回繰り返すこと
によって、複数色を着色することができる。

【０００６】また、特開昭６４−８２０９２号公報に
は、基板上に形成したＩＴＯ等の透明導電膜のにフォト
レジストを形成し、所定のフォトマスクを用いて露光、
現像してレジストパターンを形成する。そして、レジス
トパターンをマスクとしてエッチング処理によりＩＴＯ
膜パターンを形成し、その後レジストを剥離させ、ＩＴ
Ｏ膜上に電着塗装する方法が開示されている。

【０００７】すなわち、図６に示すように、ガラス基板
１０にＩＴＯ膜６２を形成し、ＩＴＯ膜６２上全面にフ
ォトレジスト６４を塗布して、所定のフォトマスク１６
を用いて露光、現像してレジストパターンを形成する
（ステップ１〜ステップ４）。次に、エッチング液によ
りＩＴＯ膜６２をエッチングし、ＩＴＯ膜パターンを形
成する（ステップ５）。そして、ＩＴＯ膜６２上のフォ
トレジスト６４を剥離液により剥離し（ステップ６）、
ＩＴＯ膜パターン以外の残留物及びＩＴＯ膜６２をエッ
チングした際に生成する不溶性塩基類等を除去するため
に浸漬洗浄を行う（ステップ７）。その後、ＩＴＯ膜パ
ターン６２′を陽極として第１色目を電着塗装し、次に
幅がａの導電性ゴムをガラス基板１０上に接触させるこ
とにより、ＩＴＯ膜パターン６２″のみに通電させ、第
２色目を電着塗装した（ステップ８）。また、幅がｂの
導電性ゴムをガラス基板１０上に接触させ、ＩＴＯ膜パ
ターン６２″′のみに通電させて、第２色目を電着塗装
することができる。上記方法により、ＲＧＢパターンが
形成される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
特開昭６０−３３５０７号公報の方法では、例えばＲＧ
Ｂパターンを形成する場合、フォトレジストを各着色ご
とに３回塗布し、その都度パターンニングを行い、フォ
トレジストを剥離する必要があった。従って、工程数が
多く、作業が煩雑であった。

【０００９】また、上述の特開昭６４−８２０９２号公
報の方法においては、フォトレジストの塗布は１回であ
る。しかし、ＩＴＯ膜のエッチング処理工程があるため
に、不溶性塩基類等を除去するために浸漬洗浄を行う必
要があった。更に、例えばＲＧＢパターンを形成する場
合、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）用の
ＩＴＯ膜パターンを全て形成した後、個別に電着塗装を
行っていた。このため、各塗料に対応するＩＴＯ膜パタ
ーンが夫々導通しないように、一定の間隔を開けてしか
ＩＴＯ膜パターンを形成することができず、モザイク形
状等の複雑な形状のパターンを形成することはできない
という問題があった。

【００１０】本発明は、上記従来の課題に鑑みなされた
ものであり、その目的は、パターン形成工程を簡略化
し、任意な形状の微細パターンを形成する着色パターン
形成方法を提供するものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、（１）導電性を有する基板
上に光半導体膜を形成する光半導体膜形成工程と、
（２）前記基板と光源との光路にマスクを配設するマス
ク配設工程と、（３）前記光半導体膜に光を照射し、前
記光半導体膜に光照射部を形成する光照射工程と、
（４）前記光照射工程によって形成された光照射部を反
応溶液中で溶解し、前記基板上に光半導体膜パターンを
形成するパターン形成工程と、（５）前記パターン形成
工程によって形成された前記光半導体膜パターンの開口
部分の前記基板上に電着塗装を行う電着塗装工程と、を
含むことを特徴とする。

【００１２】また、請求項２記載の発明は、（１）導電
性を有する基板上に光半導体膜を形成する光半導体膜形
成工程と、（２）前記基板と光源との光路にマスクを配
設するマスク配設工程と、（３）前記光半導体膜に光を
照射し、前記光半導体膜に光照射部を形成する光照射工
程と、（４）前記光照射工程によって形成された光照射
部を反応溶液中で溶解し、前記基板上に光半導体膜パタ
ーンを形成するパターン形成工程と、（５）前記パター
ン形成工程によって形成された前記光半導体膜パターン
の開口部分の前記基板上に電着塗装を行う電着塗装工程
と、を含み、２色以上の電着塗装を前記基板上に形成す
る場合は、前記（２）のマスク配設工程において、前記
基板に対するマスクの位置をずらし、前記（３）の光照
射工程において、上記工程における未溶解部分に光照射
し、前記（４）のパターン形成工程を経て、前記（５）
の電着塗装工程において、先と異なる色を電着塗装する
一連の工程を複数回行うことを特徴とする。

【００１３】また、請求項３記載の発明は、（１）基板
上に透明導電性膜を形成する透明導電性膜形成工程と、
（２）前記透明導電性膜上に光半導体膜を形成する光半
導体膜形成工程と、（３）前記基板と光源との光路にマ
スクを配設するマスク配設工程と、（４）前記光半導体
膜に光を照射し、前記光半導体膜に光照射部を形成する
光照射工程と、（５）前記光照射工程によって形成され
た光照射部を反応溶液中で溶解し、前記基板上に光半導
体膜パターンを形成するパターン形成工程と、（６）前
記パターン形成工程によって形成された前記光半導体膜
パターンの開口部分の前記基板上に電着塗装を行う電着
塗装工程と、を含むことを特徴とする。

【００１４】また、請求項４記載の発明は、（１）基板
上に透明導電性膜を形成する透明導電性膜形成工程と、
（２）前記透明導電性膜上に光半導体膜を形成する光半
導体膜形成工程と、（３）前記基板と光源との光路にマ
スクを配設するマスク配設工程と、（４）前記光半導体
膜に光を照射し、前記光半導体膜に光照射部を形成する
光照射工程と、（５）前記光照射工程によって形成され
た光照射部を反応溶液中で溶解し、前記基板上に光半導
体膜パターンを形成するパターン形成工程と、（６）前
記パターン形成工程によって形成された前記光半導体膜
パターンの開口部分の前記基板上に電着塗装を行う電着
塗装工程と、を含み、２色以上の電着塗装を前記基板上
に形成する場合は、前記（３）のマスク配設工程におい
て、前記基板に対するマスクの位置をずらし、前記
（４）の光照射工程において、上記工程における未溶解
部分に光照射し、前記（５）のパターン形成工程を経
て、前記（６）の電着塗装工程において、先と異なる色
を電着塗装する一連の工程を複数回行うことを特徴とす
る。

【００１５】

【作用】本発明に係る着色パターン形成方法において、
基板に形成された光半導体膜は、光照射された部分が反
応溶液で選択的に溶解するので、導電性を有する基板上
又は透明導電膜上に光半導体膜パターンを容易に形成す
ることができる。

【００１６】また、電着塗装工程において、光半導体膜
上には、塗料の樹脂が析出しないので、光半導体膜の開
口部のみに所望の電着塗装を行うことができる。

【００１７】更に、上記請求項２及び４記載の構成であ
れば、一度基板に形成した光半導体膜を用いてマスクの
位置をずらすのみで、所望の位置に複数色の電着塗装を
行うことができる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の好適な実施例を図面に基づい
て説明する。

【００１９】図１には、本発明に係る着色パターン形成
方法の工程を説明した図が示されている。以下、図面に
基づいてカラーフィルタに用いるＲＧＢパターンの形成
工程について説明する。

【００２０】まず、ガラス基板１０の上全面に透明導電
膜である例えばＴＯ（Tin Oxide ）膜１２を形成し（ス
テップ１）、ＴＯ膜１２上全面に光半導体膜であるＺｎ
Ｏ膜１４を形成する（ステップ２）。次に、マスク１６
を所定の位置に配設して、光を照射し、反応溶液中でＺ
ｎＯ膜１４の光照射部分を選択的に溶解する（ステップ
３）。なお、このパターンニング工程については後述す
る。ＺｎＯ膜１４の選択的に溶解された開口部のＴＯ膜
１２上に、赤色（Red ）の塗料１８を電着塗装する（ス
テップ４）。その後、マスク１６の配設位置を所定量ず
らして、光を照射し反応溶液中でＺｎＯ膜１４の光照射
部分を選択的に溶解して、ＺｎＯ膜１４′のパターンを
形成する（ステップ５）。そして、ＺｎＯ膜１４′又は
塗料１８が形成されていないＴＯ膜１２上に、緑色（Gr
een ）の塗料２０を電着塗装する（ステップ６）。先と
同様に、マスク１６の配設位置を所定量ずらして、光を
照射し反応溶液中でＺｎＯ膜１４′を選択的に溶解し
て、ＺｎＯ膜を除去する（ステップ７）。そして、塗料
１８と塗料２０とが形成されていないＴＯ膜１２上に、
青色（Blue）の塗料２２を電着塗装する（ステップ
８）。

【００２１】最終着色形成工程（上記実施例では青色着
色）においては、その１つ前の着色形成工程（上記実施
例では緑色着色）後、(a) ＺｎＯ膜を酸で除去後、青色
電着塗装を行なう又は、(b) 青色電着塗装を光電着塗装
によっても可能である。

【００２２】図２には、光半導体膜であるＺｎＯ膜１４
へのパターンニング工程の電解槽の断面図が示されてい
る。まず、電解槽３０内には、塩化ナトリウム（ＮａＣ
ｌ）及び水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）を含む水溶液か
らなる電解溶液が入れられており、電解槽３０の側壁に
は、ガラス基板１０がＺｎＯ膜１４を電解溶液に接する
ように配設されている。そして、このガラス基板１０の
背面にマスク１６が配置され、光はガラス基板１０に向
けて照射される。光は、ガラス基板１０及びＴＯ膜１２
を通過し、ＺｎＯ膜１４に達する。ここで、その光エネ
ルギーがＺｎＯのエネルギー障壁（バンドギャップ：Ｅ
ｇ）以上の場合、光照射されたＺｎＯ膜１４部分の電子
（ｅ^-）が、価電子帯から伝導帯に励起される。なお、
本実施例の場合は、Ｅｇが約３．２ｅＶであるから、本
実施例の場合、光エネルギー（ｈν）は、約３．２ｅＶ
以上であればよい。

【００２３】従って、ＺｎＯ膜１４において電子が励起
した部分の価電子帯には、ホールが生成する。これによ
り、ＺｎＯ膜１４の表面にスペース・チャージ層（spac
e cherge layer）が形成される。

【００２４】このホールの形成によりＺｎＯ膜１４の表
面は、電解溶液と接しているので、以下の反応式（１）
のような反応が起こる。そして、選択的に光が照射され
た部分のＺｎＯ膜１４のみが溶け出して、選択的にエッ
チングされる。

【００２５】そこで、電解槽３０内に電圧を印加する
と、ＴＯ膜１２上のＺｎＯ膜１４からホールが生成され
キャリアが移動し、反応式（１）のような反応が促進さ
れ、選択的に光が照射された部分のＺｎＯ膜１４のみが
溶解し、エッチングされる。

【００２６】

【化１】次に、光半導体膜、特にＺｎＯ膜のパターン形成の条件
について説明する。

【００２７】電解溶液のｐＨに対する光半導体膜の溶解
性について（その１）上記光半導体膜であるＺｎＯ膜へのパターンニング工程
において、ＺｎＯ膜の溶解性は、表１に示すように電解
溶液のｐＨに依存する。なお、ここでＶ_lightは、Ｚｎ
Ｏ膜光照射部分の電解溶液への溶解速度を示し、Ｖ_dark
は、ＺｎＯ膜光未照射部分の電解溶液への溶解速度を示
めす。また、本実施例の場合は、回路に電圧を印加しな
い。

【００２８】

【表１】表１より、ＺｎＯ膜パターン形成可能な電解溶液のｐＨ
は、３〜７である。電解溶液のｐＨが３未満の場合、光
未照射部分も溶解してしまい、エッチング精度が劣化す
る。一方、電解溶液のｐＨが７を越える場合、光照射部
分も溶解しなくなるので、所望のエッチングができな
い。

【００２９】照度と光半導体膜の溶解速度について

【表２】光半導体膜であるＺｎＯ膜の溶解速度は、表２より明ら
かなように、照度が大きい速くなる。なお、照度は４０
ｍＷ／ｃｍ²以上が好ましい。

【００３０】電解溶液のｐＨに対する光半導体膜の溶解
性について（その２）図２の回路に電圧を印加した場合における電解溶液のｐ
Ｈと光半導体膜であるＺｎＯ膜の溶解性について以下の
表３に示す。

【００３１】

【表３】表３より、電圧を印加した場合には、ＺｎＯ膜パターン
形成可能な電解溶液のｐＨは、３〜１２である。そし
て、電解溶液のｐＨは１２が最も好ましい。電解溶液の
ｐＨが３未満の場合、光未照射部分も溶解してしまい、
エッチング精度が劣化する。一方、電解溶液のｐＨが１
２を越える場合、光照射部分も溶解しなくなるので、所
望のエッチングができない。これは、ＺｎＯがＺｎＯ−
ＯＨとなり水に溶解しなくなるからである。また、表３
より明らかなように、電圧を印加するとＺｎＯ膜表面で
アノード反応が起こるので（反応式（２））、溶解反応
が促進される。

【００３２】なお、ＳＥＭ（Scanning Electron Micros
copy：走査型電子顕微鏡）にてパターン形状が所望の形
状になっていることを確認した。

【００３３】

【化２】電圧印加と光半導体膜の溶解性について

【表４】表４より、電圧は１Ｖが最適であった。なお、ＺｎＯ膜
パターン形成可能な電圧としては、３Ｖ以下が好まし
い。

【００３４】次に、電着塗装工程について説明する。図
３には、透明導電膜上への電着塗装の概要を説明する図
が示されている。図３に示すように、電着塗料３６を入
れた電着槽３４に基板１０等を浸漬させ、ＴＯ膜１２と
陰極の間に直流電界を印加して、ＺｎＯ膜１４の開口部
のＴＯ膜１２に電着塗料を析出凝固させる。ここで、用
いた電着塗料３６は、アニオンタイプのアクリル樹脂と
赤色顔料（Disperse RED HG 130 ：ヘキスト社製）とか
らなり、固形分（ＮＶ）が１０％、Ｐ／Ｖ（顔料：Ｐｉ
ｇｍｅｎｔ／Ｖｅｈｉｃｌｅ）が３０／７０のアニオン
電着塗料である。これによって、ＺｎＯ膜１４に塗料が
付着することなくガラス基板１０表面に赤色フィルタと
なる着色パターンを形成することができる。なお、開口
部２００μｍのパターンに赤色塗料を電着するに際し、
本実施例の場合は、電圧３Ｖ、１２０秒の条件で電着塗
装を行った。

【００３５】また、ＲＧＢパターンを形成する場合に
は、緑色顔料としてフタロシアニングリーン、青色顔料
としてフタロシアニンブルーを用いる。そして、先述し
た工程により着色していく。なお、塗料（特に、塗料中
の樹脂）が付着したＴＯ膜１２は絶縁性になるために、
他の色が電着されることはない。

【００３６】なお、アニオン電着法に限られるのもでは
なく、カチオン電着法を用いてもよい。電着塗装の条件
は、電圧が１〜１０Ｖ、電着槽の液温が１０〜４０℃、
通電時間３０秒〜５分が好ましい。

【００３７】以上、着色パターン形成方法について述べ
てきたが、本発明に用いる部材について説明する。

【００３８】本実施例において、基板はガラス基板に限
るものではなく、透明または非透明基板でもよく、絶縁
性または非絶縁性基板であってもよい。

【００３９】また、上記ガラス基板１０上に形成される
透明導電膜の材料はＴＯであったが、これに限定される
ものではなく、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ｆ／ＴＯ
（F/Tin Oxide ）、Ｓｂ／ＴＯ（Sb/Tin Oxide）でもよ
い。透明導電膜の作製は、スパッタリング法、真空蒸着
法、ＣＶＤ（Chmical Vapor Deposition：化学蒸着）
法、スプレーパイロリシス法のいずれの方法を用いても
よい。また、スパッタリング法を用いてＩＴＯ膜を形成
する場合、原料はＳｎ／Ｉｎ₂Ｏ₃燒結体であり、スパ
ッタリング法を用いてＴＯ膜を形成する場合、原料はＳ
ｎＯ₂燒結体である。真空蒸着法、ＣＶＤ法を用いる場
合の原料は、それぞれの金属または有機金属であり、ス
プレーパイロリシス法を用いる場合の原料は、それぞれ
の金属塩アルコール溶液である。また、透明導電膜は、
可視光領域で透明であり、透過率が８０％、導電性が１
０^-4Ωｃｍ程度、膜厚が３００ｎｍであることが好まし
い。

【００４０】また、上記光半導体膜の材料は、ＺｎＯに
限るものではなく、Ａｌ／ＺｎＯ、Ｉｎ／ＺｎＯ、Ｇａ
／ＺｎＯ、Ｓｉ／ＺｎＯ、Ｂ／ＺｎＯ、Ｆ／ＺｎＯでも
よい。更にこれらに限定されることなく、光に励起され
て溶けるものであればよい。例えば、ＣｄＳのような硫
化物を用いることができる。光半導体膜の作製は、スパ
ッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スプレーパイロ
リシス法、ゾルゲル法のいずれの方法を用いてもよい。
スパッタリング法を用いる場合の原料は、Ｚｎ金属又は
ＺｎＯ燒結体である。真空蒸着法を用いる場合の原料
は、ＺｎＣｌ₂又はＺｎ金属であり、ＣＶＤ法を用いる
場合の原料は、ジエチル亜鉛又はＺｎＣｌ₂である。ス
プレーパイロリシス法を用いる場合の原料は、それぞれ
の有機金属のアルコール溶液である。また、光半導体膜
は、好ましくは可視光領域で透明であり、エネルギー障
壁（Ｅｇ）が約３．０ｅＶより大きく、光励起により一
部導体となり電解溶液と通電することにより溶解する特
性を有し、膜厚が１００〜２００ｎｍであることが好ま
しい。

【００４１】上記の透明導電膜又は光半導体膜は、スプ
レーパイロシス法によって、基板上等に形成される。図
４には、スプレーパイロシス法の装置の模式図が示され
ている。装置４０は、反応溶液４４が入っている溶液槽
４４と、窒素ガスを送り込む管４８と、反応溶液を流入
させる管４６と、窒素ガスによって反応溶液４４をスプ
レー状に噴射させるノズル５０と、基板が上面に置かれ
るホットプレート５２とを有している。

【００４２】まず、透明導電膜であるＴＯ膜を基板上に
形成する場合について説明する。反応溶液、形成条件は
下記表５の通りである。

【００４３】

【表５】上記表５の反応溶液及び形成条件により、ＴＯ膜の膜厚
が２００〜３００ｎｍ、抵抗値が５×１０^-4ΩｃｍのＴ
Ｏ膜を得ることができた。

【００４４】また、光半導体膜であるＺｎＯ膜をＴＯ膜
上に形成する場合について説明する。反応溶液、形成条
件は下記表６の通りである。

【００４５】

【表６】上記表６の反応溶液及び形成条件により、ＺｎＯ膜の膜
厚が０．１μｍ、抵抗値が１００Ωｃｍ以上のＺｎＯ膜
を得ることができた。

【００４６】また、上記マスクは、光照射部分と光未照
射部分を設けることができるものであれば、材料は限定
しない。そして、パターンでデザインは、任意な形状が
可能である。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る着色
パターン形成方法は、光半導体膜を基板に形成したの
で、この光半導体膜に対して選択的に光照射し、その部
分を反応溶液で溶解することによって、透明導電膜上に
光半導体膜パターンを容易に形成することができる。従
って、任意の形状の微細パターンを得ることができる。

【００４８】また、電着塗装工程において、光半導体膜
上には、塗料の樹脂が析出しないので、光半導体膜の開
口部のみに所望の電着塗装を行いことができる。

【００４９】更に、上記請求項２及び４記載の構成であ
れば、一度基板に形成した光半導体膜を用いてマスクの
位置をずらすのみで、所望の位置に複数色の電着塗装を
行いことができる。従って、フォトレジストを使用する
方法に比べ、工程数を大幅に削減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る着色パターン形成方法の工程の説
明図である。

【図２】光半導体膜へのパターンニング工程の電解槽の
断面図である。

【図３】透明導電膜上への電着塗装の概要を説明する図
である。

【図４】スプレーパイロシス法の装置の模式図である。

【図５】従来の着色パターン形成方法の工程の説明図で
ある。

【図６】従来の他の着色パターン形成方法の工程の説明
図である。

【符号の説明】

１０ガラス基板１２ＴＯ膜１４ＺｎＯ膜１６マスク１８，２０，２２塗料３０電解槽３２電極３２´ 参照電極（Ａｇ／ＡｇＣｌ）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者橋本和仁神奈川県横浜市栄区小菅ヶ谷町2000番地の 10 南小菅ヶ谷住宅２棟506号

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（１）導電性を有する基板上に光半導体
膜を形成する光半導体膜形成工程と、（２）前記基板と光源との光路にマスクを配設するマス
ク配設工程と、（３）前記光半導体膜に光を照射し、前記光半導体膜に
光照射部を形成する光照射工程と、（４）前記光照射工程によって形成された光照射部を反
応溶液中で溶解し、前記基板上に光半導体膜パターンを
形成するパターン形成工程と、（５）前記パターン形成工程によって形成された前記光
半導体膜パターンの開口部分の前記基板上に電着塗装を
行う電着塗装工程と、を含むことを特徴とする着色パターン形成方法。
【請求項２】（１）導電性を有する基板上に光半導体
膜を形成する光半導体膜形成工程と、（２）前記基板と光源との光路にマスクを配設するマス
ク配設工程と、（３）前記光半導体膜に光を照射し、前記光半導体膜に
光照射部を形成する光照射工程と、（４）前記光照射工程によって形成された光照射部を反
応溶液中で溶解し、前記基板上に光半導体膜パターンを
形成するパターン形成工程と、（５）前記パターン形成工程によって形成された前記光
半導体膜パターンの開口部分の前記基板上に電着塗装を
行う電着塗装工程と、を含み、２色以上の電着塗装を前記基板上に形成する場合は、前
記（２）のマスク配設工程において、前記基板に対する
マスクの位置をずらし、前記（３）の光照射工程におい
て、上記工程における未溶解部分に光照射し、前記
（４）のパターン形成工程を経て、前記（５）の電着塗
装工程において、先と異なる色を電着塗装する一連の工
程を複数回行うことを特徴とする着色パターン形成方
法。
【請求項３】（１）基板上に透明導電性膜を形成する
透明導電性膜形成工程と、（２）前記透明導電性膜上に光半導体膜を形成する光半
導体膜形成工程と、（３）前記基板と光源との光路にマスクを配設するマス
ク配設工程と、（４）前記光半導体膜に光を照射し、前記光半導体膜に
光照射部を形成する光照射工程と、（５）前記光照射工程によって形成された光照射部を反
応溶液中で溶解し、前記基板上に光半導体膜パターンを
形成するパターン形成工程と、（６）前記パターン形成工程によって形成された前記光
半導体膜パターンの開口部分の前記基板上に電着塗装を
行う電着塗装工程と、を含むことを特徴とする着色パターン形成方法。
【請求項４】（１）基板上に透明導電性膜を形成する
透明導電性膜形成工程と、（２）前記透明導電性膜上に光半導体膜を形成する光半
導体膜形成工程と、（３）前記基板と光源との光路にマスクを配設するマス
ク配設工程と、（４）前記光半導体膜に光を照射し、前記光半導体膜に
光照射部を形成する光照射工程と、（５）前記光照射工程によって形成された光照射部を反
応溶液中で溶解し、前記基板上に光半導体膜パターンを
形成するパターン形成工程と、（６）前記パターン形成工程によって形成された前記光
半導体膜パターンの開口部分の前記基板上に電着塗装を
行う電着塗装工程と、を含み、２色以上の電着塗装を前記基板上に形成する場合は、前
記（３）のマスク配設工程において、前記基板に対する
マスクの位置をずらし、前記（４）の光照射工程におい
て、上記工程における未溶解部分に光照射し、前記
（５）のパターン形成工程を経て、前記（６）の電着塗
装工程において、先と異なる色を電着塗装する一連の工
程を複数回行うことを特徴とする着色パターン形成方
法。