JP2008277847A - セラミック静電チャックアセンブリ及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】静電クランプ電極は、細かいパターンで配置された、導電性材料で作られる少なくとも1つのストリップを含む。細かい電極パターンが用いられることによって、ESCの作製中に誘起されるストレスは、静電クランプ電極が焼結工程後に実質的に平面のままであるように、減少される。結果として得られるESCによって、改善された均一なクランプが実現される。他のESCは、絶縁性の又は半導体の本体と、高抵抗又は高い横方向インピーダンスを有するクランプ電極と、を含む。静電チャック装置は、RFエネルギが下にあるRF電極からクランプ電極を通して結合されるときに、改善されたRF結合の均一性を提供する。
【選択図】図1
Description
本発明の第1の実施の形態では、焼結セラミック静電チャック装置が提供される。このチャック装置は、継ぎ目のないモノリシックなセラミック本体に埋め込まれる静電クランプ電極を含む。このクランプ電極は、導電性材料で作られる少なくとも1つのパターンを含み、電極パターンの最大直線長が1.0インチである。本発明の好適な実施の形態によれば、電極パターンの前記最大直線長は、0.25インチである。電極パターンは、単一の導電性パターン又は2つの電気的に絶縁された導電性材料のパターンを含む。
上記の静電チャック装置を含む処理チャンバ内で半導体基板を処理する方法がまた提供される。この方法は、前記静電チャック装置に前記基板を静電気的にクランプする工程と、前記静電チャック装置を通して前記下部電極からの少なくとも1つの周波数の高周波エネルギを結合する工程と、を含む。
Claims (32)
- 焼結セラミック静電チャック装置であって、
継ぎ目のないモノリシックな焼結セラミック本体に埋め込まれる実質的に平面の静電クランプ電極であって、前記クランプ電極は、導電性材料で作られる少なくとも1つのパターンを含む静電クランプ電極を備え、
前記電極パターンの最大直線長は1.0インチであることを特徴とするチャック装置。 - 前記電極パターンの前記最大直線長は、0.25インチであることを特徴とする請求項1に記載のチャック装置。
- 前記クランプ電極は、単極電極構造を形成する単一の導電性パターンを含むことを特徴とする請求項1に記載のチャック装置。
- 前記クランプ電極は、二極性の電極構造を形成する少なくとも2つの電気的に絶縁された導電性材料のパターンを含むことを特徴とする請求項1に記載のチャック装置。
- 前記セラミック材料は、絶縁性の又は半導体の材料を含むことを特徴とする請求項1に記載のチャック装置。
- 前記電極は、該電極の外側周辺から内部に延びるスリットによって分離された電極セグメントの繰り返しパターンを有する細かく分割された電極パターンを備えることを特徴とする請求項1に記載のチャック装置。
- 前記電極層は、前記焼結セラミック本体の主な外面のうちの一つの面が他の面よりも近いことを特徴とする請求項1に記載のチャック装置。
- 前記電極層は、前記セラミック本体の主な外面の各々から略等距離にあることを特徴とする請求項1に記載のチャック装置。
- 導電性材料の前記パターンは、複数の小さな櫛形のグループに配置されることを特徴とする請求項3に記載のチャック装置。
- 各電極は、複数の小さな櫛形のグループを含むことを特徴とする請求項4に記載のチャック装置。
- あるパターンの櫛形のグループの少なくとも1つは、他のパターンの櫛形のグループの少なくとも1つと互いにかみ合うことを特徴とする請求項10に記載のチャック装置。
- 前記焼結セラミック本体の底面に固定された、高周波駆動の導電性ベースプレートを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のチャック装置。
- 請求項1に記載の静電チャック装置を備える処理チャンバ内で半導体基板を処理する方法であって、
前記基板を前記静電チャック装置に静電気的にクランプする工程と、
前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記基板の露出面の近傍にプラズマを生成する前記静電チャック装置を通して少なくとも1つの周波数のRFエネルギを結合する工程を更に含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記処理チャンバは、プラズマエッチングチャンバであり、前記処理工程は、前記プラズマを用いて前記基板をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記静電チャック装置の表面に静電クランプポテンシャルを形成する前記クランプ電極にDC電力を印加する工程を含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記チャンバに処理ガスを供給する工程と、
前記処理ガスにエネルギを与えてプラズマ状態にするために前記チャンバ内に高周波エネルギを結合する工程と、
を更に含み、前記基板は、前記処理工程の間にプラズマエッチングされるシリコンウエハを含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 請求項1に記載の前記セラミック静電チャック装置を作製する方法であって、
緑色の状態にあるセラミック材料を含む第1の層を供給する工程と、
前記第1の層の第1の主表面上に導電性材料の少なくとも1つのストリップのパターンを形成する工程と、
緑色の状態にあるセラミック材料を含む第2の層を供給する工程と、
前記第1の層の前記第1の主表面上に前記第2の層を組み立てる工程と、
前記第1、第2の層を複合燃焼して、埋め込まれた電極層を用いてモノリシックで継ぎ目のないセラミック体を形成する工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記形成する工程は、導電性材料の粒子を含むペーストからパターンを形成する工程を含み、
前記複合燃焼する工程は、前記導電性材料の前記粒子を焼結して焼結クランプ電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。 - 前記第1、第2の層は、セラミックグリーンシートであることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 半導体処理チャンバ内で半導体基板を支持するために有用な静電チャック装置であって、
電気的に絶縁性の又は半導体の材料で作られた本体であって、半導体基板が静電気的にクランプされる支持面をその上に有する本体と、
半導体基板を前記支持面に静電気的にクランプするように構成されるクランプ電極と、
高周波エネルギを前記クランプ電極を通して前記支持面にクランプされた基板の近傍のオープンスペース内に結合するように構成された下部電極と、
を備え、
(a)前記クランプ電極は、該クランプ電極が前記プラズマチャンバ内に高周波エネルギの結合に対して高い透過性があるように十分に高い抵抗率を有し、
(b)前記クランプ電極は、前記プラズマチャンバ内に結合される前記高周波エネルギ電力が前記基板支持面にわたって実質的に均一に分配されるように前記支持面に平行な方向に十分に高い横方向の高周波インピーダンスを有する
ことを特徴とする静電チャック装置。 - 前記クランプ電極は、10ohms/square又はそれ以上の表面抵抗率を有することを特徴とする請求項21に記載の静電チャック装置。
- 前記クランプ電極は、導電性材料の少なくとも1つのパターンを含み、該パターンは、1.0インチの最大直線長を有することを特徴とする請求項21に記載の静電チャック装置。
- 前記クランプ電極は、連続的で間断のない膜であることを特徴とする請求項21に記載の静電チャック装置。
- 前記クランプ電極は、前記本体の内部に配置され、
前記下部電極は、前記本体の内部に配置されるか又は前記基板支持面と向かい合う前記本体の表面に取り付けられることを特徴とする請求項21に記載の静電チャック装置。 - 前記クランプ電極は、前記本体の内部に配置され、
前記下部電極は、ベースプレートを含むことを特徴とする請求項21に記載の静電チャック装置。 - 前記静電チャック装置は、プラズマ処理チャンバの内部に配置されることを特徴とする請求項21に記載の静電チャック装置。
- 前記クランプ電極は、10〜80重量%の超硬合金を含んだ、絶縁性の又は半導体のセラミック材料の焼結されたペーストを含むことを特徴とする請求項21に記載の静電チャック装置。
- 前記クランプ電極は、30〜50重量%の超硬合金を含んだ、絶縁性の又は半導体のセラミック材料の焼結されたペーストを含むことを特徴とする請求項21に記載の静電チャック装置。
- 請求項21に記載の静電チャック装置を備える処理チャンバ内で半導体基板を処理する方法であって、
前記静電チャック装置に前記基板を静電気的にクランプする工程と、
前記静電チャック装置を通して前記下部電極から少なくとも1つの周波数の高周波エネルギを結合する工程と、
を含み、前記クランプ電極の前記抵抗率は、前記クランプ電極の厚さが前記高周波エネルギの周波数での表皮厚さよりも実質的に小さいことを特徴とする方法。 - 前記高周波エネルギは、前記基板の露出面近傍にプラズマを生成し、及び/又は、前記基板にバイアスをかけ、
当該方法は、前記プラズマを用いて前記基板を処理する工程を更に含むことを特徴とする請求項30に記載の方法。 - 前記クランプ電極は、同じ電極材料の平面シートの2地点間抵抗率の少なくとも10倍の2地点間抵抗率に増加させるのに十分に狭い及び/又は長いパターンで配置される電極材料を含むことを特徴とする請求項30に記載の方法。
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