JP2008258624A - 半導体素子のエッチング装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 物質膜上にフォトレジスト膜が形成された半導体基板をチャンバーに導入する段階と、前記チャンバーにフッ素を含有しない前駆ガスを注入することで、前記フォトレジスト膜上に炭化水素膜を形成する段階と、前記チャンバーにエッチングガスを注入することで、エッチング対象物質をエッチングする段階とを含んで半導体素子のエッチング方法を構成する。
【選択図】 図5
Description
11 ガス流入口
12 ガス排出口
13 上部電極
14 下部電極
20 第1マッチングネットワーク
21 第2マッチングネットワーク
30 第1高周波電源
31 第2高周波電源
40 スイッチング部
50 制御部
60 半導体基板
70 物質膜
80 フォトレジスト膜
90 保護膜
Claims (18)
- 物質膜上にフォトレジスト膜が形成された半導体基板をチャンバーに導入する段階と、
前記チャンバーにフッ素を含有しない前駆ガスを注入することで、前記フォトレジスト膜上に炭化水素膜を形成する段階と、
前記チャンバーにエッチングガスを注入することで、エッチング対象物質をエッチングする段階と、を含むことを特徴とする半導体素子のエッチング方法。 - 前記フッ素を含有しない前駆ガスは、メタン(CH4)であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のエッチング方法。
- 前記メタンによって前記フォトレジストに炭素-炭素一重結合の炭化水素膜が形成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子のエッチング方法。
- 前記フッ素を含有しない前駆ガスは、ブタン(C4H10)であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のエッチング方法。
- 前記ブタンによって前記フォトレジストに炭素-炭素一重結合の炭化水素膜が形成されることを特徴とする請求項4に記載の半導体素子のエッチング方法。
- 前記フッ素を含有しない前駆ガスは、リン酸トリブチル((C4H9O)3P=O)であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のエッチング方法。
- 前記リン酸トリブチルによって前記フォトレジストに炭素-炭素二重結合のリン(P)を含有した炭化水素膜が形成されることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子のエッチング方法。
- 前記フッ素を含有しない前駆ガスは、クレゾール(CH3−C6H4−OH)であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のエッチング方法。
- 前記クレゾールによって前記フォトレジストに炭素-炭素二重結合の炭化水素膜が形成されることを特徴とする請求項8に記載の半導体素子のエッチング方法。
- 前記フッ素を含有しない前駆ガスは、リン酸トリクレジル((CH3−C6H4O)3P=O)であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のエッチング方法。
- 前記リン酸トリクレジルによって前記フォトレジストに炭素-炭素二重結合のリン(P)を含有した炭化水素膜が形成されることを特徴とする請求項10に記載の半導体素子のエッチング方法。
- 前記炭化水素膜を形成するために、前記チャンバー内に、30〜200mT範囲の圧力、50〜100SCCM範囲の前駆ガス、50〜500W範囲のソース電力、0〜50W範囲のバイアス電力を提供することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のエッチング方法。
- 前記炭化水素膜は、前記フォトレジスト膜のトップに50〜100nmの厚さで形成し、 前記フォトレジスト膜の側壁に10〜20nmの厚さで形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のエッチング方法。
- ガス流入口及びガス排出口を有するチャンバーと、
前記チャンバーにエッチングガスを流入するためのガス流入口と、
前記ガス排出口を通してガスを外部に排出するためのガス排出口と、
前記チャンバー内に設けられた第1及び第2電極と、
前記第1電極に接続された前記チャンバー内のプラズマの間のインピーダンスをマッチングさせる第1マッチングネットワーク、及び前記第2電極に接続された前記チャンバー内のプラズマの間のインピーダンスをマッチングさせる第2マッチングネットワークと、
第1高周波電力を前記第1電極に印加するための第1高周波電源、及び第2高周波電力を前記第2電極に印加するための第2高周波電源と、を含むことを特徴とする半導体素子のエッチング装置。 - 前記第1高周波電力は、100MHzの周波数を有することを特徴とする請求項14に記載の半導体素子のエッチング装置。
- 前記第2高周波電力は、2MHzの周波数を有することを特徴とする請求項14に記載の半導体素子のエッチング装置。
- 前記第2高周波電力より高く位置する前記第1高周波電力は、前記第2高周波電力の周波数より高い周波数を有することを特徴とする請求項14に記載の半導体素子のエッチング装置。
- 前記第1高周波電源と前記第2高周波電源をオン/オフにするためのスイッチをさらに含むことを特徴とする請求項14に記載の半導体素子のエッチング装置。
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