KR20080090044A - 반도체소자의 식각방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (13)
- 물질막 상에 포토레지스트막이 형성된 반도체 기판을 챔버에 넣는 단계와,상기 챔버에 플루오르를 함유하지 않는 선구가스를 주입하여 상기 포토레지스트막 상에 탄화수소막을 형성하는 단계와,상기 챔버에 식각가스를 주입하여 식각대상물질을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플루오르를 함유하지 않는 선구가스는 메탄(CH4)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각방법.
- 제2항에 있어서, 상기 메탄에 의해 상기 포토레지스트에 탄소-탄소 1중 결합의 탄화수소막이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플루오르를 함유하지 않는 선구가스는 부탄(C4H10)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각방법.
- 제4항에 있어서, 상기 부탄에 의해 상기 포토레지스트에 탄소-탄소 1중 결합의 탄화수소막이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플루오르를 함유하지 않는 선구가스는 인산트리부틸((C4H9O)3P=O)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각방법.
- 제6항에 있어서, 상기 인산트리부틸에 의해 상기 포토레지스트에 탄소-탄소 2중 결합의 인(P)을 함유한 탄화수소막이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플루오르를 함유하지 않는 선구가스는 크레졸(CH3-C6H4-OH)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각방법.
- 제8항에 있어서, 상기 크레졸에 의해 상기 포토레지스트에 탄소-탄소 2중 결합의 탄화수소막이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플루오르를 함유하지 않는 선구가스는 인산트리크레실((CH3-C6H4O)3P=O)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각방법.
- 제10항에 있어서, 상기 인산트리크레실에 의해 상기 포토레지스트에 탄소-탄소 2중 결합의 인(P)을 함유한 탄화수소막이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 탄화수소막을 형성하기 위해서 상기 챔버 내에, 30~200[mT] 범위의 압력, 50~100[SCCM] 범위의 선구가스, 50~500[W] 범위의 소스전력, 0~50[W] 범위의 바이어스전력을 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트막의 탑에 50~100nm, 측벽에 10~20nm 두께의 탄화수소막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각방법.
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