JP2008218394A - 色素増感太陽電池及び色素増感太陽電池の製造方法 - Google Patents

色素増感太陽電池及び色素増感太陽電池の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】光電変換効率を向上させることができる色素増感太陽電池及び色素増感太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この色素増感太陽電池10は、第1電極11と、第1電極11の何れか一面に形成された光吸収層12と、光吸収層12が形成された第1電極11と対向配置される第2電極14と、第1電極11と第2電極14との間に挿入された電解質13と、を含み、光吸収層12は、多孔性膜と、多孔性膜に吸着された色素と、を含み、多孔性膜は、半導体微粒子と、半導体微粒子を囲む−M−O−M−の酸化物網目構造体(Mは遷移金属である)と、を含む。
【選択図】図2

Description

本発明は色素増感太陽電池及び色素増感太陽電池の製造方法に関し、より詳しくは、色素の吸着量を増加させ、また、生成された励起電子が抜けた跡の正孔と色素の基底帯域に存在する電子との再結合を防止して、優れた光電変換効率及び寿命特性を有する色素増感太陽電池及び色素増感太陽電池の製造方法に関する。
最近、直面するエネルギー問題を解決するために、既存の化石燃料を代替しようと、多様な研究が進められている。特に、数十年以内に枯渇すると予想されている石油資源を代替する、風力、原子力、太陽力などの自然エネルギーを活用するための広範囲にわたる研究が進められている。これらの中で、太陽エネルギーを用いた太陽電池は、その他のエネルギー源とは異なって、資源が無限で環境に優しい特徴を有する。このような太陽エネルギーを用いた太陽電池として、1983年にSe太陽電池が開発され、最近はシリコン太陽電池が脚光を浴びている。
しかし、このようなシリコン太陽電池は、製作経費が非常に高価なため、実用化が困難であり、電池効率を改善するにも多くの問題がある。このような問題を解決するために、製作費用が顕著に安価な色素増感太陽電池の開発が積極的に検討されている。
色素増感太陽電池は、シリコン太陽電池とは異なって、可視光線を吸収して電子−正孔対(electron−hole pair)を生成できる感光性色素分子、及び生成された電子を伝達する遷移金属酸化物を主な構成材料とする光電気化学的太陽電池である。従来の色素増感太陽電池の中で代表的に研究開発されたものとしては、ナノ粒子の二酸化チタン(アナターゼ型)を用いた色素増感太陽電池がある。
このような色素増感太陽電池は、既存のシリコン太陽電池と比べて製造単価が安価で、電極が透明であるため、建物外壁ガラス窓やガラス温室などにも応用できる長所があるが、光電変換効率が低くて実際の適用には制限がある。
太陽電池の光電変換効率は、太陽光の吸収によって生成された電子の量に比例するので、効率を増加させるためには、太陽光の吸収を増加させたり、色素の吸着量を高めて電子の生成量を増やしたり、または生成された励起電子が電子−正孔再結合によって消滅することを防ぐ等の改善が考え得る。
なかでも、単位面積あたりの色素の吸着量を増やすためには、酸化物半導体の粒子をナノメートル水準の寸法で製造すること等が有益であり、太陽光の吸収を高めるためには、白金電極の反射率を高めたり、数マイクロメートル寸法の半導体酸化物光散乱子を混合して製造する方法等が開発されている。
しかし、このような従来の方法では、太陽電池の光電変換効率向上に限界があるため、効率を向上するためには新たな技術開発が求められている。
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、光電変換効率を向上させることが可能な、新規かつ改良された色素増感太陽電池及び色素増感太陽電池の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、第1電極と、第1電極の何れか一面に形成された光吸収層と、光吸収層が形成された第1電極と対向配置される第2電極と、第1電極と第2電極との間に挿入された電解質と、を含み、光吸収層は、多孔性膜と、多孔性膜に吸着された色素と、を含み、多孔性膜は、半導体微粒子と、半導体微粒子を囲む−M−O−M−の酸化物網目構造体(Mは遷移金属である)と、を含むことを特徴とする、色素増感太陽電池が提供される。
また、Mは、Nb、Zn、Ti、W、及びこれらの組合せで構成された群より選択されてもよい。
また、Mは、半導体微粒子100質量部に対して0.01〜0.09質量部で含まれてもよい。
また、半導体微粒子は、単体半導体、化合物半導体、ペロブスカイト構造を有する化合物、及びこれらの混合物で構成された群より選択されてもよい。
また、半導体微粒子は、Ti、Zr、Sr、Zn、In、Yr、La、V、Mo、W、Sn、Nb、Mg、Al、Y、Sc、Sm、Ga、In、TiSr、及びこれらの組合せで構成された群より選択される金属酸化物であってもよい。
また、半導体微粒子は、5〜500nmの平均粒子直径を有することを特徴とする、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
また、半導体微粒子は、40〜100mg/mmのローディング量(含有量)で含まれてもよい。
また、第1電極は、透明基板と、透明基板上に形成され、インジウムスズ酸化物、フッ素添加酸化スズ、ZnO(Ga)、ZnO(Al)、酸化スズ、アンチモンスズ酸化物、酸化亜鉛、及びこれらの混合物で構成された群より選択される導電性金属酸化物を含む導電層と、を含んでもよい。
また、透明基板は、プラスチック基板であってもよい。
また、プラスチック基板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリイミド、トリアセチルセルロース、ポリエーテルスルホン、これらの共重合体、及びこれらの混合物で構成された群より選択されてもよい。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、半導体微粒子及び金属M含有前駆体物質(Mは遷移金属である)を含む多孔性膜形成用組成物を製造する段階と、多孔性膜形成用組成物を第1電極に塗布した後にUV照射または低温焼成して多孔性膜を形成する段階と、多孔性膜に色素分子を吸着させて光吸収層を形成する段階と、光吸収層を覆うように、第2電極を位置させた後に電解液を注入する段階と、を含むことを特徴とする色素増感太陽電池の製造方法が提供される。
また、金属Mの前駆体は、遷移金属含有アルコキシドまたは塩化物であってもよい。
また、金属Mの前駆体は、Nb、Zn、Ti、W、及びこれらの組合せで構成された群より選択される金属のアルコキシドまたは塩化物で40mg/mmあってもよい。
また、金属M含有前駆体は、酸化物半導体100質量部に対して金属Mが0.01〜0.09質量部の量で含まれてもよい。
また、半導体微粒子は、単体半導体、化合物半導体、ペロブスカイト構造を有する化合物、及びこれらの混合物で構成された群より選択されてもよい。
また、半導体微粒子は、Ti、Zr、Sr、Zn、In、Yr、La、V、Mo、W、Sn、Nb、Mg、Al、Y、Sc、Sm、Ga、In、TiSr、及びこれらの組合せで構成された群より選択される金属酸化物であってもよい。
また、半導体微粒子は、5〜500nmの平均粒子直径を有してもよい。
また、第1電極は、透明基板と、透明基板上に形成され、インジウムスズ酸化物、フッ素添加酸化スズ、ZnO(Ga、ZnO(Al)、酸化スズ、アンチモンスズ酸化物、酸化亜鉛、及びこれらの混合物で構成された群より選択される導電性金属酸化物を含む導電層と、を含んでもよい。
また、透明基板は、プラスチック基板であってもよい。
以上説明したように本発明によれば、光電変換効率を向上させることができる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
<色素増感太陽電池の作用原理>
色素増感太陽電池は、ナノ粒子の多孔性膜、太陽光の可視光を吸収して電子を励起する色素、電解質、透明電極などで構成されて、自然状態の光合成原理を応用した電池である。本発明に係る実施形態を説明する前に、この色素増感太陽電池の作用原理について、図1を参照して説明する。
図1は通常の色素増感太陽電池の作用原理を示した模式図である。
図1を参照して色素増感太陽電池の作動原理を説明すると、以下のようになる。
色素増感太陽電池内に太陽光が入射すると太陽光内光量子が色素分子1に吸収される。これによって、色素分子1は、基底状態(S/S)から励起状態(S/S)に電子移転されて電子−正孔対を形成し、励起状態の電子は、多孔性膜の界面を経て多孔性膜を形成するチタン酸化物のような遷移金属酸化物2粒子界面の伝導帯(conduction band)に注入される。この注入された電子は、透明導電体3との界面を通して透明導電体3に伝えられ、外部回路4を通して透明導電体3の上に蒸着されたPt対極(counter electrode)5に移動される。
一方、電子転移の結果により酸化された色素分子1は、電解質内の酸化−還元対(redox couple)6のヨードイオン(I)によって還元されて、酸化された3価ヨードイオン(I )は、電荷中性(charge neutrality)を成すために、対極5の界面に到達した電子によって還元される。
このような色素増感太陽電池においてのエネルギー変換効率は、太陽電池の電流、電圧、及び充填係数の積によって決定される。従って、エネルギー変換効率を増大させるためには、電流、電圧、又は充填係数値を向上させる必要がある。この中で電圧を上昇させる方法としては、表面状態を改質して再結合を極小化させ、多孔性膜内ナノ粒子の電子密度を高めたり、ナノ粒子の伝導帯(conduction band)エネルギーを標準水素電極電位に対して負の値に増加させる方法、酸化−還元電解質の酸化−還元電位を標準水素電極電位に対して正の値に増加させる方法などがある。
一方、本発明の各実施形態に係る色素増感太陽電池は、多孔性膜内に半導体微粒子を囲む酸化物網目構造体を形成して色素の吸着量を増加させ、また、生成された励起電子が色素の基底帯域に存在する電子との再結合されるのを防止して、太陽電池の光電変換効率を向上することができる。以下、このような本発明の各実施形態に係る色素増感太陽電池について詳細に説明する。
<本発明の第1実施形態の構成>
まず始めに、図2を参照して、本発明の第1実施形態に係る色素増感太陽電池の構成について説明する。
図2は、本発明の第1実施形態に係る色素増感太陽電池を概略的に示した模式図である。
図2に示すように、本実施形態に係る色素増感太陽電池10は、二つの板状電極(第1電極11及び第2電極14)が互いに面接合されたサンドイッチ構造を有し、これらの電極のうち、一側の第1電極11は、透明基板(図示せず)上の第2電極(対向電極)14に対向する面に、光吸収層12が形成されている。また、この二つの電極の間は、酸化還元用電解質13で満たされている。この光吸収層12は、半導体微粒子を含む多孔性膜(図示せず)と前記多孔性膜に吸着された色素分子とを含む。
前記第1電極(半導体電極)11は、透明基板と、この透明基板上に形成される導電層とを含む。
透明基板としては、外部光が入射できる透明性を有する物質であれば特に限定されずにあらゆる物質で構成できる。より具体的には、透明基板は、例えば、ガラスまたはプラスチックで形成できる。このプラスチックの具体的な例としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(polyethyleneterephthalate、PET)、ポリエチレンナフタレート(polyethylenenaphthalate、PEN)、ポリカーボネート(polycarbonate、PC)、ポリプロピレン(polypropylene、PP)、ポリイミド(polyimide、PI)、トリアセチルセルロース(triacetylcellulose、TAC)、ポリエーテルスルホン、又はこれらの共重合体などが挙げられる。
また、透明基板は、例えば、Ti、In、Ga、及びAlで構成された群より選択された物質でドーピングされてもよい。
この透明基板上には導電層が位置する。
導電層は、例えば、インジウムスズ酸化物(ITO)、フッ素添加酸化スズ(fluorine tin oxide:FTO)、ZnO(Ga)、ZnO(Al)、酸化スズ、アンチモンスズ酸化物(antimony tin oxide、ATO)、酸化亜鉛(zinc oxide)、及びこれらの組合せで構成された群より選択される導電性金属酸化物を含む。より望ましくは、導電層は、例えば、導電性、透明性、及び耐熱性が優れたSnOまたは安価なITOを含むのがよい。
更に、この導電層は、上記の導電性金属酸化物の単一膜または多層膜で構成できる。
このような第1電極11の上には、半導体微粒子と、半導体微粒子を囲む−M−O−M−の酸化物網目構造体を含む多孔性膜と、多孔性膜の半導体微粒子表面に吸着されて、可視光吸収時に電子が励起される光色素と、を含む光吸収層12が形成される。
多孔性膜としては、非常に微細で均一なナノサイズの平均粒径を有する半導体微粒子が均一に分布され、多孔性を維持しながら表面に適当な粗度を有する物質を用いるのが望ましい。
半導体微粒子としては、シリコンで代表される単体の半導体以外に、例えば、化合物半導体またはペロブスカイト構造を有する化合物などを用いることができる。半導体としては、例えば、光励起下で伝導帯電子がキャリアになってアノード電流を提供するn型半導体であるのが望ましく、化合物半導体としては、例えば、Ti、Zr、Sr、Zn、In、Yr、La、V、Mo、W、Sn、Nb、Mg、Al、Y、Sc、Sm、Ga、In、及びTiSrで構成された群より選択される金属酸化物を用いることができるが、望ましくは、TiO、SnO、ZnO、WO、Nb、TiSrO、またはこれらの混合物を用いることができ、より望ましくは、アナターゼ型のTiOを用いることができる。しかし、半導体の種類は、これらに限定されず、これらを単独または2種類以上を混合して用いることもできる。
また、半導体微粒子は、表面に吸着された色素が光をより多く吸収できるように、表面積を大きくするのが望ましい。そのために、半導体微粒子は、例えば、5〜500nmの平均粒子直径を有するのがよい。半導体微粒子の平均粒径が5nm未満の場合には、成膜後熱処理時に基材との密着性が落ちて剥離される恐れがあり、また、色素から生成された電子がネッキングされた半導体微粒子を経て外部電極に流れる間の損失が大きく発生する恐れがあるため望ましくない。また半導体微粒子の平均粒径が500nmを超える場合には、表面積の減少により色素の吸着量が少なくて望ましくない。従って、公正性と効率を同時に考慮した結果、例えば、10〜50nmの平均粒子直径を有する半導体微粒子がより望ましい。
半導体微粒子は、例えば、第1電極11の上に40〜100mg/mmのローディング量で含まれるのが望ましく、より望ましくは60〜80mg/mmのローディング量で含まれるのがよい。半導体微粒子のローディング量が40mg/mm未満の場合、多孔性膜の厚さが薄くなって光透過率が発生するため、効果的な入射光の活用が難しくなるので望ましくない。またローディング量が100mg/mmを超える場合、第1電極11の単位面積あたりの体積が大きくなって、外部から入射された光によって生成された電子が外部電極に流れる前に正孔と再結合し易く、その結果、十分な外部電流を発生することができないため望ましくない。
半導体微粒子は、緩衝剤の役割を果たす−M−O−M−酸化物網目構造体(Mは、遷移金属である)によって囲まれている。
酸化物網目構造体は、多孔性膜形成時にUV照射によって形成され、色素の吸着量を増加させ、また、生成された励起電子が色素の基底帯域に存在する電子と再結合することを防止することによって、太陽電池の光電変換効率を向上させる役割を果たす。このような酸化物網目構造体は、従来の酸化物を含む光負極に比べて電子移動面を考慮すると(すなわち、電子移動という観点から考えると)より優れている。
酸化物網目構造体に含まれる金属Mは、遷移金属であるのが望ましく、より望ましくは、例えば、Nb、Zn、Ti、W、及びこれらの組合せで構成された群より選択されるのがよい。
金属Mは、例えば、半導体微粒子100質量部に対して0.01〜0.09質量部で含まれるのが望ましく、より望ましくは0.02〜0.05質量部で含まれるのが良い。多孔性膜内含まれるMの含有量が、半導体微粒子に対して0.01質量部未満である場合、−M−O−M−網目構造体が粗雑で望ましくなく、0.09質量部を超える場合、電子移動を防止するため望ましくない。
上記の多孔性膜の半導体微粒子表面には、外部光を吸収して励起電子を生成する色素が吸着される。
この色素は、例えば、アルミニウム(Al)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ユーロピウム(Eu)、鉛(Pb)、イリジウム(Ir)、ルテニウム(Ru)等を含む金属複合体で構成できる。ここで、ルテニウムは、白金族に属する元素として多くの有機金属複合体を形成でき、ルテニウムを含む色素が一般に多く用いられる。例えば、Ru(etc bpy)(NCS)・2CHCNタイプが多く用いられる。ここでetcは(COOEt)または(COOH)で、多孔性膜(例えば、TiO)表面と結合可能な反応基である。また、有機色素などを含む色素を用いることができ、このような有機色素としては、クマリン(coumarin)、ポルフィリン(porphyrin)、キサンチン(xanthene)、リボフラビン(riboflavin)、トリフェニルメタン(triphenylmethan)等がある。これらは単独またはRu複合体と混合して使用して、長波長の可視光吸収効率を改善することによって光電変換効率をより向上できる。
第1電極11の光吸収層12が形成された面に対向して、第2電極(対極)14が配置される。第2電極14は、透明基板と、第1電極11と対向配置されるように透明基板上に形成される透明電極及び触媒電極(図示せず)と、を含む。
透明基板は、例えば、第1電極11と同様に、ガラスまたはプラスチックで形成できる。プラスチックの具体的な例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリイミド、トリアセチルセルロースなどが挙げられる。
透明基板上には透明電極が形成される。
前記透明電極は、例えば、インジウムスズ酸化物、フッ素添加スズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、酸化亜鉛、酸化スズ、ZnOGa、ZnOAl等の透明物質で構成できる。この時透明電極は、透明物質の単一膜または多層膜で形成できる。
また透明電極の表面には、光散乱効果を増加できるように凹凸が形成されてもよい。凹凸は、例えば、階段形状、針状、メッシュ(網)状、スクラッチ(擦り傷)状、及びスカー(傷跡)状の構造を有することができ、このような凹凸を形成するためには、透明電極に研磨布を摩擦させてスクラッチを形成する方法等の機械的または化学的にエッチングする方法を行うことができる。
透明電極上には触媒電極が形成される。
触媒電極は、酸化−還元対を活性化させる役割を果たし、例えば、白金(Pt)、金(Au)、ルテニウム(Ru)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)、炭素(C)、WO、TiO、又は導電性高分子などの導電性物質を含む。
また、酸化還元の触媒効果を向上させる目的で、第1電極11と対向している触媒電極側は、微細構造を有して表面積を増加させるのが望ましい。例えば、PtまたはAuの場合、触媒電極は、ブラック状態(本発明における「ブラック状態」とは担持体に担持されていない状態を意味する。)で形成されるのが望ましく、カーボンの場合、触媒電極は、多孔性状態で形成されるのが望ましい。特に白金のブラック状態は、例えば、白金の正極酸化法、塩化白金酸処理などによって、また多孔性状態のカーボンは、例えば、カーボン微粒子の焼結または有機ポリマの焼成などの方法によって形成できる。
このような第1電極11と第2電極14とは、接着剤などによって面接合され、面接合された第1電極11と第2電極14との間に電解質13が含浸される。この時、含浸された電解質13は、光吸収層12内の多孔性膜の内部に均一に分散される。
電解質13は、電解液で構成され、電解液は、イオダイド(1価ヨウ素)/トリイオダイド(3価ヨウ素)対として、酸化、還元によって、第2電極14から電子を受けて、色素分子に伝達する役割を果たす。具体的には、電解液としては、例えば、ヨードをアセトニトリールに溶解した溶液などが用いられが、これに限定されず、正孔伝導機能があれば如何なる電解液をも使用することができる。
本実施形態では、電解質13は液状であるのを説明したが、固形状の電解質も適用でき、これも本発明の範囲に属する。
第1電極11と第2電極14との間には、第1電極11と第2電極14の離隔状態を維持できるように、複数のスペーサ(図示せず)が配置されてもよい。
スペーサは、不導体の性質を有し、第1電極11と第2電極14との電気的短絡を防止する役割を果たす。
不導体としては、半導体電極と対向電極との電気的短絡を防止できる手段であれば特に制限されずに用いられ、その形態も、例えば、球形または第1電極上に第2電極が位置した方向と交差するように帯形状でもよい。
<本発明の第1実施形態の製造方法>
このような構造を有する本発明の第1実施形態に係る色素増感太陽電池10は、半導体微粒子及び金属M含有前駆体物質(Mは遷移金属である)を含む多孔性膜形成用組成物を製造する段階と、多孔性膜形成用組成物を第1電極11に塗布した後にUV照射または低温焼成して多孔性膜を形成する段階と、多孔性膜に色素分子を吸着させて光吸収層を形成する段階と、光吸収層を覆うように第2電極14を位置させた後に電解液を注入する段階と、を含む色素増感太陽電池の製造方法によって製造できる。
そこで次に、図3を参照して、本発明の第1実施形態に係る色素増感太陽電池の製造方法について説明する。図3は、本発明の第1実施形態に係る色素増感太陽電池の製造方法を示した工程図である。
図3を参照して詳しく説明すると、まず、半導体微粒子及び金属M含有前駆体を含む多孔性膜形成用組成物を製造する(S1)。
半導体微粒子は、上記の説明と同様である。
金属M含有前駆体としては、例えば、遷移金属含有アルコキシ化物、塩化物、水和物などを用いることができるが、色素が水分に弱いので遷移金属含有アルコキシ化物または塩化物を用いることが望ましい。
具体的には、例えば、Nb、Zn、Ti、W、及びこれらの組合せで構成された群より選択される金属のアルコキシ化物及び塩化物を用いることができる。より望ましくは、チタン(IV)イソプロポキシド(titanium(IV)isopropoxide)、Ti[(O−iPr)]、NbCl、又はこれらの混合物を用いられる。
金属M含有前駆体は、例えば、金属Mが酸化物半導体100質量部に対して0.01〜0.09質量部の量で含まれるのが望ましく、より望ましくは0.02〜0.05質量部の量で含まれるのがよい。多孔性膜内含まれるMの含有量が半導体微粒子に対して0.01質量部未満の場合には、−M−O−M−網目構造体がとても粗雑で望ましくなく、0.09質量部を超える場合には、電子移動を防止するため望ましくない。
多孔性膜形成用組成物は、選択的にバインダー、気孔形成用高分子などの添加剤をさらに含んでもよい。
バインダーとしては、例えば、フッ素系高分子、ビニル系高分子、アクリレート系高分子、ポリアルキレンオキシド系高分子、ポリアクリロニトリル、ポリビニルピリジン、又はスチレン−ブタジエンゴムなどを用いることができる。代表的には、ポリフッ化ビニルリデン(polyvinylidenefluoride:PVDF)、ポリヘキサフルオロプロピレン−ポリフッ化ビニリデンの共重合体(PVDF/HFP))、ポリ(ビニルアセテート)、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキサイド、ポリビニルピロリドン、アルキレイテッドポリエチレンオキサイド、ポリビニルエーテル、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリ(エチルアクリレート)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリビニルピリジン、スチレン−ブタジエンゴム、これらの共重合体、及びこれらの混合物で構成される群から選択されるのを用いることができる。
気孔形成用高分子としては、熱処理後有機物が残存しない高分子を用いるのが望ましく、具体的には、例えば、ポリエチレングリコール(PEG)、ポリエチレンオキサイド(PEO)、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリビニルピリドン(PVP)などが挙げられる。この中で、塗布法を含む塗布条件を考慮して、適した分子量を有する高分子を選択して用いることができる。このような高分子を添加すると、多孔性向上、その他にも分散性向上、粘度増加により成膜性及び基板との付置力も向上できる。
溶媒としては、例えば、エタノール、イソプロピルアルコール、n−プロピルアルコール、ブチルアルコールなどのようなアルコール、水、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドンなどを用いることが望ましい。
多孔性膜形成用組成物を第1電極11に塗布した後に、UV照射または低温焼成して多孔性膜を形成する(S2)。
第1電極11は、上記の説明と同様であり、その製造方法は、通常の製造方法により製造できる。例えば、第1電極11は、透明基板上に電解メッキ、スパッタリング、又は電子ビーム蒸着などのような物理気相蒸着(PVD)方法を利用して、導電性物質を含む導電層を形成することによって製造できる。
第1電極11上に通常の方法で多孔性膜形成用組成物を塗布する。
多孔性膜形成用組成物の第1電極11においての塗布工程は、組成物の粘性によりスクリーンプリンティング法、スプレーコーティング法、ドクターブレードを用いたコーティング法、グラビアコーティング法、ディップコーティング法、シルクスクリーン法、ペインティング法、スリットダイ(slitdie)を用いたコーティング法、スピンコーティング法、ロール(roll)コーティング法、転写(decalomania)コーティング法、及びこれらの組合せで構成された群より選択された方法で実施できる。しかし、本発明における多孔性膜形成用組成物の塗布は、これらの方法に限定されない。より望ましくは、多孔性膜を均一な厚さに塗布できるドクターブレード法を用いることができる。
乾燥後に第1電極11の上に塗布された多孔性膜形成用組成物に対してUVを照射したり、または低温焼成する。
UV照射時、UVは、例えば、0.5〜0.8Wの照射量で照射するのが望ましくて、より望ましくは0.5〜0.7Wの照射量で照射することができる。照射量が0.5W未満の場合は、−M−O−M−網目構造体が完璧ではないため望ましくなく、0.8Wを超える場合は、可撓性基板が損傷されるため望ましくない。
UV照射器の性能によって多くの差があるが、照射時間により温度が増加する機械の場合は、導電基板に影響を与えるため、150℃以上の温度を長時間維持しないのが望ましい。
低温焼成をする場合、例えば、150℃以下の温度で実施するのが望ましくて、より望ましくは110〜150℃で実施した方が良い。低温焼成時の温度が150℃を超過すると、基材に用いられるポリマーフィルムが変成される恐れがあって望ましくない。
このようなUV照射または低温焼成によって、半導体微粒子周辺に位置する金属M含有前駆体の金属Mが酸素と結合して、酸化物網目構造体を形成する。
この製造された多孔性膜に色素を含む分散液を噴射、塗布または浸漬して、多孔性膜に色素を吸着させて光吸収層12を形成する(S3)。
色素の吸着は、色素を含む分散液に、多孔性膜が形成された第1電極11を浸漬させた後、12時間程度経過すると自然に吸着されて加熱による吸着時間を大きく減らすことができる。この際、色素としては、上記の説明と同じ物質を用いることができ、また、色素を分散させる溶媒としては特に限定されないが、例えば、アセトニトリル、ジクロロメタン、アルコール系溶媒などを用いることができる。
また、色素を含む分散液は、長波長の可視光吸収効率を改善して、光電変換効率を向上させるために多様なカラーの有機色素をさらに含むことができる。
色素層形成後、例えば、溶媒洗浄などの方法で洗浄することによって、光吸収層12を単一層に製造できる。
次に別途に第2電極14を準備した後、色素が吸着した第1電極11上を覆うように第2電極14を配置して、電解液を注入して色素増感太陽電池を製造する(S4)。
第2電極14は、上記の説明のように、透明基板、透明電極、及び触媒電極を含み、このような構造を有する第2電極14は通常の製造方法で製造できる。
触媒電極は、透明電極上にアルコールなどのような有機溶媒に溶解した触媒前駆体溶液(例えば、HPtCl溶液)の塗布後に、空気中または酸素雰囲気で400℃以上の高温熱処理を行うことで形成でき、また、電解メッキ、スパッタリング、又は電子ビーム蒸着などのような物理気相蒸着(PVD)方法で形成することもできる。
光吸収層が形成された第1電極11と第2電極14との接合は、通常の方法によって実施できる。具体的には、熱可塑性高分子フィルム、エポキシ樹脂もしくは紫外線(UV)硬化剤などの接着剤、又は、超音波、熱、赤外線、振動などによる溶着または溶接法によって面接合できる。
その後に第2電極14を貫く微細孔を形成し、この孔を通して二つの電極の間に電解質13を注入する。電解質13は上記の説明と同様である。
電解質13の注入後に第2電極14における孔を、外部から接着剤で密封して、本実施形態に係る色素増感太陽電池を製造できる。
この製造方法では半導体微粒子と金属M含有前駆体とを含む多孔性膜形成用組成物を塗布した後に、UV照射または低温焼成して多孔性膜を形成する方法について説明したが、半導体微粒子を利用して、通常の方法で多孔性膜を製造した後に、金属M含有前駆体を含む組成物を塗布し、以降UV照射または低温焼成して多孔性膜を形成してもよい。
<本発明の第1実施形態と比較例との比較>
以下、本発明の第1実施形態に係る色素増感太陽電池と、比較例との比較結果について記載する。しかし、下記の本実施形態に係る色素増感太陽電池の例は、本発明の一つの実施例であり、本発明が下記の実施例に限定されるのではない。
(第1の実施例)
第1の実施例に係る色素増感太陽電池は、以下のように製造した。
まず、横1cm、縦1cmのポリエチレンテレフタレートの高分子で構成される透明基板に酸化スズで構成される導電層を10Ωの表面抵抗を有するように形成して、第1電極11を製造した。
そして、アルコール10mlに20nmの平均粒径を有するTiO半導体微粒子3g及びTi(O−iPr)0.03gを分散させて製造した多孔性膜形成用組成物を、第1電極11の上にドクターブレード法を利用して塗布した後に乾燥した。乾燥された多孔性膜形成用組成物に対して0.5Wの照射量でUVを照射し、ウォッシング処理してTiOを含む厚さ0.010mmの多孔性膜を形成した。
次に多孔性膜が形成された第1電極11を0.3mMのルテニウム(4、4−ジカルボキシ−2、2'−バイピリジン)(NCS)溶液に常温で24時間浸漬させて、多孔性膜に色素を吸着させた。そして、色素が吸着した多孔性膜をエタノールで洗浄して常温乾燥して、第1電極11上に光吸収層12を形成した。
横1cm、縦1cmのポリエチレンテレフタレートの高分子で構成される透明基板に酸化スズで構成されて表面抵抗の10Ωの透明電極と、白金で構成されて表面抵抗が0.5Ωの触媒電極を形成して第2電極14を形成した。0.75mm直径のドリルを利用して、第2電極14を貫く孔を形成した。
第1電極11上に形成された多孔性膜が第2電極14に対向するように、第1電極11と第2電極14を配置させた後、第1電極11の透明基板と第2電極14の透明基板との間に60μm厚さの熱可塑性高分子フィルムを位置させて100℃で9秒間プレスして、第1電極11と第2電極14とを接合させた。
第2電極14を貫く孔を通して電解質13を注入して、熱可塑性樹脂を利用して孔を塞いで太陽電池を製造した。この際、電解質13としては、80体積%のエチレンカーボネート(ethylene carbonate)と20体積%のアセトニトリール(acetonitrile)で構成される混合溶媒100mlに、21.928gのテトラプロピルアンモニウムアイオダイド(tetrapropylammoniumiodide)と1.931gのヨード(I)を溶解した溶液を使用した。
(第2の実施例)
第2の実施例に係る色素増感太陽電池は、以下のように製造した。
まず、横1cm、縦1cmのポリエチレンテレフタレートの高分子で構成される透明基板に酸化スズで構成される導電層を10Ωの表面抵抗を有するように形成して、第1電極11を製造した。
そして、アルコール10mlに20nmの平均粒径を有するTiO半導体微粒子3gを分散させて製造した多孔性膜形成用組成物を、第1電極11の上にドクターブレード法を利用して塗布した後に乾燥した。乾燥された多孔性膜形成用組成物の上にNbCl5mmol含有溶液を塗布した後に乾燥して、0.5Wの照射量でUVを照射した後、ウォッシング処理してTiOを含む厚さ0.010mmの多孔性膜を形成した。
次に多孔性膜が形成された第1電極11を0.3mMのルテニウム(4、4−ジカルボキシ−2、2'−バイピリジン)(NCS)溶液に常温で24時間浸漬させて、多孔性膜に色素を吸着させた。そして、色素が吸着した多孔性膜をエタノールで洗浄して常温乾燥して、第1電極11上に光吸収層12を形成した。
横1cm、縦1cmのポリエチレンテレフタレートの高分子で構成される透明基板に酸化スズで構成されて表面抵抗の10Ωの透明電極と、白金で構成されて表面抵抗が0.5Ωの触媒電極を形成して、第2電極14を形成した。0.75mm直径のドリルを利用して、第2電極14を貫く孔を形成した。
第1電極11上に形成された多孔性膜が第2電極14に対向するように、第1電極11と第2電極14を配置させた後、第1電極11の透明基板と第2電極14の透明基板との間に60μm厚さの熱可塑性高分子フィルムを位置させて100℃で9秒間プレスして、第1電極11と第2電極14を接合させた。
第2電極14を貫く孔を通して電解質13を注入して、熱可塑性樹脂を利用して孔を塞いで太陽電池を製造した。この際、電解質13としては、80体積%のエチレンカーボネート(ethylene carbonate)と20体積%のアセトニトリール(acetonitrile)で構成される混合溶媒100mlに、21.928gのテトラプロピルアンモニウムアイオダイド(tetrapropylammoniumiodide)と1.931gのヨード(I)を溶解した溶液を使用した。
(第3の実施例)
第3の実施例に係る色素増感太陽電池は、以下のように製造した。
まず、横1cm、縦1cmのポリエチレンテレフタレートの高分子で構成される透明基板に酸化スズで構成される導電層を10Ωの表面抵抗を有するように形成して、第1電極11を製造した。
そして、アルコール10mlに20nmの平均粒径を有するTiO半導体微粒子3gを分散させて、製造した多孔性膜形成用組成物を第1電極11の上にドクターブレード法を利用して塗布した後に乾燥した。乾燥された多孔性膜形成用組成物の上にNbCl5mmol含有溶液を塗布した後に乾燥して、150℃で低温焼成してTiOを含む厚さ0.010mmの多孔性膜を形成した。
次に前記多孔性膜が形成された第1電極11を0.3mMのルテニウム(4、4−ジカルボキシ−2、2'−バイピリジン)(NCS)溶液に常温で24時間浸漬させて、多孔性膜に色素を吸着させた。そして、色素が吸着した多孔性膜をエタノールで洗浄して常温乾燥して、第1電極11上に光吸収層12を形成した。
横1cm、縦1cmのポリエチレンテレフタレートの高分子で構成される透明基板に酸化スズで構成されて表面抵抗の10Ωの透明電極と、白金で構成されて表面抵抗が0.5Ωの触媒電極を形成して第2電極14を形成した。0.75mm直径のドリルを利用して、第2電極14を貫く孔を形成した。
第1電極11上に形成された多孔性膜が第2電極14に対向するように第1電極11と第2電極14を配置させた後、第1電極11の透明基板と第2電極14の透明基板との間に60μm厚さの熱可塑性高分子フィルムを位置させて100℃で9秒間プレスして、第1電極11と第2電極14とを接合させた。
第2電極14を貫く孔を通して、電解質13を注入して熱可塑性樹脂を利用して孔を塞いで太陽電池を製造した。この際、電解質13としては、80体積%のエチレンカーボネート(ethylenecarbonate)と20体積%のアセトニトリール(acetonitrile)で構成される混合溶媒100mlに21.928gのテトラプロピルアンモニウムアイオダイド(tetrapropylammoniumiodide)と1.931gのヨード(I)を溶解した溶液を使用した。
(比較例1)
比較例に係る色素増感太陽電池は、以下のように製造した。
まず、横1cm、縦1cmのポリエチレンテレフタレートの高分子で構成される透明基板に酸化スズで構成される導電層を10Ωの表面抵抗を有するように形成して、第1電極を製造した。
そして、アルコール10mlに20nmの平均粒径を有するTiO半導体微粒子3gを分散させて製造した多孔性膜形成用組成物を、第1電極の上にドクターブレード法を利用して塗布した後、乾燥した。150℃で15分間焼成工程を通してTiOを含む厚さ0.01mmの多孔性膜を形成した。
次に多孔性膜が形成された第1電極を0.3mMのルテニウム(4、4−ジカルボキシ−2、2'−バイピリジン)(NCS)溶液に常温で24時間浸漬させて、多孔性膜に色素を吸着させた。そして、色素が吸着した多孔性膜をエタノールで洗浄して常温乾燥して、第1電極上に光吸収層を形成した。
横1cm、縦1cmのポリエチレンテレフタレートの高分子で構成される透明基板に酸化スズで構成されて表面抵抗の10Ωの透明電極と、白金で構成されて表面抵抗が0.5Ωの触媒電極を形成して、第2電極を形成した。0.75mm直径のドリルを利用して、第2電極を貫く孔を形成した。
第1電極上に形成された多孔性膜が第2電極に対向するように、第1電極と第2電極を配置させた後、第1電極の透明基板と第2電極の透明基板との間に60μm厚さの熱可塑性高分子フィルムを位置させて100℃で9秒間プレスして、第1電極と第2電極を接合させた。
第2電極を貫く孔を通して、電解質を注入して、熱可塑性樹脂を利用して孔を塞いで太陽電池を製造した。この際、電解質としては、80体積%のエチレンカーボネート(ethylene carbonate)と20体積%のアセトニトリール(acetonitrile)で構成される混合溶媒100mlに、21.928gのテトラプロピルアンモニウムアイオダイド(tetrapropylammoniumiodide)と1.931gのヨード(I)を溶解した溶液を使用した。
上記の第2の実施例で製造された多孔性膜に対して走査電子顕微鏡で表面を観察した。結果を図4に示した。
図4に示したように、微粒子は、製造された多孔性膜内において粒子形態をそのまま維持していた。これから、多孔性膜内に半導体微粒子が潰されずに気孔を含む多孔性膜を形成していることが分かる。
また比較例1及び第2の実施例で製造された多孔性膜に対して、質量分析器を利用して、酸化物網目構造体の形成の要否を観察した。その結果を図5に示した。
図5に示したように、比較例1の場合、NbOピークが全く現れなかった一方、実施形態2の場合UV照射直後だけでなくUV照射後ウォッシング処理後にもNbO酸化物ピークが観察された。これから、UV照射によって多孔性膜に酸化物網目構造体が形成されたことが分かる。
上記の第1の実施例及び第2の実施例と、比較例1とで製造された太陽電池に対して光電流電圧を測定し、測定された光電流曲線から短絡回路電流(Jsc)、開放回路電圧(Voc)、充填係数(fill factor:FF)、及び効率を計算した。その結果を表1に示した。
この時、光源としては、ゼノンランプ(xenon lamp、Oriel、01193)を用い、ゼノンランプの光照射条件(分光分布:AM1.5)は、標準太陽電池(Frunhofer Institute Solare Engeriessysteme、Certificate No.C−ISE369、Typeofmaterial:Mono−Si+KGフィルター)を用いて補正した。
充填係数は、最大電力点での電流密度と電圧値の積(Jmp×Vmp)をVocとJscとの積で割った値であり、太陽電池の光電変換効率(η)は、太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する効率として下記の数式1のように単位面積当入射されたエネルギー(Pinc)に対して、電池によって発生された電気エネルギー(電流×電圧×充填係数)の比で計算した。
η=(Voc・Jsc・FF)/(Pinc) …(数式1)
このPincは、100mW/cm(1sun)を示す。
前記表1に示したように、半導体微粒子を囲む酸化物網目構造体を含む多孔性膜を有する第1の実施例及び第2の実施例に係る太陽電池は、比較例1の太陽電池に比べて、優れた光電変換効率を示した。
第3の実施例の太陽電池に対しても上記と同様な方法で電池特性を評価した結果、第2の実施例と同等水準の光電変換効率を示した。
<本発明の第1実施形態の効果>
以上、本発明の第1実施形態に係る色素増感太陽電池について説明した。
この色素増感太陽電池によれば、色素の吸着量を増加させることができ、生成された励起電子が色素の基底帯域に存在する電子と再結合することを防ぐことができ、優れた光電変換効率及び寿命特性を実現することができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
通常の色素増感太陽電池の作用原理を示した模式図である。 本発明の第1実施形態に係る色素増感太陽電池を概略的に示した模式図である。 本発明の第1実施形態に係る色素増感太陽電池の製造方法を示した工程図である。 同実施形態の第2の実施例で製造された多孔性膜に対する走査電子顕微鏡観察写真である。 比較例1及び第2の実施例で製造された多孔性膜に対する質量分析結果を示したグラフである。
符号の説明
1 色素分子
2 遷移金属酸化物
3 透明導電体
4 回部回路
5 対極
10 色素増感太陽電池
11、14 電極
12 光吸収層
13 酸化還元用電解質

Claims (19)

  1. 第1電極と、
    前記第1電極の何れか一面に形成された光吸収層と、
    前記光吸収層が形成された前記第1電極と対向配置される第2電極と、
    前記第1電極と第2電極との間に挿入された電解質と、
    を含み、
    前記光吸収層は、多孔性膜と、前記多孔性膜に吸着された色素と、を含み、
    前記多孔性膜は、半導体微粒子と、前記半導体微粒子を囲む−M−O−M−の酸化物網目構造体(前記Mは遷移金属である)と、を含むことを特徴とする、色素増感太陽電池。
  2. 前記Mは、Nb、Zn、Ti、W、及びこれらの組合せで構成された群より選択されることを特徴とする、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
  3. 前記Mは、半導体微粒子100質量部に対して0.01〜0.09質量部で含まれることを特徴とする、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
  4. 前記半導体微粒子は、単体半導体、化合物半導体、ペロブスカイト構造を有する化合物、及びこれらの混合物で構成された群より選択されることを特徴とする、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
  5. 前記半導体微粒子は、Ti、Zr、Sr、Zn、In、Yr、La、V、Mo、W、Sn、Nb、Mg、Al、Y、Sc、Sm、Ga、In、TiSr、及びこれらの組合せで構成された群より選択される金属酸化物であることを特徴とする、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
  6. 前記半導体微粒子は、5〜500nmの平均粒子直径を有することを特徴とする、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
  7. 前記半導体微粒子は、40〜100mg/mmのローディング量で含まれることを特徴とする、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
  8. 前記第1電極は、
    透明基板と、
    前記透明基板上に形成され、インジウムスズ酸化物、フッ素添加酸化スズ、ZnO(Ga)、ZnO(Al)、酸化スズ、アンチモンスズ酸化物、酸化亜鉛、及びこれらの混合物で構成された群より選択される導電性金属酸化物を含む導電層と、
    を含むことを特徴とする、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
  9. 前記透明基板は、プラスチック基板であることを特徴とする、請求項8に記載の色素増感太陽電池。
  10. 前記プラスチック基板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリイミド、トリアセチルセルロース、ポリエーテルスルホン、これらの共重合体、及びこれらの混合物で構成された群より選択されることを特徴とする、請求項9に記載の色素増感太陽電池。
  11. 半導体微粒子及び金属M含有前駆体物質(前記Mは遷移金属である)を含む多孔性膜形成用組成物を製造する段階と、
    前記多孔性膜形成用組成物を第1電極に塗布した後にUV照射または低温焼成して多孔性膜を形成する段階と、
    前記多孔性膜に色素分子を吸着させて光吸収層を形成する段階と、
    前記光吸収層を覆うように、第2電極を位置させた後に電解液を注入する段階と、
    を含むことを特徴とする色素増感太陽電池の製造方法。
  12. 前記金属Mの前駆体は、遷移金属含有アルコキシドまたは塩化物であることを特徴とする、請求項11に記載の色素増感太陽電池の製造方法。
  13. 前記金属Mの前駆体は、Nb、Zn、Ti、W、及びこれらの組合せで構成された群より選択される金属のアルコキシドまたは塩化物であることを特徴とする、請求項11に記載の色素増感太陽電池の製造方法。
  14. 前記金属M含有前駆体は、酸化物半導体100質量部に対して金属Mが0.01〜0.09質量部の量で含まれることを特徴とする、請求項11に記載の色素増感太陽電池の製造方法。
  15. 前記半導体微粒子は、単体半導体、化合物半導体、ペロブスカイト構造を有する化合物、及びこれらの混合物で構成された群より選択されることを特徴とする、請求項11に記載の色素増感太陽電池の製造方法。
  16. 前記半導体微粒子は、Ti、Zr、Sr、Zn、In、Yr、La、V、Mo、W、Sn、Nb、Mg、Al、Y、Sc、Sm、Ga、In、TiSr、及びこれらの組合せで構成された群より選択される金属酸化物であることを特徴とする、請求項15に記載の色素増感太陽電池の製造方法。
  17. 前記半導体微粒子は、5〜500nmの平均粒子直径を有することを特徴とする、請求項11に記載の色素増感太陽電池の製造方法。
  18. 前記第1電極は、
    透明基板と、
    前記透明基板上に形成され、インジウムスズ酸化物、フッ素添加酸化スズ、ZnO(Ga、ZnO(Al)、酸化スズ、アンチモンスズ酸化物、酸化亜鉛、及びこれらの混合物で構成された群より選択される導電性金属酸化物を含む導電層と、
    を含むことを特徴とする、請求項11に記載の色素増感太陽電池の製造方法。
  19. 前記透明基板は、プラスチック基板であることを特徴とする、請求項18に記載の色素増感太陽電池の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012099661A (ja) * 2010-11-02 2012-05-24 Idemitsu Kosan Co Ltd 酸化物半導体の製造方法
JP2012520456A (ja) * 2009-03-10 2012-09-06 ドンジン セミケム カンパニー リミテッド 染料感応太陽電池用吸着染料溶液のモニタリング装置及び染料溶液の調節装置
WO2014041798A1 (ja) * 2012-09-13 2014-03-20 東京エレクトロン株式会社 色素増感太陽電池の製造方法及び色素増感太陽電池

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100997843B1 (ko) 2008-08-29 2010-12-01 주식회사 솔켐 전기방사법에 의해 제조된 고분자 전해질을 포함한 염료감응형 태양전지 소자 및 이의 제조방법
JP5150534B2 (ja) * 2009-03-06 2013-02-20 信越ポリマー株式会社 カバーレイフィルム、その製造方法およびフレキシブルプリント配線板
KR101074781B1 (ko) * 2009-11-30 2011-10-19 삼성에스디아이 주식회사 스페이서를 구비한 염료감응 태양전지
KR101074782B1 (ko) * 2009-12-01 2011-10-19 삼성에스디아이 주식회사 염료감응 태양전지 모듈
KR101338548B1 (ko) * 2010-07-23 2013-12-06 엘지이노텍 주식회사 페이스트 조성물 및 태양전지
CN103118807A (zh) * 2010-07-26 2013-05-22 应用纳米技术控股股份有限公司 高度透明和导电的基质
KR101128832B1 (ko) * 2010-11-05 2012-03-23 재단법인대구경북과학기술원 염료를 포함하는 전하수송층을 포함하는 유기태양전지 및 그 제조방법
WO2013126385A1 (en) * 2012-02-21 2013-08-29 Northwestern University Photoluminescent compounds
GB201208793D0 (en) 2012-05-18 2012-07-04 Isis Innovation Optoelectronic device
US10388897B2 (en) 2012-05-18 2019-08-20 Oxford University Innovation Limited Optoelectronic device comprising porous scaffold material and perovskites
PL2850669T3 (pl) 2012-05-18 2016-08-31 Isis Innovation Urządzenie fotowoltaiczne zawierające Perowskity
WO2014003294A1 (ko) * 2012-06-29 2014-01-03 성균관대학교산학협력단 페로브스카이트 기반 메조다공 박막 태양전지 제조 기술
KR101430139B1 (ko) 2012-06-29 2014-08-14 성균관대학교산학협력단 페로브스카이트 기반 메조다공 박막 태양전지 제조 기술
KR102296283B1 (ko) 2012-09-18 2021-08-31 옥스포드 유니버시티 이노베이션 리미티드 광전자 디바이스
US9966198B2 (en) 2014-04-24 2018-05-08 Northwestern University Solar cells with perovskite-based light sensitization layers
CN103943782A (zh) * 2014-04-25 2014-07-23 武汉鑫神光电科技有限公司 一种低温全溶液法制备钙钛矿太阳能电池的方法
CN103956394B (zh) * 2014-05-13 2016-08-24 国家纳米科学中心 一种改善钙钛矿太阳电池吸光层性能的方法
CN105374939B (zh) * 2014-08-20 2017-10-03 清华大学 一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
KR20210115255A (ko) 2020-03-12 2021-09-27 삼성전자주식회사 박막, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 소자
CN113603177B (zh) * 2021-02-07 2022-09-27 北京航空航天大学 一种可重构和再生的偶氮染料吸附方法及其应用

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075477A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Tdk Corp 光電変換膜、光電変換用電極、および光電変換素子
JP2002231326A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Nec Corp 光電変換素子及びその製造方法
JP2002280327A (ja) * 2001-03-21 2002-09-27 Lintec Corp 半導体電極の製造方法及び光化学電池
JP2005085500A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Tsukasa Yoshida 色素増感型太陽電池の製造方法
JP2005203378A (ja) * 2001-02-21 2005-07-28 Showa Denko Kk 色素増感型太陽電池用金属酸化物分散液、光活性電極及び色素増感型太陽電池
JP2005347176A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Tomiyama Pure Chemical Industries Ltd 色素増感太陽電池用電解液及びそれを用いた色素増感型太陽電池
JP2006128079A (ja) * 2004-10-01 2006-05-18 Kyushu Institute Of Technology 色素増感太陽電池及びその半導体電極用酸化チタンの製造方法
JP2006244861A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Toyo Seikan Kaisha Ltd 色素増感型太陽電池における負極の製造方法
JP2007044657A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Mie Prefecture チタニアペーストの製造方法及びチタニア多孔質層の製造方法並びに光触媒層

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001156321A (ja) * 1999-03-09 2001-06-08 Fuji Xerox Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US6291763B1 (en) * 1999-04-06 2001-09-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photoelectric conversion device and photo cell
US6858158B2 (en) * 2002-01-25 2005-02-22 Konarka Technologies, Inc. Low temperature interconnection of nanoparticles
US20030192585A1 (en) * 2002-01-25 2003-10-16 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells incorporating rigid substrates
DE60123714T2 (de) * 2000-08-15 2007-10-04 FUJI PHOTO FILM CO., LTD., Minamiashigara Photoelektrische Zelle und Herstellungsmethode
JP4278080B2 (ja) * 2000-09-27 2009-06-10 富士フイルム株式会社 高感度受光素子及びイメージセンサー
JP4269595B2 (ja) * 2002-08-23 2009-05-27 トヨタ自動車株式会社 酸化物半導体電極及びその製造方法
JP4294935B2 (ja) * 2002-10-17 2009-07-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
KR101117690B1 (ko) * 2005-01-24 2012-02-29 삼성전자주식회사 코어쉘 구조의 금속 산화물을 포함하는 광흡수층 및 이를구비한 태양전지

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075477A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Tdk Corp 光電変換膜、光電変換用電極、および光電変換素子
JP2002231326A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Nec Corp 光電変換素子及びその製造方法
JP2005203378A (ja) * 2001-02-21 2005-07-28 Showa Denko Kk 色素増感型太陽電池用金属酸化物分散液、光活性電極及び色素増感型太陽電池
JP2002280327A (ja) * 2001-03-21 2002-09-27 Lintec Corp 半導体電極の製造方法及び光化学電池
JP2005085500A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Tsukasa Yoshida 色素増感型太陽電池の製造方法
JP2005347176A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Tomiyama Pure Chemical Industries Ltd 色素増感太陽電池用電解液及びそれを用いた色素増感型太陽電池
JP2006128079A (ja) * 2004-10-01 2006-05-18 Kyushu Institute Of Technology 色素増感太陽電池及びその半導体電極用酸化チタンの製造方法
JP2006244861A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Toyo Seikan Kaisha Ltd 色素増感型太陽電池における負極の製造方法
JP2007044657A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Mie Prefecture チタニアペーストの製造方法及びチタニア多孔質層の製造方法並びに光触媒層

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012520456A (ja) * 2009-03-10 2012-09-06 ドンジン セミケム カンパニー リミテッド 染料感応太陽電池用吸着染料溶液のモニタリング装置及び染料溶液の調節装置
JP2012099661A (ja) * 2010-11-02 2012-05-24 Idemitsu Kosan Co Ltd 酸化物半導体の製造方法
WO2014041798A1 (ja) * 2012-09-13 2014-03-20 東京エレクトロン株式会社 色素増感太陽電池の製造方法及び色素増感太陽電池

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