JP2007128895A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents

太陽電池及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007128895A
JP2007128895A JP2006300814A JP2006300814A JP2007128895A JP 2007128895 A JP2007128895 A JP 2007128895A JP 2006300814 A JP2006300814 A JP 2006300814A JP 2006300814 A JP2006300814 A JP 2006300814A JP 2007128895 A JP2007128895 A JP 2007128895A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide
solar cell
porous film
cell according
metal oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006300814A
Other languages
English (en)
Inventor
Kwang-Soon Ahn
光淳 安
Ji-Won Lee
知爰 李
Moon-Sung Kang
文盛 姜
Wha-Sup Lee
禾燮 李
Zaiman Sai
在萬 崔
Byong-Cheol Shin
炳哲 申
Jae-Kwan Lee
在官 李
Joung-Won Park
晶遠 朴
Moon-Seok Kwon
問▲ソク▼ 權
Soo-Jin Moon
▲スー▼津 文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of JP2007128895A publication Critical patent/JP2007128895A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2027Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/2031Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542Dye sensitized solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、高効率を実現することができる構造の太陽電池及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の一実施形態による太陽電池は、電極、及び前記電極に形成されて、金属酸化物粒子を含む多孔性膜を含む。前記金属酸化物粒子の平均の粒径は5nm乃至14nmであるのが好ましい。前記多孔性膜の厚さは10nm乃至3000nmであるのが好ましい。多孔性膜の厚さは10nm乃至1000nmであるのがさらに好ましい。
【選択図】図1

Description

本発明は、太陽電池及びその製造方法に関し、より詳しくは、高効率を実現することができる構造の太陽電池及びその製造方法に関する。
太陽電池は、太陽エネルギーを利用して電気エネルギーを生成する電池であって、環境に優しく、エネルギー源が無限であるだけでなく、寿命が長い長所がある。このような太陽電池としては、シリコン太陽電池や染料感応太陽電池などがある。
染料感応太陽電池は、シリコン太陽電池に比べて光電変換効率が優れていて、低価格で、フレキシブルに製造することができる。また、透明な電極を使用して、建物の外壁やガラスの温室などに適用することができる長所がある。
しかし、このような太陽電池の光電変換効率も高い水準ではないため、太陽電池の商品化はいまだ難しい。光電変換効率を向上させるために多くの研究が進められているが、大部分の研究は新たな染料の開発などの分野に限定されている。そのため、太陽電池の光電変換効率の向上のための新たな技術の開発が切実に要求されている。
本発明は、このような点に着眼したもので、本発明の目的は、電子集電を向上させて、光電変換効率を向上させることができる、太陽電池及びその製造方法を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明の一実施形態による太陽電池は、電極、及び前記電極に形成されて、金属酸化物粒子を含む多孔性膜を含む。前記金属酸化物粒子の平均の粒径は5nm乃至14nmである。そして、前記多孔性膜の平均の気孔の大きさは7.5nm乃至15nmである。
前記多孔性膜の厚さは10nm乃至3000nmであり、10nm乃至1000nmであるのがより好ましい。
前記多孔性膜上に形成されて、金属酸化物粒子を含む追加多孔性膜をさらに含み、前記多孔性膜の金属酸化物の平均の粒径より前記追加多孔性膜の金属酸化物の平均の粒径がより大きい。
前記追加多孔性膜の金属酸化物粒子の平均の粒径は15nm乃至50nmである。
前記多孔性膜の厚さより前記追加多孔性膜の厚さがより厚く、前記追加多孔性膜の厚さは5μm乃至40μmである。
また、本発明の一実施形態による太陽電池の製造方法は、自己組立て方法で多孔性膜を形成する段階を含む。
前記多孔性膜を形成する段階は、自己組立て用化合物を形成する段階、前記自己組立て用化合物を電極に塗布する段階、及び前記塗布された自己組立て用化合物を熱処理する段階を含む。
前記自己組立て用化合物は、溶媒、ブロック共重合体、及び金属酸化物の前駆体を含む。前記溶媒は、アセチルアセトン、アルコール、及びこれらの組合わせからなる群から選択される。前記ブロック共重合体は、ポリエチレン酸化物及びポリプロピレン酸化物を含み、前記金属酸化物の前駆体は、アルコキシ化物、塩化物、及びこれらの組合わせからなる群から選択される。
前記自己組立て用化合物は、ディップコーティング法、スピンコーティング法、及び電気化学コーティング法からなる群から選択されたいずれか一つの方法によって塗布される。
前記塗布された化合物を熱処理する段階以後に、金属酸化物粒子が分散したペーストを塗布して追加多孔性膜を形成する段階をさらに含む。
本発明では、自己組立て方法で、微細で均一な金属酸化物粒子から構成されて、気孔の大きさが微細で均一な多孔性膜を形成することができる。このような多孔性膜を電極と接触するように形成することによって、電極及び多孔性膜の界面接触特性を向上させることができる。そして、気孔の大きさが微細で均一なので、イオンの伝導度を向上させることができる。結果的に、多孔性膜から伝達された励起電子が第1電極によりよく集電されて、光電変換効率を向上させることができる。
また、金属酸化物粒子が分散したペーストで追加多孔性膜を形成して、工程数を増加させずに十分な厚さの追加多孔性膜を形成することができる。つまり、本発明では、互いに異なる特性を有する複数の多孔性膜を形成して、互いに異なる特性を同時に向上させることができる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の一実施形態による太陽電池を詳細に説明する。
図1は本発明の一実施形態による太陽電池を示した断面図である。
図1を参照すれば、この実施形態による太陽電池は、第1電極11、多孔性膜13、及び染料15が形成される第1基板10と第2電極21が形成される第2基板20とが互いに対向配置され、第1電極11及び第2電極21間に電解質30が位置して構成される。第1基板10及び第2基板20の外側に別途のケース(図示せず)が配置される。これについて、より詳細に説明する。
この実施形態において、第1電極11を支持する支持体の役割を果たす第1基板10は、外部光が入射することができるように透明に形成される。ここで、第1基板10は、ガラスまたはプラスチックからなることができる。プラスチックの具体的な例としては、ポリエチレンテレフタレート(poly ethylene terephthalate、PET)、ポリエチレンナフタレート(poly ethylene naphthalate、PEN)、ポリカーボネート(poly carbonate、PC)、ポリプロピレン(poly propylene、PP)、ポリイミド(poly imide、PI)、トリアセチルセルロース(tri acetyl cellulose、TAC)などがある。
第1基板10に形成される第1電極11は、インジウムスズ酸化物(indium tin oxide、ITO)、フルオルスズ酸化物(fluorine tin oxide、FTO)、アンチモンスズ酸化物(antimony tin oxide、ATO)、亜鉛酸化物(zin coxide)、スズ酸化物(tin oxide)、ZnO−Ga、ZnO−Alなどの透明物質からなることができる。第1電極11は、前記透明物質の単一膜または積層膜からなることができる。
第1電極11上には多孔性膜13が形成される。このような多孔性膜13は、自己組立て方法によって形成された、平均の粒径が非常に微細で均一な金属酸化物粒子131を含む。そして、多孔性膜13は、気孔の大きさも非常に微細で均一であって、ナノ多孔性(nanoporous)特性がある。
この時、多孔性膜13の金属酸化物粒子131の平均の粒径は5nm乃至14nmの範囲である。このような金属酸化物粒子131の平均の粒径は、多孔性膜13の形成のために行われる焼成工程の温度によって調節されることができる。
ここで、金属酸化物粒子131の平均の粒径が5nm未満である場合には、前記焼成工程の温度が低くて、安定的な多孔性膜13を形成するのが難しい問題点がある。そして、金属酸化物粒子131の平均の粒径が14nmを超える場合には、前記焼成工程の温度が高くて、多孔性膜13が形成される第1基板10が曲がる問題点がある。また、金属酸化物粒子131のネッキング(necking)特性が低下して、染料15の吸着量が低下することがあり、それによって効率が低下することがある。
つまり、この実施形態では、平気の粒径が微細で均一な金属酸化物粒子131を含む多孔性膜13を第1電極11上に形成して、金属酸化物粒子131間のネッキング特性を向上させて、金属酸化物粒子131及び第1電極11間の接触界面特性を向上させることができる。結果的に、多孔性膜13及び第1電極11間の接触界面特性を向上させることができる。
そして、多孔性膜13の平均の気孔の大きさは7.5nm乃至15nmの範囲である。多孔性膜13の平均の気孔の大きさが7.5nm未満である場合には、電解質30の移動が難しく、平均の気孔の大きさが15nmを超える場合には、金属酸化物粒子131のネッキング特性が低下する問題点がある。このように、この実施形態では、多孔性膜13の平均の気孔の大きさが適切に形成されることによって、電解質30の移動を容易にして、金属酸化物粒子131のネッキング特性を向上させることができる。
この実施形態で、多孔性膜13の厚さは10nm乃至3000nmである。多孔性膜13の厚さが10nm未満である場合には、多孔性膜13の機能を行うのが難しく、多孔性膜13の厚さが3000nmを超える場合には、多数の工程を繰返すことによってのみ多孔性膜13を形成することができるので、工程が複雑になる。つまり、一回の工程で、より安定的な多孔性膜13を形成するために、多孔性膜13の厚さは10nm乃至1000nmであるのがより好ましい。しかし、本発明はこれに限定されず、前記厚さは技術の発展などによって変化することがある。
金属酸化物粒子131は、チタニウム酸化物(titanium oxide)、亜鉛酸化物、スズ酸化物、ストロンチウム酸化物(strontium oxide)、インジウム酸化物(indium oxide)、イリジウム酸化物(iridium oxide)、ランタン酸化物(lanthan oxide)、バナジウム酸化物(vanadium oxide)、モリブデン酸化物(molybdenum oxide)、タングステン酸化物(tungsten oxide)、ニオブ酸化物(niobium oxide)、マグネシウム酸化物(magnesium oxide)、アルミニウム酸化物(aluminium oxide)、イットリウム酸化物(yttrium oxide)、スカンジウム酸化物(scandium oxide)、サマリウム酸化物(samarium oxide)、ガリウム酸化物(galluim oxide)、ストロンチウムチタニウム酸化物(strontium titanium oxide)などからなることができる。ここで、金属酸化物粒子131は、チタニウム酸化物であるTiO、スズ酸化物であるSnO、タングステン酸化物であるWO、亜鉛酸化物であるZnO、またはこれらの複合体などからなるのが好ましい。
このような多孔性膜13の表面には、外部光を吸収して励起電子を生成する染料15が吸着される。染料15は、アルミニウム(Al)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ユーロピウム(Eu)、鉛(Pb)、イリジウム(Ir)、ルテニウム(Ru)などを含む金属複合体からなることができる。ここで、ルテニウムは、白金族に属する元素であって、多くの有機金属複合体を形成することができるため、ルテニウムを含む染料が一般的に使用される。また、有機色素などを含む染料が使用されることもあるが、このような有機色素としては、クマリン(coumarin)、ポピリン(porphyrin)、キサンチン(xanthene)、リボフラビン(riboflavin)、トリフェニルメタン(triphenylmethan)などがある。
一方、第1基板10に対向配置される第2基板20は、第2電極21を支持する支持体の役割を果たすもので、透明に形成されることができる。ここで、第2基板20は、第1基板10と同様にガラスまたはプラスチックからなることができる。プラスチックの具体的な例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリイミド、トリアセチルセルロースなどがある。
第2基板20に形成される第2電極21は、第1電極11と対向配置され、透明電極21a及び触媒電極21bを含むことができる。透明電極21aは、インジウムスズ酸化物、フルオルスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、亜鉛酸化物、スズ酸化物、ZnO−Ga、ZnO−Alなどの透明物質からなることができる。この時、透明電極21aは、前記透明物質の単一膜または積層膜からなることができる。触媒電極21bは、酸化還元対(redox couple)を活性化させる役割を果たすもので、白金、ルテニウム、パラジウム、イリジウム、ロジウム(Rh)、オスミウム(Os)、炭素(C)、WO、TiOなどからなることができる。
前記第1基板10及び第2基板20は接着剤41によって接合され、第2基板20及び第2電極21を貫通するホール25aを通じて電解質30が注入されて、第1電極11及び第2電極21間に電解質30が含浸される。このような電解質30は、多孔性膜13の内部に均一に分散する。電解質30は、酸化還元によって第2電極21から電子を受け取って染料15に伝達する役割を果たす。第2基板20及び第2電極21を貫通するホール25aは、接着剤42及びカバーガラス43によって密封される。この実施形態では、電解質30が液体であることを説明したが、本発明には固体の電解質も適用され、これも本発明の範囲に属する。
このような太陽電池は、太陽電池の内部に太陽光などの外部光が入射すると、光量子が染料15に吸収されて染料が基底状態から励起状態に転移して、励起電子を生成する。励起電子は、多孔性膜13の金属酸化物粒子131の伝導帯に注入された後、第1電極11を経て外部回路(図示せず)に流れた後、第2電極21に移動する。一方、電解質30内のヨウ化物が3ヨウ化物に酸化することによって酸化された染料15が還元されて、3ヨウ化物は第2電極21に移動した電子と還元反応してヨウ化物に還元される。このような電子の移動によって太陽電池が作動するようになる。
染料感応太陽電池は、他の太陽電池、一例としてシリコン太陽電池とは異なって、界面反応によって作動するので、接触界面特性の改善が大変重要である。この実施形態では、微細で均一な金属酸化物粒子131を含む多孔性膜13を第1電極11に形成して、第1電極11及び多孔性膜13の接触界面特性を向上させることができる。これによって、電子集電を極大化して、光電変換効率を向上させることができる。
また、この実施形態では、多孔性膜13の平均の気孔の大きさを最適化するので、電解質30の移動を容易にし、金属酸化物粒子131のネッキング特性を向上させることができる。結果的に、光電変換効率をより向上させることができる。
以下、前記で説明した太陽電池の製造方法を、図1と共に図2を参照して詳細に説明する。図2は図1に示された太陽電池の製造方法を示したフローチャートである。前記で構成物質を説明した構成要素については、構成物質の詳細な説明は省略する。
まず、第1基板10に第1電極11を形成する(ST11)。第1電極11は、スパッタリング法、化学気相蒸着法、スプレー熱分解蒸着法などによって形成されることができる。
次に、第1電極11に自己組立て方法で多孔性膜13を形成する(ST13)。このために、まず、自己組立て用化合物を形成し、この自己組立て用化合物を第1電極11に塗布し、塗布された自己組立て用化合物を熱処理して焼成工程を行う。これをより詳細に説明する。
自己組立て用化合物は、溶媒、ブロック共重合体(block copolymer)、及び金属酸化物の前駆体(precursor)を含むことができる。溶媒としては、アセチルアセトン(acethyl acetone)、アルコールなどの多様な物質を使用することができる。ブロック共重合体は、ポリエチレン酸化物(poly ethylene oxide)及びポリプロピレン酸化物(poly propylene oxide)を含むことができる。そして、金属酸化物の前駆体は、所定の金属酸化物を形成することができる前駆体から選択されるものであれば特に限定されず、一例として、アルコキシ化物、塩化物などを含むことができる。
このような自己組立て用化合物は、ディップコーティング法、スピンコーティング法、及び電気化学コーティング法などによって第1電極11上に塗布される。このような自己組立て用化合物の組成及び特性を考慮して熱処理すれば、ブロック共重合体が除去されて、金属酸化物の前駆体から金属酸化物粒子が形成される。
多孔性膜13を形成するための自己組立て用化合物では、金属酸化物の前駆体が均一に分散して、金属酸化物の集積によって粒径が大きい金属酸化物粒子が形成されるのを防止することができ、それにより、微細で均一な粒径の金属酸化物粒子を含み、平均の気孔の大きさが適切な多孔性膜13を形成することができる。そして、金属酸化物の前駆体が第1電極11上で金属酸化物粒子に変化するので、多孔性膜13及び第2電極11の接触界面特性をより向上させることができる。
次に、染料が溶解されたアルコール溶液に多孔性膜13及び第1電極11が形成された第1基板10を所定の時間浸漬させて、染料15を多孔性膜13に吸着させる(ST17)。しかし、本発明はこれに限定されず、多様な方法で染料15を吸着させることができる。
一方、ガラスまたはプラスチックからなる第2基板20に透明電極21a及び触媒電極21bを順次に形成して、第2電極21を形成する(ST21)。
透明電極21aは、スパッタリング法、化学気相蒸着法、スプレー熱分解蒸着法などによって形成されることができる。
触媒電極21bは、物理気相蒸着法(電解メッキ法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法など)または湿式コーティング法(スピンコーティング法、浸漬コーティング法、フローコーティング法など)などによって形成されることができる。触媒電極21bが白金からなることを例示して説明すれば、透明電極21a上にメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール(isopropyl alcohol、IPA)などの有機溶剤にHPtClが溶解された溶液を湿式コーティング法で塗布した後、空気または酸素雰囲気下で400℃で熱処理する方法が適用される。しかし、本発明はこれに限定されず、多様な方法が適用される。
そして、このような第2基板20及び第2電極21に、これを貫通するホール25aを形成する。
次に、多孔性膜13及び第2電極21が対向するように第1基板10及び第2基板20を配置させた後、接着剤41などを利用して第1基板10及び第2基板20を接合する(ST30)。接着剤41としては、熱可塑性高分子フィルム(一例として、商品名surlyn)、エポキシ樹脂、紫外線硬化剤などを使用することができる。接着剤41として熱可塑性高分子フィルムを使用する場合には、第1基板10及び第2基板20間に熱可塑性高分子フィルムを位置させて加熱プレスして、第1基板10及び第2基板20を接合することができる。
次に、第2基板20及び第2電極21に形成されたホール25aを通じて電解質30を注入する(ST40)。これは、電解質30が液体である場合を例示して説明したもので、電解質が固体である場合には他の方法が適用され、これも本発明の範囲に属する。
次に、接着剤42及びカバーガラス43を使用して、このホール25aを密封する(ST50)。これにより、太陽電池の製造が完了し、第1基板10及び第2基板20の外側に別途のケース(図示せず)が形成されることもできる。
以下、図3を参照して、本発明の他の実施形態による太陽電池及びその製造方法を詳細に説明する。この実施形態では、図1を参照して説明した実施形態と基本的な構成は同一またはほぼ類似しているので、同一またはほぼ類似した部分については説明を省略し、互いに異なる部分についてのみ詳細に説明する。図面では、同一な構成要素については同一な参照符号を使用する。
図3は本発明の他の実施形態による太陽電池を示した断面図である。
この実施形態では、多孔性膜13上に、金属酸化物粒子531を含む追加多孔性膜53が積層されて形成される。このような金属酸化物粒子531の平均の粒径は15nm乃至50nmで、多孔性膜13を構成する金属酸化物粒子131の平均の粒径より大きい。この時、金属酸化物粒子531の平均の粒径は15nm乃至40nmであるのがより好ましい。
このような追加多孔性膜53は、ナノメートル水準の金属酸化物粒子が分散したペーストをドクターブレード法、スクリーン印刷法、スピンコーティング法、スプレー法、湿式コーティング法などで塗布した後、適切に熱処理して形成されることができる。
このような追加多孔性膜53は、一回の工程で厚く形成することができるので、追加多孔性膜53は多孔性膜13より厚く形成される。追加多孔性膜53は5μm乃至40μmの厚さに形成され、10μm乃至30μmの厚さに形成されるのがより好ましい。しかし、本発明はこれに限定されない。
追加多孔性膜53は、多孔性膜13と同様に、チタニウム酸化物(titanium oxide)、亜鉛酸化物、スズ酸化物、ストロンチウム酸化物(strontium oxide)、インジウム酸化物(indium oxide)、イリジウム酸化物(iridium oxide)、ランタン酸化物(lanthan oxide)、バナジウム酸化物(vanadium oxide)、モリブデン酸化物(molybdenum oxide)、タングステン酸化物(tungsten oxide)、ニオブ酸化物(niobium oxide)、マグネシウム酸化物(magnesium oxide)、アルミニウム酸化物(aluminium oxide)、イットリウム酸化物(yttrium oxide)、スカンジウム酸化物(scandium oxide)、サマリウム酸化物(samarium oxide)、ガリウム酸化物(galluim oxide)、ストロンチウムチタニウム酸化物(strontium titanium oxide)などからなることができる。ここで、追加多孔性膜53の金属酸化物粒子531は、各々チタニウム酸化物であるTiO、スズ酸化物であるSnO、タングステン酸化物であるWO、亜鉛酸化物であるZnO、またはこれらの複合体などからなるのが好ましい。
そして、追加多孔性膜53の特性の向上のために、追加多孔性膜53に導電性微粒子及び光散乱子などをさらに添加することができる。追加多孔性膜53に添加される導電性微粒子は、励起電子の移動性を向上させる役割を果たすもので、一例として、インジウムスズ酸化物などがある。追加多孔性膜53に添加される光散乱子は、太陽電池内で移動する光の経路を延長させて、光電変換効率を向上させる役割を果たす。このような光散乱子は、追加多孔性膜53を構成する物質からなり、光散乱効果を考慮して、平均の粒径が100nm以上であるのが好ましい。このような微粒子及び光散乱子は、多孔性膜13にも添加されることができる。
このように、この実施形態では、平均の粒径が互いに異なる金属酸化物粒子を含む多孔性膜13及び追加多孔性膜53を順次に積層することにより、多孔性膜13の長所及び追加多孔性膜53の長所を兼ね備える。多孔性膜13で接触界面特性を向上させ、追加多孔性膜53で工程数を増加させずに十分な厚さに多孔性膜を形成することができる。
しかし、本発明はこれに限定されず、本発明では、多孔性膜13だけが形成されたり、別途の多孔性膜がさらに形成されることができ、複数の多孔性膜が多様な配置に形成されることができる。
この実施形態による太陽電池の製造方法は、多孔性膜13を形成する段階以後に、追加多孔性膜53を形成する段階をさらに含む。他の段階は、図2及びこれに関して説明した製造方法と同一なので、他の段階に対する説明は省略する。
追加多孔性膜53の形成時には、追加多孔性膜53の多孔性を向上させ、前記ペーストの分散性及び粘度を増加させて、追加多孔性膜53の成膜性及び接着性を向上させるために、ペーストにポリエチレン酸化物、ポリエチレングリコール(poly ethylene glycol)、ポリビニルアルコール(poly vinyl alcohol、PVA)、ポリビニルピロリドン(poly vinyl pyrrolidone、PVP)などを添加することができる。このような高分子は、熱処理後には除去されるものを使用するのが好ましい。
バインダーが添加された場合には、450ないし600℃で30分間熱処理することができ、バインダーが添加されない場合には、200℃以下で熱処理することができる。しかし、これは、ペーストの組成などによって異なることがあり、本発明はこれに限定されない。
このような太陽電池の製造方法によれば、接触界面特性が優れている多孔性膜13及び十分な厚さに形成することができる追加多孔性膜53を順次に形成して、効率特性及び工程特性を共に向上させることができる。
以下、この実施形態による太陽電池の実施例を参照して本発明をより詳細に説明する。このような実施例は、単に本発明を例示するためであり、本発明はこれに限定されない。特に、下記の実施例では、追加多孔性膜を形成したことを例示したが、これは、自己組立て方法で形成された多孔性膜の特性をより詳細に知り得るようにするためのものにすぎず、本発明はこれに限定されない。
実施例1
横1cm、縦1cmのガラスからなる第1基板にスズ酸化物からなって表面抵抗が10Ωである第1電極を形成した。
溶媒であるアセチルアセトンにブロック共重合体であるP123(BASF社)及びTiOの前駆体であるチタニウム4−イソプロポキシド(Ti 4−isopropoxide、TTIP)を添加して自己組立て用化合物を形成した。この時、自己組立て用化合物は、64重量%のアセチルアセトンに15重量%のP123及び21重量%のチタニウム4−イソプロポキシドを添加して形成した。このような自己組立て用化合物を第1電極上にディップコーティング法を利用して5mm/minの速度で塗布した。常温で1時間エイジング(aging)処理した後、450℃で30分間熱処理する焼成工程を経て、TiOを含む多孔性膜を形成した。このように形成された多孔性膜の厚さは150nmであった。
次に、平均の粒径が15nmであるTiO粒子が分散した分散液をドクターブレード法で塗布した後、TiOを含む追加多孔性膜を形成した。
このように第1電極、多孔性膜、及び追加多孔性膜が形成された第1基板を0.3mMのルテニウム(4,4−ジカルボキシ−2,2´−バイピリジン)(NCS)溶液に24時間浸漬させて、多孔性膜に染料を吸着させた。そして、染料が吸着した多孔性膜をエタノールで洗浄した。
横1cm、縦1cmのガラスからなる第2基板にスズ酸化物からなって表面抵抗が10Ωである透明電極、白金からなって表面抵抗が0.5Ωである触媒電極を形成して、第2電極を形成した。直径が0.75mのドリルを利用して、第2基板及び第2電極を貫通するホールを形成した。
第1基板に形成された多孔性膜及び第2電極が対向するように第1基板及び第2基板を配置させた後、第1電極及び第2電極間に60μmの厚さの熱可塑性高分子フィルムを位置させて100℃で9秒間プレスして、第1基板及び第2基板を圧着した。
第2基板及び第2電極を貫通するホールを通して電解質を注入して、熱可塑性高分子フィルム及びカバーガラスを利用してホールを密封することによって、太陽電池を製造した。この時、電解質としては、80体積%のエチレンカーボネート(ethylene carbonate)及び20体積%のアセトニトリル(acetonitrile)からなる混合溶媒100mlに21.928gのテトラプロピルアンモニウムアイオーダイド(tetrapropylammonium iodide)及び1.931gのヨード(I)を溶解した溶液を使用した。
比較例1
多孔性膜を形成せずに追加多孔性膜だけを形成したことを除いては、実施例1と同様な方法で太陽電池を製造した。
実施例1による太陽電池の自己組立て方法によって形成された多孔性膜の表面写真を図4に示した。そして、実施例1による太陽電池の第1電極、多孔性膜、及び追加多孔性膜の断面写真を図5Aに、比較例1による太陽電池の第1電極及び追加多孔性膜の断面写真を図5Bに示した。また、100mW/cmのゼノン(Xe)ランプ光源及びAM1.5フィルターを利用して、実施例及び比較例による太陽電池の電圧による電流を測定して、図6に示した。このような図6から評価された資料を整理して、表1に示した。
図4を参照すれば、実施例1で自己組立て方法によって形成された多孔性膜は、表面が非常に滑らかで、いかなる亀裂も発生せず、気孔が非常に微細で均一であることが分かる。多孔性膜を構成する金属酸化物粒子も非常に微細で均一であることが分かる。このような多孔性膜が第1電極と接触して形成されるので、多孔性膜及び第1電極の界面接触特性が優れている。
図5A及び図5Bを参照すれば、実施例1では多孔性膜の表面及び第1電極間の界面接触特性が非常に優れている反面、比較例1では追加多孔性膜及び第1電極間の界面接触特性が劣っている部分が存在することが分かる。これは、比較例1の多孔性膜の形成工程中の熱処理によって金属酸化物粒子が集積して、200nm乃至1000nmの粒径の集合体が存在するので、このような集合体によって界面接触特性が低下するためである。
図6及び表1を参照すれば、実施例1による太陽電池は、短絡電流密度が比較例1による太陽電池に比べて非常に優れていることが分かる。これは、実施例1による太陽電池は、多孔性膜及び第1電極の界面接触特性が向上するので、染料で生成されて多孔性膜に伝達された励起電子が第1電極によりよく移動することができるためである。
また、このような短絡電流密度の向上によって、実施例1による太陽電池は、比較例1による太陽電池より効率がはるかに高いことが分かる。
実施例2
多孔性膜の形成時に、89.2重量%のアセチルアセトンに4.5重量%のP123及び6.3重量%のチタニウム4−イソプロポキシドを添加して自己組立て用化合物を形成し、このような自己組立て用化合物の焼成工程が350℃で行われるという点を除いては、実施例1と同様な方法で太陽電池を製造した。
実施例3
多孔性膜の形成時に、焼成工程が400℃で行われるという点を除いては、実施例2と同様な方法で太陽電池を製造した。
実施例4
多孔性膜の形成時に、焼成工程が450℃で行われるという点を除いては、実施例2と同様な方法で太陽電池を製造した。
実施例5
多孔性膜の形成時に、焼成工程が500℃で行われるという点を除いては、実施例2と同様な方法で太陽電池を製造した。
比較例2
多孔性膜の形成時に、焼成工程が300℃で行われるという点を除いては、実施例2と同様な方法で太陽電池を製造した。
比較例3
多孔性膜の形成時に、焼成工程が550℃で行われるという点を除いては、実施例2と同様な方法で太陽電池を製造した。
前記実施例2乃至5、及び比較例2及び3によって製造された太陽電池の多孔性膜を構成する金属酸化物粒子の平均の粒径を測定した。100mW/cmのゼノン(Xe)ランプ光源及びAM1.5フィルターを利用して、実施例及び比較例による太陽電池の電圧による電流を測定して、その結果を評価して表2に示した。
表2には比較例2に対する資料を記載しなかったが、これは、比較例2のように焼成工程を300℃で行った場合には、焼成温度が低くて高分子物質が飛散しないので、多孔性膜が形成されなかったためである。つまり、多孔性膜を構成する金属酸化物粒子の平均の粒径は焼成温度が低くなるほど小さくなるが、焼成温度を一定の温度以下に低下させて平均の粒径が5nm未満の金属酸化物粒子を形成するのは、実質的に難しいことが分かる。
そして、表2を参照すれば、実施例2乃至5による太陽電池は、短絡電流密度が比較例3による太陽電池に比べて非常に優れていることが分かる。これは、実施例2乃至5による太陽電池は、多孔性膜の粒径が均一で、多孔性膜及び第1電極の界面接触特性が向上するので、染料で生成されて多孔性膜に伝達された励起電子が第1電極によりよく移動することができるためである。また、比較例3でのように金属酸化物粒子の平均の粒径が大きい場合には、染料の吸着量が減少して、効率が低下することがある。
このような理由で、実施例2乃至5による太陽電池は、比較例3による太陽電池より効率がはるかに高いことが分かる。つまり、金属酸化物粒子の平均の粒径が5nm乃至14nmである場合に、効率が高いことが分かる。
実施例6
多孔性膜の形成時に、89.2重量%のアセチルアセトンに4.5重量%のP123及び6.3重量%のチタニウム4−イソプロポキシドを添加して自己組立て用化合物を形成した点を除いては、実施例4と同様な方法で太陽電池を製造した。
実施例7
多孔性膜の形成時に、73.4重量%のアセチルアセトンに11.083重量%のP123及び15.517重量%のチタニウム4−イソプロポキシドを添加して自己組立て用化合物を形成した点を除いては、実施例4と同様な方法で太陽電池を製造した。
実施例8
多孔性膜の形成時に、70重量%のアセチルアセトンに12.5重量%のP123及び17.5重量%のチタニウム4−イソプロポキシドを添加して自己組立て用化合物を形成した点を除いては、実施例4と同様な方法で太陽電池を製造した。
実施例9
多孔性膜の形成時に、60重量%のアセチルアセトンに16.677重量%のP123及び23.355重量%のチタニウム4−イソプロポキシドを添加して自己組立て用化合物を形成した点を除いては、実施例4と同様な方法で太陽電池を製造した。
比較例4
多孔性膜の形成時に、94重量%のアセチルアセトンに2.5重量%のP123及び3.5重量%のチタニウム4−イソプロポキシドを添加して自己組立て用化合物を形成した点を除いては、実施例4と同様な方法で太陽電池を製造した。
比較例5
多孔性膜の形成時に、52重量%のアセチルアセトンに20重量%のP123及び28重量%のチタニウム4−イソプロポキシドを添加して自己組立て用化合物を形成した点を除いては、実施例4と同様な方法で太陽電池を製造した。
前記実施例4、6乃至9、比較例4及び5では、アセチルアセトンの重量%は変化したが、P123の重量比:チタニウム4−イソプロポキシドの重量比の比率は5:7で同一であった。
前記実施例4、6乃至9、及び比較例4及び5によって製造された太陽電池の多孔性膜の平均の気孔の大きさを測定した。100mW/cmのゼノン(Xe)ランプ光源及びAM1.5フィルターを利用して、実施例4、6乃至9、及び比較例4及び5による太陽電池の電圧による電流を測定して、その結果を評価して表3に示した。表3では、溶媒の重量%が増加する実施例の順に記載した。
表3を参照すれば、まず、溶媒の重量%が減少するのに伴って多孔性膜の平均の気孔の大きさが順次に大きくなることが分かる。これは、自己組立て用化合物の粘度によって多孔性膜の平均の気孔の大きさが影響を受けたためであると予測される。
そして、表3を参照すれば、実施例4、6乃至9による太陽電池は、短絡電流密度及び効率が比較例4及び5による太陽電池に比べて非常に優れていることが分かる。これは、比較例4のように平均の気孔の大きさが小さすぎる場合には電解質の移動が難しく、比較例5のように平均の気孔の大きさが大きすぎる場合には多孔性膜を構成する金属酸化物粒子のネッキング特性が低下するためである。
実施例10
自己組立て方法で形成される多孔性膜を750nmの厚さに形成したことを除いては、実施例1と同様な方法で太陽電池を製造した。
実施例11
自己組立て方法で形成される多孔性膜を1070nmの厚さに形成したことを除いては、実施例1と同様な方法で太陽電池を製造した。
実施例12
自己組立て方法で形成される多孔性膜を1320nmの厚さに形成したことを除いては、実施例1と同様な方法で太陽電池を製造した。
前記実施例10及び11による太陽電池の第1電極、多孔性膜、及び追加多孔性膜の断面写真を図7及び8に各々示し、実施例12による太陽電池の第1電極及び多孔性膜の断面写真を図9に示した。実施例10乃至12の多孔性膜は、非常に微細な金属酸化物粒子から構成されて、気孔の大きさが均一であることが分かる。この時、実施例11及び12で自己組立て方法によって形成された多孔性膜よりは、実施例10で自己組立て方法によって形成されて、厚さが1000nm以下である多孔性膜がより安定的であることが分かる。
前記では、本発明の実施形態及び実施例について説明したが、本発明はこれに限定されず、特許請求の範囲、発明の詳細な説明、及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属する。
本発明の一実施形態による太陽電池を示した断面図である。 図1に示された太陽電池の製造方法を示したフローチャートである。 本発明の他の実施形態による太陽電池を示した断面図である。 本発明の実施例1による太陽電池の自己組立て方法によって形成された多孔性膜の表面写真である。 本発明の実施例1による太陽電池の第1電極、多孔性膜、及び追加多孔性膜の断面写真である。 比較例1による太陽電池の第1電極及び追加多孔性膜の断面写真である。 本発明の実施例1及び比較例1による太陽電池の電圧による電流を各々測定して示したグラフである。 本発明の実施例10による太陽電池の第1電極、多孔性膜、及び追加多孔性膜の断面写真である。 本発明の実施例11による太陽電池の第1電極、多孔性膜、及び追加多孔性膜の断面写真である。 本発明の実施例12による太陽電池の第1電極及び多孔性膜の断面写真である。
符号の説明
10 第1基板
11 第1電極
13 多孔性膜
131、531 金属酸化物粒子
15 染料
20 第2基板
21 第2電極
21a 透明電極
21b 触媒電極
25a ホール
30 電解質
41、42 接着剤
43 カバーガラス
53 追加多孔性膜

Claims (31)

  1. 電極;及び
    前記電極に形成されて、金属酸化物粒子を含む多孔性膜;を含み、
    前記金属酸化物粒子の平均の粒径は5nm乃至14nmである、太陽電池。
  2. 前記多孔性膜の平均の気孔の大きさは7.5nm乃至15nmである、請求項1に記載の太陽電池。
  3. 前記多孔性膜の厚さは10nm乃至3000nmである、請求項1に記載の太陽電池。
  4. 前記多孔性膜の厚さは10nm乃至1000nmである、請求項1に記載の太陽電池。
  5. 前記金属酸化物粒子は、チタニウム酸化物、亜鉛酸化物、スズ酸化物、ストロンチウム酸化物、インジウム酸化物、イリジウム酸化物、ランタン酸化物、バナジウム酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、ニオブ酸化物、マグネシウム酸化物、アルミニウム酸化物、イットリウム酸化物、スカンジウム酸化物、サマリウム酸化物、ガリウム酸化物、ストロンチウムチタニウム酸化物、及びこれらの組合わせからなる群から選択された少なくともいずれか一つを含む、請求項1に記載の太陽電池。
  6. 前記金属酸化物粒子は、チタニウム酸化物、スズ酸化物、タングステン酸化物、及び亜鉛酸化物からなる群から選択された少なくともいずれか一つを含む、請求項5に記載の太陽電池。
  7. 前記多孔性膜上に形成されて、金属酸化物粒子を含む追加多孔性膜をさらに含み、
    前記多孔性膜の金属酸化物の平均の粒径より前記追加多孔性膜の金属酸化物の平均の粒径がより大きい、請求項1に記載の太陽電池。
  8. 前記追加多孔性膜の金属酸化物粒子の平均の粒径は15nm乃至50nmである、請求項7に記載の太陽電池。
  9. 前記多孔性膜の厚さより前記追加多孔性膜の厚さがより厚い、請求項7に記載の太陽電池。
  10. 前記追加多孔性膜の厚さは5μm乃至40μmである、請求項7に記載の太陽電池。
  11. 電極;及び
    前記電極に形成されて、金属酸化物粒子を含む多孔性膜;を含み、
    前記多孔性膜の平均の気孔の大きさは7.5nm乃至15nmである、太陽電池。
  12. 前記金属酸化物粒子の平均の粒径は5nm乃至14nmである、請求項11に記載の太陽電池。
  13. 前記多孔性膜の厚さは10nm乃至3000nmである、請求項11に記載の太陽電池。
  14. 前記多孔性膜の厚さは10nm乃至1000nmである、請求項13に記載の太陽電池。
  15. 前記金属酸化物粒子は、チタニウム酸化物、亜鉛酸化物、スズ酸化物、ストロンチウム酸化物、インジウム酸化物、イリジウム酸化物、ランタン酸化物、バナジウム酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、ニオブ酸化物、マグネシウム酸化物、アルミニウム酸化物、イットリウム酸化物、スカンジウム酸化物、サマリウム酸化物、ガリウム酸化物、ストロンチウムチタニウム酸化物、及びこれらの組合わせからなる群から選択された少なくともいずれか一つを含む、請求項11に記載の太陽電池。
  16. 前記金属酸化物粒子は、チタニウム酸化物、スズ酸化物、タングステン酸化物、及び亜鉛酸化物からなる群から選択された少なくともいずれか一つを含む、請求項15に記載の太陽電池。
  17. 前記多孔性膜上に形成されて、金属酸化物粒子を含む追加多孔性膜をさらに含み、
    前記多孔性膜の金属酸化物の平均の粒径より前記追加多孔性膜の金属酸化物の平均の粒径がより大きい、請求項11に記載の太陽電池。
  18. 前記追加多孔性膜の金属酸化物粒子の平均の粒径は15nm乃至50nmである、請求項17に記載の太陽電池。
  19. 前記多孔性膜の厚さより前記追加多孔性膜の厚さがより厚い、請求項17に記載の太陽電池。
  20. 前記追加多孔性膜の厚さは5μm乃至40μmである、請求項17に記載の太陽電池。
  21. 電極;及び
    前記電極に順次に積層されて、金属酸化物粒子を含む第1多孔性膜及び第2多孔性膜;を含み、
    前記第1多孔性膜の金属酸化物粒子の平均の粒径は前記第2多孔性膜の金属酸化物粒子の平均の粒径より小さい、太陽電池。
  22. 前記第1多孔性膜の金属酸化物粒子の平均の粒径は5nm乃至14nmである、請求項21に記載の太陽電池。
  23. 前記第1多孔性膜の平均の気孔の大きさは7.5nm乃至15nmである、請求項21に記載の太陽電池。
  24. 自己組立て方法で多孔性膜を形成する段階を含む、太陽電池の製造方法。
  25. 前記多孔性膜を形成する段階は、
    自己組立て用化合物を形成する段階;
    前記自己組立て用化合物を電極に塗布する段階;及び
    前記塗布された自己組立て用化合物を熱処理する段階;を含む、請求項24に記載の太陽電池の製造方法。
  26. 前記自己組立て用化合物は、溶媒、ブロック共重合体、及び金属酸化物の前駆体を含む、請求項25に記載の太陽電池の製造方法。
  27. 前記溶媒は、アセチルアセトン、アルコール、及びこれらの組合わせからなる群から選択される、請求項26に記載の太陽電池の製造方法。
  28. 前記ブロック共重合体は、ポリエチレン酸化物及びポリプロピレン酸化物を含む、請求項26に記載の太陽電池の製造方法。
  29. 前記金属酸化物の前駆体は、アルコキシ化物、塩化物、及びこれらの組合わせから群から選択される、請求項26に記載の太陽電池の製造方法。
  30. 前記自己組立て用化合物は、ディップコーティング法、スピンコーティング法、及び電気化学コーティング法からなる群から選択されたいずれか一つの方法によって塗布される、請求項25に記載の太陽電池の製造方法。
  31. 前記塗布された化合物を熱処理する段階以後に、金属酸化物粒子が分散したペーストを塗布して追加多孔性膜を形成する段階をさらに含む、請求項25に記載の太陽電池の製造方法。
JP2006300814A 2005-11-03 2006-11-06 太陽電池及びその製造方法 Pending JP2007128895A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050104883A KR100786868B1 (ko) 2005-11-03 2005-11-03 태양 전지 및 이의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007128895A true JP2007128895A (ja) 2007-05-24

Family

ID=37680657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006300814A Pending JP2007128895A (ja) 2005-11-03 2006-11-06 太陽電池及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20070095390A1 (ja)
EP (1) EP1783793A3 (ja)
JP (1) JP2007128895A (ja)
KR (1) KR100786868B1 (ja)
CN (1) CN101030605A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011213505A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Osaka Gas Co Ltd 酸化チタンナノ粒子集合体
JP2015064944A (ja) * 2013-09-24 2015-04-09 学校法人同志社 色素増感型光電変換素子の光入射側電極の製造法
CN107963890A (zh) * 2017-11-30 2018-04-27 武汉理工大学 一种氮化钛多孔导电陶瓷的制备方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100839371B1 (ko) * 2006-11-17 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 염료감응 태양전지
TW200905939A (en) * 2007-07-19 2009-02-01 Univ Nat Yunlin Sci & Tech A dye-sensitized solar cell
KR100911381B1 (ko) * 2007-07-31 2009-08-10 한국전자통신연구원 다공성 박막의 제조 방법, 이를 이용하는 염료감응태양전지 및 그 제조 방법
KR100927660B1 (ko) 2007-10-16 2009-11-20 한국전자통신연구원 염료 감응 태양 전지 및 그 제조 방법
EP2237362A4 (en) * 2007-12-11 2013-02-27 Nippon Steel Chemical Co COLORAN-SENSITIZED SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
KR20090076408A (ko) * 2008-01-08 2009-07-13 삼성에스디아이 주식회사 이종상 백금 촉매 및 이를 이용한 태양전지
US7964499B2 (en) * 2008-05-13 2011-06-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming semiconductor solar cells having front surface electrodes
KR101111960B1 (ko) 2008-12-04 2012-06-12 한국전자통신연구원 플렉서블 에너지 변환소자 및 이의 제조방법
US20110108111A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Nam-Choul Yang Photoelectric conversion device
KR20110101973A (ko) * 2010-03-10 2011-09-16 삼성에스디아이 주식회사 광전변환소자 및 그 제조방법
KR101113658B1 (ko) 2010-03-18 2012-02-14 현대자동차주식회사 표면안정제로 개질된 이산화티탄 나노 입자, 이를 포함하는 이산화티탄 나노 잉크, 이를 사용하여 제조되는 태양전지, 및 그의 제조방법
US20110277807A1 (en) * 2010-05-14 2011-11-17 Nam-Choul Yang Photoelectric conversion module
KR101128568B1 (ko) * 2010-07-14 2012-03-23 삼성전기주식회사 태양전지 모듈 및 그 제조 방법, 그리고 상기 태양전지 모듈을 구비하는 모바일 장치 및 그 제조 방법
JP6058418B2 (ja) * 2012-03-26 2017-01-11 株式会社東芝 蓄電池用基板及び蓄電池
WO2014046117A1 (ja) * 2012-09-18 2014-03-27 学校法人東京理科大学 色素増感太陽電池用対極および色素増感太陽電池
US20150083201A1 (en) * 2013-09-26 2015-03-26 Compas Industries Llc Hybrid solar cell
US20150146316A1 (en) * 2013-11-22 2015-05-28 U.S. Army Research Laboratory Attn: Rdrl-Loc-I Optical filter and method for making the same
US20160163901A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-09 Benjamin Ian Hsia Laser stop layer for foil-based metallization of solar cells
CN110857463B (zh) * 2018-08-23 2021-07-13 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种二氧化钒多孔复合薄膜及其制备方法和应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002319439A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 光電気セル
JP2003317814A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Shozo Yanagida 光起電力セル電池

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6538194B1 (en) * 1998-05-29 2003-03-25 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Photoelectric cell and process for producing metal oxide semiconductor film for use in photoelectric cell
US6677516B2 (en) * 2001-01-29 2004-01-13 Sharp Kabushiki Kaisha Photovoltaic cell and process for producing the same
KR100462006B1 (ko) * 2001-03-30 2004-12-17 태원필 산화주석/산화티타늄 이중산화물반도체 전극 및 색소증감 태양전지
US6412658B1 (en) * 2001-06-01 2002-07-02 Imx Labs, Inc. Point-of-sale body powder dispensing system
EP1271580B1 (en) * 2001-06-29 2013-07-03 Imra Europe S.A. A photo-electrochemical cell of improved photon conversion efficiency
US20030230335A1 (en) * 2002-06-17 2003-12-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Methods for producing titanium oxide sol and fine titanium oxide particles, and photoelectric conversion device
US7291782B2 (en) * 2002-06-22 2007-11-06 Nanosolar, Inc. Optoelectronic device and fabrication method
EP1463073A1 (en) * 2003-03-24 2004-09-29 Sony International (Europe) GmbH Porous film having a gradient of light scattering strength
KR100578798B1 (ko) * 2003-12-12 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법
JP4665426B2 (ja) 2004-04-12 2011-04-06 凸版印刷株式会社 色素増感太陽電池及びその製造方法
EP1589548A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-26 Sony Deutschland GmbH A method of producing a porous semiconductor film on a substrate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002319439A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 光電気セル
JP2003317814A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Shozo Yanagida 光起電力セル電池

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011213505A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Osaka Gas Co Ltd 酸化チタンナノ粒子集合体
JP2015064944A (ja) * 2013-09-24 2015-04-09 学校法人同志社 色素増感型光電変換素子の光入射側電極の製造法
CN107963890A (zh) * 2017-11-30 2018-04-27 武汉理工大学 一种氮化钛多孔导电陶瓷的制备方法
CN107963890B (zh) * 2017-11-30 2020-09-01 武汉理工大学 一种氮化钛多孔导电陶瓷的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20070095390A1 (en) 2007-05-03
CN101030605A (zh) 2007-09-05
EP1783793A3 (en) 2007-10-31
KR20070047954A (ko) 2007-05-08
EP1783793A2 (en) 2007-05-09
KR100786868B1 (ko) 2007-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007128895A (ja) 太陽電池及びその製造方法
JP4958576B2 (ja) 染料感応太陽電池用高分子ゲル電解質組成物、染料感応太陽電池及び染料感応太陽電池の製造方法
KR20070050566A (ko) 염료 감응형 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR100578798B1 (ko) 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법
KR101042959B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
US20080202583A1 (en) Dye-sensitized solar cell and method of manufacturing same
JP5118805B2 (ja) 色素増感太陽電池及び色素増感太陽電池モジュール
KR100589323B1 (ko) 광 흡수파장대가 확장된 염료감응 태양전지 및 그 제조방법
KR101243915B1 (ko) 광전극 구조체의 제조방법
KR20080006735A (ko) 촉매 담지 탄소나노튜브를 이용한 태양전지 및 그 제조방법
JP2008130553A (ja) 染料感応太陽電池及び染料感応太陽電池の製造方法
KR101146673B1 (ko) 염료감응 태양전지용 전극, 그 제조방법 및 이를 이용한 염료감응 태양전지
WO2004109840A1 (ja) 電極およびその形成方法ならびに光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法
JP4887664B2 (ja) 多孔質構造体の製造方法及び光電変換素子の製造方法
JP2005135902A (ja) 色素増感型太陽電池
JP5095126B2 (ja) 光電変換素子
JP2015069824A (ja) 積層体、色素増感太陽電池用アノード電極および色素増感太陽電池ならびに積層体の製造方法
KR20130043709A (ko) 잉크젯 인쇄용 전극조성물 및 이를 이용한 염료감응 태양전지용 전극 제조방법
KR101408888B1 (ko) 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법
JP2006302618A (ja) 色素増感型太陽電池
US20120305067A1 (en) Method of manufacturing photoelectrode structure and the resulting photoelectrode structure
JP2006216513A (ja) 色素増感型太陽電池
JP2017183499A (ja) 色素増感型太陽電池の製造方法
KR20130081466A (ko) 염료감응 태양전지
JP2011171133A (ja) 色素増感型太陽電池用カソード電極

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100622

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101116