KR20070047954A - 태양 전지 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고효율을 실현할 수 있는 구조의 태양 전지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 형태에 따른 태양 전지는, 전극 및 상기 전극에 형성되며 금속 산화물 입자들을 포함하는 다공성막을 포함한다. 상기 금속 산화물 입자들의 평균 입경이 5nm 내지 14nm일 수 있다.
염료, 태양 전지, 다공성막, 금속 산화물
Description
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 태양 전지의 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 1의 태양 전지에서 자기 조립 방법에 의해 형성된 다공성막의 표면 사진이다.
도 5a는 본 발명의 실시예 1의 태양 전지에서 제1 전극, 다공성막 및 추가 다공성막의 단면 사진이다.
도 5b는 비교예 1의 태양 전지에서 제1 전극과 추가 다공성막의 단면 사진이다.
도 6은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1의 태양 전지에서 전압에 따른 전류를 각기 측정하여 도시한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예 10의 태양 전지에서 제1 전극, 다공성막 및 추가 다공성막의 단면 사진이다.
도 8은 본 발명의 실시예 11의 태양 전지에서 제1 전극, 다공성막 및 추가 다공성막의 단면 사진이다.
도 9는 본 발명의 실시예 12의 태양 전지에서 제1 전극 및 다공성막의 단면 사진이다.
본 발명은 태양 전지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고효율을 실현할 수 있는 구조의 태양 전지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
태양 전지는 태양 에너지를 이용하여 전기 에너지를 생성하는 전지로서, 친환경적이고 에너지원이 무한할 뿐만 아니라 수명이 긴 장점이 있다. 이러한 태양 전지로는 실리콘 태양 전지, 염료 감응 태양 전지 등이 있다.
염료 감응 태양 전지는 실리콘 태양 전지에 비해 광전변환 효율이 우수하고 가격이 저렴하며, 플렉서블하게 제조가 가능하다. 또한, 투명한 전극을 사용하여 건물 외벽이나 유리 온실 등에 적용할 수 있는 장점이 있다.
그러나, 이러한 태양 전지의 광전변환 효율 또한 높은 수준이 아니어서 태양 전지의 상용화에는 아직 어려움이 있다. 광전변환 효율을 향상시키기 위해 많은 연구가 진행중이나, 대부분의 연구가 새로운 염료 개발 등의 분야로 한정되어 있다. 이에 태양 전지의 광전변환 효율 향상을 위한 새로운 기술 개발이 절실히 요청되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 점에 착안한 것으로, 본 발명의 목적은 전자 집전을 향상시켜 광전변환 효율을 향상시킬 수 있는 태양 전지 및 이의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 형태에 따른 태양 전지는, 전극 및 상기 전극에 형성되며 금속 산화물 입자들을 포함하는 다공성막을 포함한다. 상기 금속 산화물 입자들의 평균 입경이 5nm 내지 14nm이다. 그리고, 상기 다공성막의 평균 기공 크기가 7.5nm 내지 15nm이다.
상기 다공성막의 두께가 10nm 내지 3000nm일 수 있고, 이 때 10nm 내지 1000nm인 것이 바람직하다.
상기 다공성막 위에 형성되며 금속 산화물 입자들을 포함하는 추가 다공성막을 더 포함하고, 상기 다공성막의 금속 산화물의 평균 입경보다 상기 추가 다공성막의 금속 산화물의 평균 입경이 더 클 수 있다.
상기 추가 다공성막의 금속 산화물 입자의 평균 입경이 15nm 내지 50nm일 수 있다.
상기 다공성막보다 상기 추가 다공성막이 두껍게 형성될 수 있고, 상기 추가 다공성막의 두께가 5㎛ 내지 40㎛일 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 자기 조립 방법으로 다공성막을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 다공성막을 형성하는 단계는, 자기 조립용 화합물을 형성하는 단계, 상기 자기 조립용 화합물을 전극에 도포하는 단계, 및 상기 도포된 자기 조립용 화합 물에 열처리를 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 자기 조립용 화합물은 용매, 블록 공중합체 및 금속 산화물의 전구체를 포함할 수 있다. 상기 용매는 아세틸 아세톤, 알콜 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 블록 공중합체는 폴리 에틸렌 산화물 및 폴리 프로필렌 산화물을 포함할 수 있고, 상기 금속 산화물의 전구체는 알콕시화물, 염화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 자기 조립용 화합물은 딥 코팅법, 스핀 코팅법 및 전기 화학 코팅법으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 방법에 의해 도포될 수 있다.
상기 도포된 화합물에 열처리를 수행하는 단계 이후에, 금속 산화물 입자가 분산된 페이스트를 도포하여 또 다른 다공성막을 형성하는 단계가 더 수행될 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 형태에 따른 태양 전지를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 태양 전지는 제1 전극(11), 다공성막(13) 및 염료(15)가 형성되는 제1 기판(10)과 제2 전극(21)이 형성되는 제2 기판(20)이 서로 대향 배치되고, 제1 전극(11)과 제2 전극(21) 사이에 전해질(30)이 위치하여 구성된다. 제1 기판(10)과 제2 기판(20)의 외측으로 별도의 케이스(도시하지 않음)가 배치될 수 있다. 이에 대하여 좀더 상세하게 설명한다.
본 실시 형태에서 제1 전극(11)을 지지하는 지지체 역할을 하는 제1 기판 (10)은 외부광의 입사가 가능하도록 투명하게 형성된다. 이에 제1 기판(10)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 플라스틱의 구체적인 예로는 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(poly ethylene terephthalate, PET), 폴리 에틸렌 나프탈레이트(poly ethylene naphthalate, PEN), 폴리 카보네이트(poly carbonate, PC), 폴리 프로필렌(poly propylene, PP), 폴리 이미드(poly imide, PI), 트리 아세틸 셀룰로오스(tri acetyl cellulose, TAC) 등을 들 수 있다.
제1 기판(10)에 형성되는 제1 전극(11)은 인듐 틴 산화물(indium tin oxide, ITO), 프루오르 틴 산화물(fluorine tin oxide, FTO), 안티몬 틴 산화물(antimony tin oxide, ATO), 징크 산화물(zinc oxide), 틴 산화물(tin oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3 등의 투명 물질로 이루어질 수 있다. 제1 전극(11)은 상기 투명 물질의 단일막 또는 적층막으로 이루어질 수 있다.
제1 전극(11) 위에는 다공성막(13)이 형성된다. 이러한 다공성막(13)은 자기 조립 방법에 의해 형성된 매우 미세하고 균일한 평균 입경을 가지는 금속 산화물 입자들(131)을 포함한다. 그리고, 다공성막(13)은 기공 크기 또한 매우 미세하고 균일하여 나노 다공성(nanoporous) 특성을 가질 수 있다.
이 때, 다공성막(13)의 금속 산화물 입자들(131)의 평균 입경은 5nm 내지 14nm의 범위에 속할 수 있다. 이러한 금속 산화물의 입자들(131)의 평균 입경은 다공성막(13)의 형성을 위해 수행되는 소성 공정의 온도에 의해 조절될 수 있다.
여기서, 금속 산화물 입자들(131)의 평균 입경이 5nm 미만인 경우에는 상기 소성 공정의 온도가 낮아서 안정적인 다공성막(13)을 형성하는데 어려움이 있다. 그리고, 금속 산화물 입자들(131)의 평균 입경이 14nm를 초과하는 경우에는 상기 소성 공정의 온도가 높아 다공성막(13)이 형성되는 제1 기판(10)이 휘는 문제가 있다. 또한, 금속 산화물 입자들(131)의 네킹(necking) 특성이 저하되어 염료(15) 흡착량이 저하될 수 있고, 이에 따라 효율이 저하될 수 있다.
즉, 본 실시 형태에서는 미세하고 균일한 평균 입경의 금속 산화물 입자들(131)을 포함하는 다공성막(13)을 제1 전극(11) 상에 형성하여, 금속 산화물 입자들(131) 사이의 네킹 특성을 향상시키면서 금속 산화물 입자들(131)과 제1 전극(11) 사이의 접촉 계면 특성을 향상시킬 수 있다. 결과적으로, 다공성막(13)과 제1 전극(11) 사이의 접촉 계면 특성을 향상시킬 수 있다.
그리고, 다공성막(13)의 평균 기공 크기는 7.5nm 내지 15nm의 범위에 속할 수 있다. 다공성막(13)의 평균 기공 크기가 7.5nm 미만일 경우에는 전해질(30)의 이동이 어려울 수 있으며, 평균 기공 크기가 15nm를 초과하는 경우에는 금속 산화물 입자들(131)의 네킹 특성이 저하되는 문제가 있다. 이와 같이 본 실시 형태에서는 다공성막(13)이 적절한 평균 기공 크기를 가짐에 따라, 전해질(30)의 이동을 용이하게 하면서 금속 산화물 입자들(131)의 네킹 특성을 향상시킬 수 있다.
본 실시 형태에서, 다공성막(13)은 10nm 내지 3000nm의 두께를 가질 수 있다. 다공성막(13)의 두께가 10nm 미만인 경우에는 다공성막(13)의 기능을 수행하는 데 어려움이 있을 수 있으며, 다공성막(13)의 두께가 3000nm를 초과하는 경우에는 다수의 공정을 반복하여야만 다공성막(13)을 형성할 수 있으므로 공정이 복잡해질 수 있다. 이 때, 일회의 공정으로 형성할 수 있으며 보다 안정적인 다공성막(13)을 형성하기 위하여 다공성막(13)의 두께가 10nm 내지 1000nm인 것이 더 바람직하다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니며 상기 두께는 기술 발전 등에 의해 변화될 수 있음은 물론이다.
금속 산화물 입자들(131)은 티타늄 산화물(titanium oxide), 징크 산화물, 틴 산화물, 스트론튬 산화물(strontium oxide), 인듐 산화물(indium oxide), 이리듐 산화물(iridium oxide), 란탄 산화물(lanthan oxide), 바나듐 산화물(vanadium oxide), 몰리브덴 산화물(molybdenum oxide), 텅스텐 산화물(tungsten oxide), 니오브 산화물(niobium oxide), 마그네슘 산화물(magnesium oxide), 알루미늄 산화물(aluminium oxide), 이트륨 산화물(yttrium oxide), 스칸듐 산화물(scandium oxide), 사마륨 산화물(samarium oxide), 갈륨 산화물(galluim oxide), 스트론튬 티타늄 산화물(strontium titanium oxide)등으로 이루어질 수 있다. 여기서, 금속 산화물 입자들(131)은 티타늄 산화물인 TiO2, 틴 산화물인 SnO2, 텅스텐 산화물인 WO3, 징크 산화물 ZnO, 또는 이들의 복합체 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
이러한 다공성막(13)의 표면에는 외부광을 흡수하여 여기 전자를 생성하는 염료(15)가 흡착된다. 염료(15)는 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 유로퓸(Eu), 납(Pb), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru) 등을 포함하는 금속 복합체로 이루어질 수 있다. 여기서, 루테늄은 백금족에 속하는 원소로서 많은 유기 금속 복합체를 형성할 수 있어, 루테늄을 포함하는 염료가 일반적으로 많이 사용된다. 또한, 유기 색 소 등을 포함하는 염료가 사용될 수 있는데, 이러한 유기 색소로는 쿠마린(coumarin), 포피린(porphyrin), 키산틴(xanthene), 리보플라빈(riboflavin), 트리 페닐 메탄(tri phenyl methan) 등이 있다.
한편, 제1 기판(10)에 대향 배치되는 제2 기판(20)은 제2 전극(21)을 지지하는 지지체 역할을 하는 것으로, 투명하게 형성될 수 있다. 이에 제2 기판(20)은 제1 기판(10)과 같이 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 플라스틱의 구체적인 예로 폴리 에틸렌 테레프탈레이트, 폴리 에틸렌 나프탈레이트, 폴리 카보네이트, 폴리 프로필렌, 폴리 이미드, 트리 아세틸 셀룰로오스 등을 들 수 있다.
제2 기판(20)에 형성되는 제2 전극(21)은 제1 전극(11)과 대향 배치되도록 형성되며, 투명 전극(21a)과 촉매 전극(21b)을 포함할 수 있다. 투명 전극(21a)은 인듐 틴 산화물, 프루오르 틴 산화물, 안티몬 틴 산화물, 징크 산화물, 틴 산화물, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3 등의 투명 물질로 이루어질 수 있다. 이 때 투명 전극(21a)은 상기 투명 물질의 단일막 또는 적층막으로 이루어질 수 있다. 촉매 전극(21b)은 산화-환원 쌍(redox couple)을 활성화시키는 역할을 하는 것으로, 백금, 루테늄, 팔라듐. 이리듐, 로듐(Rh), 오스뮴(Os), 탄소(C), WO3, TiO2 등으로 이루질 수 있다.
상기 제1 기판(10)과 제2 기판(20)은 접착제(41)에 의해 접합되고, 제2 기판(20)과 제2 전극(21)을 관통하는 홀(25a)을 통해 전해질(30)이 주입되어 제1 전극(11)과 제2 전극(21) 사이에 전해질(30)이 함침된다. 이러한 전해질(30)은 다공성막(13)의 내부로 균일하게 분산된다. 전해질(30)은 산화 환원에 의해 제2 전극(21) 으로부터 전자를 받아 염료(15)에 전달하는 역할을 수행한다. 제2 기판(20) 및 제2 전극(21)을 관통하는 홀(25a)은 접착제(42) 및 커버 글라스(43)에 의해 밀봉된다. 본 실시 형태에서는 전해질(30)이 액상으로 이루어진 것을 설명하였으나, 본 발명에는 고상의 전해질이 적용될 수 있으며 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
이러한 태양 전지는 태양 전지의 내부로 태양광 등의 외부광이 입사되면, 광양자가 염료(15)에 흡수되어 염료가 기저 상태에서 여기 상태로 전이되어 여기 전자를 생성한다. 여기 전자는 다공성막(13)의 금속 산화물 입자(131)의 전도대로 주입된 후 제1 전극(11)을 거쳐 외부 회로(도시하지 않음)로 흐른 다음 제2 전극(21)으로 이동한다. 한편, 전해질(30) 내의 요오드화물이 삼요오드화물로 산화함에 따라 산화된 염료(15)가 환원되고, 삼요오드화물은 제2 전극(21)에 도달된 전자와 환원 반응을 하여 요오드화물로 환원된다. 이러한 전자의 이동에 의해 태양 전지가 작동하게 된다.
염료 감응 태양 전지는 다른 태양 전지, 일례로 실리콘 태양 전지와 달리 계면 반응을 통해 작동하므로 접촉 계면 특성의 개선이 매우 중요하다. 본 실시 형태에서는, 균일하고 미세한 금속 산화물 입자들(131)을 포함하는 다공성막(13)을 제1 전극(11)에 형성하여 제1 전극(11)과 다공성막(13)의 접촉 계면 특성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라 전류 집전을 극대화하여 광전변환 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 다공성막(13)의 평균 기공 크기가 최적화된 값을 가지도록 하여, 전해질(30)의 이동을 용이하게 하면서 금속 산화물 입자들(131)의 네킹 특성을 향상시킬 수 있다. 결과적으로, 광전변환 효율을 좀더 향상시킬 수 있 다.
이하에서는 상기에서 설명한 태양 전지의 제조 방법을 도 1과 함께 도 2를 참조하여 상세하게 설명한다. 도 2는 도 1에 도시된 태양 전지의 제조 방법을 도시한 흐름도이다. 상기에서 구성 물질을 설명한 구성 요소에 대해서는 구성 물질에 대한 상세한 설명을 생략한다.
먼저, 제1 기판(10)에 제1 전극(11)을 형성한다(ST11). 제1 전극(11)은 스퍼터링법, 화학 기상 증착법, 스프레이 열분해 증착법 등에 의해 형성될 수 있다.
이어서, 제1 전극(11)에 자기 조립 방법으로 다공성막(13)을 형성한다(ST13). 이를 위해 먼저 자기 조립용 화합물을 형성하고, 이러한 자기 조립용 화합물을 제1 전극(11)에 도포하고, 도포된 자기 조립용 화합물에 열처리를 수행하여 소성 공정을 진행한다. 이를 좀더 설명하면 다음과 같다.
자기 조립용 화합물은 용매, 블록 공중합체(block copolymer) 및 금속 산화물의 전구체(precursor)를 포함할 수 있다. 용매로는 아세틸 아세톤(acethyl acetone), 알콜 등의 다양한 물질이 사용될 수 있다. 블록 공중합체는 폴리 에틸렌 산화물(poly ethylene oxide), 폴리 프로필렌 산화물(poly propylene oxide)을 포함할 수 있다. 그리고, 금속 산화물의 전구체는 소정의 금속 산화물을 형성할 수 있는 전구체로 선택되면 족하며, 일례로 알콕시화물, 염화물 등을 포함할 수 있다.
이러한 자기 조립용 화합물은 딥 코팅법, 스핀 코팅법 및 전기 화학 코팅법 등에 의해 제1 전극(11) 위에 도포된다. 이러한 자기 조립용 화합물에 조성 및 특성를 고려하여 열처리가 수행되면 블록 공중합체가 제거되면서 금속 산화물 전구체 로부터 금속 산화물 입자들이 형성된다.
다공성막(13)을 형성하기 위한 자기 조립용 화합물에서는 금속 산화물 전구체가 균일하게 분산되어 금속 산화물의 집적으로 입경이 큰 금속 산화물 입자가 형성되는 것을 방지할 수 있고, 이에 따라 균일하고 미세한 입경의 금속 산화물 입자들을 가지며 적절한 평균 기공 크기를 가지는 다공성막(13)을 형성할 수 있다. 그리고, 금속 산화물 전구체가 제1 전극(11) 위에서 금속 산화물 입자들로 변화하므로, 제1 다공성막(13)과 제2 전극(11)의 접촉 계면 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
이어서, 염료를 용해시킨 알콜 용액에 다공성막(13) 및 제1 전극(11)이 형성된 제1 기판(10)을 소정의 시간 동안 침지시켜, 염료(15)를 다공성막(13)에 흡착시킨다(ST17). 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니며 다양한 방법으로 염료(15)를 흡착시킬 수 있다.
한편으로, 유리 또는 플라스틱으로 이루어지는 제2 기판(20)에 투명 전극(21a)과 촉매 전극(21b)을 차례로 형성하여 제2 전극(21)을 형성한다(ST21).
투명 전극(21a)은 스퍼터링법, 화학 기상 증착법, 스프레이 열분해 증착법 등에 의해 형성될 수 있다.
촉매 전극(21b)은 물리 기상 증착법(전해 도금법, 스퍼터링법, 전자빔 증착법 등) 또는 습식 코팅법(스핀 코팅법, 침지 코팅법, 플로우 코팅법 등)등에 의해 형성될 수 있다. 촉매 전극(21b)이 백금으로 이루어지는 경우를 예로 설명하면, 투명 전극(21a) 위에 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올(isopropyl alcohol, IPA) 등 의 유기 용제에 H2PtCl6이 용해된 용액을 습식 코팅법으로 도포한 후 공기 또는 산소 분위기에서 400℃에서 열처리하는 방법이 적용될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니며 다양한 방법이 적용될 수 있음은 물론이다.
그리고, 이러한 제2 기판(20) 및 제2 전극(21)에 이를 관통하는 홀(25a)을 형성한다.
이어서, 다공성막(13)과 제2 전극(21)이 대향하도록 제1 기판(10)과 제2 기판(20)을 배치시킨 후 접착제(41) 등을 이용하여 제1 기판(10)과 제2 기판(20)을 접합한다(ST30). 접착제(41)로는 열가소성 고분자 필름(일례로, 상품명 surlyn), 에폭시 수지, 자외선 경화제 등을 사용할 수 있다. 접착제(41)로 열가소성 고분자 필름을 사용하는 경우에는, 제1 기판(10)과 제2 기판(20) 사이에 열가소성 고분자 필름을 위치시킨 후 가열 압착하여 제1 기판(10)과 제2 기판(20)을 접합할 수 있다.
이어서, 제2 기판(20) 및 제2 전극(21)에 형성된 홀(25a)으로 전해질(30)을 주입한다(ST40). 이는 전해질(30)이 액상일 때를 기준으로 설명한 것으로 전해질이 고상일 경우에는 다른 방법이 적용될 수 있으며 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
이어서, 접착제(42) 및 커버 글라스(43)를 사용하여 이 홀(25a)을 밀봉한다(ST50). 이로써, 태양 전지의 제조가 완료되며, 제1 기판(10)과 제2 기판(20)의 외측으로 별도의 케이스(도시하지 않음)가 구비될 수도 있다.
이하에서는 도 3을 참조하여 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 태양 전지 및 이의 제조 방법을 상세하게 설명한다. 본 실시 형태에서는 도 1을 참조하여 설명한 실시 형태와 기본적인 구성이 동일 또는 거의 유사하므로, 동일 또는 거의 유사한 부분에 대해서는 설명을 생략하고 서로 다른 부분에 대해서만 상세하게 설명한다. 도면에서 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이다.
본 실시 형태에서는 다공성막(13) 위에 금속 산화물 입자들(531)을 포함하는 추가 다공성막(53)이 적층되어 형성된다. 이러한 금속 산화물 입자들(531)의 평균 입경은 15nm 내지 50nm으로, 다공성막(13)을 구성하는 금속 산화물 입자들(131)의 평균 입경보다 큰 값을 가진다. 이 때, 금속 산화물 입자들(531)의 평균 입경은 15nm 내지 40nm인 것이 바람직하다.
이러한 추가 다공성막(53)은 나노 미터 수준의 금속 산화물 입자가 분산된 페이스트를 닥터 블레이드법, 스크린 인쇄법, 스핀 코팅법, 스프레이법, 습식 코팅법 등으로 도포한 후 적절한 열처리를 하여 형성될 수 있다.
이러한 추가 다공성막(53)은 일 회의 공정으로 두껍게 형성이 가능하므로 추가 다공성막(53)은 다공성막(13)보다 두껍게 형성된다. 추가 다공성막(53)은 5㎛ 내지 40㎛의 두께를 가질 수 있으며, 10㎛ 내지 30㎛의 두께를 가지는 것이 바람직하다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
추가 다공성막(53)은 다공성막(13)과 마찬가지로 티타늄 산화물(titanium oxide), 징크 산화물, 틴 산화물, 스트론튬 산화물(strontium oxide), 인듐 산화물(indium oxide), 이리듐 산화물(iridium oxide), 란탄 산화물(lanthan oxide), 바 나듐 산화물(vanadium oxide), 몰리브덴 산화물(molybdenum oxide), 텅스텐 산화물(tungsten oxide), 니오브 산화물(niobium oxide), 마그네슘 산화물(magnesium oxide), 알루미늄 산화물(aluminium oxide), 이트륨 산화물(yttrium oxide), 스칸듐 산화물(scandium oxide), 사마륨 산화물(samarium oxide), 갈륨 산화물(galluim oxide), 스트론튬 티타늄 산화물(strontium titanium oxide)등으로 이루어질 수 있다. 여기서, 추가 다공성막(53)의 금속 산화물 입자들(531)은 각기 티타늄 산화물인 TiO2, 틴 산화물인 SnO2, 텅스텐 산화물인 WO3, 징크 산화물 ZnO, 또는 이들의 복합체 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
그리고, 추가 다공성막(53)의 특성 향상을 위해 추가 다공성막(53)에 도전성 미립자 및 광산란자 등을 더 첨가할 수 있다. 추가 다공성막(53)에 첨가되는 도전성 미립자는 여기 전자의 이동성을 향상시키는 역할을 하는 것으로, 일례로 인듐 틴 산화물 등을 들 수 있다. 추가 다공성막(53)에 첨가되는 광산란자는 태양 전지 내에서 이동하는 광의 경로를 연장시켜 광전변환 효율을 향상시키는 역할을 한다. 이러한 광산란자는 추가 다공성막(53)을 이루는 물질로 이루어질 수 있으며, 광산란 효과를 고려하여 100nm 이상의 평균 입경을 가지는 것이 바람직하다. 이러한 미립자 및 광산란자는 다공성막(13)에도 첨가될 수 있음은 물론이다.
이와 같이 본 실시 형태에서는 평균 입경이 서로 다른 금속 산화물을 포함하는 다공성막(13) 및 추가 다공성막(53)을 순차로 적층하여, 다공성막(13)의 장점과 추가 다공성막(53)의 장점을 모두 가질 수 있다. 다공성막(13)으로 접촉 계면 특성 을 향상시키면서 추가 다공성막(53)을 형성하여 공정의 수를 늘리지 않으면서 충분한 두께로 다공성막을 형성할 수 있다.
그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니며, 본 발명에서는 제1 다공성막(13)만이 형성되거나 별도의 다공성막이 더 형성될 수 있으며 복수의 다공성막이 다양한 배치를 가지면서 형성될 수 있음은 물론이다.
본 실시 형태에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 다공성막(13)을 형성하는 단계 이후에 추가 다공성막(53)을 형성하는 단계를 더 포함한다. 다른 단계는 도 2 및 이에 관련된 설명에서 설명한 제조 방법과 동일하므로 다른 단계에 대한 설명은 생략한다.
추가 다공성막(53) 형성 시 추가 다공성막(53)의 다공성을 향상시키고 상기 페이스트의 분산성 및 점도를 증가시켜 추가 다공성막(53)의 성막성 접착성을 향상시키기 위해, 페이스트에 폴리 에틸렌 산화물, 폴리 에틸렌 글리콜(poly ethylene glycol), 폴리 비닐 알콜(poly vinyl alcohol, PVA), 폴리 비닐 피리돈(poly vinyl pyrrolidone, PVP) 등을 첨가할 수 있다. 이러한 고분자는 열처리 후에는 제거될 수 있는 것으로 사용함이 바람직하다.
바인더가 첨가된 경우에는 450 내지 600 ℃에서 30분간 열처리를 수행할 수 있으며, 바인더가 첨가되지 않은 경우에는 200℃ 이하의 온도에서 열처리를 수행할 수 있다. 그러나, 이는 페이스트의 조성 등에 따라 달라질 수 있으므로 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 태양 전지의 제조 방법에 따르면, 접촉 계면 특성이 우수한 다공 성막(13)과 충분한 두께로 형성이 가능한 추가 다공성막(53)을 차례로 형성하여 효율 특성 및 공정 특성을 함께 향상시킬 수 있다.
이하, 본 실시 형태에 따른 태양 전지의 실시예들을 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 실시예들은 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 특히, 하기 실시예들에서는 추가 다공성막들을 형성한 것을 예시로 하였으나, 이는 자기 조립 방법으로 형성된 다공성막의 특성을 좀더 잘 알아볼 수 있도록 하기 위함일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
가로 1cm, 세로 1cm인 유리로 이루어지는 제1 기판에 틴 산화물로 이루어지는 제1 전극을 10Ω의 표면 저항을 가지도록 형성하였다.
용매인 아세틸 아세톤에 블록 공중합체인 P123(BASF사)와 TiO2의 전구체인 티타늄4-이소프로폭사이드(Ti 4-isopropoxide, TTIP)를 첨가하여 자기 조립용 화합물을 형성하였다. 이 때, 자기 조립용 화합물은 64중량%의 아세틸 아세톤에 15중량%의 P123 및 21중량%의 티타늄4-이소프로폭사이드을 첨가하여 형성하였다. 이러한 자기 조립용 화합물을 제1 전극 위에 딥 코팅법을 이용하여 5mm/min의 속도로 도포하였다. 상온에서 1시간 동안 에이징(aging) 처리한 다음, 450℃에서 30분 동안 열처리하는 소성 공정을 거쳐 TiO2를 포함하는 다공성막을 형성하였다. 이렇게 형성된 다공성막의 두께는 150nm였다.
이어서, 평균 입경이 15nm인 TiO2 입자가 분산된 분산액을 닥터 블레이드법으로 도포한 후 TiO2를 포함하는 추가 다공성막을 형성하였다.
이렇게 제1 전극, 다공성막 및 추가 다공성막이 형성된 제1 기판을 0.3 mM의 루테늄(4,4-디카르복시-2,2'-바이피리딘)2(NCS)2 용액에 24시간 침지시켜, 다공성막에 염료를 흡착시켰다. 그리고, 염료가 흡착된 다공성막을 에탄올로 세척하였다.
가로 1 cm, 세로 1 cm인 유리로 이루어지는 제2 기판에 틴 산화물로 이루어지며 표면 저항인 10Ω인 투명 전극과, 백금으로 이루어지며 표면 저항이 0.5Ω인 촉매 전극을 형성하여, 제2 전극을 형성하였다. 0.75m 직경의 드릴을 이용하여 제2 기판과 제2 전극을 관통하는 홀을 형성하였다.
제1 기판에 형성된 다공성막이 제2 전극에 대향하도록 제1 기판과 제2 기판을 배치시킨 후, 제1 전극과 제2 전극 사이에 60㎛ 두께의 열가소성 고분자 필름을 위치시키고 100℃에서 9초 동안 압착하여 제1 기판과 제2 기판을 압착시켰다.
제2 기판과 제2 전극을 관통하는 홀을 통하여 전해질을 주입시키고 열가소성 고분자 필름 및 커버 글라스를 이용하여 홀을 막음으로써 태양 전지를 제조하였다. 이 때 전해질은 80 부피%의 에틸렌 카보네이트(ethylene carbonate)와 20 부피%의 아세토나이트릴(acetonitrile)로 이루어진 혼합 용매 100ml에 21.928g의 테트라프로필암모늄 아이오다이드(tetrapropylammonium iodide)와 1.931g의 용오드(I2)를 용해시킨 용액이었다.
비교예 1
다공성막을 형성하지 않고 추가 다공성막만을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
실시예 1의 태양 전지에서 자기 조립 방법에 의해 형성된 다공성막의 표면 사진을 도 4에 나타내었다. 그리고, 실시예 1의 태양 전지에서 제1 전극과 다공성막, 추가 다공성막의 단면 사진을 도 5a에, 비교예 1의 태양 전지에서 제1 전극과 추가 다공성막의 단면 사진을 도 5b에 나타내었다. 또한, 100mW/cm2의 제논(Xe) 램프 광원 및 AM 1.5 필터를 이용하여 실시예 및 비교예의 태양 전지에서의 전압에 따른 전류를 측정하여 도 6에 나타내었다. 이러한 도 6로부터 평가된 자료를 정리하여 표 1에 나타내었다.
| 단락전류밀도 [mA/cm2] | 개방전압 [V] | 충밀도 | 효율 [%] | |
| 실시예 1 | 26.88 | 0.72 | 0.60 | 11.64 |
| 비교예 1 | 19.09 | 0.68 | 0.62 | 8.04 |
도 4를 참조하면, 실시예 1에서 자기 조립 방법에 의해 형성된 다공성막의 표면이 매우 매끈하고 어떠한 균열도 발생되지 않았으며, 다공성막의 기공이 매우 미세하고 균일하게 형성된 것을 알 수 있다. 다공성막을 이루는 금속 산화물 입자 또한 매우 미세하고 균일한 것을 알 수 있다. 이러한 다공성막이 제1 전극과 접촉하여 형성되므로 다공성막과 제1 전극의 계면 접촉 특성이 우수하다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 실시예 1에서는 다공성막의 표면과 제1 전극 사이의 계면 접촉 특성이 매우 우수한 반면 비교예 1에서는 추가 다공성막과 제1 전극 사이의 계면에서 접촉이 잘 되지 않은 부분이 존재하는 것을 알 수 있다. 이는 비교예 1의 다공성막 형성 과정 중에 행해지는 열처리에 의해 금속 산화물 입자들이 집적하여 200nm 내지 1000nm 입경의 집합체가 존재하므로, 이러한 집합체에 의해 계면 접촉 특성이 저하되기 때문이다.
도 6 및 표 1을 참조하면, 실시예 1의 태양 전지는 단락 전류 밀도가 비교예 1의 태양 전지에 비해 매우 우수한 것을 알 수 있다. 이는 실시예의 태양 전지에서 다공성막과 제1 전극의 계면 접촉 특성이 향상되어, 염료에서 생성되어 다공성막으로 전달된 여기 전자가 제1 전극으로 보다 잘 이동할 수 있기 때문이다.
또한, 이러한 단락 전류 밀도의 향상에 따라 실시예 1의 태양 전지는 비교예 1의 태양 전지보다 훨씬 높은 효율을 가짐을 알 수 있다.
실시예 2
다공성막 형성 시 89.2중량%의 아세틸 아세톤에 4.5중량%의 P123 및 6.3중량%의 티타늄4-이소프로폭사이드을 첨가하여 자기 조립용 화합물을 형성하고, 이러한 자기 조립용 화합물의 소성 공정이 350℃에서 이루어진다는 점을 제외하면 실시예 1과 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
실시예 3
다공성막 형성 시 소성 공정이 400℃에서 이루어진다는 점을 제외하면 실시예 2와 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
실시예 4
다공성막 형성 시 소성 공정이 450℃에서 이루어진다는 점을 제외하면 실시예 2와 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
실시예 5
다공성막 형성 시 소성 공정이 500℃에서 이루어진다는 점을 제외하면 실시예 2와 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
비교예 2
다공성막 형성 시 소성 공정이 300℃에서 이루어진다는 점을 제외하면 실시예 2와 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
비교예 3
다공성막 형성 시 소성 공정이 550℃에서 이루어진다는 점을 제외하면 실시예 2와 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
상기 실시예 2 내지 5, 및 비교예 2 및 3에 의해 제조된 태양 전지에서 다공성막을 구성하는 금속 산화물 입자들의 평균 입경을 측정하였다. 100mW/cm2의 제논(Xe) 램프 광원 및 AM 1.5 필터를 이용하여 실시예 및 비교예의 태양 전지에서의 전압에 따른 전류를 측정하였다. 이렇게 측정된 결과를 평가하여 아래 표 2에 나타내었다.
| 평균 입경 [nm] | 단락전류밀도 [mA/cm2] | 개방전압 [V] | 충밀도 | 효율 [%] | |
| 실시예 2 | 5 | 21.6 | 0.67 | 0.64 | 9.26 |
| 실시예 3 | 8 | 23.1 | 0.69 | 0.64 | 10.2 |
| 실시예 4 | 10 | 24.14 | 0.69 | 0.66 | 10.91 |
| 실시예 5 | 14 | 22.3 | 0.68 | 0.67 | 10.16 |
| 비교예 2 | - | - | - | - | - |
| 비교예 3 | 20 | 20.3 | 0.69 | 0.65 | 9.1 |
표 2에서 비교예 2에 대한 자료는 찾아볼 수 없는데 이는 비교예 2에서와 같이 소성 공정을 300℃에서 진행한 경우에는 소성 온도가 낮아 고분자 물질들이 날아가지 않아 다공성막이 형성되지 않았기 때문이다. 즉, 다공성막을 이루는 금속 산화물 입자들의 평균 입경은 소성 온도가 낮아질수록 작아지는데, 소성 온도가 일정 이상으로 저하시켜 평균 입경이 5nm미만인 금속 산화물 입자들을 형성하는 것은 실질적으로 어려운 것을 알 수 있다.
그리고, 표 2를 참조하면, 실시예 2 내지 5의 태양 전지는 단락 전류 밀도가 비교예 3의 태양 전지에 비해 매우 우수한 것을 알 수 있다. 이는 실시예 2 내지 5의 태양 전지에서 다공성막이 균일한 입경을 가져 다공성막과 제1 전극의 계면 접촉 특성이 향상되어, 염료에서 생성되어 다공성막으로 전달된 여기 전자가 제1 전극으로 보다 잘 이동할 수 있기 때문이다. 또한, 비교예 3에서와 같이 금속 산화물 입자들의 평균 입경이 큰 경우에는 염료 흡착량이 줄어들어 효율이 저하될 수 있다.
이러한 이유로 실시예 2 내지 5의 태양 전지는 비교예 3의 태양 전지보다 훨씬 높은 효율을 가짐을 알 수 있다. 즉, 금속 산화물 입자들의 평균 입경이 5nm 내지 14nm인 경우 높은 효율을 가짐을 알 수 있다.
실시예 6
다공성막 형성 시 89.2중량%의 아세틸 아세톤에 4.5중량%의 P123 및 6.3중량%의 티타늄4-이소프로폭사이드을 첨가하여 자기 조립용 화합물을 형성하였다는 점을 제외하고는 실시예 4와 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
실시예 7
다공성막 형성 시 73.4중량%의 아세틸 아세톤에 11.083중량%의 P123 및 15.517중량%의 티타늄4-이소프로폭사이드을 첨가하여 자기 조립용 화합물을 형성하였다는 점을 제외하고는 실시예 4와 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
실시예 8
다공성막 형성 시 70중량%의 아세틸 아세톤에 12.5중량%의 P123 및 17.5중량%의 티타늄4-이소프로폭사이드을 첨가하여 자기 조립용 화합물을 형성하였다는 점을 제외하고는 실시예 4와 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
실시예 9
다공성막 형성 시 60중량%의 아세틸 아세톤에 16.677중량%의 P123 및 23.355중량%의 티타늄4-이소프로폭사이드을 첨가하여 자기 조립용 화합물을 형성하였다는 점을 제외하고는 실시예 4와 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
비교예 4
다공성막 형성 시 94중량%의 아세틸 아세톤에 2.5중량%의 P123 및 3.5중량%의 티타늄4-이소프로폭사이드을 첨가하여 자기 조립용 화합물을 형성하였다는 점을 제외하고는 실시예 4와 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
비교예 5
다공성막 형성 시 52중량%의 아세틸 아세톤에 20중량%의 P123 및 28중량%의 티타늄4-이소프로폭사이드을 첨가하여 자기 조립용 화합물을 형성하였다는 점을 제외하고는 실시예 4와 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
상기 실시예 4, 6 내지 9, 비교예 4 및 5에서는 아세틸 아세톤의 중량%가 변화하였지만, P123의 중량비:티타늄4-이소프로폭사이드의 중량비 비율은 5:7으로 동일하였다.
상기 실시예 4, 6 내지 9, 및 비교예 4 및 5에 의해 제조된 태양 전지에서 다공성막의 평균 기공 크기를 측정하였다. 100mW/cm2의 제논(Xe) 램프 광원 및 AM 1.5 필터를 이용하여 실시예 4, 6 내지 9, 및 비교예 4 및 5의 태양 전지에서의 전압에 따른 전류를 측정하였다. 이렇게 측정된 결과를 평가하여 아래 표 3에 나타내었다. 표 3에서 실시예들은 용매의 중량%가 증가하는 순서로 기재하였다.
| 평균 기공 크기 [nm] | 단락전류밀도 [mA/cm2] | 개방전압 [V] | 충밀도 | 효율 [%] | |
| 실시예 6 | 7.5 | 21.58 | 0.70 | 0.66 | 9.90 |
| 실시예 4 | 10 | 24.14 | 0.69 | 0.66 | 9.90 |
| 실시예 7 | 11 | 26.09 | 0.70 | 0.62 | 11.34 |
| 실시예 8 | 12 | 25.19 | 0.71 | 0.66 | 11.77 |
| 실시예 9 | 13 | 24.75 | 0.69 | 0.60 | 10.20 |
| 비교예 4 | 4 | 20.33 | 0.68 | 0.64 | 8.82 |
| 비교예 5 | 25 | 20.12 | 0.68 | 0.64 | 8.73 |
표 3을 참조하면, 먼저 용매의 중량%가 감소함에 따라 다공성막의 평균 기공 크기가 점차적으로 커짐을 알 수 있다. 이는 자기 조립용 화합물의 점도에 의해 다공성막의 평균 기공 크기가 영향을 받았기 때문으로 예측할 수 있다.
그리고, 표 3을 참조하면, 실시예 4, 6 내지 9의 태양 전지는 단락 전류 밀도 및 효율이 비교예 4 및 5의 태양 전지에 비해 매우 우수한 것을 알 수 있다. 이는 비교예 4과 같이 평균 기공 크기가 너무 작을 경우에는 전해질의 이동이 어렵고, 비교예 5와 같이 평균 기공 크기가 너무 클 경우에는 다공성막을 구성하는 금속 산화물 입자들의 네킹 특성이 저하되기 때문이다.
실시예 10
자기 조립 방법으로 형성되는 다공성막을 750nm의 두께로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
실시예 11
자기 조립 방법으로 형성되는 다공성막을 1070nm의 두께로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
실시예 12
자기 조립 방법으로 형성되는 다공성막을 1320nm의 두께로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 태양 전지를 제조하였다.
상기 실시예 10 및 11의 태양 전지에서 제1 전극, 다공성막 및 추가 다공성막의 단면 사진을 도 7 및 8 각각에 나타내었고, 실시예 12의 태양 전지에서 제1 전극 및 다공성막의 단면 사진을 도 9에 나타내었다. 실시예 10 내지 12의 다공성막은 매우 미세한 금속 산화물 입자들로 구성되며 균일한 기공을 가지는 것을 알 수 있다. 이 때, 실시예 11 및 12에서 자기 조립 방법에 의해 형성된 다공성막보다는 실시예 10에서 자기 조립 방법에 의해 형성되어 두께가 1000nm 이하인 다공성막이 좀더 안정적으로 형성된 것을 알 수 있다.
상기에서는 본 발명의 실시 형태 및 실시예에 대하여 설명하였지만 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에서는 자리 조립 방법으로 다공성막을 형성하여 균일하고 미세한 금속 산화물 입자로 이루어지며 기공 크기가 미세하고 균일한 다공성막을 형성할 수 있다. 이러한 다공성막을 전극과 접촉하도록 형성함으로써 전극과 다공성막 계면 접촉 특성을 향상시킬 수 있다. 그리고, 미세하고 균일한 기공 크기에 의해 이온 전도도를 향상시킬 수 있다. 결과적으로, 다공성막으로부터 전달된 여기 전자가 제1 전극으로 보다 잘 집전될 수 있어 광전변환 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 금속 산화물 입자가 분산된 페이스트로 추가 다공성막을 형성하여 두께의 공정의 횟수를 증가시키지 않으면서 충분한 두께의 추가 다공성막을 형성할 수 있다. 즉, 본 발명에서는 서로 다른 특성을 가지는 복수의 다공성막을 형성하여 서로 다른 특성을 동시에 향상할 수 있다.
Claims (31)
- 전극; 및상기 전극에 형성되며 금속 산화물 입자들을 포함하는 다공성막을 포함하고,상기 금속 산화물 입자들의 평균 입경이 5nm 내지 14nm인 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 다공성막의 평균 기공 크기가 7.5nm 내지 15nm인 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 다공성막의 두께가 10nm 내지 3000nm인 태양 전지.
- 제3항에 있어서,상기 다공성막의 두께가 10nm 내지 1000nm인 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 금속 산화물 입자들은 티타늄 산화물, 징크 산화물, 틴 산화물, 스트론튬 산화물, 인듐 산화물, 이리듐 산화물, 란탄 산화물, 바나듐 산화물, 몰리브덴 산화물, 텅스텐 산화물, 니오브 산화물, 마그네슘 산화물, 알루미늄 산화물, 이트 륨 산화물, 스칸듐 산화물, 사마륨 산화물, 갈륨 산화물, 스트론튬 티타늄 산화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 태양 전지.
- 제5항에 있어서,상기 금속 산화물 입자들은 티타늄 산화물, 틴 산화물, 텅스텐 산화물 및 징크 산화물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 다공성막 위에 형성되며 금속 산화물 입자들을 포함하는 추가 다공성막을 더 포함하고,상기 다공성막의 금속 산화물의 평균 입경보다 상기 추가 다공성막의 금속 산화물의 평균 입경이 더 큰 태양 전지.
- 제7항에 있어서,상기 추가 다공성막의 금속 산화물 입자의 평균 입경이 15nm 내지 50nm인 태양 전지.
- 제7항에 있어서,상기 다공성막보다 상기 추가 다공성막이 두껍게 형성되는 태양 전지.
- 제7항에 있어서,상기 추가 다공성막의 두께가 5㎛ 내지 40㎛인 태양 전지.
- 전극; 및상기 전극에 형성되며 금속 산화물 입자들을 포함하는 다공성막을 포함하고,상기 금속 산화물 입자들의 평균 기공 크기가 7.5nm 내지 15nm인 태양 전지.
- 제11항에 있어서,상기 다공성막의 평균 입경이 5nm 내지 14nm인 태양 전지.
- 제11항에 있어서,상기 다공성막의 두께가 10nm 내지 3000nm인 태양 전지.
- 제13항에 있어서,상기 다공성막의 두께가 10nm 내지 1000nm인 태양 전지.
- 제11항에 있어서,상기 금속 산화물 입자들은 티타늄 산화물, 징크 산화물, 틴 산화물, 스트론 튬 산화물, 인듐 산화물, 이리듐 산화물, 란탄 산화물, 바나듐 산화물, 몰리브덴 산화물, 텅스텐 산화물, 니오브 산화물, 마그네슘 산화물, 알루미늄 산화물, 이트륨 산화물, 스칸듐 산화물, 사마륨 산화물, 갈륨 산화물, 스트론튬 티타늄 산화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 태양 전지.
- 제15항에 있어서,상기 금속 산화물 입자들은 티타늄 산화물, 틴 산화물, 텅스텐 산화물 및 징크 산화물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 태양 전지.
- 제11항에 있어서,상기 다공성막 위에 형성되며 금속 산화물 입자들을 포함하는 추가 다공성막을 더 포함하고,상기 다공성막의 금속 산화물의 평균 입경보다 상기 추가 다공성막의 금속 산화물의 평균 입경이 더 큰 태양 전지.
- 제17항에 있어서,상기 추가 다공성막의 금속 산화물 입자의 평균 입경이 15nm 내지 50 nm인 태양 전지.
- 제17항에 있어서,상기 다공성막보다 상기 추가 다공성막이 두껍게 형성되는 태양 전지.
- 제17항에 있어서,상기 추가 다공성막의 두께가 5㎛ 내지 40㎛인 태양 전지.
- 전극; 및상기 전극에 순차로 적층되며 금속 산화물 입자들을 포함하는 제1 다공성막 및 제2 다공성막을 포함하고,상기 제1 다공성막의 금속 산화물 입자들의 평균 입경이 상기 제2 다공성막의 금속 산화물 입자들의 평균 입경보다 작은 태양 전지.
- 제21항에 있어서,상기 제1 다공성막의 금속 산화물 입자들의 평균 입경이 5nm 내지 14nm인 태양 전지.
- 제21항에 있어서,상기 제1 다공성막의 평균 기공 크기가 7.5nm 내지 15nm인 태양 전지.
- 자기 조립 방법으로 다공성막을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
- 제24항에 있어서,상기 다공성막을 형성하는 단계는,자기 조립용 화합물을 형성하는 단계;상기 자기 조립용 화합물을 전극에 도포하는 단계; 및상기 도포된 자기 조립용 화합물에 열처리를 수행하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
- 제25항에 있어서,상기 자기 조립용 화합물은 용매, 블록 공중합체 및 금속 산화물의 전구체를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
- 제26항에 있어서,상기 용매는 아세틸 아세톤, 알콜 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 태양 전지의 제조 방법.
- 제26항에 있어서,상기 블록 공중합체는 폴리 에틸렌 산화물 및 폴리 프로필렌 산화물을 포함 하는 태양 전지의 제조 방법.
- 제26항에 있어서,상기 금속 산화물의 전구체는 알콕시화물, 염화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 태양 전지의 제조 방법.
- 제25항에 있어서,상기 자기 조립용 화합물은 딥 코팅법, 스핀 코팅법 및 전기 화학 코팅법으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 방법에 의해 도포되는 태양 전지의 제조 방법.
- 제25항에 있어서,상기 도포된 화합물에 열처리를 수행하는 단계 이후에, 금속 산화물 입자들이 분산된 페이스트를 도포하여 추가 다공성막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
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