JP2007134328A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は高効率を実現できる構造を有する太陽電池及びその製造方法に関する。本発明の一実施形態による太陽電池は、基板と、前記基板に形成される電極、及び前記電極に形成される光吸収層を含む。前記電極と前記光吸収層間に接触面積増大部が形成される。
【選択図】図1
Description
前記第1電極の表面粗度自乗平均値を10nm乃至3000nmにすることが可能で、これによって、前記第1基板に前記第1電極が形成された面の表面粗度自乗平均値を10nm乃至3000nmにできる。
前記第1基板に対向配置される第2基板に第2電極が形成されるが、前記第1電極の表面粗度が前記第2電極の表面粗度より大きく形成されてもよい。この時、前記第1電極の表面粗度自乗平均値が前記第2電極の表面粗度自乗平均値より大きく形成できる。
前記接触面積増大部を備えた電極を形成する段階では、凹凸が形成された基板面に電極を形成できる。
図1は、本発明の一実施形態による太陽電池を示した断面図である。
そして、多孔性膜30の特性を向上させるために、高分子(図示せず)、導電性微粒子(図示せず)、光散乱子(図示せず)等が多孔性膜30にさらに添加されることができる。
多孔性膜30に添加される光散乱子は、太陽電池内で移動する光の経路を延長させて、太陽電池の光電変換効率を向上させる役割を果たす。このような光散乱子は多孔性膜30を構成する金属酸化物粒子31と同一物質で構成されながら、光散乱効果を考慮する時、100nm以上の平均粒径を有するのが好ましい。
透明電極21aは、インジウム錫酸化物、フッ素錫酸化物、アンチモン錫酸化物、亜鉛酸化物、錫酸化物、ZnO-Ga2O3、ZnO-Al2O3等の透明物質で構成される。透明電極21aは、前記透明物質の単一膜または積層膜で構成されることができる。触媒電極21bは、酸化-還元対(redoxcouple)を活性化させる役割を果し、白金、ルテニウム、パラジウム。イリジウム、ロジウム(Rh)、オスミウム(Os)、炭素(C)、WO3、TiO2等で構成されることができる。
このような太陽電池は、太陽電池の内部に太陽光などの外部光が入射されると、光量子が染料に吸収されて、染料が基底状態から励起状態で転移されて、電子ホールの対を生成する。励起状態の電子は、多孔性膜30を構成する金属酸化物粒子31の導電帯に注入された後、第1電極11を通して外部回路(図示せず)に流れた後、第2電極21に移動する。一方、電解質50内のヨウ化物が三ヨウ化物に酸化されることによって、酸化された染料が還元され、三ヨウ化物は第2電極21に到達した電子と還元反応を通して、ヨウ化物に還元される。このような電子の移動によって、太陽電池が作動するようになる。
まず、ガラスまたはプラスチックで構成される透明な第1基板10を準備する。ここで、プラスチックの具体的な例としてはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリイミド及びトリアセチルセルロースなどがある。
そして、ガラスまたはプラスチックで構成される第2基板20に透明電極21aと触媒電極21bを順次に形成して、第2電極21を形成する。第2基板20の構成物質は、第1基板10に対応するためこれに対する説明は省略する。同様に透明電極21aの構成物質は第1電極11に対応するのでこれに対する説明は省略する。
[実施例1]
横2.2cm、縦2.2cm、厚さ1.1mmのソーダライムガラスで構成される第1基板に蒸溜水を利用して超音波洗浄をした後、49重量%のフッ酸が含まれているフッ酸水溶液に第1基板を20分間浸漬させて、エッチングした。次に第1基板に蒸溜水を利用した超音波洗浄をした後、スプレー熱分解蒸着法でインジウム錫酸化物を500nm厚さに蒸着して第1電極を形成した。
前記多孔性膜及び第1電極が形成された第1基板を0.3mMのルテニウム(4、4-ジカルボキシ-2、2'-ビピリジン)2(NCS)2溶液に24時間浸漬させて、多孔性膜に染料を吸着させた。染料が吸着した多孔性膜をエタノールで洗浄した。
第1基板を40分間のエッチングしたことを除いて、実施例1と同様な方法で太陽電池を製造した。
第1基板を90分間のエッチングしたことを除いて、実施例1と同様な方法で太陽電池を製造した。
第1基板を150分間のエッチングしたことを除いて、実施例1と同様な方法で太陽電池を製造した。
第1基板を300分間のエッチングしたことを除いて、実施例1と同様な方法で太陽電池を製造した。
第1基板を600分間のエッチングしたことを除いて、実施例1と同様な方法で太陽電池を製造した。
第1基板をエッチングしない点を除いては、実施例1と同様な方法で太陽電池を製造した。
第1基板を1200分間のエッチングしたことを除いて、実施例1と同様な方法で太陽電池を製造した。
本実施形態に関しては、前記で説明した実施形態と互いに異なる部分のみに関して詳細に説明し、同一または極めて類似する構成要素は同一な参照符号を使用する。そして、本実施形態の製造方法に関しては、第1電極の製造段階についてだけ詳細に説明し、その他の部分は前記説明した実施形態の製造方法と実質的に同一であるため具体的な説明を省略する。
11 第1電極
16 接触面積増大部
20 第2基板
21 第2電極
25a ホール
21b 触媒電極
30 多孔性膜
31 金属酸化物粒子
40 染料
50 電解質
61,62 接着剤
63 カバーグラス
Claims (14)
- 基板;
前記基板に形成される電極;及び
前記電極に形成される光吸収層;
を含み、
前記電極と前記光吸収層の間に両者に対する接触面積を平坦面に比して増大させる形状の接触面積増大部が形成されることを特徴とする太陽電池。 - 前記接触面積増大部が凹凸状に構成されることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。
- 前記基板に凹凸が形成され、前記基板に形成された凹凸に対応して前記電極の上面及び下面にそれぞれ凹凸が形成されることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池。
- 前記凹凸が階段形状、メッシュ形状、スクラッチ形状、針状のうち、少なくともいずれか一つを含む形状であることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池。
- 前記電極の表面粗度自乗平均値が10nm乃至3000nmであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のうち、いずれか一つに記載の太陽電池。
- 前記基板で前記電極が形成された一面の表面粗度自乗平均値が10nm乃至3000nmであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のうち、いずれか一つに記載の太陽電池。
- 互いに対向配置される第1基板及び第2基板;
前記第1基板に形成される第1電極;
前記第1電極に形成される光吸収層;及び
前記第2基板に形成される第2電極
を含み、
前記第1電極の表面粗度が前記第2電極の表面粗度より大きいことを特徴とする太陽電池。 - 前記第1電極の表面粗度自乗平均値が前記第2電極の表面粗度自乗平均値より大きいことを特徴とする請求項7に記載の太陽電池。
- 前記第1電極の表面粗度自乗平均値が10nm乃至3000nmであることを特徴とする請求項8に記載の太陽電池。
- 前記第1基板で前記第1電極が形成された一面の表面粗度自乗平均値が10nm乃至3000nmであることを特徴とする請求項8に記載の太陽電池。
- 接触面積増大部を備えた電極を形成する段階;及び
前記電極に光吸収層を形成する段階
を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記接触面積増大部を備えた電極を形成する段階では、凹凸が形成された基板に前記電極を形成することを特徴とする請求項11に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記基板の凹凸は、機械的エッチング方法または化学的エッチング法によって形成されることを特徴とする請求項12に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記機械的エッチング法は、サンドブラスト法、スクラッチ法及びプラズマエッチング法で構成された群より選択され、前記化学的エッチング法は硝酸、塩酸、フッ酸及びこれらの混合液で構成された群より選択された溶液を使用することを特徴とする請求項13に記載の太陽電池の製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099569A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Korea Electronics Telecommun | 染料感応太陽電池及びその製造方法 |
WO2010119775A1 (ja) * | 2009-04-15 | 2010-10-21 | シャープ株式会社 | 色素増感太陽電池および色素増感太陽電池モジュール |
JP2010267426A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Nissha Printing Co Ltd | 低反射型透明導電基板およびこれを使用した色素増感型太陽電池 |
JP2011044318A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Nisshin Steel Co Ltd | 色素増感型太陽電池およびその製造方法 |
WO2014109355A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | コニカミノルタ株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
JP2014165060A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Rohm Co Ltd | 色素増感太陽電池およびその製造方法、および電子機器 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2037529B1 (en) * | 2006-06-29 | 2013-11-06 | National University Corporation Kyushu Institute | Process for manufacturing a dye-sensitized solar cell |
DE102007005090A1 (de) * | 2007-02-01 | 2008-08-07 | Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg | Organische Solarzelle |
WO2009036607A1 (fr) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Peking University | Pile solaire sensible à la couleur et structure d'électrode de travail de cette pile |
JP5208974B2 (ja) * | 2008-02-06 | 2013-06-12 | 株式会社フジクラ | 色素増感太陽電池 |
US20090283145A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Kim Yun-Gi | Semiconductor Solar Cells Having Front Surface Electrodes |
WO2010005212A2 (ko) * | 2008-07-07 | 2010-01-14 | 주식회사 동진쎄미켐 | 염료감응 태양전지 또는 서브모듈 및 서브모듈 봉지방법 |
CN101354969B (zh) * | 2008-09-16 | 2011-04-13 | 彩虹集团公司 | 用于大面积染料敏化太阳能电池的封装工艺 |
KR101220452B1 (ko) * | 2009-06-17 | 2013-01-18 | 한국전자통신연구원 | 내구성이 향상된 염료감응형 태양전지 |
KR101502807B1 (ko) * | 2009-08-20 | 2015-03-16 | 닛신 세이코 가부시키가이샤 | 색소 증감형 태양 전지 및 그 제조 방법 |
DE102009048672A1 (de) | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Zentralrohr für ein linear konzentrierendes solarthermisches Kraftwerk mit Absorberschicht sowie Verfahren zum Aufbringen dieser Absorberschicht |
US8900674B2 (en) | 2009-10-06 | 2014-12-02 | Tel Solar Ag | Method of coating a substrate |
KR101117700B1 (ko) * | 2009-11-19 | 2012-02-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 광전변환소자 |
US20110214730A1 (en) * | 2010-03-04 | 2011-09-08 | Casio Computer Co., Ltd. | Dye-sensitized solar cell |
FR2961955B1 (fr) * | 2010-06-29 | 2012-07-20 | Saint Gobain | Cellule photovoltaique a colorant |
TW201205833A (en) * | 2010-07-28 | 2012-02-01 | Nanmat Technology Co Ltd | Photo-chemical solar cell with acicular electrode and method manufacturing the same |
US20130284257A1 (en) * | 2010-08-19 | 2013-10-31 | Lehigh University | Microlens array for solar cells |
KR101325646B1 (ko) * | 2010-09-16 | 2013-11-20 | 한국전자통신연구원 | 태양전지 및 그 형성방법 |
KR101128832B1 (ko) * | 2010-11-05 | 2012-03-23 | 재단법인대구경북과학기술원 | 염료를 포함하는 전하수송층을 포함하는 유기태양전지 및 그 제조방법 |
KR101128833B1 (ko) * | 2010-11-08 | 2012-03-27 | 재단법인대구경북과학기술원 | 플러렌을 포함하는 유무기 하이브리드 태양전지 및 그 제조방법 |
KR101144038B1 (ko) * | 2010-11-11 | 2012-05-24 | 현대자동차주식회사 | 곡면형 염료감응 태양전지 및 그 제조방법 |
US20120152346A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light absorption-enhancing substrate stacks |
CN102254961B (zh) * | 2011-05-28 | 2013-01-02 | 惠州市易晖太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池专用绒面导电玻璃及其制备方法与应用 |
JP5580356B2 (ja) * | 2012-03-13 | 2014-08-27 | 株式会社東芝 | 電池用電極材料、電池用電極材料ペースト、及びそれを使った太陽電池、蓄電池及び太陽電池の製造方法 |
CN103515104B (zh) * | 2012-06-21 | 2017-09-26 | 日立金属株式会社 | 色素增感型太阳能电池用金属基板 |
US10121602B2 (en) * | 2012-06-22 | 2018-11-06 | Hitachi Metals, Ltd. | Metal substrate for dye-sensitized solar cell |
EP2747101A1 (en) * | 2012-12-19 | 2014-06-25 | Swansea University | An opto-electronic device and method for manufacturing the same |
CN104241531A (zh) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | 宁波大学 | 一种有机光伏电池及其制备方法 |
JP6773944B2 (ja) * | 2016-01-06 | 2020-10-21 | inQs株式会社 | 光発電素子 |
KR102002472B1 (ko) * | 2017-11-22 | 2019-07-23 | 주식회사 오리온 | 염료감응형 태양전지 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001345125A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-12-14 | Hitachi Maxell Ltd | 光電変換素子 |
JP2002237611A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Hitachi Maxell Ltd | 光電変換素子 |
JP2003101051A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Kyocera Corp | 太陽電池用基板の粗面化方法 |
JP2003243676A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換装置 |
JP2005085468A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 光電変換素子 |
JP2005285472A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Shozo Yanagida | 光電変換装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3792281B2 (ja) * | 1995-01-09 | 2006-07-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 太陽電池 |
US6256135B1 (en) * | 1997-12-19 | 2001-07-03 | Rockwell Science Center, Llc | Diffusely-reflecting reversible electrochemical mirror |
JP4213355B2 (ja) | 2001-02-28 | 2009-01-21 | 株式会社豊田中央研究所 | 色素増感型太陽電池及び色素増感型太陽電池モジュール |
FR2832706B1 (fr) * | 2001-11-28 | 2004-07-23 | Saint Gobain | Substrat transparent muni d'une electrode |
US7202412B2 (en) * | 2002-01-18 | 2007-04-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photovoltaic cell including porous semiconductor layer, method of manufacturing the same and solar cell |
EP1624494A4 (en) * | 2003-05-13 | 2007-10-10 | Asahi Glass Co Ltd | TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR SOLAR BATTERY AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
KR100589322B1 (ko) * | 2004-02-03 | 2006-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고효율 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법 |
-
2005
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-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001345125A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-12-14 | Hitachi Maxell Ltd | 光電変換素子 |
JP2002237611A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Hitachi Maxell Ltd | 光電変換素子 |
JP2003101051A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Kyocera Corp | 太陽電池用基板の粗面化方法 |
JP2003243676A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換装置 |
JP2005085468A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 光電変換素子 |
JP2005285472A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Shozo Yanagida | 光電変換装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099569A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Korea Electronics Telecommun | 染料感応太陽電池及びその製造方法 |
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