JP6773944B2 - 光発電素子 - Google Patents
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 153
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 77
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 75
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 18
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 27
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JJWJFWRFHDYQCN-UHFFFAOYSA-J 2-(4-carboxypyridin-2-yl)pyridine-4-carboxylate;ruthenium(2+);tetrabutylazanium;dithiocyanate Chemical compound [Ru+2].[S-]C#N.[S-]C#N.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.OC(=O)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C([O-])=O)=C1.OC(=O)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C([O-])=O)=C1 JJWJFWRFHDYQCN-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 2
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- -1 heterojunction type Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBOIAZWJIACNJF-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazole;hydroiodide Chemical compound [I-].[NH2+]1C=CN=C1 JBOIAZWJIACNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetonitrile Chemical compound COCC#N QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000005956 Cosmos caudatus Nutrition 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012327 Ruthenium complex Substances 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWJBITNFDYHWBU-UHFFFAOYSA-N [I].[I] Chemical compound [I].[I] SWJBITNFDYHWBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004700 cobalt complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 150000002497 iodine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 229910001511 metal iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 150000004291 polyenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- BJDYCCHRZIFCGN-UHFFFAOYSA-N pyridin-1-ium;iodide Chemical compound I.C1=CC=NC=C1 BJDYCCHRZIFCGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 1
- DPKBAXPHAYBPRL-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;iodide Chemical compound [I-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DPKBAXPHAYBPRL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
- H01G9/2013—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte the electrolyte comprising ionic liquids, e.g. alkyl imidazolium iodide
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
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- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- H01G9/2068—Panels or arrays of photoelectrochemical cells, e.g. photovoltaic modules based on photoelectrochemical cells
- H01G9/2072—Panels or arrays of photoelectrochemical cells, e.g. photovoltaic modules based on photoelectrochemical cells comprising two or more photoelectrodes sensible to different parts of the solar spectrum, e.g. tandem cells
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Description
図7を用いて、従来例として、二酸化ケイ素(SiO2)及び酸化チタン(TiO2)の二つの発電層を用いた、タンデム型発電素子を説明する。
光入射側のFTO層3の上には、焼結により固化された多孔質の二酸化チタン層6が形成されている。そして、多孔質の二酸化チタン層6には、ルテニウム錯体色素を吸着させたチタニア粒子を増感色素として担持させている。また、FTO層4の上には白金膜5が形成されている。
さらに、二酸化チタン層6と二酸化ケイ素層7の高さ方向の間隔は、0.2mm以上であり、四方を封止材8によって囲まれた中に電解質9が封入されている。
このように粉砕された二酸化ケイ素微粒子は、個々の形状は、球形に近いものもあるが図8に示すような非球体物も存在する。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態により明らかにされる。
図1は、実施例1におけるタンデム型光発電素子の断面図、図2は、実施例2におけるタンデム型光発電素子の断面図、図4は、実施例3におけるタンデム型光発電素子の断面図であるが、以下の点は、図1、2、4において共通の事項であるので、代表的に図1を用いて説明する。
図1において、第一の基板12及び第二の基板11のうち、少なくとも光入射側となる第二の基板は透明材料で構成されており、好ましくは、双方とも透明材料で構成されている。透明材料としては、ガラスが一般的であるが、ガラス以外にもプラスチック等の樹脂でもよい。
第二の基板上には、透明な第二の導電膜13形成されている。第二の導電膜13は、好ましくはFTO(フッ素ドープ酸化錫)であるが、FTO層以外にも、例えば、インジウム−スズ複合酸化物(ITO)でもよい。
また、GaAs、Si、Se、InPなどの元素半導体などでもよい。
さらに、SnOとZnOとの複合体、TiO2とNb2O5の複合体などの、上述した物質の2種以上よりなる複合体を用いることもできる。
なお、半導体の種類はこれらに限定されるものでは無く、2種類以上混合して用いることもできる。
これらの第二の光発電層16の層厚は高さ方向で3〜30μmであることが好ましく、より好ましくは6〜20μmである。
また、これらの色素は単独で用いてもよいし、もしくは2種類以上を混合して用いることもできる。
第一の光発電層は、いずれも、実施例1〜3のいずれの場合でも、電荷交換層(図1,2においては、15。図4においては23)の上に、第一の発電層 (図1においては21。図2においては、17。図4においては24)として、二酸化ケイ素微粒子10が分散されている。
実施例1〜3においては、高さ方向の電解質19部分の厚み、すなわち第一の光発電層(図1においては21。図2においては、17。図4においては24)と第二の光発電層16との間の高さ方向の間隔は、200μm以下である。
LEDライト(株式会社コスモテクノ社製)を用いて、第二の基板側から光を入射させ、CEM社製照度計DT−1309で 1000luxの値となる光を測定対象となる光発電素子に照射した。デジタルマルチメーターを用いて、測定対象となる光発電素子のI−V特性を測定し、短絡電流、開放電圧、形状因子ffの値を得ると共に、単位面積当たりの最高出力値を導いた。
図1は実施例1を説明する図である。実施例1においては、第一の光発電層21に用いる二酸化ケイ素微粒子10として、平均長径Lが20〜100nmのものを用いている。これらの二酸化ケイ素微粒子10が、平坦な第一の導電膜14(FTO層)とその上に形成された同じく平坦な電荷交換層15(Pt層)の上に重なり合うように分散され、高さ方向の厚さが300〜500nmとなる第一の光発電層21を構成している。
他の要件等は、実施例1〜3の共通事項として説明した通りである。
図2は実施例2を説明する図である。実施例2においては、実施例1と同じ、材料等を用いている。しかし、二酸化ケイ素微粒子10を、平坦な第一の導電膜14とその上に形成された同じく平坦な電荷交換層15の上に、高さ方向の厚さが300nm以下となるように第一の光発電層17を構成している。
つまり、実施例1に比較して、第一の光発電層の高さ方向の厚みを小さくしている。
このため、光発電効率を改善するためには、二酸化ケイ素微粒子10を電荷交換層15の上面に敷き詰め過ぎないことが重要である。つまり、二酸化ケイ素微粒子10が互いに重なり過ぎず、空間をもった状態である方が、光発電量が高くなることが確認できる。
図4は実施例3を説明する図である。実施例3においては、実施例1、2と同じ材料等を用いている。しかし、実施例3においては、二酸化ケイ素微粒子10を配置する下地となる、第一の導電膜22(FTO層)及び電荷交換層23(Pt層)が平坦な構造ではないものを採用している。図4に示すように、第一の導電膜22が表面に凹凸(roughness、asperity)を有しており、表面に約50nmの高低差を有している。第一の導電膜22上に形成される電荷交換層23も、第一の導電膜22の高低差の影響を受け、表面に凹凸を有している。
このような下地層の表面の凹凸の形状と相まって、二酸化ケイ素微粒子10は薄く分散して配置されることになる。これにより、二酸化ケイ素微粒子10は、過度に重ならず、適度な空間的な余裕を持って配置され、光発電量が高くなることが確認できる。
さらに、第一の導電膜及び/又は電荷交換層の凹凸の高さ方向の高低差や凹凸の形状、第一の基板と平行な方向における凹凸の分布は、二酸化ケイ素微粒子10の大きさの分布、形状の分布に応じて、様々な最適の組み合わせが可能である。
この他、各実施例の一部について他の材料や構成の追加、削除、置換をすることも可能であることは言うまでもない。
11・・・第二の基板
12・・・第一の基板
13・・・第二の導電膜
14・・・第一の導電膜
15・・・電荷交換層
16・・・第二の光発電層
17・・・第一の光発電層
18・・・封止材
19・・・電解質
21・・・第一の光発電層
22・・・第一の導電膜
23・・・電荷交換層
24・・・第一の光発電層
Claims (11)
- 第一の導電膜を一方の表面に有する第一の基板と第二の導電膜を一方の表面に有する第二の基板が、前記第一の導電膜及び前記第二の導電膜が互いに向かい合って配置されており、
前記第一の導電膜の上に、電荷交換層が配置されており、
前記電荷交換層の上に、第一の光発電層が配置されており、
前記第二の導電膜と前記第一の光発電層と間に、電解質が配置されており、
前記第一の光発電層は、二酸化ケイ素微粒子によって構成されており、
前記第一の光発電層の高さ方向の厚さは、前記二酸化ケイ素微粒子の平均長径の3倍以下で形成されている光発電素子。 - 第一の導電膜を一方の表面に有する第一の基板と第二の導電膜を一方の表面に有する第二の基板が、前記第一の導電膜及び前記第二の導電膜が互いに向かい合って配置されており、
前記第一の導電膜の上に、電荷交換層が配置されており、
前記電荷交換層の上に、第一の光発電層が配置されており、
前記第二の導電膜と前記第一の光発電層と間に、電解質が配置されており、
前記第一の光発電層は、二酸化ケイ素微粒子によって構成されており、
前記二酸化ケイ素微粒子は、高さ方向に凹凸のある前記電荷交換層の上に配置されている光発電素子。 - 第一の導電膜を一方の表面に有する第一の基板と第二の導電膜を一方の表面に有する第二の基板が、前記第一の導電膜及び前記第二の導電膜が互いに向かい合って配置されており、
前記第一の導電膜の上に、電荷交換層が配置されており、
前記電荷交換層の上に、第一の光発電層が配置されており、
前記第二の導電膜と前記第一の光発電層と間に、電解質が配置されており、
前記第一の光発電層は、二酸化ケイ素微粒子によって構成されており、
前記二酸化ケイ素微粒子は、高さ方向に凹凸のある前記第一の導電膜の上面に設けられた高さ方向に凹凸のある前記電荷交換層の上に配置されている光発電素子。 - 請求項2において、
前記電荷交換層の高さ方向の凹凸は、50nm以上である光発電素子。 - 請求項3において、
前記第一の導電膜の高さ方向の凹凸は、50nm以上である光発電素子。 - 第一の導電膜を一方の表面に有する第一の基板と第二の導電膜を一方の表面に有する第二の基板が、前記第一の導電膜及び前記第二の導電膜が互いに向かい合って配置されており、
前記第二の導電膜の上に、第二の光発電層が配置されており、
前記第一の導電膜の上に、電荷交換層が配置されており、
前記電荷交換層の上に、第一の光発電層が配置されており、
前記第二の光発電層と前記第一の光発電層と間に、電解質が配置されており、
前記第一の光発電層は、二酸化ケイ素微粒子によって構成されており、かつ、高さ方向の厚さが、前記二酸化ケイ素微粒子の平均長径の3 倍以下となるように、二酸化ケイ素微粒子が配置されている光発電素子。 - 請求項6において、
前記第一の光発電層は、第二の基板側から第一の基板を見た場合に、二酸化ケイ素微粒子の隙間から、前記電荷交換層が見える程度に、前記二酸化ケイ素微粒子が配置された光発電素子。 - 請求項6または7において、
前記電荷交換層、及び/又は、前記第一の導電膜は、高さ方向に50nm以上の凹凸を有する光発電素子。 - 請求項6から8のいずれか一項において、
前記第二の光発電層は、TiO2、SnO、ZnO、WO3、Nb2O5、In2O3、ZrO2、Ta2O5、TiSrO3から選ばれた物質である光発電素子。 - 請求項6から9のいずれか一項において、前記第二の光発電層は、増感色素を担持させたものである光発電素子。
- 請求項1から10のいずれか一項において、
前記二酸化ケイ素微粒子は、ハロゲン化水素酸に浸漬処理された二酸化ケイ素である光発電素子。
Priority Applications (16)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016001278A JP6773944B2 (ja) | 2016-01-06 | 2016-01-06 | 光発電素子 |
EP16883856.3A EP3401938B1 (en) | 2016-01-06 | 2016-12-27 | Photovoltaic element |
US16/067,988 US20190006121A1 (en) | 2016-01-06 | 2016-12-27 | Photovoltaic element |
ES16883856T ES2910044T3 (es) | 2016-01-06 | 2016-12-27 | Elemento fotovoltaico |
CN201680077860.2A CN108475582B (zh) | 2016-01-06 | 2016-12-27 | 光发电元件 |
CN202010156599.3A CN111508715A (zh) | 2016-01-06 | 2016-12-27 | 光发电元件 |
DK16883856.3T DK3401938T3 (da) | 2016-01-06 | 2016-12-27 | Fotovoltaisk element |
AU2016385211A AU2016385211B2 (en) | 2016-01-06 | 2016-12-27 | Photovoltaic element |
RU2018127840A RU2703519C1 (ru) | 2016-01-06 | 2016-12-27 | Фотоэлектрический элемент |
EP20191884.4A EP3758032A1 (en) | 2016-01-06 | 2016-12-27 | Photovoltaic element |
PCT/JP2016/088848 WO2017119357A1 (ja) | 2016-01-06 | 2016-12-27 | 光発電素子 |
PL16883856T PL3401938T3 (pl) | 2016-01-06 | 2016-12-27 | Element fotowoltaiczny |
TW105143927A TWI708274B (zh) | 2016-01-06 | 2016-12-29 | 光發電元件 |
PH12018501441A PH12018501441A1 (en) | 2016-01-06 | 2018-07-05 | Photovoltaic element |
AU2019219769A AU2019219769B2 (en) | 2016-01-06 | 2019-08-21 | Photovoltaic element |
US16/861,398 US20200279694A1 (en) | 2016-01-06 | 2020-04-29 | Photovoltaic element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016001278A JP6773944B2 (ja) | 2016-01-06 | 2016-01-06 | 光発電素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017123392A JP2017123392A (ja) | 2017-07-13 |
JP6773944B2 true JP6773944B2 (ja) | 2020-10-21 |
Family
ID=59274092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016001278A Active JP6773944B2 (ja) | 2016-01-06 | 2016-01-06 | 光発電素子 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20190006121A1 (ja) |
EP (2) | EP3758032A1 (ja) |
JP (1) | JP6773944B2 (ja) |
CN (2) | CN111508715A (ja) |
AU (2) | AU2016385211B2 (ja) |
DK (1) | DK3401938T3 (ja) |
ES (1) | ES2910044T3 (ja) |
PH (1) | PH12018501441A1 (ja) |
PL (1) | PL3401938T3 (ja) |
RU (1) | RU2703519C1 (ja) |
TW (1) | TWI708274B (ja) |
WO (1) | WO2017119357A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019021767A (ja) * | 2017-07-18 | 2019-02-07 | 国際先端技術総合研究所株式会社 | 光発電素子及びその製造方法 |
RU196426U1 (ru) * | 2019-12-27 | 2020-02-28 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО) | Прозрачный гетеропереход на основе оксидов |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11317538A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-11-16 | Canon Inc | 光導電性薄膜および光起電力素子 |
FR2800731B1 (fr) * | 1999-11-05 | 2002-01-18 | Saint Gobain Vitrage | Substrat transparent muni d'une couche en derive de silicium |
DE60123714T2 (de) * | 2000-08-15 | 2007-10-04 | FUJI PHOTO FILM CO., LTD., Minamiashigara | Photoelektrische Zelle und Herstellungsmethode |
JP2005111218A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Rabaa:Kk | 衣類収納洗濯ネット |
JPWO2005078853A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2007-10-18 | 株式会社ブリヂストン | 色素増感型太陽電池 |
JP4863662B2 (ja) * | 2005-07-06 | 2012-01-25 | シャープ株式会社 | 色素増感型太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
WO2007026927A1 (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | Kyocera Corporation | 光電変換装置及びその製造方法並びに光発電装置 |
WO2007043533A1 (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-19 | Kyocera Corporation | 光電変換装置及びその製造方法並びに光発電装置 |
KR100728194B1 (ko) * | 2005-11-11 | 2007-06-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 염료 감응형 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
US7902072B2 (en) * | 2006-02-28 | 2011-03-08 | Fujifilm Corporation | Metal-polishing composition and chemical-mechanical polishing method |
EP1936644A3 (en) * | 2006-12-22 | 2011-01-05 | Sony Deutschland Gmbh | A photovoltaic cell |
JP2008257893A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 色素増感型太陽電池用基板の製造方法、色素増感型太陽電池の製造方法、および、これらによって製造された色素増感型太陽電池用基板および色素増感型太陽電池。 |
WO2009127692A2 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Nanologica Ab | Solar to electric energy conversion device |
CN101620938B (zh) * | 2008-07-05 | 2011-12-14 | 比亚迪股份有限公司 | 一种半导体电极及制法和含有该半导体电极的太阳能电池 |
WO2010046180A2 (en) * | 2008-10-22 | 2010-04-29 | Applied Materials Inc. - A Corporation Of The State Of Delaware | Semiconductor device and method of producing a semiconductor device |
US20120042930A1 (en) * | 2009-04-15 | 2012-02-23 | Ryohsuke Yamanaka | Dye-sensitized solar cell and dye-sensitized solar cell module |
CN101866963B (zh) * | 2009-07-20 | 2012-12-26 | 湖南共创光伏科技有限公司 | 高转化率硅基多结多叠层pin薄膜太阳能电池及其制造方法 |
LT2492375T (lt) | 2009-10-21 | 2018-02-12 | International Frontier Technology Laboratory Inc. | Fotoelementas |
US9224892B2 (en) * | 2009-12-21 | 2015-12-29 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Silicon thin film solar cell having improved haze and methods of making the same |
KR101135476B1 (ko) * | 2010-11-16 | 2012-04-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 염료 감응 태양 전지 |
TWI542023B (zh) * | 2011-03-11 | 2016-07-11 | Internat Frontier Tech Lab Inc | Silicon dioxide solar cells |
JP2012234693A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | International Frontier Technology Laboratory Inc | ソーラーセル |
JP5118233B2 (ja) * | 2011-06-08 | 2013-01-16 | シャープ株式会社 | 光電変換素子および光電変換素子モジュール |
CN102543468A (zh) * | 2012-01-04 | 2012-07-04 | 复旦大学 | 以取向碳纳米管薄膜为对电极的染料敏化太阳能电池 |
JP5467237B2 (ja) * | 2012-02-09 | 2014-04-09 | ペクセル・テクノロジーズ株式会社 | 色素増感型光電変換素子およびそれを用いた色素増感型太陽電池の製造方法 |
CN102751105B (zh) * | 2012-06-26 | 2015-07-15 | 北京交通大学 | 一种染料敏化太阳能电池光阳极的制备方法 |
JP2014095099A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜積層体及びその製造方法、並びに薄膜太陽電池及びその製造方法 |
JP6235235B2 (ja) * | 2013-05-10 | 2017-11-22 | 三愛工業株式会社 | 洗濯ネット袋 |
JP6121971B2 (ja) * | 2014-10-17 | 2017-04-26 | 松本ナ−ス産業株式会社 | 洗濯用ネット |
-
2016
- 2016-01-06 JP JP2016001278A patent/JP6773944B2/ja active Active
- 2016-12-27 EP EP20191884.4A patent/EP3758032A1/en active Pending
- 2016-12-27 RU RU2018127840A patent/RU2703519C1/ru active
- 2016-12-27 DK DK16883856.3T patent/DK3401938T3/da active
- 2016-12-27 PL PL16883856T patent/PL3401938T3/pl unknown
- 2016-12-27 AU AU2016385211A patent/AU2016385211B2/en active Active
- 2016-12-27 CN CN202010156599.3A patent/CN111508715A/zh active Pending
- 2016-12-27 CN CN201680077860.2A patent/CN108475582B/zh active Active
- 2016-12-27 US US16/067,988 patent/US20190006121A1/en not_active Abandoned
- 2016-12-27 ES ES16883856T patent/ES2910044T3/es active Active
- 2016-12-27 EP EP16883856.3A patent/EP3401938B1/en active Active
- 2016-12-27 WO PCT/JP2016/088848 patent/WO2017119357A1/ja active Application Filing
- 2016-12-29 TW TW105143927A patent/TWI708274B/zh active
-
2018
- 2018-07-05 PH PH12018501441A patent/PH12018501441A1/en unknown
-
2019
- 2019-08-21 AU AU2019219769A patent/AU2019219769B2/en active Active
-
2020
- 2020-04-29 US US16/861,398 patent/US20200279694A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111508715A (zh) | 2020-08-07 |
US20190006121A1 (en) | 2019-01-03 |
AU2016385211A1 (en) | 2018-07-26 |
EP3401938B1 (en) | 2022-01-19 |
AU2016385211B2 (en) | 2019-10-03 |
EP3401938A1 (en) | 2018-11-14 |
ES2910044T3 (es) | 2022-05-11 |
WO2017119357A1 (ja) | 2017-07-13 |
CN108475582A (zh) | 2018-08-31 |
JP2017123392A (ja) | 2017-07-13 |
AU2019219769A1 (en) | 2019-09-05 |
PH12018501441A1 (en) | 2019-03-04 |
PL3401938T3 (pl) | 2022-05-23 |
TW201801109A (zh) | 2018-01-01 |
RU2703519C1 (ru) | 2019-10-18 |
DK3401938T3 (da) | 2022-03-28 |
TWI708274B (zh) | 2020-10-21 |
US20200279694A1 (en) | 2020-09-03 |
EP3758032A1 (en) | 2020-12-30 |
EP3401938A4 (en) | 2020-01-08 |
CN108475582B (zh) | 2021-02-23 |
AU2019219769B2 (en) | 2021-01-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20171101 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200630 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6773944 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |