RU196426U1 - Прозрачный гетеропереход на основе оксидов - Google Patents
Прозрачный гетеропереход на основе оксидов Download PDFInfo
- Publication number
- RU196426U1 RU196426U1 RU2019144309U RU2019144309U RU196426U1 RU 196426 U1 RU196426 U1 RU 196426U1 RU 2019144309 U RU2019144309 U RU 2019144309U RU 2019144309 U RU2019144309 U RU 2019144309U RU 196426 U1 RU196426 U1 RU 196426U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- film
- doped
- aluminum
- heterojunction
- Prior art date
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- -1 copper aluminate Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [Sn+4].[O-2].[In+3] GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920013637 polyphenylene oxide polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Полезная модель представляет собой структуру и выбор материалов для изготовления прозрачного гетероперехода, в котором оба слоя n- и р-типа проводимости изготавливаются методом золь-гель технологии.Прозрачный гетеропереход на основе оксидов, содержащий подложку с последовательно нанесенными пленкой алюмината меди в качестве р-слоя и поликристаллической пленкой оксида цинка легированного алюминием в качестве n-слоя, а также с серебряными электродами, нанесенными на эти слои, отличающийся тем, что подложка выполнена из плавленого кварца, пленка оксида цинка выполнена толщиной от 82 до 87 нм, легирована алюминием с молярным соотношением Zn:Al, 1:0,03, размер ее зерен равен 9-12 нм, пленка алюмината меди выполнена толщиной от 75 до 85 нм, легирована хромом с молярным соотношением Cu:Al:Cr, 1:0,5:0,5, представляет собой поликристаллический слой с размером зерен 50-57 нм, поликристаллические зерна оксида цинка легированного алюминием ориентированы осями [101] и [100] относительно направлений [101] и [006] поликристаллов алюмината меди легированного хромом с рассогласованием менее 1%.Предложенные структура и состав устройства обеспечивают улучшение планарности границы гетероперехода, тем самым увеличивая значение оптического пропускания гетероструктуры в видимом и ближнем ИК-диапазонах.
Description
Полезная модель относится к полупроводниковым приборам, работающим на n-р переходе и прозрачным в видимом диапазоне спектра. Прозрачный диод является основным элементом прозрачной оптоэлектроники. Прозрачный фотодиод, поглощающий УФ излучение и прозрачный в видимом диапазоне спектра перспективен для применения в качестве дисплея мобильных устройств, способного осуществлять их дополнительную подзарядку, а также в качестве покрытия стекол для создания источника дополнительной солнечной энергии. Число приложений в сегменте дисплеев и окон растет из-за быстрого технологического прогресса и увеличения спроса на компактные, сложные и технологически продвинутые продукты на рынке.
Вместе с прозрачными проводящими оксидами n-типа такими как оксид цинка (ZnO) и оксид цинка легированный алюминием, ZnO:Al (AZO), проводящие оксиды р-типа проводимости обеспечивают следующий уровень в области «прозрачной» электроники нового поколения энергетически эффективных устройств оптоэлектроники. Полностью "прозрачный" p-n переход является так называемым «функциональным окном», которое пропускает видимый свет и в то же время производит электроэнергию, поглощая ультрафиолетовый свет.
Для создания прозрачного в видимом спектральном диапазоне гетероперехода, необходимо наличие полупроводников n- и р-типа проводимости с шириной запрещенной зоны более 3 эВ. Прозрачные проводящие оксиды (ППО), являются хорошими претендентами на эту роль. Сами по себе ППО являются по большей части полупроводниками n-типа проводимости. Подбор и получение ППО р-типа проводимости, имеющих хорошую согласованность зонной структуры с оксидом n-типа - основная задача для получения прозрачного р-n перехода. Хорошо на роль полупроводников р-типа подходят структуры типа делафоссита (CuAlO2, CuCrO2). Вторым по значимости для образования гетероперехода является оксид никеля (NiO). Для осуществления протекания тока через р-n переход, необходимо хорошая согласованность параметров решетки двух материалов.
Согласование зон между оксидами р- и n-типа играет критическую роль для образования гетероперехода. Делафоссит CuAlO2 имеет значения параметров, таких как электронное сродство и ширина запрещенной зоны более близкие к AZO, чем NiO. Таким образом, разрывы зон в паре p-CuAlO2/n-AZO меньше, чем в паре p-NiO/n-AZO. Кроме этого, делафосситы имеют гексагональную структуру, как и AZO, тем самым больше вероятность получения хорошей границы между ними. Два этих фактора обусловили выбор CuAlO2 в качестве пары для AZO для создания прозрачного гетероперехода.
Известен прозрачный для видимого излучения фотодиод (патент US 6936865 В2, опубликован 30 августа 2005 г.), получаемый импульсным лазерным напылением, состоящий из прозрачной диэлектрической подложки с нанесенным на нее прозрачным проводящим оксидом индия - олово (ITO) толщиной от 0,1 до 0,2 мкм и р-n перехода. Р-n переход сформирован пленкой р-типа CuAlO2, нанесенной на слой электрода ITO и пленкой n-типа, ZnO, нанесенной поверх р-слоя. Толщина n- и р-слоев составила по 0,4 мкм. Верхний n-слой также выполняет функцию второго электрода. В данной структуре при облучении ее светом УФ-диапазона наблюдается генерация тока, при этом сама структура обладает средним значением пропускания 48% в диапазоне от 400 до 700 нм. Вольт-амперная характеристика полученного устройства соответствует диодной, тем самым подтверждается образование гетероперехода.
Недостатком данного устройства является низкое значение пропускания в видимом диапазоне спектра, которое является граничным значением для определения электроники как «прозрачной». Низкое значение пропускания связано с нарушением планарности границы р-n перехода, наличием дефектов на границе и рассеяние света на них. Авторы связывают плохую границу гетероперехода с аморфной структурой получаемого слоя CuAlO2.
Известна прозрачная для видимого излучения гетероструктура, выбранная в качестве прототипа (патент CN 102244010 B, опубликован 16 ноября 2011 г.), представляющая собой тонкопленочный гетеропереход p-CuAlO2/n-ZnO:Al, изготовленный на прозрачной подложке методами растворной химии.
Устройство состоит из:
- Прозрачная диэлектрическая подложка (кварц);
- Пленка р-типа проводимости CuAlO2 толщиной 280 нм, нанесенная на диэлектрическую подложку методами золь-гель технологии. Полоска пленки CuAlO2 закрывается маской, для последующего нанесения серебряного контакта;
- Пленка n-типа проводимости ZnO:Al толщиной 480 нм, нанесенная на слой р-типа проводимости методом спрей-пиролиза. Слой ZnO:Al, нанесенный на маску и сама маска удаляются;
- Серебряный контакт, нанесенный на слой р-CuAlO2;
- Серебряный контакт, нанесенный на слой n-ZnO:Al.
Толщина устройства 1200 нм.
Среднее значение оптического пропускания полученной структуры составляет 50%.
Устройство работает следующим образом. При приложении напряжения к серебряным контактам регистрируется ток. Вольт-амперная характеристика полученной структуры является диодной, что говорит о том, что образовался гетеропереход при нанесении слоев n- и р-типа проводимости методами растворной химии. Включающее диод напряжение около 0,4 В, максимальный прямой ток 6,8 мкА.
Недостатком данной гетероструктуры является низкое значение пропускания в видимом диапазоне спектра, что говорит о дефектах на границе р-n перехода.
Предлагаемая полезная модель решает проблему затемнения границы гетероперехода в прозрачных диодных структурах. Поставленная задача решается за счет достижения технического результата, заключающегося за счет увеличения значения пропускания n-слоя проводимости и уменьшения пустот и дефектов на границе гетероперехода. Данный технический результат достигается тем, что прозрачный гетеропереход на основе оксидов, содержащий подложку с последовательно нанесенными пленкой алюмината меди в качестве р-слоя и поликристаллической пленкой оксида цинка легированного алюминием в качестве n-слоя, а также с серебряными электродами нанесенными на эти слои, отличается тем, что подложка выполнена из плавленого кварца, пленка оксида цинка выполнена толщиной от 82 до 87 нм, легирована алюминием с молярным соотношением Zn:Al, 1:0,03, размер ее зерен равен 9-12 нм, пленка алюмината меди выполнена толщиной от 75 до 85 нм, легирована хромом с молярным соотношением Cu:Al:Cr, 1:0,5:0,5, представляет собой поликристаллический слой с размером зерен 50-57 нм, поликристаллические зерна оксида цинка легированного алюминием ориентированы осями [101] и [100] относительно направлений [101] и [006] поликристаллов алюмината меди легированного хромом с рассогласованием менее 1%.
Сущность заявляемой полезной модели поясняется следующим.
Прозрачный гетеропереход на основе оксидов (Фиг. 1), состоит из:
- прозрачной подложки 1 из плавленого кварца толщиной до 1000 мкм;
- слоя р-типа проводимости 2 из алюмината меди легированного хромом (CuAlCrO2) с молярным соотношением Cu:Al:Cr, 1:0,5:0,5, толщиной от 75 до 85 нм;
- слоя n-типа проводимости 3 из оксида цинка легированного алюминием (ZnO:Al) с молярным соотношением Zn:Al, 1:0,03, толщиной 82 до 87 нм;
- двух серебряных контактов 4, нанесенных соответственно на слой n-типа и на слой р-типа проводимости.
Предлагаемое устройство работает следующим образом: при приложении напряжения к контактам наблюдается протекание тока через структуру. Измеренная вольт-амперная характеристика от -7 до 7 В соответствует диодной (Фиг. 2, а), что подтверждает образование гетероперехода. Вольт-амперные характеристики между серебряными контактами и n- и р-слоями соответственно (Фиг. 2, б) имеют линейную зависимость, что говорит об омическом контакте между ними, не вносящем искажений в вольт-амперную характеристику гетероперехода.
В основе изобретения лежит эффект образования резкой границы поглощения в слое алюмината меди при легировании его хромом, несмотря на то, что край поглощения материала смещается к большим длинам волн при легировании, абсолютное значение оптического пропускания в видимой области спектра достигает 60% при 400 нм и увеличивается до 80% в длинноволновой области видимого и ближнего ИК диапазонов, по сравнению с плавным нарастанием пропускания для слоя алюмината меди без легирования с 40% для 400 нм.
Второй эффект, влияющий на образование планарной гетерограницы (Фиг. 3), это заданная ориентация поликристаллов CuAlCrO2 на подложке из плавленого кварца, которая позволяет поликристаллам AZO формировать слой вдоль направлений с минимальным рассогласованием межплоскостных расстояний. Легкость встраивания зерен AZO на поликристаллической пленке CuAlCrO2 и планарность формируемой гетерограницы также упрощает формируемый более мелкий размер зерен AZO.
Среднее оптическое пропускание предлагаемого устройства в диапазоне от 500 до 1000 нм составляет 65% (Фиг. 4). Предлагаемое тонкопленочное устройство не затрудняет видимость изображения, его можно наносить на поверхность окон и дисплеев (Фиг. 5).
Claims (1)
- Прозрачный гетеропереход на основе оксидов, содержащий подложку с последовательно нанесенными пленкой алюмината меди в качестве р-слоя и поликристаллической пленкой оксида цинка легированного алюминием в качестве n-слоя, а также с серебряными электродами, нанесенными на эти слои, отличающийся тем, что подложка выполнена из плавленого кварца, пленка оксида цинка выполнена толщиной от 82 до 87 нм, легирована алюминием с молярным соотношением Zn:Al, 1:0,03, размер ее зерен равен 9-12 нм, пленка алюмината меди выполнена толщиной от 75 до 85 нм, легирована хромом с молярным соотношением Cu:Al:Cr, 1:0,5:0,5, представляет собой поликристаллический слой с размером зерен 50-57 нм, поликристаллические зерна оксида цинка легированного алюминием ориентированы осями [101] и [100] относительно направлений [101] и [006] поликристаллов алюмината меди легированного хромом с рассогласованием менее 1%.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019144309U RU196426U1 (ru) | 2019-12-27 | 2019-12-27 | Прозрачный гетеропереход на основе оксидов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019144309U RU196426U1 (ru) | 2019-12-27 | 2019-12-27 | Прозрачный гетеропереход на основе оксидов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU196426U1 true RU196426U1 (ru) | 2020-02-28 |
Family
ID=69768576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019144309U RU196426U1 (ru) | 2019-12-27 | 2019-12-27 | Прозрачный гетеропереход на основе оксидов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU196426U1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2811826C1 (ru) * | 2023-01-10 | 2024-01-18 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Уральский государственный гуманитарно-педагогический университет" ФГБОУ ВО "ЮУрГГПУ" | Способ получения алюмината меди со структурой делафоссита |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080052596A (ko) * | 2005-08-16 | 2008-06-11 | 나노솔라, 인크. | 도전 장벽층과 호일 기판을 구비한 광전 소자 |
| RU2394305C2 (ru) * | 2007-07-20 | 2010-07-10 | Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд | Полупроводниковый прибор со встроенными контактами (варианты) и способ изготовления полупроводниковых приборов со встроенными контактами (варианты) |
| RU2416135C2 (ru) * | 2006-10-27 | 2011-04-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Полупроводниковый элемент, способ изготовления полупроводникового изделия и матрица светоизлучающих диодов, полученная с использованием этого способа изготовления |
| KR20110085216A (ko) * | 2010-01-19 | 2011-07-27 | 한양대학교 산학협력단 | 다양한 종류의 나노입자를 함유한 적층형 유기-무기 하이브리드 태양전지 및 그 제조방법 |
| KR20110089549A (ko) * | 2010-02-01 | 2011-08-09 | 건국대학교 산학협력단 | 패터닝이 가능한 브러쉬 코팅공정을 적용한 유기전자소자의 제조방법 |
| CN102832293A (zh) * | 2012-09-21 | 2012-12-19 | 蚌埠玻璃工业设计研究院 | 一种硅基薄膜太阳能电池用绒面azo薄膜的制备方法 |
| RU2593915C2 (ru) * | 2011-01-26 | 2016-08-10 | Массачусеттс Инститьют Оф Текнолоджи | Прозрачные фотогальванические элементы |
| RU2667689C2 (ru) * | 2016-12-28 | 2018-09-24 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ получения гетероперехода нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний для солнечных элементов и солнечный элемент с таким гетеропереходом |
| RU2686583C2 (ru) * | 2014-04-24 | 2019-04-29 | Витро, С.А.Б. Де С.В. | Органический светоизлучающий диод со слоем модификации поверхности |
| RU2701467C1 (ru) * | 2018-12-25 | 2019-09-26 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Прозрачный проводящий оксид |
| RU2703519C1 (ru) * | 2016-01-06 | 2019-10-18 | Интернэшнл Фронтьер Текнолоджи Лэборетери, Инк. | Фотоэлектрический элемент |
-
2019
- 2019-12-27 RU RU2019144309U patent/RU196426U1/ru active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080052596A (ko) * | 2005-08-16 | 2008-06-11 | 나노솔라, 인크. | 도전 장벽층과 호일 기판을 구비한 광전 소자 |
| RU2416135C2 (ru) * | 2006-10-27 | 2011-04-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Полупроводниковый элемент, способ изготовления полупроводникового изделия и матрица светоизлучающих диодов, полученная с использованием этого способа изготовления |
| RU2394305C2 (ru) * | 2007-07-20 | 2010-07-10 | Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд | Полупроводниковый прибор со встроенными контактами (варианты) и способ изготовления полупроводниковых приборов со встроенными контактами (варианты) |
| KR20110085216A (ko) * | 2010-01-19 | 2011-07-27 | 한양대학교 산학협력단 | 다양한 종류의 나노입자를 함유한 적층형 유기-무기 하이브리드 태양전지 및 그 제조방법 |
| KR20110089549A (ko) * | 2010-02-01 | 2011-08-09 | 건국대학교 산학협력단 | 패터닝이 가능한 브러쉬 코팅공정을 적용한 유기전자소자의 제조방법 |
| RU2593915C2 (ru) * | 2011-01-26 | 2016-08-10 | Массачусеттс Инститьют Оф Текнолоджи | Прозрачные фотогальванические элементы |
| CN102832293A (zh) * | 2012-09-21 | 2012-12-19 | 蚌埠玻璃工业设计研究院 | 一种硅基薄膜太阳能电池用绒面azo薄膜的制备方法 |
| RU2686583C2 (ru) * | 2014-04-24 | 2019-04-29 | Витро, С.А.Б. Де С.В. | Органический светоизлучающий диод со слоем модификации поверхности |
| RU2703519C1 (ru) * | 2016-01-06 | 2019-10-18 | Интернэшнл Фронтьер Текнолоджи Лэборетери, Инк. | Фотоэлектрический элемент |
| RU2667689C2 (ru) * | 2016-12-28 | 2018-09-24 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ получения гетероперехода нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний для солнечных элементов и солнечный элемент с таким гетеропереходом |
| RU2701467C1 (ru) * | 2018-12-25 | 2019-09-26 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Прозрачный проводящий оксид |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2811826C1 (ru) * | 2023-01-10 | 2024-01-18 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Уральский государственный гуманитарно-педагогический университет" ФГБОУ ВО "ЮУрГГПУ" | Способ получения алюмината меди со структурой делафоссита |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Klochko et al. | Metal oxide heterojunction (NiO/ZnO) prepared by low temperature solution growth for UV-photodetector and semi-transparent solar cell | |
| US20240154049A1 (en) | Photovoltaic devices and method of making | |
| US9362423B2 (en) | Methods of forming thin-film photovoltaic devices with discontinuous passivation layers | |
| Yadav et al. | Sol-gel-based highly sensitive Pd/n-ZnO thin film/n-Si Schottky ultraviolet photodiodes | |
| KR20100080601A (ko) | 헤테로접합을 포함하는 광기전 장치 | |
| Hakkoum et al. | Effect of the source solution quantity on optical characteristics of ZnO and NiO thin films grown by spray pyrolysis for the design NiO/ZnO photodetectors | |
| US20120192923A1 (en) | Photovoltaic device | |
| Ferhati et al. | Post-annealing effects on RF sputtered all-amorphous ZnO/SiC heterostructure for solar-blind highly-detective and ultralow dark-noise UV photodetector | |
| Khashan | Optoelectronic properties of ZnO nanoparticles deposition on porous silicon | |
| US8785232B2 (en) | Photovoltaic device | |
| WO2016017617A1 (ja) | 光電変換装置およびタンデム型光電変換装置ならびに光電変換装置アレイ | |
| CN108878576A (zh) | 一种氧化镓基紫外探测器 | |
| KR101415251B1 (ko) | 다중 버퍼층 및 이를 포함하는 태양전지 및 그 생산방법 | |
| Ismail et al. | Preparation of ZnS-decorated MWCNTs/p-Si hybrid photodetector by pulsed laser deposition | |
| CN104319320A (zh) | 一种新型复合透明电极的led芯片及其制作方法 | |
| TW201508935A (zh) | 光伏裝置及成型光伏裝置之方法 | |
| RU196426U1 (ru) | Прозрачный гетеропереход на основе оксидов | |
| Kumar et al. | A comparative analysis of structural, optical, and electrical characteristics of c-plane and a-plane ZnO: Al thin films fabricated by a pulsed laser ablation technique | |
| US20130160810A1 (en) | Photovoltaic device and method of making | |
| Forin et al. | p-NiO/ITO transparent heterojunction—Preparation and characterization | |
| US20110215434A1 (en) | Thin-film photoelectric conversion device and method of manufacturing thin-film photoelectric conversion device | |
| Aktas | Investigation and comparison of optical properties of CdO and CdGaO transparent conductive metal oxide thin films | |
| He et al. | Fabrication and characterization of amorphous ITO/p-Si heterojunction solar cell | |
| KR20110107934A (ko) | 탄소나노튜브/ＺｎＯ 투명태양전지 및 그 제조방법 | |
| KR101835221B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB9K | Licence granted or registered (utility model) |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20201026 Effective date: 20201026 |