JP2008216958A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 絶縁マザー基板を提供し、
   波長が３５５ｎｍ未満であり、前記絶縁マザー基板が１０％以上の吸光率を有するようなレーザ光を照射して、前記絶縁マザー基板の内部にアラインマークを形成し、
   前記アラインマークを基準に前記絶縁マザー基板上に多数の素子を形成し、
   前記絶縁マザー基板をカットして複数の絶縁単位基板を形成すること、
   を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
2. 前記レーザ光はＮｄ：ＹＡＧレーザ装置、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ装置、及びＮｄ：ｇｌａｓｓレーザ装置からなる群から選択されたレーザ装置を用いて照射されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
3. 前記波長は２６６ｎｍ以下のＵＶ波長であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
4. 前記アラインマークを形成する間、前記絶縁マザー基板を８０℃〜４００℃の温度に維持することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
5. 前記アラインマークは前記レーザ光を前記絶縁マザー基板の内部に集束して形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
6. 前記アラインマークは前記絶縁マザー基板の厚さの１／３〜２／３の位置に形成されることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
7. 前記絶縁マザー基板は、前記多数の素子が形成される複数のアクティブ領域と、前記アラインマークが形成され、前記アクティブ領域の間に配置されたダミー領域とを含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
8. 前記素子はインクジェット方法またはレーザ投射方法によって形成されることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
9. 前記素子は前記絶縁マザー基板の上部に順次積層されたゲート配線及びデータ配線、ブラックマトリックス及びカラーフィルタパターンを含むことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
10. 前記素子は前記絶縁マザー基板の上部に形成された共通電極を含むことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。