JP2008211199A5 - - Google Patents
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- メモリ素子を複数有し、
前記メモリ素子は、第1の電極と、前記第1の電極上にシリコン膜と、前記シリコン膜上にゲルマニウム膜と、前記ゲルマニウム膜上に第2の電極と、を有し、
前記第1の電極と前記第2の電極とは異なる材料を含むことを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面を有する基板上に複数の薄膜トランジスタを含む駆動回路、及び複数のメモリ素子を有し、
前記メモリ素子は、第1の電極と、前記第1の電極上にシリコン膜と、前記シリコン膜上にゲルマニウム膜と、前記ゲルマニウム膜上に第2の電極と、を有し、
前記薄膜トランジスタのゲート電極は、前記メモリ素子の一方の電極と同じ材料であり、
前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極は、前記メモリ素子のもう一方の電極と同じ材料であり、
前記第1の電極と前記第2の電極とは異なる材料を含むことを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面を有する基板上に複数の薄膜トランジスタを含む駆動回路、複数のメモリ素子、及びアンテナを有し、
前記メモリ素子は、第1の電極と、前記第1の電極上にシリコン膜と、前記シリコン膜上にゲルマニウム膜と、前記ゲルマニウム膜上に第2の電極と、を有し、
前記薄膜トランジスタのゲート電極は、前記メモリ素子の一方の電極と同じ材料であり、
前記アンテナは、前記アンテナの下方に設けられた接続電極と電気的に接続し、
前記接続電極は前記薄膜トランジスタと電気的に接続し、
前記接続電極は、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料であり、且つ、前記メモリ素子のもう一方の電極と同じ材料であり、
前記第1の電極と前記第2の電極とは異なる材料を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項2または3において、
前記絶縁表面を有する基板は、ガラス基板、プラスチックフィルム、紙のいずれか一であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一において、
前記第1の電極に含まれる材料の仕事関数は、前記第2の電極に含まれる材料の仕事関数よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - メモリ素子を複数有し、
前記メモリ素子は、第1の電極と、前記第1の電極上にシリコン膜と、前記シリコン膜上にゲルマニウム膜と、前記ゲルマニウム膜上に第2の電極と、を有し、
前記第1の電極と前記第2の電極とは同じ材料を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、
前記第1の電極は、前記シリコン膜と反応してシリサイドを形成する材料を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一において、
前記第1の電極は、チタン(Ti)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)、バナジウム(V)、パラジウム(Pd)、ハフニウム(Hf)、白金(Pt)、鉄(Fe)から選ばれる一の元素を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至8のいずれか一において、
前記第2の電極は、前記ゲルマニウム膜と反応する材料を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至9のいずれか一において、
前記シリコン膜は、アモルファスシリコン膜、微結晶シリコン膜、または多結晶シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至10のいずれか一において、
前記ゲルマニウム膜は、アモルファスゲルマニウム膜、または、シリコンを含むゲルマニウム膜であることを特徴とする半導体装置。 - 同一基板上に複数の薄膜トランジスタを含む駆動回路と、複数のメモリ素子とを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する前記基板上に第1の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に前記第1の半導体層と重なる第1の電極と、前記第1の絶縁膜上に第2の電極とを形成し、
前記第1の電極及び前記第2の電極を覆う第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜をエッチングして前記第2の電極に達する第1の開口を形成し、
前記第1の開口を覆う第2の半導体層及び第3の半導体層を形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜をエッチングして前記第1の半導体層に達する第2の開口を形成し、
前記第2の絶縁膜上に前記第1の開口と重なる第3の電極と、前記第2の開口と重なる第4の電極とを形成し、
前記薄膜トランジスタは、前記第1の半導体層、前記第1の電極、及び前記第4の電極を有し、
前記メモリ素子は、前記第2の電極、前記第2の半導体層、前記第3の半導体層、及び前記第3の電極を有し、
前記第2の半導体層はシリコンを含み、
前記第3の半導体層はゲルマニウムを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項12において、
前記第1の電極及び前記第2の電極の形成と同じ工程で前記第1の絶縁膜上に第5の電極を形成し、さらに、前記第5の電極上に前記第5の電極と電気的に接続するアンテナを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項12または13において、
前記第1の電極は、前記薄膜トランジスタのゲート電極であり、前記第1の絶縁膜は、ゲート絶縁膜であり、前記第4の電極はソース電極またはドレイン電極であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項12乃至14のいずれか一において、
前記第1の半導体層は、多結晶シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項12乃至15のいずれか一において、
前記第2の半導体層は、アモルファスシリコン膜、微結晶シリコン膜、または多結晶シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項12乃至16のいずれか一において、
前記第3の半導体層は、アモルファスゲルマニウム膜、またはシリコンを含むゲルマニウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項12乃至17のいずれか一において、
前記基板は、ガラス基板、プラスチックフィルム、紙のいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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