JP2006179878A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 97
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 230000003197 catalytic Effects 0.000 claims 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 claims 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N Hafnium Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052803 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 1
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium(0) Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (10)
- 基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に前記第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングしてゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を導入した後に加熱し、
前記第１の半導体膜上に１５族元素を含む第２の半導体膜を形成した後に前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱し、
前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜をエッチングして島状の第１の半導体領域及び島状の第２の半導体領域を形成し、
前記島状の第２の半導体領域上にソース電極及びドレイン電極を形成し
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記島状の第２の半導体領域をエッチングして、前記島状の第１の半導体領域の一部を露出させるとともにソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に前記第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングした後、前記第１の導電層の側面を酸化してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を導入した後に加熱し、
前記第１の半導体膜上に１５族元素を含む第２の半導体膜を形成した後に前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱し、
前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜をエッチングして島状の第１の半導体領域及び島状の第２の半導体領域を形成し、
前記島状の第２の半導体領域上にソース電極及びドレイン電極を形成し
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記島状の第２の半導体領域をエッチングして、前記島状の第１の半導体領域の一部を露出させるとともにソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に前記第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングした後、当該エッチングされた前記第１の導電層及び前記第２の導電層を覆うように第３の導電層を形成してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を導入した後に加熱し、
前記第１の半導体膜上に１５族元素を含む第２の半導体膜を形成した後に前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱し、
前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜をエッチングして島状の第１の半導体領域及び島状の第２の半導体領域を形成し、
前記島状の第２の半導体領域上にソース電極及びドレイン電極を形成し
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記島状の第２の半導体領域をエッチングして、前記島状の第１の半導体領域の一部を露出させるとともにソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に前記第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングしてゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を導入した後に加熱し、
前記第１の半導体膜上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成した後に前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱し、
前記第２の半導体膜を除去し、
前記第１の半導体膜上に導電性を有する第３の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜及び前記第３の半導体膜をエッチングして島状の第１の半導体領域及び島状の第２の半導体領域を形成し、
前記島状の第２の半導体領域上にソース電極及びドレイン電極を形成し
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記島状の第２の半導体領域をエッチングして、前記島状の第１の半導体領域の一部を露出させるとともにソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に前記第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングした後、前記第１の導電層の側面を酸化してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を導入した後に加熱し、
前記第１の半導体膜上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成した後に前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱し、
前記第２の半導体膜を除去し、
前記第１の半導体膜上に導電性を有する第３の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜及び前記第３の半導体膜をエッチングして島状の第１の半導体領域及び島状の第２の半導体領域を形成し、
前記島状の第２の半導体領域上にソース電極及びドレイン電極を形成し
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記島状の第２の半導体領域をエッチングして、前記島状の第１の半導体領域の一部を露出させるとともにソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に前記第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングした後、当該エッチングされた前記第１の導電層及び前記第２の導電層を覆うように第３の導電層を形成してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を導入した後に加熱し、
前記第１の半導体膜上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成した後に前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱し、
前記第２の半導体膜を除去し、
前記第１の半導体膜上に導電性を有する第３の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜及び前記第３の半導体膜をエッチングして島状の第１の半導体領域及び島状の第２の半導体領域を形成し、
前記島状の第２の半導体領域上にソース電極及びドレイン電極を形成し
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記島状の第２の半導体領域をエッチングして、前記島状の第１の半導体領域の一部を露出させるとともにソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至６のいずれか一において、前記触媒元素は、タングステン、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、及び白金のいずれか一または複数であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至７のいずれか一において、前記第１の導電層は、炭素と、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、シリコン、ニッケルのいずれか一又は複数を含有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項８において、前記炭素は、０．１〜１０原子％含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至９のいずれか一において、前記第２の導電層は、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、ニッケルまたはこれらの窒化物のいずれか一又は複数からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005337900A JP5036173B2 (ja) | 2004-11-26 | 2005-11-23 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004343132 | 2004-11-26 | ||
| JP2004343132 | 2004-11-26 | ||
| JP2005337900A JP5036173B2 (ja) | 2004-11-26 | 2005-11-23 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006179878A JP2006179878A (ja) | 2006-07-06 |
| JP2006179878A5 true JP2006179878A5 (ja) | 2008-10-23 |
| JP5036173B2 JP5036173B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=36733644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005337900A Expired - Fee Related JP5036173B2 (ja) | 2004-11-26 | 2005-11-23 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5036173B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7066783B2 (ja) | 2008-07-31 | 2022-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4799293B2 (ja) | 2005-09-21 | 2011-10-26 | 三洋電機株式会社 | 無線装置 |
| US7642114B2 (en) | 2006-07-19 | 2010-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof |
| JP5073396B2 (ja) * | 2007-07-20 | 2012-11-14 | 新日本製鐵株式会社 | 高温強度と低温靭性に優れる溶接構造用鋼の製造方法 |
| KR101358854B1 (ko) | 2007-09-06 | 2014-02-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 상기 반도체 소자의 금속 게이트 형성 방법 |
| US8187956B2 (en) * | 2007-12-03 | 2012-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing microcrystalline semiconductor film, thin film transistor having microcrystalline semiconductor film, and photoelectric conversion device having microcrystalline semiconductor film |
| JP5363009B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-12-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置およびその製造方法 |
| KR100927585B1 (ko) | 2008-03-05 | 2009-11-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP5318865B2 (ja) * | 2008-05-29 | 2013-10-16 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタと、その製造方法と、薄膜トランジスタを用いた電子機器 |
| TWI508282B (zh) * | 2008-08-08 | 2015-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
| US9082857B2 (en) * | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
| CN101714546B (zh) * | 2008-10-03 | 2014-05-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法 |
| EP2172977A1 (en) | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| TWI574423B (zh) | 2008-11-07 | 2017-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
| WO2011010545A1 (en) * | 2009-07-18 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2011043194A1 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR101802406B1 (ko) | 2009-11-27 | 2017-11-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법 |
| US9123820B2 (en) | 2010-05-31 | 2015-09-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor including semiconductor oxide layer having reduced resistance regions |
| KR101863941B1 (ko) * | 2010-06-08 | 2018-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 오프셋 구조의 박막 트랜지스터 |
| KR101537458B1 (ko) * | 2011-04-08 | 2015-07-16 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 표시 장치 |
| WO2012153364A1 (ja) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | パナソニック株式会社 | 表示用薄膜半導体装置及び表示用薄膜半導体装置の製造方法 |
| KR101952570B1 (ko) * | 2011-05-13 | 2019-02-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| KR101987320B1 (ko) | 2012-12-31 | 2019-06-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0828517B2 (ja) * | 1989-07-04 | 1996-03-21 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ |
| JPH08254680A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4101340B2 (ja) * | 1997-12-12 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2000314897A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2002324808A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2003089864A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材 |
-
2005
- 2005-11-23 JP JP2005337900A patent/JP5036173B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7066783B2 (ja) | 2008-07-31 | 2022-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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