JP2008195905A - ポリカーボネート樹脂及びその製造方法並びにそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

ポリカーボネート樹脂及びその製造方法並びにそれを用いた電子写真感光体 Download PDF

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Abstract

【課題】新規ポリカーボネート樹脂及び耐摩耗性に優れる電子写真感光体の提供。
【解決手段】下記式(1’)(Yはポリシロキサン鎖)から誘導される構成単位を含むポリカーボネート樹脂を、電子写真感光体の電荷輸送層バインダー樹脂に用いる。
Figure 2008195905

【選択図】なし

Description

本発明は、ポリシロキサンを側鎖に有する新規ポリカーボネート樹脂と、それを電荷輸送層バインダー樹脂に用いた電子写真感光体に関するものである。
現在生産されているポリカーボネート樹脂の大部分は2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンを原料とするビスフェノールA型ポリカーボネートである。ビスフェノールA型ポリカーボネートは、コスト、耐熱性、機械的強度等のバランスのとれたポリカーボネート樹脂であるが、近年ポリカーボネートの用途拡大にともない、より優れた構造を持つポリカーボネートが開発されている。中でも、電子写真感光体の電荷輸送層バインダー樹脂として特殊なポリカーボネート樹脂が使用されており、特に滑り性や耐摩耗性が優れるバインダー樹脂としてポリシロキサン共重合ポリカーボネート樹脂が知られている(特許文献1〜2参照)。
これら従来のポリシロキサン共重合ポリカーボネート樹脂を用いる方法は実際、滑り性、耐摩耗性が向上するが、ポリシロキサン部位とポリカーボネート主鎖の結合位置の関係から、ポリシロキサンの自由度が制限されるため、ポリシロキサンの機能が必ずしも十分発揮されているとは言えず、改善の余地があった。
特開平5−297620号公報 特開平5−158249号公報
本発明が解決しようとする課題は、ポリシロキサンをグラフト状に有する新規ポリカーボネート樹脂、及びそれを電荷輸送層バインダー樹脂に用いた耐摩耗性に優れる電子写真感光体を提供することである。
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、主鎖からアルキレン基を介してポリシロキサン鎖を有するポリカーボネート樹脂は滑り性、耐摩耗性が優れるとともに、電子写真感光体バインダー樹脂として好適であることを見いだし、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、以下に示すポリカーボネート樹脂及びその製造方法並びにそれを用いた電子写真感光体に関する。
(1)主として下記一般式(1)で表される構成単位と下記一般式(2)で表される構成単位とから構成され、粘度平均分子量が12,000〜100,000である、ポリカーボネート樹脂。
Figure 2008195905
(一般式(1)中、R1〜R5は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。R6は置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキレン基を表す。Yは、
Figure 2008195905
であり、R7〜R20は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。また、a、b、cはそれぞれ1以上の整数を表す。)
Figure 2008195905
(一般式(2)中、R21〜R24は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数2〜12のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。Xは、
Figure 2008195905
であり、ここにR25とR26は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基からなる群から選択されるものを表すか、R25とR26が結合して炭素数5〜20の炭素環または元素数5〜12の複素環を形成する基を表す。R27とR28は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜9のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数2〜12のアルケニル基、及び置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基からなる群から選択される。R29は置換基を有してもよい炭素数1〜9のアルキレン基である。dは0〜20の整数を表し、eは1〜500の整数を表す。)
(2)一般式(1)のR6が炭素数4〜20のアルキレン基である、(1)記載のポリカーボネート樹脂。
(3)一般式(1)のa、b及びcがそれぞれ1〜200である、(1)又は(2)記載のポリカーボネート樹脂。
(4)一般式(1)のR7〜R20がメチル基またはフェニル基である、(1)〜(3)のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂。
(5)一般式(1)のR1〜R4が水素、メチル基、ブチル基、及びフェニル基からなる群から選択される、(1)〜(4)のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂。
(6)一般式(1)で表される構成単位と一般式(2)で表される構成単位との比率が、(1):(2)=0.1〜70:99.9〜30(重量比)である、(1)〜(5)のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂。
(7)(1)〜(6)いずれかに記載のポリカーボネート樹脂を製造する方法であって、下記一般式(1’)で表されるビスフェノールと下記一般式(2’)で表されるビスフェノールと炭酸エステル形成化合物とを反応させる工程を含む、ポリカーボネート樹脂の製造方法。
Figure 2008195905
(一般式(1’)中、R1〜R5は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。R6は置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキレン基を表す。Yは、
Figure 2008195905
であり、R7〜R20は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。また、a、b、cはそれぞれ1以上の整数を表す。)
Figure 2008195905
(一般式(2’)中、R21〜R24は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数2〜12のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。Xは、
Figure 2008195905
であり、ここにR25とR26は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基からなる群から選択されるものを表すか、R25とR26が結合して炭素数5〜20の炭素環または元素数5〜12の複素環を形成する基を表す。R27とR28は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜9のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数2〜12のアルケニル基、及び置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基からなる群から選択される。R29は置換基を有してもよい炭素数1〜9のアルキレン基である。dは0〜20の整数を表し、eは1〜500の整数を表す。)
(8)一般式(1’)で表されるビスフェノールが、下記構造式で表される化合物群から選択されることを特徴とする、(7)記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
Figure 2008195905
(9)一般式(2’)で表されるビスフェノールが、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、及び1,1’−ビフェニル−4,4’−ジオールからなるビスフェノール群から選択される、(7)又は(8)記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
(10)炭酸エステル形成化合物がホスゲンである、(7)〜(9)のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
(11)一般式(1’)で表されるビスフェノールの割合が使用するビスフェノール全量に対して0.1〜60重量%である、(7)〜(10)のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
(12)(1)〜(6)のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂を電荷輸送層バインダー樹脂に用いた、電子写真感光体。
本発明のポリカーボネート樹脂は、主鎖からアルキレン基を介して伸びたポリシロキサン構造を有する新規なポリカーボネート樹脂であり、従来のポリシロキサン構造を有するポリカーボネートに比べ、滑り性や耐摩耗性に優れる。
このような従来技術に比べ高い耐摩耗性を示す本ポリカーボネート樹脂を電子写真感光体バインダー樹脂として用いた場合、複写機やプリンターの感光体摩耗が低減でき、感光体寿命の延長およびメンテナンスの低減に効果がある。
1.ポリカーボネート樹脂
本発明のポリカーボネート樹脂は、主として下記一般式(1)で表される構成単位(以下、「構成単位(1)」という)と下記一般式(2)で表される構成単位(以下、「構成単位(2)」という)とから構成される。
Figure 2008195905
ここで、一般式(1)中、R1〜R5は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。好ましくは、R1〜R4は水素、メチル基、ブチル基、及びフェニル基からなる群から選択される。R5は水素又はメチル基が好ましい。
6は置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキレン基を表し、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数3〜20のアルキレン基を表す。特に好ましくは炭素数8〜12のアルキレン基を表す。R6の炭素数が多すぎると耐熱性が劣る場合があり、少なすぎるとシリコーン鎖の自由度が制限され、ポリシロキサンの機能が十分発揮されない場合がある。
Yは、以下に示すポリシロキサン鎖を表し、R7〜R20は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。
Figure 2008195905
特に好ましくは、R7〜R20はメチル基またはフェニル基である。a、b、cはそれぞれ1以上の整数を表し、好ましくはそれぞれ1〜200であり、更に好ましくはそれぞれ5〜100の範囲である。また、構成単位(1)の1単位当たりのaまたはbとcの合計の平均重合度は1〜500の範囲が好ましく、更には1〜100の範囲が好ましい。これらのポリシロキサン部分の繰り返し単位相互の結合は、ランダム共重合であってもブロック共重合であってもよい。
このような構成単位(1)の具体例としては、以下に示すビスフェノール化合物群の残基が挙げられる。
Figure 2008195905
Figure 2008195905
これらのうちで、特に好ましいものは、以下に示すビスフェノール化合物群の残基である。
Figure 2008195905
一般式(2)中、R21〜R24は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数2〜12のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。好ましくは、R1〜R4は水素、メチル基、ブチル基、及びフェニル基からなる群から選択される。Xは、以下に示す二価の有機基から選択される。
Figure 2008195905
ここで、R25とR26は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基からなる群から選択されるものを表すか、R25とR26が結合して炭素数5〜20の炭素環または元素数5〜12の複素環を形成する基を表す。好ましいR25及びR26としては水素原子、メチル基、フェニル基、あるいはR25とR26が結合したシクロヘキシリデンなどが挙げられる。
27とR28は各々独立して、水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜9のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数2〜12のアルケニル基、及び置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基からなる群から選択される。好ましいR27及びR28としては、水素原子メチル基、エチル基、フェニル基等が挙げられる。
R29は、置換基を有してもよい炭素数1〜9のアルキレン基であり、特に好ましくは、炭素数2〜5のアルキレン基である。dは0〜20、好ましくは0〜7の整数を表す。eは1〜500、好ましくは1〜100の整数を表す。
このような構成単位(2)の具体例としては、1,1’−ビフェニル−4,4’−ジオール、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルファイド、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ケトン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−t−ブチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロドデカン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、α,ω−ビス[2−(p−ヒドロキシフェニル)エチル]ポリジメチルシロキサン、α,ω−ビス[3−(o−ヒドロキシフェニル)プロピル]ポリジメチルシロキサン、4,4’−[1,3−フェニレンビス(1−メチルエチリデン)]ビスフェノールなどの残基が例示される。これらは、2種類以上含有されて用いてもよい。
これらの中でも特に2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、及び1,1’−ビフェニル−4,4’−ジオールから選ばれるビスフェノール化合物の残基であることが好ましい。
本発明のポリカーボネート樹脂は、上記一般式(1)で表される構成単位と一般式(2)で表される構成単位とがランダムに結合した共重合体であって、粘度平均分子量が12,000〜100,000、好ましくは15,000〜80,000のポリマーである。粘度平均分子量が上記範囲外では、十分な成膜性と膜強度を有する電子写真感光体が得られない場合がある。
構成単位(1)と構成単位(2)の比率は特に限定されないが、好ましくは構成単位(1):構成単位(2)=0.1〜70:99.9〜30(重量比)、より好ましくは1〜50:99〜50(重量比)である。側鎖にポリシロキサン鎖を有する構成単位(1)の割合が少なすぎると表面改質効果が劣る場合があり、多すぎると耐熱性が劣る場合がある。
本発明のポリカーボネート樹脂は、湿式成形、押出成形、圧縮成形、インフレーション成形、射出成形等の公知の成形方法で成形可能であるが、特に電子写真感光体製造で使用される場合は、湿式成形法のうち、溶液流延法、キャスト法、スプレー法、浸漬塗布法(ディップ法)の公知湿式成形で容易に成形可能である。湿式成形で成形された電子写真感光体が十分な成膜性と膜強度を得るためには、上記範囲の粘度平均分子量を有するポリカーボネート樹脂を用いるのが好ましい。
2.ポリカーボネート樹脂の製造方法
本発明のポリカーボネート樹脂は、下記一般式(1’)で表されるビスフェノールと下記一般式(2’)で表されるビスフェノールと炭酸エステル形成化合物とを反応させる工程を含む方法により製造される。
Figure 2008195905
一般式(1’)中、R1〜R5は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。R6は置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキレン基を表す。
好ましくは、R1〜R4は水素、メチル基、ブチル基、及びフェニル基からなる群から選択される。R5は、好ましくは水素又はメチル基である。
6は、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数3〜20のアルキレン基を表し、特に好ましくは炭素数8〜12のアルキレン基を表す。R6の炭素数が多すぎると耐熱性が劣る場合があり、R6の炭素数が少なすぎるとシリコーンの自由度が制限される場合がある。
Yは、以下に示すポリシロキサン鎖であり、R7〜R20は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。
a、b、cはそれぞれ1以上の整数を表し、好ましくはそれぞれ1〜200であり、更に好ましくはそれぞれ5〜100の範囲である。1分子中のaまたはbとcの合計の平均重合度は1〜500の範囲が好ましく、更には1〜100の範囲が好ましい。
Figure 2008195905
Figure 2008195905
(一般式(2’)中、R21〜R24は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数2〜12のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。Xは、
Figure 2008195905
であり、ここにR25とR26は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基からなる群から選択されるものを表すか、R25とR26が結合して炭素数5〜20の炭素環または元素数5〜12の複素環を形成する基を表す。R27とR28は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜9のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数2〜12のアルケニル基、及び置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基からなる群から選択される。R29は置換基を有してもよい炭素数1〜9のアルキレン基である。dは0〜20の整数を表し、eは1〜500の整数を表す。
本発明の製造方法においては、ビスフェノールAと炭酸エステル形成化合物からポリカーボネートを製造する際に用いられている公知の方法、例えばビスフェノール類とホスゲンとの直接反応(ホスゲン法)、あるいはビスフェノール類とビスアリールカーボネートとのエステル交換反応(エステル交換法)などの方法を採用することができる。
ホスゲン法とエステル交換法では、一般式(1’)で表されるビスフェノールの流動安定性を考慮した場合、ホスゲン法の方が好ましい。また、本発明のポリカーボネート樹脂の物性の観点から、一般式(1’)で表されるビスフェノールが全使用ビスフェノールに対して0.1〜60重量%、特に1〜50重量%の範囲で使用されることが好ましい。一般式(1’)で表されるビスフェノールが少なすぎると本発明のポリカーボネート樹脂の表面改質効果が十分に発揮されず、多すぎると耐熱性が劣る場合がある。
一般式(1’)で表されるビスフェノールは、ベンゼン環に挟まれた炭素位にアルケニル基を有するビスフェノールとHSi基を1個有するポリシロキサンとをハイドロシリレーションすることより製造することができる。一般式(1’)で表されるビスフェノールの具体的例を以下に例示するが、これらに限定されるものではない。
Figure 2008195905
Figure 2008195905
これらのうちで、特に好ましいものは、以下に示すビスフェノール化合物群の残基である。
Figure 2008195905
これらは、2種類以上併用して用いてもよい。上記構造式中のa、b、cはそれぞれ1〜200の範囲が好ましく、更には5〜100の範囲がより好ましい。ポリシロキサン部分のa、b、cの繰り返し単位は、相互にランダム共重合及びブロック共重合のいずれの構造で結合していてもよいが、ランダム共重合で結合しているものが好ましい。
シロキサン構造単位の置換基(R7〜R20)は、メチルまたはフェニル基が好ましい。また、一般式(1’)の1分子当たりのaまたはbとcの合計の平均重合度は1〜500の範囲が好ましく、更には1〜100の範囲が好ましい。
本発明の一般式(2’)で表されるビスフェノールとしては、具体的には1,1’−ビフェニル−4,4’−ジオール、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルファイド、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ケトン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−t−ブチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロドデカン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、α,ω−ビス[2−(p−ヒドロキシフェニル)エチル]ポリジメチルシロキサン、α,ω−ビス[3−(o−ヒドロキシフェニル)プロピル]ポリジメチルシロキサン、4,4’−[1,3−フェニレンビス(1−メチルエチリデン)]ビスフェノール、などが例示される。これらは、2種類以上併用して用いてもよい。
これらの中でも特に2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1’−ビフェニル−4,4’−ジオールから選ばれることが好ましい。
炭酸エステル形成化合物としては、例えばホスゲンやトリホスゲン、ジフェニルカーボネート、ジ−p−トリルカーボネート、フェニル−p−トリルカーボネート、ジ−p−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネートなどのビスアリルカーボネートが挙げられる。これらの化合物は2種類以上併用して使用することも可能である。
ホスゲン法においては、通常酸結合剤および溶媒の存在下において、一般式(1’)で表されるビスフェノールと一般式(2’)で表されるビスフェノールとホスゲンを一緒に反応させるか、一般式(2’)で表されるビスフェノールとホスゲンを先に反応させクロロホルメート体を生成後、一般式(1’)で表されるビスフェノールと反応させることができる。
酸結合剤としては、例えばピリジンや、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物などが用いられ、また溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロホルム、モノクロロベンゼンなどが用いられる。
さらに、縮重合反応を促進するために、トリエチルアミンのような第三級アミンまたは第四級アンモニウム塩などの触媒を、また重合度調節には、フェノール、p−t−ブチルフェノール、p-クミルフェノール、長鎖アルキル置換フェノール、オレフィン置換フェノール等一官能基化合物を分子量調節剤として加えることが好ましい。
また、所望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファイトなどの酸化防止剤や、フロログルシン、イサチンビスフェノール、トリスフェノールエタンなど分岐化剤を小量添加してもよい。反応は通常0〜150℃、好ましくは5〜40℃の範囲とするのが適当である。反応時間は反応温度によって左右されるが、通常0.5分〜10時間、好ましくは1分〜2時間である。また、反応中は、反応系のpHを10以上に保持することが望ましい。
エステル交換法においては、一般式(1’)で表されるビスフェノールと一般式(2’)で表されるビスフェノールとビスアリールカーボネートとを混合し、減圧下で高温において反応させる。
反応は通常150〜350℃、好ましくは200〜300℃の範囲の温度において行われ、また減圧度は最終で好ましくは1mmHg以下にして、エステル交換反応により生成した該ビスアリールカーボネートから由来するフェノール類を系外へ留去させる。
反応時間は反応温度や減圧度などによって左右されるが、通常1〜24時間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく。また、所望に応じ、分子量調節剤、酸化防止剤や分岐化剤を添加して反応を行ってもよい。
これらの反応で合成されたポリカーボネート樹脂は、湿式成形、押出成形、圧縮成形、インフレーション成形、射出成形等の公知の成形方法で成形可能であるが、特に電子写真感光体製造で使用される場合は、湿式成形法の内、溶液流延法、キャスト法、スプレー法、浸漬塗布法(ディップ法)の公知湿式成形で容易に成形可能である。湿式成形で成形された電子写真感光体が十分な膜強度を得るためには、粘度平均分子量が12.000〜100,000であることが好ましく、さらに成膜性と膜強度を重視した場合、15,000〜80,000であることが好ましい。
3.電子写真感光体
本発明の電子写真感光体は導電性支持体上に単一層の光導電層を有するものでも、機能分離した積層型のものでも良いが、電荷発生層と電荷輸送層との二層からなる積層型の電子写真感光体が好ましい。また、必要に応じて下引き層、保護層、接着層等を設けても良い。
本発明の導電性支持体とは、アルミニウム、ステンレス鋼、ニッケル等の金属材料や、又、表面にアルミニウム、パラジウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性層を設けたポリエステルフィルム、フェノール樹脂、紙等が使用される。支持体は円筒状でもベルト状でもトナーを転写するのに好適な任意の形状を有することが可能である。
本発明の電荷発生層は公知の方法により、導電性支持体上に形成される。電荷発生物質としては、例えば、アゾキシベンゼン系、ジスアゾ系、トリスアゾ系、ベンズイミダゾール系、多環式キノリン系、インジゴイド系、キナクリドン系、フタロシアニン系、ペリレン系、メチン系等の有機顔料が使用できる。これらの電荷発生物質は、その微粒子をポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、各種セルロース等のバインダー樹脂に分散させた形で使用される。
本発明の電荷輸送層は、電荷発生層上に公知の方法により、本発明のポリカーボネート樹脂をバインダー樹脂として、電荷輸送物質を分散させる事により形成される。電荷輸送物質としては、例えば、ポリテトラシアノエチレン;2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン等のフルオレノン系化合物;ジニトロアントラセン等のニトロ化合物;無水コハク酸;無水マレイン酸;ジブロモ無水マレイン酸;トリフェニルメタン系化合物;2,5−ジ(4−ジメチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物;9−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセン等のスチリル系化合物;4−(2,2−ビスフェニル−エテン−1−イル)トリフェニルアミン、4−(2,2−ビスフェニル−エテン−1−イル)−4’,4’’−ジメチルトリフェニルアミン等のスチルベン系化合物;トリフェニルアミンポリ−N−ビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物;1−フェニル−3−(p−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリン等のピラゾリン系化合物;4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)―N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン等のアミン誘導体;1,1ービス(4−ジエチルアミノフェニル)−4,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン等の共役不飽和化合物;4−(N,N−ジエチルアミノ)ベンズアルデヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン系化合物;インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、ピラゾリン系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素環式化合物;縮合多環式化合物等が挙げられる。上記電荷輸送物質は単独で使用しても、複数種併用しても良い。
電荷発生層及び電荷輸送層は、前記の電荷発生物質、又は、電荷輸送物質を、それぞれバインダー樹脂と、適当な溶媒に溶解させ、その溶液を溶液流延法、キャスト法、スプレー法、浸漬塗布法(ディップ法)等により塗布し、乾燥させる事により形成できる。この溶媒としては、ハロゲン系有機溶媒と非ハロゲン系有機溶媒の2種類に大別できる。
非ハロゲン系溶媒としてはトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン類、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、エチレングリコールジエチルエーテル、エチルセロソルブ等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類その他ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルホルムアミド等が挙げられる。またハロゲン系溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、モノクロロベンゼン、1,1,1−トリクロロエタン、モノクロロエタン、四塩化炭素等があげられる。本発明では、これらの溶媒を単独または2種以上を併用して使用することが可能である。溶媒に本バインダー樹脂を溶解して、電荷輸送層を形成する際は、1〜40重量%の範囲のバインダー樹脂溶液を作成して用いることが好ましい。また、市販の使用済み電子写真感光体の電荷輸送層を上記の溶媒で溶解し、新たな電荷輸送層を形成して、リサイクルすることも可能である。
電荷発生物質とバインダー樹脂の混合比は、10:1〜1:20の範囲内が好ましい。この電荷発生層の厚さは、0.01〜20μm、好ましくは0.1〜2μmが好適である。電荷輸送物質とバインダー樹脂との混合比は、10:1〜1:10の範囲内が好ましい。この電荷輸送層の厚さは、2〜100μm、好ましくは5〜40μmが好適である。
本発明のポリカーボネート樹脂は、他の電荷輸送層バインダー樹脂、すなわち他のポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、ポリアリレート等とブレンドして使用することが可能である。その場合は少なくとも本発明のポリカーボネート樹脂が1重量%以上含まれることが好ましい。
本発明のポリカーボネート樹脂を、電子写真感光体以外の用途でも、改質目的で他のポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルカーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリウレタン、シリコーン、ポリメチルメタアクリレート、ポリオキシフェニレン、ポリ酢酸ビニル等と任意にブレンド可能である。その場合は少なくとも本発明のポリカーボネート樹脂が1重量%以上含まれることが好ましい。さらに、各種酸化防止剤、離型剤、紫外線吸収剤、染料、顔料、ガラス繊維等フィラーと併用することも可能である。
以下に本発明の実施例を比較例と共に示し、発明の内容を詳細に示すが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例における化学式中、m及びnは平均重合度を示す。
<合成例1;ポリシロキサンビスフェノール(S1)の合成>
500mlセパラフラスコに、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−10−ウンデセン(以下、「BUD1」と略称;株式会社エーピーアイコーポレーション製)を36.6g(0.1mol)、トルエン150g、白金量1%の白金ビニルシロキサン錯体のトルエン溶液0.10gを入れ、80℃に昇温した。そこに、下記構造式(a)で表される片末端ハイドロジェンジメチルシロキサン(以下、「SH1」と略称)234g(約0.1mol)を滴下し、滴下終了後110℃で3時間反応を行った。反応終了後、トルエンを減圧留去し、目的物(下記構造式(b)で表される化合物;以下、「S1」と略称)を得た。目的物の水酸基価は42KOHmg/g(25℃)でペースト状物であった。
Figure 2008195905
<合成例2;ポリシロキサンビスフェノール(S2)の合成>
SH1の代わりに、下記構造式(c)で表される片末端ハイドロジェンジメチルシロキサン(以下、「SH2」と略称)123g(約0.1mol)を用いた以外は、合成例1と同様に行った。目的物(下記構造式(d)で表される化合物;以下、「S2」と略称)の水酸基価は70KOHmg/g(25℃)で、ペースト状物であった。
Figure 2008195905
<合成例3;ポリシロキサンビスフェノール(S3)の合成>
BUD1の代わりに、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−10−ウンデセン(以下、「BUD2」と略称;株式会社エーピーアイコーポレーション製)を33.8g(0.1mol)用い、SH1の代わりに下記構造式(e)で表される片末端ハイドロジェンジメチルジフェニルシロキサン(以下「SH3」と略称)358g(約0.1mol)を用いた以外は、合成例1と同様に行った。目的物(下記構造式(f)で表される化合物;以下、「S3」と略称)の水酸基価は28KOHmg/g(25℃)で、ペースト状物であった。
Figure 2008195905
<合成例4;ポリシロキサンビスフェノール(S4)の合成>
BUD1の代わりに、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−t−ブチル−6−メチルフェニル)−10−ウンデセン(以下、「BUD3」と略称;株式会社エーピーアイコーポレーション製)を47.8g(0.1mol)用いた以外は、合成例1と同様に行った。目的物(下記構造式(g)で表される化合物;以下、「S4」と略称)の水酸基価は41KOHmg/g(25℃)で、ペースト状物であった。
Figure 2008195905
<合成例5;ポリシロキサンビスフェノール(S5)の合成>
BUD1の代わりに、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル)−10−ウンデセン((以下、「BUD4」と略称;株式会社エーピーアイコーポレーション製)を49.0g(0.1mol)用いた以外は、合成例1と同様に行った。目的物(下記構造式(h)で表される化合物;以下、「S5」と略称)の水酸基価は40KOHmg/g(25℃)で、ペースト状物であった。
Figure 2008195905
<合成例6;ポリシロキサンビスフェノール(S7)の合成>
BUD1の代わりに、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−アリルフェニル)プロパン(以下、「DABPA」と略称;株式会社エーピーアイコーポレーション製)を15.4g(0.05mol)用いた以外は、合成例1と同様に行った。目的物(下記構造式(i)で表される化合物、以下「S7」と略称)の水酸基価は22KOHmg/g(25℃)で、液体であった。
Figure 2008195905
<実施例1>
5w/w%の水酸化ナトリウム水溶液1100mlに1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン(以下、「BPZ」と略称;本州化学工業株式会社製)90g(0.34mol)と、前記合成例1で合成したS1を10gと、ハイドロサルファイト0.1gを加えて撹拌した。これにメチレンクロライド500mlを追加し、撹拌しつつ、15℃に保ちながら、次いでホスゲン55gを55分で吹き込んだ。
ホスゲン吹き込み終了後、分子量調節剤としてp−t−ブチルフェノール(以下、「PTBP」と略称;大日本インキ化学工業株式会社製)1.42gを加え激しく撹拌して、反応液を乳化させ、乳化後0.4mlのトリエチルアミンを加え、20〜25℃にて約1時間撹拌し、重合させた。
重合終了後、反応液を水相と有機相に分離し、有機相をリン酸で中和し、先液(水相)の導電率が10μS/cm以下になるまで水洗を繰り返した。得られた重合体溶液を、45℃に保った温水に滴下し、溶媒を蒸発除去して白色粉末状沈殿物を得た。得られた沈殿物を濾過し、105℃、24時間乾燥して、重合体粉末を得た。
得られた重合体を赤外線吸収スペクトルにより分析した結果、1770cm-1付近の位置にカルボニル基による吸収、1240cm-1付近の位置にエーテル結合による吸収が認められ、カーボネート結合を有するポリカーボネート樹脂であることが確認された。また、1100〜1020cm-1付近のシロキサン由来の吸収も確認された。一方3650〜3200付近の水酸基由来の吸収はほとんど認められなかった。これらの赤外線吸収スペクトルの結果から、下記構造式(j)で表されるポリカーボネート重合体(以下、「PC1」と略称)と推測された。
Figure 2008195905
この重合体の粘度平均分子量(測定方法;毛管粘度法)は21,000であった。
この重合体(PC1)を50重量部と、テトラヒドロフラン300重量部と、トルエン50重量部とを使用した溶液を作成し、キャスティングにより約20μm厚のフィルムを成膜した。得られたフィルムを風乾後、105℃、8時間乾燥し、摩擦計で表面の静摩擦係数を測定した。
次に、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)―N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン(以下、「TPD型CT剤」と略す;SYNTEC社製)50重量、上記PC1を50重量部、テトラヒドロフラン300重量部、及びトルエン50重量部を使用した塗布液を作製し、あらかじめテトラヒドロフランで電荷輸送層を除去した市販LBP感光体(セイコーエプソン株式会社製、商品名「LPA3ETC4」)に、上記塗布液を浸積法で塗布し、風乾後100℃、8時間乾燥し、厚さ約20μmの電荷輸送層を設けて積層型電子写真感光体(以下、「OPC」と略称)を作製した。
作成したOPCを、市販レーザービームプリンター(商品名「LBP−8400」;セイコーエプソン株式会社製)に装着し、OA用再生紙(商品名「LBP−190R−A4B」;十千万(株)製)を用いて、連続5000枚全面黒印刷後の感光体摩耗量を測定した。結果を表1に示す。
<実施例2>
BPZの代わりに2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン(以下、「BPA」と略称;三井化学株式会社製)を36g(0.16mol)、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン(以下、「BPC」と略称;本州化学工業株式会社製)54g(0.21mol)を用いた以外は、実施例1と同様に合成を行った。
得られた重合体の赤外線吸収スペクトルの結果から、下記構造式(k)で表されるポリカーボネート重合体(以下、「PC2」と略称)と推測された。
Figure 2008195905
この重合体の粘度平均分子量は29,000であった。PC1の代わりにPC2を用いて実施例1と同様の静摩擦係数、耐摩耗性の評価を行った。結果を表1に示す。
<実施例3>
BPZの代わりに、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル(以下、「DHPE」と略称;大日本インキ化学工業株式会社製)27g(0.13mol)、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン(以下、「BPE」と略称;本州化学工業株式会社製)63g(0.29mol)を用いた以外は、実施例1と同様に合成を行った。
得られた重合体の赤外線吸収スペクトルの結果から下記構造式(l)で表されるポリカーボネート重合体(以下、「PC3」と略称)と推測された。
Figure 2008195905
この重合体の粘度平均分子量は32,000であった。PC1の代わりにPC3を用いて実施例1と同様の静摩擦係数、耐摩耗性の評価を行った。結果を表1に示す。
<実施例4>
BPZの代わりに、1,1’−ビフェニル−4,4’−ジオール(以下、「BP」と略称;本州化学工業株式会社製)13.5g(0.07mol)、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン(以下、「BPAP」と略称;本州化学工業株式会社製)76.5g(0.29mol)を用いた以外は、実施例1と同様に合成を行った。得られた重合体の赤外線吸収スペクトルの結果から下記構造式(m)で表されるポリカーボネート重合体(以下、「PC4」と略称)と推測された。
Figure 2008195905
この重合体の粘度平均分子量は20,000であった。PC1の代わりにPC4を用いて実施例1と同様の静摩擦係数、耐摩耗性の評価を行った。結果を表1に示す。
<実施例5>
S1の代わりにS2を22g用いた以外は実施例1と同様に合成を行った。得られた重合体の赤外線吸収スペクトルの結果から下記構造式(n)で表されるポリカーボネート重合体(以下、「PC5」と略称)と推測された。
Figure 2008195905
この重合体の粘度平均分子量は22,000であった。PC1の代わりにPC5を用いて実施例1と同様の静摩擦係数、耐摩耗性の評価を行った。結果を表1に示す。
<実施例6>
S1の代わりにS3を用い、PTBPを0.71gに変更した以外は実施例1と同様に合成を行った。得られた重合体の赤外線吸収スペクトルの結果から下記構造式(o)で表されるポリカーボネート重合体(以下、「PC6」と略称)と推測された。
Figure 2008195905
この重合体の粘度平均分子量は38,000であった。PC1の代わりにPC6を用いて実施例1と同様の静摩擦係数、耐摩耗性の評価を行った。結果を表1に示す。
<実施例7>
S1の代わりにS4を用いた以外は実施例1と同様に合成を行った。得られた重合体の赤外線吸収スペクトルの結果から下記構造式(p)で表されるポリカーボネート重合体(以下、「PC7」と略称)と推測された。
Figure 2008195905
この重合体の粘度平均分子量は20.000であった。
PC1の代わりにPC7を用いて実施例1と同様の静摩擦係数、耐摩耗性の評価を行った。結果を表1に示す。
<実施例8>
S1の代わりにS5を用いた以外は実施例1と同様に合成を行った。得られた重合体の赤外線吸収スペクトルの結果から下記構造式(q)で表されるポリカーボネート重合体(以下、「PC8」と略称)と推測された。
Figure 2008195905
この重合体の粘度平均分子量は20.000であった。PC1の代わりにPC8を用いて実施例1と同様の静摩擦係数、耐摩耗性の評価を行った。結果を表1に示す。
<実施例9>
PC1単独50重量部の代わりに、PC1を25重量部と市販の電子写真感光体用バインダー樹脂であるBPZ型ホモポリカーボネート樹脂(三菱ガス化学株式会社製、商品名「PCZ−200」、粘度平均分子量21,000)25重量部を用いた以外は実施例1と同様に静摩擦係数、耐摩耗性の評価を行った。結果を表1に示す。
<比較例1>
実施例1のPC1の代わりに、市販の電子写真感光体用バインダー樹脂であるBPZ型ホモポリカーボネート樹脂(前記PCZ−200)を用いた以外は、実施例1と同様に静摩擦係数、耐摩耗性の評価を行った。結果を表1に示す。
<比較例2>
S1の代わりに下記構造(r)で表されるポリシロキサン化合物(以下「S6」と略称:信越化学工業株式会社製、商品名「X−22−1821」)を用いた以外は実施例1と同様に合成を行った。
Figure 2008195905
重合体の赤外線吸収スペクトルの結果から、下記構造式(s)で表されるポリカーボネート重合体(PC9)と推測された。
Figure 2008195905
この重合体の粘度平均分子量は21,000であった。PC1の代わりに、PC9を用いて、実施例1と同様の静摩擦係数、耐摩耗性の評価を行った。
<比較例3>
S1の代わりに、S7を用いた以外は実施例1と同様に合成を行った。得られた重合体の赤外線吸収スペクトルの結果から下記構造式(t)のポリカーボネート重合体(PC10)と推測された。
Figure 2008195905
この重合体の粘度平均分子量は21,000であった。PC1の代わりに、PC10を用いて、実施例1と同様の静摩擦係数、耐摩耗性の評価を行った。
Figure 2008195905
上記表1において、各数値及び記号等は以下の意味を表す。
重量%:
ポリカーボネート樹脂の製造に使用した全ビスフェノール成分に対する一般式(1’)で表されるビスフェノールの割合(重量%)。
ブレンドポリマー:PCZ−200をPC1に50重量%添加(実施例9)。
粘度平均分子量:
ウベローデ粘度管を使用した毛管粘度法にて、20℃の条件下、0.5%ジクロロメタン溶液中でハギンズ定数0.45にて極限粘度を得たのち、計算式[η]=1.23×10-40.83で求めた。
静摩擦係数:
ガラス基板上のポリカーボネートフィルムを、新東科学株式会社製ヘイドントライボギアミューズ摩擦計を用いて測定した値。
摩耗量:
セイコーエプソン株式会社製、商品名「LBP−8400」を用いて、5,000枚連続A4紙全面黒印刷後の感光体(OPC)重量減少量(mg)を測定した値。
本発明のポリカーボネート樹脂は、優れた滑り性と耐摩耗性を有するため、電子写真感光体のバインダー樹脂として好適である。

Claims (12)

  1. 主として下記一般式(1)で表される構成単位と下記一般式(2)で表される構成単位とから構成され、粘度平均分子量が12,000〜100,000である、ポリカーボネート樹脂。
    Figure 2008195905
    (一般式(1)中、R1〜R5は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。R6は置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキレン基を表す。Yは、
    Figure 2008195905
    であり、R7〜R20は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。また、a、b、cはそれぞれ1以上の整数を表す。)
    Figure 2008195905
    (一般式(2)中、R21〜R24は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数2〜12のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。Xは、

    Figure 2008195905
    であり、ここにR25とR26は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基からなる群から選択されるものを表すか、R25とR26が結合して炭素数5〜20の炭素環または元素数5〜12の複素環を形成する基を表す。R27とR28は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜9のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数2〜12のアルケニル基、及び置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基からなる群から選択される。R29は置換基を有してもよい炭素数1〜9のアルキレン基である。dは0〜20の整数を表し、eは1〜500の整数を表す。)
  2. 一般式(1)のR6が炭素数3〜20のアルキレン基である、請求項1記載のポリカーボネート樹脂。
  3. 一般式(1)のa、b及びcがそれぞれ1〜200である、請求項1又は2記載のポリカーボネート樹脂。
  4. 一般式(1)のR7〜R20がメチル基またはフェニル基である、請求項1〜3のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂。
  5. 一般式(1)のR1〜R4が水素、メチル基、ブチル基、及びフェニル基からなる群から選択される、請求項1〜4のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂。
  6. 一般式(1)で表される構成単位と一般式(2)で表される構成単位との比率が、(1):(2)=0.1〜70:99.9〜30(重量比)である、請求項1〜5のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂。
  7. 請求項1〜6のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂を製造する方法であって、下記一般式(1’)で表されるビスフェノールと下記一般式(2’)で表されるビスフェノールと炭酸エステル形成化合物とを反応させる工程を含む、ポリカーボネート樹脂の製造方法。
    Figure 2008195905
    (一般式(1’)中、R1〜R5は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。R6は置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキレン基を表す。Yは、
    Figure 2008195905
    であり、R7〜R20は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。また、a、b、cはそれぞれ1以上の整数を表す。)
    Figure 2008195905
    (一般式(2’)中、R21〜R24は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基、置換基を有してもよい炭素数2〜12のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数7〜17のアラルキル基からなる群から選択される。Xは、
    Figure 2008195905
    であり、ここにR25とR26は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、及び置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基からなる群から選択されるものを表すか、R25とR26が結合して炭素数5〜20の炭素環または元素数5〜12の複素環を形成する基を表す。R27とR28は各々独立して水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、置換基を有してもよい炭素数1〜9のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数1〜5のアルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数2〜12のアルケニル基、及び置換基を有してもよい炭素数6〜12のアリール基からなる群から選択される。R29は置換基を有してもよい炭素数1〜9のアルキレン基である。dは0〜20の整数を表し、eは1〜500の整数を表す。)
  8. 一般式(1’)で表されるビスフェノールが、下記構造式で表される化合物群から選択されることを特徴とする、請求項7記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
    Figure 2008195905
  9. 一般式(2’)で表されるビスフェノールが、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、及び1,1’−ビフェニル−4,4’−ジオールからなるビスフェノール群から選択される、請求項7又は8記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
  10. 炭酸エステル形成化合物がホスゲンである、請求項7〜9のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
  11. 一般式(1’)で表されるビスフェノールの割合が使用するビスフェノール全量に対して0.1〜60重量%である、請求項7〜10のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂の製造方法。
  12. 請求項1〜6のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂を電荷輸送層バインダー樹脂に用いた、電子写真感光体。
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