JP2008192734A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体装置において、第1配線層は、第1素子領域1aの上方に位置する第1配線11aと、第2素子領域1bの上方に位置する第2配線11dと、第2素子領域1bの上方に位置していて第2配線11dとは異なる電位になる第3配線11bを具備する。第2配線層は、第1素子領域1aの上方に位置する第4配線14aと、第3配線11bの一部の上方に位置していて第3配線11bに電気的に接続している接続用導電パターン14bを具備する。第3配線層は、第1素子領域1aの上方に位置する第5配線17aと、第2素子領域1bの上方に位置していて接続用導電パターン14bを介して第3配線11bに電気的に接続する第6配線17bを具備する。第2配線層は、第2素子領域1bの上方には配線を具備していない。
【選択図】図1
Description
前記第1層間絶縁膜上に形成された第1配線層と、
前記第1層間絶縁膜上及び前記第1配線層上に形成された第2層間絶縁膜と、
前記第2層間絶縁膜上に形成された第2配線層と、
前記第2層間絶縁膜上及び前記第2配線層上に形成された第3層間絶縁膜と、
前記第3層間絶縁膜上に形成された第3配線層と、
を具備し、
前記第1配線層は、前記第1素子領域の上方に位置する第1配線と、前記第2素子領域の上方に位置する第2配線と、前記第2素子領域の上方に位置していて前記第2配線とは異なる電位になる第3配線を具備し、
前記第2配線層は、前記第1素子領域の上方に位置していて前記第1配線に電気的に接続している第4配線と、前記第3配線の一部の上方に位置していて前記第3配線に電気的に接続している接続用導電パターンを具備し、
前記第3配線層は、前記第1素子領域の上方に位置していて前記第4配線に電気的に接続している第5配線と、前記第2素子領域の上方に位置していて前記接続用導電パターンを介して前記第3配線に電気的に接続する第6配線を具備し、
前記第2配線層は、前記第2素子領域の上方には配線を具備していない。
前記第3配線と電気的に接続している前記第6配線は、一部が前記第2配線の上方に位置していてもよい。この場合においても、配線層相互間で絶縁破壊が生じることを抑制できる。前記第3配線と前記第2配線の電位差は、前記第1配線と基板電位の電位差より大きくてもよい。
前記半導体基板の第2素子領域に形成され、前記第1トランジスタより駆動電圧が高い第2トランジスタと、
前記第1素子領域及び前記第2素子領域上に形成された第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜上に形成された第1配線層と、
前記第1層間絶縁膜上及び前記第1配線層上に形成された第2層間絶縁膜と、
前記第2層間絶縁膜上に形成された第2配線層と、
を具備し、
前記第1配線層は、前記第1素子領域の上方に位置する第1配線を具備し、
前記第2配線層は、前記第1素子領域の上方に位置していて前記第1配線に電気的に接続している第2配線と、前記第2素子領域の上方に位置していて前記第2配線とは異なる電位になる第3配線と、
を具備し、前記第1配線層は、前記第2素子領域の上方には配線を具備していない。
前記第1層間絶縁膜及び前記第2層間絶縁膜は、炭素含有シリカ、フッ素含有シリカ、及びシルセスキオキサン系化合物のうちの少なくとも一種から構成されてもよい。
前記第1層間絶縁膜上に第1配線層を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上及び前記第1配線層上に第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜上に第2配線層を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜上及び前記第2配線層上に第3層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第3層間絶縁膜上に第3配線層を形成する工程と、
を具備し、
前記第1配線層を形成する工程において、前記第1素子領域の上方に位置する第1配線と、前記第2素子領域の上方に位置する第2配線と、前記第2素子領域の上方に位置していて前記第2配線とは異なる電位になる第3配線を形成し、
前記第2配線層を形成する工程において、前記第1素子領域の上方に位置していて前記第1配線に電気的に接続している第4配線を形成し、前記第2素子領域の上方かつ前記第3配線の一部の上方に位置していて前記第3配線に電気的に接続している接続用導電パターンを形成し、かつ前記第2素子領域の上方に位置する配線を形成せず、
前記第3配線層を形成する工程において、前記第1素子領域の上方に位置していて前記第4配線に電気的に接続している第5配線と、前記第2素子領域の上方に位置していて前記接続用導電パターンを介して前記第3配線に接続する第6配線を形成する。
前記第1素子領域及び前記第2素子領域上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上に第1配線層を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上及び前記第1配線層上に第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜上に第2配線層を形成する工程と、
を具備し、
前記第1配線層を形成する工程において、前記第1素子領域の上方に位置する第1配線を形成し、かつ前記第2素子領域の上方には配線を形成せず、
前記第2配線層を形成する工程において、前記第1素子領域の上方に位置していて前記第1配線に電気的に接続している第2配線と、前記第2素子領域の上方に位置していて前記第2配線とは異なる電位になる第3配線を形成する。
なお、上記した2つの熱酸化工程において、高耐圧トランジスタのソース及びドレインとなる領域、及び基板電位を与える配線が接続される領域それぞれに位置するシリコン基板1にも、熱酸化膜(図示せず)が形成される。
このようにして、低耐圧トランジスタ及び高耐圧トランジスタが形成される。
以上、本実施形態においても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
Claims (11)
- 半導体基板の第1素子領域及び第2素子領域の上方に形成された第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜上に形成された第1配線層と、
前記第1層間絶縁膜上及び前記第1配線層上に形成された第2層間絶縁膜と、
前記第2層間絶縁膜上に形成された第2配線層と、
前記第2層間絶縁膜上及び前記第2配線層上に形成された第3層間絶縁膜と、
前記第3層間絶縁膜上に形成された第3配線層と、
を具備し、
前記第1配線層は、前記第1素子領域の上方に位置する第1配線と、前記第2素子領域の上方に位置する第2配線と、前記第2素子領域の上方に位置していて前記第2配線とは異なる電位になる第3配線を具備し、
前記第2配線層は、前記第1素子領域の上方に位置していて前記第1配線に電気的に接続している第4配線と、前記第3配線の一部の上方に位置していて前記第3配線に電気的に接続している接続用導電パターンを具備し、
前記第3配線層は、前記第1素子領域の上方に位置していて前記第4配線に電気的に接続している第5配線と、前記第2素子領域の上方に位置していて前記接続用導電パターンを介して前記第3配線に電気的に接続する第6配線を具備し、
前記第2配線層は、前記第2素子領域の上方には配線を具備していない半導体装置。 - 前記第6配線は、一部が前記第2配線の上方に位置している請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2層間絶縁膜は、上面及び下面相互間の電位差が前記第2配線と前記第3配線の電位差以上の場合に絶縁破壊を生じる厚さである請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第3配線と前記第2配線の電位差は、前記第1配線と基板電位の電位差より大きい請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1素子領域に位置する前記半導体基板に形成された第1トランジスタと、
前記第2素子領域に位置する前記半導体基板に形成され、前記第1トランジスタより動作電圧が高い第2トランジスタと、
を具備し、
前記第2配線は、前記第1トランジスタのソース又はドレインと、前記第2トランジスタのゲート電極を電気的に接続しており、
前記第3配線は、前記第2トランジスタのソース又はドレインに接続している請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1層間絶縁膜、前記第2層間絶縁膜、及び前記第3層間絶縁膜は、炭素含有シリカ、フッ素含有シリカ、及びシルセスキオキサン系化合物のうちの少なくとも一種から構成される請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 半導体基板の第1素子領域に形成された第1トランジスタと、
前記半導体基板の第2素子領域に形成され、前記第1トランジスタより駆動電圧が高い第2トランジスタと、
前記第1素子領域及び前記第2素子領域上に形成された第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜上に形成された第1配線層と、
前記第1層間絶縁膜上及び前記第1配線層上に形成された第2層間絶縁膜と、
前記第2層間絶縁膜上に形成された第2配線層と、
を具備し、
前記第1配線層は、前記第1素子領域の上方に位置する第1配線を具備し、
前記第2配線層は、前記第1素子領域の上方に位置していて前記第1配線に電気的に接続している第2配線と、前記第2素子領域の上方に位置していて前記第2配線とは異なる電位になる第3配線と、
を具備し、前記第1配線層は、前記第2素子領域の上方には配線を具備していない半導体装置。 - 前記第3配線は、一部が前記第2トランジスタのゲート電極又はゲート配線の上方に位置している請求項7に記載の半導体装置。
- 前記第1層間絶縁膜及び前記第2層間絶縁膜は、炭素含有シリカ、フッ素含有シリカ、及びシルセスキオキサン系化合物のうちの少なくとも一種から構成される請求項7又は8に記載の半導体装置。
- 半導体基板の第1素子領域及び第2素子領域の上方に、第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上に第1配線層を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上及び前記第1配線層上に第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜上に第2配線層を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜上及び前記第2配線層上に第3層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第3層間絶縁膜上に第3配線層を形成する工程と、
を具備し、
前記第1配線層を形成する工程において、前記第1素子領域の上方に位置する第1配線と、前記第2素子領域の上方に位置する第2配線と、前記第2素子領域の上方に位置していて前記第2配線とは異なる電位になる第3配線を形成し、
前記第2配線層を形成する工程において、前記第1素子領域の上方に位置していて前記第1配線に電気的に接続している第4配線を形成し、前記第2素子領域の上方かつ前記第3配線の一部の上方に位置していて前記第3配線に電気的に接続している接続用導電パターンを形成し、かつ前記第2素子領域の上方に位置する配線を形成せず、
前記第3配線層を形成する工程において、前記第1素子領域の上方に位置していて前記第4配線に電気的に接続している第5配線と、前記第2素子領域の上方に位置していて前記接続用導電パターンを介して前記第3配線に接続する第6配線を形成する半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の第1素子領域に第1トランジスタを形成し、かつ前記半導体基板の第2素子領域に、前記第1トランジスタより駆動電圧が高い第2トランジスタを形成する工程と、
前記第1素子領域及び前記第2素子領域上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上に第1配線層を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上及び前記第1配線層上に第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜上に第2配線層を形成する工程と、
を具備し、
前記第1配線層を形成する工程において、前記第1素子領域の上方に位置する第1配線を形成し、かつ前記第2素子領域の上方には配線を形成せず、
前記第2配線層を形成する工程において、前記第1素子領域の上方に位置していて前記第1配線に電気的に接続している第2配線と、前記第2素子領域の上方に位置していて前記第2配線とは異なる電位になる第3配線を形成する半導体装置の製造方法。
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JPS61236141A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Hitachi Ltd | 多層配線を有する半導体装置 |
JPH04171938A (ja) * | 1990-11-06 | 1992-06-19 | Nippon Steel Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2004356582A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Asahi Glass Co Ltd | 積層体 |
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