JP2006303004A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体基板に埋め込まれた素子分離膜の表面周辺部に、窪みが形成されることを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1上に、開口部13aを有するマスク膜12,13を形成するマスク膜12,13をマスクとして半導体基板1をエッチングすることにより、溝1aを形成する。マスク膜13上、開口部13a内、及び溝1a内に、第1の絶縁膜を形成する。第1の絶縁膜をマスク膜13上から除去し、さらに開口部13a内に位置する第1の絶縁膜14を除去することにより、溝1a内に素子分離膜2を埋め込む。溝1a内に位置する第1の絶縁膜14上に、第2の絶縁膜15を形成し、第2の絶縁膜15をエッチバックすることにより、溝1a内に位置する第1の絶縁膜14の周辺部上に、周辺部被覆膜2aを形成する。
【選択図】 図2
【解決手段】半導体基板1上に、開口部13aを有するマスク膜12,13を形成するマスク膜12,13をマスクとして半導体基板1をエッチングすることにより、溝1aを形成する。マスク膜13上、開口部13a内、及び溝1a内に、第1の絶縁膜を形成する。第1の絶縁膜をマスク膜13上から除去し、さらに開口部13a内に位置する第1の絶縁膜14を除去することにより、溝1a内に素子分離膜2を埋め込む。溝1a内に位置する第1の絶縁膜14上に、第2の絶縁膜15を形成し、第2の絶縁膜15をエッチバックすることにより、溝1a内に位置する第1の絶縁膜14の周辺部上に、周辺部被覆膜2aを形成する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。特に本発明は、半導体基板に埋め込まれた絶縁物の表面周辺部に、窪みが形成されることを抑制できる半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
図8(A)〜(C)の各図は、従来の半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。
まず、図8(A)に示すように、シリコン基板101上に酸化シリコン膜112及び窒化シリコン膜113を、この順に形成する。次いで窒化シリコン膜113及び酸化シリコン膜112に開口部を形成する。次いで、窒化シリコン膜113をマスクとして、シリコン基板101をエッチングする。これにより、シリコン基板101には溝101aが形成される。次いで、溝101aの側壁に熱酸化膜101bを形成する。次いで、溝101aの中及び窒化シリコン膜113上に、酸化シリコン膜102aをCVD法により形成する。
まず、図8(A)に示すように、シリコン基板101上に酸化シリコン膜112及び窒化シリコン膜113を、この順に形成する。次いで窒化シリコン膜113及び酸化シリコン膜112に開口部を形成する。次いで、窒化シリコン膜113をマスクとして、シリコン基板101をエッチングする。これにより、シリコン基板101には溝101aが形成される。次いで、溝101aの側壁に熱酸化膜101bを形成する。次いで、溝101aの中及び窒化シリコン膜113上に、酸化シリコン膜102aをCVD法により形成する。
次いで、図8(B)に示すように、窒化シリコン膜113上に位置する酸化シリコン膜102a、及び窒化シリコン膜113を、CMP法を用いて研磨除去する。このとき、窒化シリコン膜113を少し残す。次いで、残っている窒化シリコン膜113、及び酸化シリコン膜112をエッチングにより除去する。これにより、シリコン基板101には素子分離膜102が埋め込まれる(例えば特許文献1参照)。このとき、素子分離膜102表面の周辺部には、窪み102bが形成される。
特開2001−267410号公報(第7段落及び図17)
次いで、図8(C)に示すように、シリコン基板101を熱酸化することにより、ゲート酸化膜103を形成する。次いで、ゲート酸化膜103上を含む全面上にポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングする。これにより、ゲート酸化膜103上にはゲート電極104が形成される。次いで、低濃度不純物領域106a,106b、サイドウォール105、並びにソース及びドレインとなる不純物領域107a,107bを形成する。
図8(D)は、図8(C)の状態における半導体装置の断面図である。本図は、図8(C)で示した断面と直交する方向の断面図である。上記したように、素子分離膜102の周辺部には、窪み102bが形成される。窪み102bが形成されると、この部分で溝101aの側壁上端が露出するため、ゲート酸化膜103の端部103aが溝101aの側壁上端に回り込み、薄膜化する。
上記したように、素子分離膜の表面周辺部に窪みが形成され、溝の側壁上端が露出すると、ゲート酸化膜の端部が側壁上端に回り込み、薄膜化する。この薄膜化した部分により、寄生トランジスタが生成する。従って、素子分離膜の表面周辺部に窪みが形成されることを抑制する必要がある。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、半導体基板に埋め込まれた絶縁物の表面周辺部に、窪みが形成されることを抑制できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、開口部を有するマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記マスク膜上、前記開口部内、及び前記溝内に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜を前記マスク膜上から除去する工程と、
前記開口部内に位置する前記第1の絶縁膜を除去する工程と、
前記溝内に位置する前記第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成し、該前記第2の絶縁膜をエッチバックすることにより、前記溝内に位置する前記第1の絶縁膜の周辺部上に、周辺部被覆膜を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程とを具備する。
前記マスク膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記マスク膜上、前記開口部内、及び前記溝内に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜を前記マスク膜上から除去する工程と、
前記開口部内に位置する前記第1の絶縁膜を除去する工程と、
前記溝内に位置する前記第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成し、該前記第2の絶縁膜をエッチバックすることにより、前記溝内に位置する前記第1の絶縁膜の周辺部上に、周辺部被覆膜を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程とを具備する。
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、開口部を有するマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記マスク膜上、前記開口部内、及び前記溝内に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜を前記マスク膜上から除去する工程と、
前記開口部内に位置する前記第1の絶縁膜を除去する工程と、
前記溝内に位置する前記第1の絶縁膜の周辺部上に、少なくとも前記開口部の側壁の下部を覆う周辺部被覆膜を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程とを具備する。
前記マスク膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記マスク膜上、前記開口部内、及び前記溝内に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜を前記マスク膜上から除去する工程と、
前記開口部内に位置する前記第1の絶縁膜を除去する工程と、
前記溝内に位置する前記第1の絶縁膜の周辺部上に、少なくとも前記開口部の側壁の下部を覆う周辺部被覆膜を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程とを具備する。
これらの半導体装置の製造方法によれば、前記溝内に位置する前記第1の絶縁膜の周辺部上には、前記周辺部被覆膜が形成される。このため、前記第1の絶縁膜の表面周辺部に窪みが形成されることが、抑制される。
前記溝の中に埋め込まれた第1の絶縁膜は、例えば素子分離膜である。この場合、前記マスク膜を除去する工程の後に、前記半導体基板を熱酸化することにより、ゲート酸化膜を形成する工程を具備しても、ゲート酸化膜の端部が薄膜化することが、抑制される。前記第2の絶縁膜は、例えば酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜である。
前記第1の絶縁膜は酸化シリコン膜であり、前記マスク膜は、酸化シリコン膜である第1のマスク膜、及び窒化シリコン膜である第2のマスク膜をこの順に積層した膜であり、前記開口部内に位置する前記第1の絶縁膜を除去する工程は、ウェットエッチングにより前記第1の絶縁膜を除去する工程であり、当該工程において、前記第1のマスク膜のうち前記開口部に面する部分がエッチングされることにより、前記開口部の側面には凹部が形成され、前記周辺部被覆膜を形成する工程において、前記第2の絶縁膜が前記凹部に埋め込まれてもよい。
前記第1の絶縁膜は酸化シリコン膜であり、前記マスク膜は、酸化シリコン膜である第1のマスク膜、及び窒化シリコン膜である第2のマスク膜をこの順に積層した膜であり、前記マスク膜を除去する工程は、前記第2のマスク膜を除去する工程と、前記溝内に位置する前記第1の絶縁膜、前記周辺部被覆膜、及び前記周辺部被覆膜の外縁部に隣接する前記第1のマスク膜を、レジスト膜で覆う工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記第1のマスク膜をエッチングする工程とを具備してもよい。
この場合、前記第1のマスク膜を除去する工程において、前記第1の絶縁膜の表面が除去されることを防止できる。
この場合、前記第1のマスク膜を除去する工程において、前記第1の絶縁膜の表面が除去されることを防止できる。
本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、
前記半導体基板に形成された溝と、
前記溝に埋め込まれた素子分離膜と、
を具備し、
前記素子分離膜は、周辺部が他より上に凸である。
前記半導体基板に形成された溝と、
前記溝に埋め込まれた素子分離膜と、
を具備し、
前記素子分離膜は、周辺部が他より上に凸である。
本発明に係る他の半導体装置は、半導体基板と、
前記半導体基板に形成された溝と、
前記溝に埋め込まれ、素子領域を他の領域から分離する素子分離膜と、
前記素子領域に位置するシリコン基板に形成されたゲート酸化膜と、
を具備し、
前記素子分離膜は、周辺部が他より上に凸である。
前記半導体基板に形成された溝と、
前記溝に埋め込まれ、素子領域を他の領域から分離する素子分離膜と、
前記素子領域に位置するシリコン基板に形成されたゲート酸化膜と、
を具備し、
前記素子分離膜は、周辺部が他より上に凸である。
これらの半導体装置において、前記素子分離膜は、前記溝に埋め込まれた第1の絶縁膜と、前記第1の周辺部上に形成された第2の絶縁膜とを具備してもよい。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1及び図2の各図、並びに図3(A)及び(B)は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。
まず、図1(A)に示すように、シリコン基板1上に、パッド膜としての酸化シリコン膜12を熱酸化法により形成する。次いで、酸化シリコン膜12上に窒化シリコン膜13をCVD法により形成する。酸化シリコン膜12の厚さは例えば5nm以上20nm以下であり、窒化シリコン膜13の厚さは例えば100nm以上300nm以下である。次いで、窒化シリコン膜13上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、窒化シリコン膜13上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして窒化シリコン膜13及び酸化シリコン膜12をエッチングする。これにより、窒化シリコン膜13及び酸化シリコン膜12には開口部13aが形成される。次いで、窒化シリコン膜13をマスクとして、シリコン基板1をエッチングする。これにより、シリコン基板1には溝1aが形成される。
その後、レジストパターンを除去する。
その後、レジストパターンを除去する。
次いで、シリコン基板1を熱酸化する。これにより、溝1aの側壁及び底面には熱酸化膜1bが形成され、溝1aの角部が丸められる。
次いで、図1(B)に示すように、溝1a及び開口部13aそれぞれの中、並びに窒化シリコン膜13上を含む全面上に、酸化シリコン膜14をCVD法により形成する。
次いで、図1(C)に示すように、窒化シリコン膜13をストッパーとしたCMPを行うことにより、窒化シリコン膜13上に位置する酸化シリコン膜14を除去し、かつ溝1a及び開口部13aの中に位置する酸化シリコン膜14の上面を平坦化する。
次いで、開口部13aの中に位置する酸化シリコン膜14を、ウェットエッチングにより除去する。このようにして、溝1aには素子分離膜2が埋め込まれる。素子分離膜2の上面はシリコン基板1の表面より少し下方に位置する。
このウェットエッチング工程において、パッド膜としての酸化シリコン膜12のうち、開口部13aに面している部分も少し除去される。これにより、開口部13aの側面には凹部12aが形成される。また、溝1aの側壁に形成された熱酸化膜1bの上端が除去される。
次いで、図2(A)に示すように、開口部13aの下方に位置する素子分離膜2上を含む全面上に、酸化シリコン膜15をCVD法により形成する。このとき、凹部12aにも酸化シリコン膜15が埋め込まれるように、CVDの条件を調整する。
次いで、図2(B)に示すように、酸化シリコン膜15をエッチバックする。これにより、開口部13aの内部には、素子分離膜2の周辺部上に位置し、開口部13aの側面の下部を覆う周辺部被覆膜2aが形成される。
次いで、図2(C)に示すように、窒化シリコン膜13をCMP法により研磨する。このとき、窒化シリコン膜13が酸化シリコン膜12上に少し残るようにする。次いで、残っている窒化シリコン膜13をエッチングにより除去する。
次いで、図3(A)に示すように、酸化シリコン膜12をエッチングにより除去する。素子分離膜2の周辺部上には周辺部被覆膜2aが形成されているため、本工程において素子分離膜2の周辺部に窪みが形成されることが、抑制される。
次いで、図3(B)に示すように、シリコン基板1を熱酸化する。これにより、シリコン基板1にはゲート酸化膜3が形成される。次いで、ゲート酸化膜3上を含む全面上にポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングする。これにより、ゲート酸化膜3上にはゲート電極4が形成される。次いで、ゲート電極4及び素子分離膜2をマスクとして、シリコン基板1に不純物を注入する。これにより、シリコン基板1には低濃度不純物領域6a,6bが形成される。
次いで、ゲート電極4を含む全面上に、酸化シリコン膜を形成し、この酸化シリコン膜をエッチバックする。これにより、ゲート電極4の側壁はサイドウォール5で覆われる。次いで、ゲート電極4、サイドウォール5、及び素子分離膜2をマスクとして、シリコン基板1に不純物を注入する。これにより、シリコン基板1には、ソース及びドレインとなる不純物領域7a,7bが形成される。
このようにして、シリコン基板1にはトランジスタが形成される。
このようにして、シリコン基板1にはトランジスタが形成される。
図3(C)は、図3(B)の状態における半導体装置の、図3(B)で示した断面と直交する方向の断面図である。上記したように、素子分離膜2の周辺部上には周辺部被覆膜2aが形成されるため、窪みの形成が抑制される。このため、本図に示すように、従来と比べてゲート酸化膜3の端部の薄膜化が抑制され、寄生トランジスタの発生が抑制される。
以上、本発明の第1の実施形態によれば、素子分離膜2の周辺部上には周辺部被覆膜2aが形成される。このため、パッド膜としての酸化シリコン膜12を除去する工程において、素子分離膜2の周辺部に窪みが形成されることが抑制される。
従って、ゲート酸化膜3の端部の薄膜化が抑制され、寄生トランジスタの発生が抑制される。
従って、ゲート酸化膜3の端部の薄膜化が抑制され、寄生トランジスタの発生が抑制される。
図4の各図及び図5(A)は、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。本実施形態によって製造される半導体装置は、素子分離膜の周辺部上に形成されるサイドウォールが窒化シリコンによって形成される点を除いて、第1の実施形態と同一である。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず、図4(A)に示すように、シリコン基板1上に酸化シリコン膜12及び窒化シリコン膜13を形成し、さらに開口部13aを形成する。次いで、シリコン基板1に溝1a及び熱酸化膜1bを形成し、溝1aに素子分離膜2を埋め込む。これらの工程の詳細は、第1の実施形態と同一である。
次いで、開口部13aの下方に位置する素子分離膜2上を含む全面上に、窒化シリコン膜16をCVD法により形成する。窒化シリコン膜16の厚さは、例えば50nm以上300nm以下である。このとき、凹部12aにも窒化シリコン膜16が埋め込まれるように、CVDの条件を調整する。
次いで、図4(B)に示すように、窒化シリコン膜16をエッチバックする。これにより、素子分離膜2の周辺部上には周辺部被覆膜2aが形成される。また、窒化シリコン膜13の表面もエッチングされる。なお、この状態において周辺部被覆膜2aは、第1の実施形態より大きい(図示せず)。
次いで、窒化シリコン膜13を、第1の実施形態と同一の方法を用いて除去する。この工程において、周辺部被覆膜2aは小さくなる。
次いで、窒化シリコン膜13を、第1の実施形態と同一の方法を用いて除去する。この工程において、周辺部被覆膜2aは小さくなる。
次いで、図4(C)に示すように、酸化シリコン膜12、周辺部被覆膜2a、及び素子分離膜2それぞれを含む全面上に、フォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これによりレジストパターン50が形成される。レジストパターン50は、周辺部被覆膜2a、素子分離膜2、及び周辺部被覆膜2aの外縁部に隣接する酸化シリコン膜12それぞれを覆っている。
次いで、レジストパターン50をマスクとして酸化シリコン膜12をエッチングする。これにより、酸化シリコン膜12は、素子分離膜2の周辺に位置する部分を除いて除去される。このように、本実施形態ではレジストパターン50が形成されているため、素子分離膜2表面の周辺部には、窪みが形成されない。また、素子分離膜2がエッチングされることを防止できる。
その後、図5(A)に示すように、レジストパターン50を除去する。次いで、ゲート酸化膜3、ゲート電極4、サイドウォール5、低濃度不純物領域6a,6b、及び不純物領域7a,7bを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。
このようにして、トランジスタが形成される。
このようにして、トランジスタが形成される。
図5(B)は、図5(A)の状態における半導体装置の、図5(A)で示した断面と直交する方向の断面図である。上記したように、素子分離膜2表面の周辺部には、窪みが形成されない。このため、ゲート酸化膜3の端部の薄膜化が抑制され、寄生トランジスタの発生が抑制される。
このように、本実施形態によれば、酸化シリコン膜12をエッチングする際に、周辺部被覆膜2a、素子分離膜2、及び素子分離膜2表面の周辺部に位置する酸化シリコン膜12上には、レジストパターン50が形成される。このため、素子分離膜2の周辺部には窪みが形成されない。従って、ゲート酸化膜3の端部の薄膜化が抑制され、寄生トランジスタの発生が抑制される。
図6の各図、並びに図7(A)及び(B)は、第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。本実施形態は、高耐圧である第1のトランジスタと、第1のトランジスタより低耐圧である第2のトランジスタとを、同一のシリコン基板1上に形成する方法である。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず、図6(A)に示すように、第1のトランジスタが形成される第1の素子領域10a、及び第2のトランジスタが形成される第2の素子領域10bそれぞれにおいて、シリコン基板1に溝1aを形成する。次いで、溝1aに素子分離膜2を埋め込み、さらに、素子分離膜2表面の周辺部上に、周辺部被覆膜2aを形成する。これらの工程は、第1の実施形態と同一である。素子分離膜2の周辺部上には周辺部被覆膜2aが形成されるため、素子分離膜2の周辺部に窪みが形成されることが抑制される。
次いで、図6(B)に示すように、シリコン基板1を熱酸化する。これにより、第1の素子領域10aに位置するシリコン基板1には、第1のトランジスタのゲート酸化膜3aが形成される。また、第2の素子領域10bに位置するシリコン基板にも酸化シリコン膜3cが形成される。素子分離膜2の周辺部に窪みが形成されることが抑制されているため、この熱酸化工程において、ゲート酸化膜3aの端部の薄膜化が抑制される。
なお、本工程において形成されるゲート酸化膜3aの厚さは、第1のトランジスタの動作電圧に耐えるには不十分である。
なお、本工程において形成されるゲート酸化膜3aの厚さは、第1のトランジスタの動作電圧に耐えるには不十分である。
次いで、図6(C)に示すように、第1の素子領域10a及び第2の素子領域10bそれぞれを含む全面上に、フォトレジスト膜51を塗布し、フォトレジスト膜51を露光及び現像する。これにより、第1の素子領域10aはフォトレジスト膜51で覆われるが、第2の素子領域10bからはフォトレジスト膜51が除去される。次いで、フォトレジスト膜51をマスクとしてエッチングを行い、第2の素子領域10bに位置する酸化シリコン膜3cを除去する。
このエッチング工程において、素子分離膜2の周辺部上には周辺部被覆膜2aが形成されているため、素子分離膜2の周辺部に窪みが形成されることが抑制される。
このエッチング工程において、素子分離膜2の周辺部上には周辺部被覆膜2aが形成されているため、素子分離膜2の周辺部に窪みが形成されることが抑制される。
その後、図7(A)に示すように、フォトレジスト膜51を除去する。次いで、シリコン基板1を再び熱酸化する。これにより、第2の素子領域10bに位置するシリコン基板1には、第2のトランジスタのゲート酸化膜3bが形成される。また、第1のトランジスタのゲート酸化膜3aも厚くなり、第1のトランジスタの動作電圧に耐えることができるようになる。素子分離膜2の周辺部に窪みが形成されることが抑制されているため、この熱酸化工程において、ゲート酸化膜3a,3bそれぞれの端部の薄膜化が抑制される。
次いで、図7(B)に示すように、第1の素子領域10a、及び第2の素子領域10bそれぞれに、ゲート電極4、低濃度不純物領域6a,6b、サイドウォール5、及び不純物領域7a,7bを形成する。これらの形成方法は、第1の実施形態と同一である。
このようにして、第1の素子領域10aには高耐圧のトランジスタが形成され、第2の素子領域10bには低耐圧のトランジスタが形成される。
このようにして、第1の素子領域10aには高耐圧のトランジスタが形成され、第2の素子領域10bには低耐圧のトランジスタが形成される。
図7(C)は、図7(B)に示した2つのトランジスタそれぞれの、(B)の断面図と直交する方向の断面図である。本図に示すように、本実施形態においても素子分離膜2の周辺部上には周辺部被覆膜2aが形成されているため、素子分離膜2を形成するときのエッチング工程、及び酸化シリコン膜3cを除去するときのエッチング工程それぞれにおいて、素子分離膜2の周辺部に窪みが形成されることが抑制される。
このため、寄生トランジスタの発生が抑制される。
このため、寄生トランジスタの発生が抑制される。
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば上記した各実施形態において、酸化シリコン膜14をエッチングして素子分離膜2を形成する際に、素子分離膜2の表面をシリコン基板1と略面一にしてもよいし、シリコン基板1の表面より上に位置させてもよい。
また、第1の実施形態において、酸化シリコン膜15の代わりに窒化シリコン膜を形成してもよい。また、第2の実施形態において、窒化シリコン膜16の代わりに酸化シリコン膜を形成してもよい。また、第3の実施形態において、第2の実施形態で示した方法を用いてもよい。
1…シリコン基板、1a,101a…溝、1b,101b…熱酸化膜、2,102…素子分離膜、2a…周辺部被覆膜、3,3a,3b,103…ゲート酸化膜、4,104…ゲート電極、5,105…サイドウォール、6a,6b,106a,106b…低濃度不純物領域、7a,7b,107a,107b…不純物領域、10a…第1の素子領域、10b…第2の素子領域、12,14,15,112…酸化シリコン膜、12a…凹部、13,16,113…窒化シリコン膜、50…レジストパターン、51…フォトレジスト膜、102a…窪み
Claims (9)
- 半導体基板上に、開口部を有するマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記マスク膜上、前記開口部内、及び前記溝内に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜を前記マスク膜上から除去する工程と、
前記開口部内に位置する前記第1の絶縁膜を除去する工程と、
前記溝内に位置する前記第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成し、該前記第2の絶縁膜をエッチバックすることにより、前記溝内に位置する前記第1の絶縁膜の周辺部上に、周辺部被覆膜を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に、開口部を有するマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記マスク膜上、前記開口部内、及び前記溝内に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜を前記マスク膜上から除去する工程と、
前記開口部内に位置する前記第1の絶縁膜を除去する工程と、
前記溝内に位置する前記第1の絶縁膜の周辺部上に、少なくとも前記開口部の側壁の下部を覆う周辺部被覆膜を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記溝の中に埋め込まれた第1の絶縁膜は素子分離膜であり、
前記マスク膜を除去する工程の後に、前記半導体基板を熱酸化することにより、ゲート酸化膜を形成する工程を具備する請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の絶縁膜は酸化シリコン膜であり、
前記マスク膜は、酸化シリコン膜である第1のマスク膜、及び窒化シリコン膜である第2のマスク膜をこの順に積層した膜であり、
前記開口部内に位置する前記第1の絶縁膜を除去する工程は、ウェットエッチングにより前記第1の絶縁膜を除去する工程であり、当該工程において、前記第1のマスク膜のうち前記開口部に面する部分がエッチングされることにより、前記開口部の側面には凹部が形成され、
前記周辺部被覆膜を形成する工程において、前記周辺部被覆膜が前記凹部に埋め込まれる請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の絶縁膜は酸化シリコン膜であり、
前記マスク膜は、酸化シリコン膜である第1のマスク膜、及び窒化シリコン膜である第2のマスク膜をこの順に積層した膜であり、
前記マスク膜を除去する工程は、
前記第2のマスク膜を除去する工程と、
前記溝内に位置する前記第1の絶縁膜、前記周辺部被覆膜、及び前記周辺部被覆膜の外縁部に隣接する前記第1のマスク膜を、レジスト膜で覆う工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記第1のマスク膜をエッチングする工程と、
を具備する請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記周辺部被覆膜は酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜である請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された溝と、
前記溝に埋め込まれた素子分離膜と、
を具備し、
前記素子分離膜は、周辺部が他より上に凸である半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された溝と、
前記溝に埋め込まれ、素子領域を他の領域から分離する素子分離膜と、
前記素子領域に位置するシリコン基板に形成されたゲート酸化膜と、
を具備し、
前記素子分離膜は、周辺部が他より上に凸である半導体装置。 - 前記素子分離膜は、
前記溝に埋め込まれた第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の周辺部上に形成された第2の絶縁膜と、
を具備する請求項7又は8に記載の半導体装置。
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