JP2008103501A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】素子分離膜に導電膜を埋め込む際に、素子分離膜の上面及び導電膜の上面の平坦性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板1に素子分離膜2を埋め込む工程と、素子分離膜2に溝2aを形成する工程と、溝2a内及び素子分離膜2上に第1の導電膜20を形成する工程と、溝2a内に位置する第1の導電膜20上に第1のマスク膜51を形成する工程と、第1のマスク膜51をマスクとしたエッチングを行うことにより、素子分離膜2上に位置する第1の導電膜20を除去する工程と、第1のマスク膜51を除去する工程とを具備する。溝2aの深さは第1の導電膜20の厚さと略等しいのが好ましい。
【選択図】図1
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板1に素子分離膜2を埋め込む工程と、素子分離膜2に溝2aを形成する工程と、溝2a内及び素子分離膜2上に第1の導電膜20を形成する工程と、溝2a内に位置する第1の導電膜20上に第1のマスク膜51を形成する工程と、第1のマスク膜51をマスクとしたエッチングを行うことにより、素子分離膜2上に位置する第1の導電膜20を除去する工程と、第1のマスク膜51を除去する工程とを具備する。溝2aの深さは第1の導電膜20の厚さと略等しいのが好ましい。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。特に本発明は、素子分離膜に導電膜を埋め込む際に、素子分離膜の上面及び導電膜の上面の平坦性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
図4の各図は、トランジスタと容量素子を具備する半導体装置の従来の製造方法を説明する為の断面図である。まず図4(A)に示すように、シリコン基板100に素子分離膜102を埋め込む。次いで素子分離膜102に溝102aを形成し、さらに溝102a内、素子分離膜102上、及びシリコン基板100上にポリシリコン膜120を形成する。
次いで、図4(B)に示すように、素子分離膜102上及びシリコン基板100上に位置するポリシリコン膜120をCMP法により除去する。これにより、溝102a内には容量素子の下部電極120aが埋め込まれる(例えば特許文献1参照)。
次いで、図4(C)に示すように、下部電極120aの表面を酸化して絶縁膜121を形成する。次いで、ゲート絶縁膜103を形成する。次いで絶縁膜121上、及びゲート絶縁膜103上を含む全面上にポリシリコン膜を形成する。次いで、このポリシリコン膜上にフォトレジスト膜(図示せず))を形成し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、ポリシリコン膜上にはレジストパターンが形成される。次いでこのレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜をエッチングする。これにより、絶縁膜121上には容量素子の上部電極104aが形成され、ゲート絶縁膜103上にはゲート電極104bが形成される。
その後、レジストパターンを除去する。次いで、低濃度不純物領域106、サイドウォール105、並びにソース及びドレインとなる2つの不純物領域107を形成する。
上記した従来方法では、素子分離膜に形成された溝に下部電極等の導電膜(例えばポリシリコン膜)を埋め込む際に、CMP法を用いている。この工程において、素子分離膜上や半導体基板上に導電膜を残存させないことを目的として、過剰研磨を行う必要がある。しかし、過剰研磨が行われる段階において、被研磨面には少なくとも導電膜と素子分離膜の2種類の材質が存在するが、CMP法では導電膜を高い選択比で研磨することは難しかった。このため、被研磨面(すなわち導電膜の上面と素子分離膜の上面)の平坦性を十分に向上させることが難しかった。
このため、被研磨面上に形成される導電膜(例えばポリシリコン膜)及び導電膜上に形成されるフォトレジスト膜の平坦性が低下し、フォトレジスト膜を露光及び現像して形成されるレジストパターンの製造寸法が、設計寸法に対して誤差を生じていた。その結果、ゲート電極の製造寸法が、設計寸法に対して誤差が大きくなっていた。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、素子分離膜に導電膜を埋め込む際に、素子分離膜の上面及び導電膜の上面の平坦性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板に素子分離膜を埋め込む工程と、
前記素子分離膜に溝を形成する工程と、
前記溝内及び前記素子分離膜上に第1の導電膜を形成する工程と、
前記溝内に位置する前記第1の導電膜上に第1のマスク膜を形成する工程と、
前記第1のマスク膜をマスクとしたエッチングを行うことにより、前記素子分離膜上に位置する前記第1の導電膜を除去する工程と、
前記第1のマスク膜を除去する工程とを具備する。
前記溝の深さは前記第1の導電膜の厚さと略等しいのが好ましい。
前記素子分離膜に溝を形成する工程と、
前記溝内及び前記素子分離膜上に第1の導電膜を形成する工程と、
前記溝内に位置する前記第1の導電膜上に第1のマスク膜を形成する工程と、
前記第1のマスク膜をマスクとしたエッチングを行うことにより、前記素子分離膜上に位置する前記第1の導電膜を除去する工程と、
前記第1のマスク膜を除去する工程とを具備する。
前記溝の深さは前記第1の導電膜の厚さと略等しいのが好ましい。
CMP法と比較してエッチングは、絶縁膜に対する導電膜の選択比を大きくすることができる。従って、前記素子分離膜上に位置する前記第1の導電膜を除去した後において、前記溝内に位置する前記第1の導電膜の上面と前記素子分離膜の上面の平坦性を、CMP法を用いる従来例と比較して高くすることができる。
前記溝内に位置する前記第1の導電膜が容量素子の下部電極であり、前記素子分離膜を埋め込む工程において、トランジスタが形成される素子領域が他の領域から分離される場合、前記第1の導電膜を除去する工程の後に、前記下部電極の表面に容量素子の絶縁膜を形成する工程と、前記素子領域に位置する半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記素子分離膜上、前記ゲート絶縁膜上、及び前記容量素子の絶縁膜上に第2の導電膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上方に位置する前記第2の導電膜上、及び前記容量素子の絶縁膜の上方に位置する前記第2の導電膜上に第2のマスク膜を形成する工程と、前記第2のマスク膜をマスクとしたエッチングを行い、前記素子分離膜上に位置する前記第2の導電膜を除去することにより、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極、及び前記容量素子の絶縁膜上に位置する上部電極を形成する工程と、前記第2のマスク膜を除去する工程とを具備してもよい。
また、前記溝内に位置する前記第1の導電膜は抵抗素子であり、前記素子分離膜を埋め込む工程において、トランジスタが形成される素子領域が他の領域から分離される場合、前記第1の導電膜を除去する工程の後に、前記素子領域に位置する半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記素子分離膜上、前記ゲート絶縁膜上、及び前記抵抗素子上に第2の導電膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上方に位置する前記第2の導電膜上に第2のマスク膜を形成する工程と、前記第2のマスク膜をマスクとしたエッチングを行い、前記素子分離膜及び前記抵抗素子それぞれ上に位置する前記第2の導電膜を除去することにより、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極を形成する工程と、前記第2のマスク膜を除去する工程とを具備してもよい。
本発明に係る半導体基板は、半導体基板に埋め込まれ、素子領域を他の領域から分離する素子分離膜と、
前記素子領域に位置する半導体基板に形成されたトランジスタと、
前記素子分離膜に形成された溝と、
前記溝内のうち、該溝の周辺部を除いた領域に埋め込まれた容量素子の下部電極と、
前記溝内のうち、該溝の周辺部に埋め込まれた絶縁膜とを具備する。
前記素子領域に位置する半導体基板に形成されたトランジスタと、
前記素子分離膜に形成された溝と、
前記溝内のうち、該溝の周辺部を除いた領域に埋め込まれた容量素子の下部電極と、
前記溝内のうち、該溝の周辺部に埋め込まれた絶縁膜とを具備する。
本発明に係る他の半導体装置は、半導体基板に埋め込まれ、素子領域を他の領域から分離する素子分離膜と、
前記素子領域に位置する半導体基板に形成されたトランジスタと、
前記素子分離膜に形成された溝と、
前記溝内のうち、該溝の周辺部を除いた領域に埋め込まれた抵抗素子と、
前記溝内のうち、該溝の周辺部に埋め込まれた絶縁膜と、
を具備する。
前記素子領域に位置する半導体基板に形成されたトランジスタと、
前記素子分離膜に形成された溝と、
前記溝内のうち、該溝の周辺部を除いた領域に埋め込まれた抵抗素子と、
前記溝内のうち、該溝の周辺部に埋め込まれた絶縁膜と、
を具備する。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1及び図2の各図は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。本方法により製造される半導体装置は、トランジスタ及び容量素子を有する。
まず図1(A)に示すように、シリコン基板1に溝を形成し、この溝に、シリコン酸化膜からなる素子分離膜2を埋め込む。これにより、トランジスタが形成される素子領域が、他の領域から分離される。次いで、素子分離膜2上及びシリコン基板1上にフォトレジスト膜50を塗布し、フォトレジスト膜50を露光及び現像する。これにより、素子分離膜2の一部上に位置するフォトレジスト膜50が除去される。次いで、フォトレジスト膜50をマスクとして素子分離膜2をエッチングする。これにより、素子分離膜2には溝2aが形成される。溝2aは、素子領域に近接している(例えば最短距離が10μm以下)。溝2aの深さは、後述する下部電極20aの厚さと略等しいのが好ましいが、これより少し浅くても良い。
その後、図1(B)に示すようにフォトレジスト膜50を除去する。次いで、溝2a内、素子分離膜2上及びシリコン基板1上にポリシリコン膜20を形成する。
次いで、図1(C)に示すように、ポリシリコン膜20上にフォトレジスト膜51を形成し、フォトレジスト膜51を露光及び現像する。これにより、フォトレジスト膜51は、溝2aのうち周縁部を除いた領域の上方に位置する部分を除いて除去される。次いで、フォトレジスト膜51をマスクとしてポリシリコン膜20をエッチングする。このエッチングは、ウェットエッチングでも良いしドライエッチングでも良い。これによりポリシリコン膜20は、素子分離膜2上に位置する部分、シリコン基板1上に位置する部分、及び溝2a内の周縁部に位置する部分が除去される。このようにして、溝2a内には容量素子の下部電極20aが形成される。下部電極20aと溝2aの側壁の間には隙間がある。
CMP法と比較してエッチングは、シリコン酸化膜に対するポリシリコンの選択比を大きくすることができる。従って、下部電極20aの上面と素子分離膜2の上面の平坦性を、CMP法を用いる従来例と比較して高くすることができる。
その後、図1(D)に示すように、フォトレジスト膜51を除去する。次いで、素子領域に位置するシリコン基板1を保護膜(図示せず)で覆った後、下部電極20aの表面を熱酸化する。これにより、下部電極20aの表面には絶縁膜21が形成される。その後、保護膜を除去する。
次いで、下部電極20a及び絶縁膜21を保護膜(図示せず)で覆った後、素子領域に位置するシリコン基板1の表面を熱酸化する。これにより、ゲート絶縁膜3が形成される。その後、保護膜を除去する。
次いで、図2(A)に示すように、絶縁膜21上、ゲート絶縁膜3上、及び素子分離膜2上にポリシリコン膜4を形成する。
次いで、図2(B)に示すように、ポリシリコン膜4上にフォトレジスト膜52を塗布し、フォトレジスト膜52を露光及び現像する。これにより、フォトレジスト膜52は、絶縁膜21の上方に位置する部分、及びゲート絶縁膜3の一部の上方に位置する部分を除いて除去される。次いで、フォトレジスト膜52をマスクとしてポリシリコン膜4をエッチングする。これにより、ポリシリコン膜4のうちフォトレジスト膜52に覆われていない部分は除去され、絶縁膜21上に位置する上部電極4a、及びゲート絶縁膜3上に位置するゲート電極4bが形成される。
このようにして、素子分離膜2には下部電極20a、絶縁膜21、及び上部電極4aを有する容量素子が形成される。
このようにして、素子分離膜2には下部電極20a、絶縁膜21、及び上部電極4aを有する容量素子が形成される。
上記したように、下部電極20aの上面と素子分離膜2の上面の平坦性は、従来例と比較して高い。このため、フォトレジスト膜52の平坦性が向上し、露光及び現像後のフォトレジスト膜52の製造寸法の設計寸法に対する誤差が従来と比較して小さくなる。その結果、ゲート電極4bの製造寸法の設計寸法に対する誤差が従来と比較して小さくなる。
その後、図2(C)に示すようにフォトレジスト膜52を除去する。次いで、素子分離膜2及びゲート電極4bをマスクとして、素子領域に位置するシリコン基板1に不純物を導入する。これにより、素子領域には2つの低濃度不純物領域6が形成される。次いで、ゲート電極4b上を含む全面上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜をエッチバックする。これにより、ゲート電極4bの側壁はサイドウォール5で覆われる。なお本工程によって上部電極4a、絶縁膜21及び下部電極20aの側壁もサイドウォールで覆われる。次いで、素子分離膜2、ゲート電極4b、及びサイドウォール5をマスクとして、素子領域に位置するシリコン基板1に不純物を導入する。これにより、素子領域にはソース及びドレインとなる2つの不純物領域7が形成される。
このようにして、素子領域に位置するシリコン基板にはトランジスタが形成される。
このようにして、素子領域に位置するシリコン基板にはトランジスタが形成される。
次いで、図2(D)に示すように、容量素子上及びトランジスタ上を含む全面上に層間絶縁膜8を形成する。本工程において、容量素子と溝2aの間の隙間は層間絶縁膜8によって埋められる。次いで、層間絶縁膜8上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜8をエッチングする。これにより、層間絶縁膜8には接続孔が形成される。接続孔は、例えば上部電極4a上及びゲート電極4b上それぞれに形成される。
次いで、接続孔それぞれの中及び層間絶縁膜8上にタングステン膜を形成し、層間絶縁膜8上に位置するタングステン膜を例えばCMP法により除去する。これにより、タングステンプラグ9a,9bが形成される。タングステンプラグ9aは例えば上部電極4a上に位置しており、タングステンプラグ9bは例えばゲート電極4b上に位置している。次いで、層間絶縁膜8上及びタングステンプラグ9a,9b上にAl合金膜を形成し、このAl合金膜を選択的に除去する。これにより、層間絶縁膜8にはAl合金配線10a,10bが形成される。Al合金配線10aはタングステンプラグ9aに接続しており、Al合金配線10bはタングステンプラグ9bに接続している。
以上、本発明の第1の実施形態によれば、素子分離膜2に形成された溝2a内に容量素子の下部電極20aを形成する際に、CMP法ではなくエッチング法を用いている。このエッチング法はCMP法と比較して、シリコン酸化膜に対するポリシリコンの選択比を大きくすることができる。従って、下部電極20aの上面と素子分離膜2の上面の平坦性を、CMP法を用いる従来例と比較して高くして、ポリシリコン膜4上に形成されるフォトレジスト膜52の露光後の寸法の、設計寸法に対する誤差を小さくすることができる。このため、ゲート電極4の寸法は、設計寸法に対して誤差が小さくなる。
図3の各図は、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。本実施形態によって製造される半導体装置は、容量素子の代わりに抵抗素子を有する点が、第1の実施形態によって製造される半導体装置と異なる。以下、第1の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず図3(A)に示すように、シリコン基板1に素子分離膜2を埋め込み、溝2aを形成する。次いで溝2a内にポリシリコン抵抗30を形成する。ポリシリコン抵抗30の形成方法は、第1の実施形態において溝2a内に下部電極20aを形成する方法と同様である。
次いで、図3(B)に示すように、ゲート絶縁膜3、ゲート電極4b、低濃度不純物領域6、サイドウォール5、及び不純物領域7を形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同様である。ただし、絶縁膜21及び上部電極4aは形成されない。
次いで、図3(C)に示すように、層間絶縁膜8、タングステンプラグ9a,9b、及びAl合金配線10a,10bを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同じである。ただしタングステンプラグ9aは、ポリシリコン抵抗30上に位置している。
本実施形態によっても第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
本実施形態によっても第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
1,100…シリコン基板、2,102…素子分離膜、2a,102a…溝、3,103…ゲート絶縁膜、4,20,120…ポリシリコン膜、4a,104a…上部電極、4b,104b…ゲート電極、5,105…サイドウォール、6,106…低濃度不純物領域、7,107…不純物領域、8…層間絶縁膜、9a,9b…タングステンプラグ、10a,10b…Al合金配線、20a,120a…下部電極、21,121…絶縁膜、30…ポリシリコン抵抗、50,51,52…フォトレジスト膜
Claims (6)
- 半導体基板に素子分離膜を埋め込む工程と、
前記素子分離膜に溝を形成する工程と、
前記溝内及び前記素子分離膜上に第1の導電膜を形成する工程と、
前記溝内に位置する前記第1の導電膜上に第1のマスク膜を形成する工程と、
前記第1のマスク膜をマスクとしたエッチングを行うことにより、前記素子分離膜上に位置する前記第1の導電膜を除去する工程と、
前記第1のマスク膜を除去する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記溝内に位置する前記第1の導電膜は、容量素子の下部電極であり、
前記素子分離膜を埋め込む工程において、トランジスタが形成される素子領域が他の領域から分離され、
前記第1の導電膜を除去する工程の後に、
前記下部電極の表面に容量素子の絶縁膜を形成する工程と、
前記素子領域に位置する半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記素子分離膜上、前記ゲート絶縁膜上、及び前記容量素子の絶縁膜上に第2の導電膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上方に位置する前記第2の導電膜上、及び前記容量素子の絶縁膜の上方に位置する前記第2の導電膜上に第2のマスク膜を形成する工程と、
前記第2のマスク膜をマスクとしたエッチングを行い、前記素子分離膜上に位置する前記第2の導電膜を除去することにより、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極、及び前記容量素子の絶縁膜上に位置する上部電極を形成する工程と、
前記第2のマスク膜を除去する工程と、
を具備する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記溝内に位置する前記第1の導電膜は抵抗素子であり、
前記素子分離膜を埋め込む工程において、トランジスタが形成される素子領域が他の領域から分離され、
前記第1の導電膜を除去する工程の後に、
前記素子領域に位置する半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記素子分離膜上、前記ゲート絶縁膜上、及び前記抵抗素子上に第2の導電膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上方に位置する前記第2の導電膜上に第2のマスク膜を形成する工程と、
前記第2のマスク膜をマスクとしたエッチングを行い、前記素子分離膜及び前記抵抗素子それぞれ上に位置する前記第2の導電膜を除去することにより、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極を形成する工程と、
前記第2のマスク膜を除去する工程と、
を具備する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記溝の深さは前記第1の導電膜の厚さと略等しい請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板に埋め込まれ、素子領域を他の領域から分離する素子分離膜と、
前記素子領域に位置する半導体基板に形成されたトランジスタと、
前記素子分離膜に形成された溝と、
前記溝内のうち、該溝の周辺部を除いた領域に埋め込まれた容量素子の下部電極と、
前記溝内のうち、該溝の周辺部に埋め込まれた絶縁膜と、
を具備する半導体装置。 - 半導体基板に埋め込まれ、素子領域を他の領域から分離する素子分離膜と、
前記素子領域に位置する半導体基板に形成されたトランジスタと、
前記素子分離膜に形成された溝と、
前記溝内のうち、該溝の周辺部を除いた領域に埋め込まれた抵抗素子と、
前記溝内のうち、該溝の周辺部に埋め込まれた絶縁膜と、
を具備する半導体装置。
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