JP2012054342A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】コンタクトホールの形状制御が容易な半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基板1上にゲート絶縁膜2、ゲート電極3,4、第1ハードマスク5を形成し、第1ハードマスクをパターンニングして第1マスクを形成し、これをマスクにゲート電極及びゲート絶縁膜を基板が露出するまでエッチングしラインパターンを形成し、露出した基板及び第1マスクを覆うようにライナー膜7を形成する。更にライナー膜に覆われたラインパターンの間隙を有機系絶縁膜で埋め込み、少なくともライナー膜が露出するまで有機系絶縁膜を平坦化してその上に第2ハードマスク9を形成し、第2ハードマスクを第1マスクと交差するようにパターンニングして第2マスクを形成し、第1及び第2マスクをマスクに有機系絶縁膜をライナー膜が露出するまでエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【選択図】図7
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基板1上にゲート絶縁膜2、ゲート電極3,4、第1ハードマスク5を形成し、第1ハードマスクをパターンニングして第1マスクを形成し、これをマスクにゲート電極及びゲート絶縁膜を基板が露出するまでエッチングしラインパターンを形成し、露出した基板及び第1マスクを覆うようにライナー膜7を形成する。更にライナー膜に覆われたラインパターンの間隙を有機系絶縁膜で埋め込み、少なくともライナー膜が露出するまで有機系絶縁膜を平坦化してその上に第2ハードマスク9を形成し、第2ハードマスクを第1マスクと交差するようにパターンニングして第2マスクを形成し、第1及び第2マスクをマスクに有機系絶縁膜をライナー膜が露出するまでエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【選択図】図7
Description
本発明の実施形態は、半導体装置及びその製造方法に関する。
半導体製造プロセスにおける微細化が進むにつれ、コンタクトのピッチは狭くなり、リソグラフィーによるホールパターンの形成は物理的限界に達してきている。そのため、ゲートのハードマスクをエッチングマスクとして、コンタクトホールをセルフアライン(自己整合的)に形成する技術が用いられている。
しかしながら、従来技術では、ゲートのハードマスク材とゲートギャップフィル材のエッチング選択比が十分高くないため、コンタクトホールを垂直にエッチングすることが困難となる等の問題がある。
本発明の一つの実施形態は、コンタクトホールの形状制御が容易な半導体装置の製造方法、および動作速度の向上した半導体装置を提供することを目的とする。
実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板の主表面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極層を形成する工程と、前記ゲート電極層の上に第1ハードマスク層を形成する工程と、前記第1ハードマスク層を複数のライン状にパターンニングして第1マスクを形成する工程と、前記第1マスクをエッチングマスクとして、前記ゲート電極層及びゲート絶縁膜を前記主表面が露出するまでエッチングしてラインパターンを形成する工程と、前記ラインパターンの形成後、露出した前記主表面及び前記第1マスクを覆うようにライナー絶縁膜を形成する工程を有する。実施形態の半導体装置の製造方法は、前記ライナー絶縁膜により覆われた前記ラインパターンの間隙を有機系絶縁膜により埋め込む工程と、少なくとも前記ライナー絶縁膜が露出するまで、前記有機系絶縁膜を平坦化する工程を更に有する。実施形態の半導体装置の製造方法は、平坦化された前記有機系絶縁膜の上に第2ハードマスク層を形成する工程と、前記第2ハードマスク層を前記第1マスクと交差するように複数のライン状にパターンニングして第2マスクを形成する工程と、前記第1マスク及び前記第2マスクをエッチングマスクとして前記有機系絶縁膜を前記ライナー絶縁膜が露出するまでエッチングすることによりコンタクトホールを自己整合的に形成する工程を更に有する。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体装置及びその製造方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
(実施形態)
図1乃至12は、実施形態の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図および平面図である。ここでは、最終的に図13に示すような、ゲートのハードマスク(例えばSiN)をエッチングマスクとしてセルフアラインにコンタクトホールを形成する場合について説明する。
図1乃至12は、実施形態の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図および平面図である。ここでは、最終的に図13に示すような、ゲートのハードマスク(例えばSiN)をエッチングマスクとしてセルフアラインにコンタクトホールを形成する場合について説明する。
先ず、図1の断面図に示すように、半導体(Si)基板1の上に、ゲート絶縁膜2として、例えばSiO2膜を形成し、その上にゲート電極として、例えば多結晶シリコン(Poly-Si)膜3およびW(タングステン)膜4の積層膜を形成し、その上に第1のハードマスク膜5として、例えばSiN膜を形成する。ゲート電極はこのように2層構造でなく単層構造であってもかまわない。その後、これらの第1のハードマスク膜5(SiN膜)、W膜4、多結晶シリコン(Poly-Si)膜3およびゲート絶縁膜2(SiO2膜)からなる積層膜にゲートを含むラインパターンを形成する。その後、サイドウォール膜6として、例えばSiN膜を形成する。SiN膜のサイドウォール膜6は、例えば、LP(低圧)のCVDで薄膜を形成し、垂直加工して加工する。さらにソース/ドレイン層のイオン注入を行う。その後、コンタクトエッチストップライナー膜7として、例えばSiN膜を形成する(図1)。なお、ここでは、第1のハードマスク5、サイドウォール膜6、コンタクトエッチストップライナー膜7を全てSiN膜として説明したが、これらそれぞれの膜は適宜SiO2膜で形成してもかまわない。
次に、図2の断面図に示すように、層間絶縁膜、即ちゲートギャップフィル膜8として、カーボンを主要成分とする有機系絶縁膜、例えばlow-k膜であるポリアリルエーテル(PAE:Poly Arylene Ether)膜を形成する。ここで用いる有機系絶縁膜としては、他にポリシロキサン(Polysiloxane)、BCB(Benzocyclobutene)、フルオロポリマー(Fluoropolymer)、ポリイミド(Polyimide)、塗布系のlow-k膜などでもかまわない。
次に、CMP(Chemical Mechanical Polish:化学的機械的研磨)法によりポリアリルエーテル(PAE)膜8の平坦化を行う。ここでSiN膜7はエッチングストッパー膜として機能し、例えばゲートのハードマスクであるSiN膜5(第1のハードマスク膜)が表面に露出した時点でCMPを止める。ここでは、必ずしもSiN膜7を完全に除去してSiN膜5を露出させる必要はなく、SiN膜7が残存していても構わない。即ち、少なくともSiN膜7が露出するまでCMPによる平坦化を行う。その後、図3の断面図に示すように、第2のハードマスク膜9として、例えば、SiO2膜を形成する。
次に、図4の平面図に示すように、ハードマスク膜9上にレジストを塗布し、リソグラフィー工程を経てラインレジスト10を形成する。ラインレジスト10の間がコンタクト形成に必要な溝パターンになっている。なお、ここでは簡便のため、ゲートを含むラインパターンとラインレジスト10のパターン(溝パターン)を直交させているが、これらは斜めに交差させる場合も有り得る。図5(a)に図4のA−A’方向の断面図を、図5(b)に図4のB−B’方向の断面図を示す。図5(a)はレジスト10が形成されていない部分の断面図なので図3と同じである。なお、分図(a)及び(b)の断面位置(方向)は、以下図6から図9まで図5と同じである。
次に、図6(a)および(b)に示すように、レジスト10をエッチングマスクとしてSiO2膜9(第2のハードマスク膜)をエッチングし、SiO2膜9にコンタクト分離のためのラインパターンを形成する。即ち、SiO2膜9のラインパターンの間に図6(b)の紙面垂直方向に沿って溝パターンが形成される。これにより、図6(a)に示したA−A’方向のSiO2膜9は完全に除去され、図6(b)に示したB−B’方向では、レジスト10の下以外のSiO2膜9は除去される。その後、レジスト10は除去する。
次に、図7(a)および(b)に示すように、SiO2膜9(第2のハードマスク膜)およびゲートハードマスクであるSiN膜5(第1のハードマスク膜)をエッチングマスクとして、ゲートギャップフィル膜8であるポリアリルエーテル(PAE)膜にセルフアライン(自己整合的)にコンタクトホールを形成する。エッチング方法としては、例えば、酸素系のガス(アンモニア、CO2などのガスでもよい)によるRIEを用いる。ここで、ポリアリルエーテル(PAE)膜8をエッチングする条件下における、SiN膜5、6、7およびSiO2膜9に対するポリアリルエーテル(PAE)膜8のエッチング選択比は100以上であるため、SiO2膜9およびSiN膜5がエッチングされることは殆どない。
また、第1のハードマスク膜5(SiN)および第2のハードマスク膜9(SiO2)に対してゲートギャップフィル膜8(ポリアリルエーテル(PAE))のエッチング選択比の高さが十分とれることから、コンタクトホールは垂直にエッチングができる。さらに、コンタクトエッチストップライナー膜7のコンタクトホール底の薄膜ライナーSiN膜でエッチングを止めることが可能であり、コンタクトホールの形状制御が容易にできる。
その後、例えばRIEによる全面エッチバックによりコンタクトホール底の薄膜ライナーSiN膜7を除去する。RIEの異方性により側壁のSiN膜7等はほとんどエッチングされない。そして、図8(a)および(b)に示すように、上記コンタクトホールにコンタクト金属膜11、例えば、WまたはCuを埋め込む。
次に、図9(a)および(b)に示すように、CMP法により、第1のハードマスク膜5(ゲートのハードマスク)であるSiN膜の上の余分なコンタクト金属膜11および第2のハードマスク膜9であるSiO2膜を除去する。
ここで本実施形態の比較例として、図13に示すようなゲートのハードマスク(例えばSiN)をエッチングマスクとしてセルフアラインにコンタクトホールを形成する従来の技術について図14乃至図16を用いて説明する。
図14は比較例の、「リソグラフィー後」、「エッチング加工後」、「W埋め込み/CMP後」の上面図を順に示したものである。図15は図14の3つの上面図にそれぞれ対応するA−A’方向の断面図を示した図である。図16は図14の3つの上面図にそれぞれ対応するB−B’方向の断面図を示した図である。図16の「リソグラフィー後」に図示したように、基板上に、ゲート絶縁膜、ポリシリコンおよびタングステンからなるゲート電極層、SiNハードマスク等を順次形成した後、図14および図15の「リソグラフィー後」に図示したようにライン状のゲートパターンを形成し、その上から図15の「リソグラフィー後」の図で示すようにゲートギャップフィル材のSiO2でゲートパターンの間を埋め尽くして平坦化する。
さらにリソグラフィー工程にてラインレジスト10を図14乃至16の「リソグラフィー後」に図示したようにゲートパターンに交差させて形成した後、ラインレジスト10をマスクとしてドライエッチングで加工すると、図14乃至16の「エッチング加工後」の図のようになる。
しかし、上記ドライエッチング時におけるゲートのハードマスクSiNとゲートギャップフィル材のSiO2のエッチング選択比が十分高くとれないため、ホール底の薄膜ライナーSiNでエッチングを一旦止めるために、例えば、CxFy系のガスを用いるが、この際、コンタクトホール側壁にCF系の膜が付着するため、コンタクトホールの形状が先細りしたテーパー形状になる。従って、最終的にはコンタクト抵抗が増大するという問題が生じる。このように、コンタクトホールのエッチングはホール底の薄膜ライナーSiNで一旦止める必要があるが、SiO2とSiNのエッチング選択比が十分高くとれないため、薄いライナー膜のSiNがエッチングストッパーとして十分機能せず、その下のSiまでエッチングされてしまう場合もある。この場合は、接合(Junction)リークが増大するという問題が発生する(それぞれ、図15の「エッチング加工後」の図参照)。
また、セルフアライン加工により、図16の「エッチング加工後」の図に示すようにゲートのハードマスクSiN表面には段差が発生してしまう。図14乃至16の「エッチング加工後」の後、エッチング条件を変え継続してドライエッチングを実行してコンタクトホール底部の薄膜ライナーSiNを取り除く。さらに、Wを埋め込み、CMP法により平坦化を行った後の様子が、図14乃至16の「W埋め込み/CMP後」に示した図である。このCMPの工程において、図16の「W埋め込み/CMP後」に示すように、SiN表面に発生した段差による溝をWが埋めつくした状態を形成するSiNとWを同時に削るのは技術的に困難であり、Wが残ってしまう。即ち、図14及び15の「W埋め込み/CMP後」に示すように、Wの残りによってゲートを挟んで隣接する異電位のコンタクトホールの間(ソース−ドレイン間)が一体化してショートが発生してしまう。
このようにSiNとWをCMPで同時に削るのは困難なので、上記比較例においては、W残りが発生してしまう。しかし、SiO2とWをCMP法により同時に削ることは容易であり、本実施形態においては、図9(a)および(b)に示すように、W残りは発生しない。SiO2とCuをCMP法により同時に削ることも容易なので、金属膜11がCuであっても同様である。
図10に、図9(a)および(b)の状態における上から見た平面図を示し、図11に、図10のC−C’方向の断面図を示す。
ここで、ポリアリルエーテル(PAE)膜8の比誘電率は2.7以下であり、従来層間絶縁膜として用いられているSiO2の比誘電率3.4よりも低い。そのため、本実施形態により製造したトランジスタのゲート寄生容量は小さくなり、配線遅延が低くなることにより動作速度が向上する。
また、従来は、ゲートギャップフィル膜としてSiO2が使用されており、ゲートハードマスクを用いてのセルフアライン加工では、SiO2はエッチングマスクとして機能しないため、ゲートハードマスクにSiO2を適用することができなかった。しかし、ゲートギャップフィル膜に有機系絶縁膜を適用することで、SiO2をゲートハードマスクとして用いることが可能となる。
SiNの代わりにSiO2をゲートハードマスクとして用いたときの図10のC−C’方向の断面図が図12である。図12に示すように、ゲートハードマスク12としてSiO2膜を用いることで、従来用いられているSiNの比誘電率7よりも低い比誘電率にすることができるため、寄生容量をさらに下げることが可能となる。また、ゲートハードマスクにSiO2が使用できると、ゲート加工の際に希釈フッ酸(dHF)によるハードマスクのスリミングがSiNを用いた場合より容易になるという効果も得られる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 半導体基板、2 ゲート絶縁膜、3 多結晶シリコン(Poly-Si)膜、4 W膜、5 第1のハードマスク膜、6 サイドウォール膜、7 コンタクトエッチストップライナー膜、8 ゲートギャップフィル膜、9 第2のハードマスク膜、10 レジスト、11 コンタクト金属膜、12 ゲートハードマスク。
Claims (7)
- 半導体基板の主表面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極層を形成する工程と、
前記ゲート電極層の上に第1ハードマスク層を形成する工程と、
前記第1ハードマスク層を複数のライン状にパターンニングして第1マスクを形成する工程と、
前記第1マスクをエッチングマスクとして、前記ゲート電極層及びゲート絶縁膜を前記主表面が露出するまでエッチングしてラインパターンを形成する工程と、
前記ラインパターンの形成後、露出した前記主表面及び前記第1マスクを覆うようにライナー絶縁膜を形成する工程と、
前記ライナー絶縁膜により覆われた前記ラインパターンの間隙を有機系絶縁膜により埋め込む工程と、
少なくとも前記ライナー絶縁膜が露出するまで、前記有機系絶縁膜を平坦化する工程と、
平坦化された前記有機系絶縁膜の上に第2ハードマスク層を形成する工程と、
前記第2ハードマスク層を前記第1マスクと交差するように複数のライン状にパターンニングして第2マスクを形成する工程と、
前記第1マスク及び前記第2マスクをエッチングマスクとして前記有機系絶縁膜を前記ライナー絶縁膜が露出するまでエッチングすることによりコンタクトホールを自己整合的に形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記有機系絶縁膜は、カーボンを主要成分とする絶縁膜である
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1ハードマスク層及び前記ライナー絶縁膜は、それぞれSiNまたはSiO2である
ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2マスクを形成する工程において、前記第1マスクと前記2マスクとが直交して交差するようにパターンニングする
ことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の主表面上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の側壁を覆う側壁絶縁膜と、
前記ゲート電極との間に前記側壁絶縁膜を挟み、前記主表面上に柱状に形成されたコンタクトと
前記側壁絶縁膜および前記コンタクトにともに接する有機系絶縁膜と
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記有機系絶縁膜は、カーボンを主要成分とする絶縁膜である
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。 - 前記側壁絶縁膜は、SiNまたはSiO2である
ことを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置。
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JP2010194611A JP2012054342A (ja) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9472495B2 (en) | 2013-01-18 | 2016-10-18 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US10312074B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-06-04 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Method of producing layer structure, layer structure, and method of forming patterns |
JP2020043356A (ja) * | 2016-03-24 | 2020-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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2010
- 2010-08-31 JP JP2010194611A patent/JP2012054342A/ja active Pending
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