JP2005353745A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 支持基板を準備するステップと、支持基板に第1素子形成領域、第2素子形成領域及び素子分離領域を形成するステップと、第1素子形成領域及び第2素子形成領域に第1ゲート絶縁膜を形成するステップと、全面を第1多結晶シリコンで覆うステップと、第2素子形成領域上の第1多結晶シリコンに開口部を形成して第1ゲート絶縁膜を露出するステップと、第2素子形成領域の第1ゲート絶縁膜を除去するステップと、第2素子形成領域に第1ゲート絶縁膜よりも厚い第2ゲート絶縁膜を形成するステップと、全面を第2多結晶シリコンで覆うステップと、第1素子形成領域上の第2多結晶シリコンを所定の膜厚まで除去するステップと、第1素子形成領域及び第2素子形成領域にゲート電極を形成するステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【選択図】 図2
Description
一般に、膜厚の異なるゲート絶縁膜を形成する場合、酸化工程を複数回に分けて行う手法が用いられている。多くの半導体装置では、酸化工程を2回に分ける、いわゆる2重酸化という方法によって、高速動作を必要とする内部回路素子用の薄いゲート絶縁膜と、高耐圧を必要とする周辺回路素子用の厚いゲート絶縁膜と、の2種類を形成している。
特許文献1に記載の半導体装置の製造方法は、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)法よりフィールド酸化膜を形成する際に、耐酸化マスクとして用いたシリコン窒化膜を、さらに、厚いゲート絶縁膜を形成する際の薄いゲート絶縁膜形成領域に対する耐酸化マスクとして用い、2重酸化を行うものである。
第1実施形態では、薄いゲート酸化膜を除去してから厚いゲート酸化膜を形成する。また、厚いゲート酸化膜形成時の耐酸化マスクとして多結晶シリコンを使用する。
図1(a)乃至(d)、及び図2(e)乃至(g)は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
次に、多結晶シリコン6上にフォトレジスト(図示せず)を塗布し、露光、現像の工程を経て、多結晶シリコン6上には素子形成領域4の上方が開口されたレジストパターンが形成される。このレジストパターンをマスクとして、多結晶シリコン6をエッチング除去する。続いて、フッ酸(HF)系のエッチング液で素子形成領域4の薄いゲート酸化膜5を除去し、図1(c)示すように、素子形成領域4においてシリコン支持基板1の表面を露出する。なお、薄いゲート酸化膜5のエッチング除去工程において、多結晶シリコン6に覆われていないフィールド酸化膜2の表面も4.5〜6nm(薄いゲート酸化膜5の膜厚3nmの1.5〜2倍)程度エッチングされて薄膜化する。しかしながら、フィールド酸化膜2の膜厚は、通常のバルク基板においては500〜1000nm程度、SOI基板やSOS基板においても80〜100nm程度あるため、4.5〜6nmの薄膜化はほとんど無視できる量である。
次に、図2(f)に示すように、公知のリソグラフィ技術とエッチング技術により、素子形成領域3上の多結晶シリコン8を所定の膜厚になるまで除去する。
その後は公知の手法により、MOS型半導体素子を形成する。(図示せず)
なお、本実施形態では、2種類のゲート酸化膜を形成する方法について説明したが、3種類以上の異なるゲート酸化膜厚を有する半導体装置の製造においても、本発明は適用可能である。
〔作用効果〕
第1実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、異なる膜厚のゲート酸化膜を形成する際、始めに薄いゲート酸化膜5を一様に形成してから、薄いゲート酸化膜5を除去して厚いゲート酸化膜7を形成するため、ゲート酸化膜除去時のフィールド酸化膜2の目減り量を低減することができる。具体的には、薄いゲート酸化膜5の膜厚を3nmとした場合、その目減り量は、フィールド酸化膜厚が500〜1000nm程度のバルク基板においては1%前後、フィールド酸化膜厚が80〜100nm程度のSOI基板やSOS基板においても10%に満たない。
(2)第2実施形態
第2実施形態では、LOCOS法で形成したフィールド酸化膜に対し、CVD法で膜厚のかさ上げを行っている。さらに、SOG(Spin on Glass)法により表面段差を平坦化している。
まず、図3(a)に示すように、シリコン支持基板1上に熱酸化法によりシリコン酸化膜11を形成し、さらにCVD法によりシリコン窒化膜12を堆積する。このシリコン酸化膜11は、ストレス緩和用の下敷き酸化膜として機能し、シリコン窒化膜12は、後述するフィールド酸化膜形成時の耐酸化マスクとして機能する。なお、シリコン支持基板1はバルク基板に限定されるものではなく、図6(a)に示すようなSOI基板100や、図6(b)に示すようなSOS基板101を使用することも可能である。図6(a)において、100aはシリコン基板、100bは埋め込み酸化膜、100cは半導体層をそれぞれ示している。また、図6(b)において、101aはサファイア基板、101bは半導体層をそれぞれ示している。
次に、図3(d)に示すように、全面にCVD法によりシリコン酸化膜13を堆積し、さらに、シリコン酸化膜13上にSOG法によりシリコン酸化膜14を形成する。シリコン酸化膜14を形成する目的は、シリコン酸化膜13の表面段差を解消するためである。
次に、図4(g)に示すように、従来の2重酸化法により、素子形成領域3に薄いゲート酸化膜5を、素子形成領域4に厚いゲート酸化膜7を形成する。つまり、最初に薄いゲート酸化膜5と厚いゲート酸化膜7との中間膜厚のゲート酸化膜を一様に形成し、それを部分的に除去する工程を経て2種類のゲート酸化膜を形成する。なお、ゲート酸化膜の形成は、熱酸化、プラズマ酸化、またはラジカル酸化などで形成される。続いて、公知のリソグラフィ技術とエッチング技術により、素子形成領域3にゲート電極9を、素子形成領域4にゲート電極10を形成する。
なお、本実施形態では、2種類のゲート酸化膜を形成する方法について説明したが、3種類以上の異なるゲート酸化膜厚を有する半導体装置の製造においても、本発明は適用可能である。
〔作用効果〕
第2実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、LOCOS法で形成したフィールド酸化膜2に対して、予めCVD法で膜厚のかさ上げを行うことにより、素子分離領域と素子形成領域の段差を大きく設定することができる。従って、既に完成された従来の2重酸化法を適用しても、ゲート酸化膜除去時のフィールド酸化膜の目減り量があまり問題とならない。これは、厚いフィールド酸化膜を形成することができないSOI基板やSOS基板において、特に有効な手段となる。
(3)第3実施形態
第3実施形態では、第2実施形態と同様に、LOCOS法で形成したフィールド酸化膜に対し、CVD法で膜厚のかさ上げを行っている。本実施形態では、BPSG(Boron Phosphorous Silicate Glass)膜により表面段差を平坦化している。
ただし、本発明の第3実施形態では、図3(d)において、CVD法により全面にシリコン酸化膜13を堆積した後、シリコン酸化膜13上にCVD法によりBPSG膜16を堆積する。続いて、窒素雰囲気中でリフローを行い、表面段差を平坦化する。
なお、本実施形態においても第2実施形態と同様に、シリコン支持基板1はバルク基板に限定されるものではなく、図6(a)に示すようなSOI基板100や、図6(b)に示すようなSOS基板101を使用することも可能である。
〔作用効果〕
第3実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、LOCOS法で形成したフィールド酸化膜2に対して、予めCVD法で膜厚のかさ上げを行うことにより、素子分離領域と素子形成領域の段差を大きく設定することができる。従って、既に完成された従来の2重酸化法を適用しても、ゲート酸化膜除去時のフィールド酸化膜の目減り量があまり問題とならない。これは、厚いフィールド酸化膜を形成することができないSOI基板やSOS基板において、特に有効な手段となる。
2 フィールド酸化膜(熱酸化膜)
3 素子形成領域(薄いゲート酸化膜形成領域)
4 素子形成領域(厚いゲート酸化膜形成領域)
5 薄いゲート酸化膜
6、8 多結晶シリコン
7 厚いゲート酸化膜
9、10 ゲート電極
11 シリコン酸化膜(下敷き酸化膜)
12 シリコン窒化膜
13 シリコン酸化膜(CVD膜)
14 シリコン酸化膜(SOG膜)
15 フィールド酸化膜(熱酸化膜+CVD膜)
16 シリコン酸化膜(BPSG膜)
100 SOI基板
100a シリコン基板
100b 埋め込み酸化膜(BOX)
100c、101b 半導体層
101 SOS基板
101a サファイア基板
Claims (13)
- 支持基板を準備するステップと、
前記支持基板に第1素子形成領域、第2素子形成領域及び素子分離領域を形成するステップと、
前記第1素子形成領域及び前記第2素子形成領域に第1ゲート絶縁膜を形成するステップと、
全面を第1多結晶シリコンで覆うステップと、
前記第2素子形成領域上の前記第1多結晶シリコンに開口部を形成して前記第1ゲート絶縁膜を露出するステップと、
前記第2素子形成領域の前記第1ゲート絶縁膜を除去するステップと、
前記第2素子形成領域に前記第1ゲート絶縁膜よりも厚い第2ゲート絶縁膜を形成するステップと、
全面を第2多結晶シリコンで覆うステップと、
前記第1素子形成領域上の前記第2多結晶シリコンを所定の膜厚まで除去するステップと、
前記第1素子形成領域及び前記第2素子形成領域にゲート電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記支持基板は、バルクシリコン基板、SOI基板、またはSOS(Silicon on Sapphire)基板であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1ゲート絶縁膜を除去するステップは、前記第1素子形成領域が前記第1多結晶シリコンに覆われた状態で実行されることを特徴とする、請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2ゲート絶縁膜を形成するステップは、前記第1素子形成領域が前記第1多結晶シリコンに覆われた状態で実行されることを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1ゲート絶縁膜、及び前記第2ゲート絶縁膜は、熱酸化によるシリコン酸化膜であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 支持基板を準備するステップと、
前記支持基板上を第1絶縁膜で覆うステップと、
前記第1絶縁膜上を第2絶縁膜で覆うステップと、
第1素子形成領域及び第2素子形成領域を除いて第2絶縁膜を除去するステップと、
前記支持基板を熱酸化して素子分離領域を形成するステップと、
全面を第3絶縁膜で覆うステップと、
前記第3絶縁膜上を第4絶縁膜で覆うステップと、
前記第1素子形成領域上及び前記第2素子形成領域上の前記第2絶縁膜が露出するまで前記第3絶縁膜及び前記第4絶縁膜を除去するステップと、
前記第1素子形成領域上及び前記第2素子形成領域上の前記第2絶縁膜及び前記第1絶縁膜を除去するステップと
前記第1素子形成領域に第1ゲート絶縁膜を形成するステップと、
前記第2素子形成領域に前記第1ゲート絶縁膜よりも厚い第2ゲート絶縁膜を形成するステップと、
前記第1素子形成領域及び前記第2素子形成領域にゲート電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記支持基板は、バルクシリコン基板、SOI基板、またはSOS(Silicon on Sapphire)基板であることを特徴とする、請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3絶縁膜は、CVD法により形成されるシリコン酸化膜であることを特徴とする、請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第4絶縁膜は、SOG法により形成されるシリコン酸化膜であることを特徴とする、請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第4絶縁膜は、ボロンとリンを含んだシリコン酸化膜(BPSG膜)であることを特徴とする、請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1絶縁膜はシリコン酸化膜であり、前記第2絶縁膜はシリコン窒化膜であることを特徴とする、請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1ゲート絶縁膜、及び前記第2ゲート絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする、請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前期シリコン酸化膜は、熱酸化、プラズマ酸化、またはラジカル酸化によって形成されることを特徴とする、請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004171265A JP4472434B2 (ja) | 2004-06-09 | 2004-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
US11/079,296 US7312124B2 (en) | 2004-06-09 | 2005-03-15 | Method of manufacturing a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004171265A JP4472434B2 (ja) | 2004-06-09 | 2004-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005353745A true JP2005353745A (ja) | 2005-12-22 |
JP4472434B2 JP4472434B2 (ja) | 2010-06-02 |
Family
ID=35461060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004171265A Expired - Fee Related JP4472434B2 (ja) | 2004-06-09 | 2004-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7312124B2 (ja) |
JP (1) | JP4472434B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7709348B2 (en) | 2008-02-04 | 2010-05-04 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006024895A (ja) * | 2004-06-07 | 2006-01-26 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
DE102006013209B4 (de) * | 2006-03-22 | 2017-03-09 | Austriamicrosystems Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit Oxidschichten und Halbleiterbauelement mit Oxidschichten |
CN104952734B (zh) * | 2015-07-16 | 2020-01-24 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 半导体结构及其制造方法 |
GB2574003B (en) | 2018-05-21 | 2020-05-27 | X Fab Sarawak Sdn Bhd | Improvements relating to semiconductor devices |
GB2574002B (en) * | 2018-05-21 | 2020-12-09 | X Fab Sarawak Sdn Bhd | Improved semiconductor device and method of fabrication |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02271659A (ja) | 1989-04-13 | 1990-11-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP3107582B2 (ja) | 1991-03-26 | 2000-11-13 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6201275B1 (en) * | 1995-06-30 | 2001-03-13 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor device having semiconductor regions of different conductivity types isolated by field oxide, and method of manufacturing the same |
US5668035A (en) * | 1996-06-10 | 1997-09-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method for fabricating a dual-gate dielectric module for memory with embedded logic technology |
JP4774568B2 (ja) * | 1999-10-01 | 2011-09-14 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US20060205129A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
-
2004
- 2004-06-09 JP JP2004171265A patent/JP4472434B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-15 US US11/079,296 patent/US7312124B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7709348B2 (en) | 2008-02-04 | 2010-05-04 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7312124B2 (en) | 2007-12-25 |
JP4472434B2 (ja) | 2010-06-02 |
US20050277238A1 (en) | 2005-12-15 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100107 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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