JP2005353745A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005353745A
JP2005353745A JP2004171265A JP2004171265A JP2005353745A JP 2005353745 A JP2005353745 A JP 2005353745A JP 2004171265 A JP2004171265 A JP 2004171265A JP 2004171265 A JP2004171265 A JP 2004171265A JP 2005353745 A JP2005353745 A JP 2005353745A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating film
gate insulating
formation region
element formation
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004171265A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4472434B2 (ja
Inventor
Yasuhiro Domae
泰宏 堂前
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP2004171265A priority Critical patent/JP4472434B2/ja
Priority to US11/079,296 priority patent/US7312124B2/en
Publication of JP2005353745A publication Critical patent/JP2005353745A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4472434B2 publication Critical patent/JP4472434B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232Field-effect technology
    • H01L21/8234MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/823437MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
    • H01L21/82345MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes gate conductors with different gate conductor materials or different gate conductor implants, e.g. dual gate structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232Field-effect technology
    • H01L21/8234MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/823462MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the gate insulating layers, e.g. different gate insulating layer thicknesses, particular gate insulator materials or particular gate insulator implants

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Abstract

【課題】 フィールド酸化膜の目減りを低減することができる、異なる種類のゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基板を準備するステップと、支持基板に第1素子形成領域、第2素子形成領域及び素子分離領域を形成するステップと、第1素子形成領域及び第2素子形成領域に第1ゲート絶縁膜を形成するステップと、全面を第1多結晶シリコンで覆うステップと、第2素子形成領域上の第1多結晶シリコンに開口部を形成して第1ゲート絶縁膜を露出するステップと、第2素子形成領域の第1ゲート絶縁膜を除去するステップと、第2素子形成領域に第1ゲート絶縁膜よりも厚い第2ゲート絶縁膜を形成するステップと、全面を第2多結晶シリコンで覆うステップと、第1素子形成領域上の第2多結晶シリコンを所定の膜厚まで除去するステップと、第1素子形成領域及び第2素子形成領域にゲート電極を形成するステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【選択図】 図2

Description

本発明は、半導体装置、特に、同一半導体基板上に異なるゲート絶縁膜厚を有するMOS型半導体素子を形成する半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置において、異なる電源電圧で駆動される半導体素子を同一基板上に形成することは一般化している。MOS型半導体素子の場合、電源電圧に応じて要求される絶縁耐圧が異なるため、ゲート絶縁膜も複数の膜厚仕様が必要となる。
一般に、膜厚の異なるゲート絶縁膜を形成する場合、酸化工程を複数回に分けて行う手法が用いられている。多くの半導体装置では、酸化工程を2回に分ける、いわゆる2重酸化という方法によって、高速動作を必要とする内部回路素子用の薄いゲート絶縁膜と、高耐圧を必要とする周辺回路素子用の厚いゲート絶縁膜と、の2種類を形成している。
2重酸化法によってゲート絶縁膜を形成する場合、始めに薄いゲート絶縁膜と厚いゲート絶縁膜の中間程度の膜厚を有するゲート絶縁膜を一様に形成する。その後、薄いゲート絶縁膜を形成する領域のみにおいて始めのゲート絶縁膜を除去し、再度基板全体を薄いゲート絶縁膜の仕様で酸化する。この再酸化工程において、薄いゲート絶縁膜を形成する領域以外は、始めに形成された中間膜厚のゲート絶縁膜が残った状態で再酸化されるため、その分ゲート絶縁膜が厚くなる。
2重酸化法を用いた半導体装置の製造方法が、例えば、特許文献1及び2に記載されている。
特許文献1に記載の半導体装置の製造方法は、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)法よりフィールド酸化膜を形成する際に、耐酸化マスクとして用いたシリコン窒化膜を、さらに、厚いゲート絶縁膜を形成する際の薄いゲート絶縁膜形成領域に対する耐酸化マスクとして用い、2重酸化を行うものである。
特許文献2に記載の半導体装置の製造方法は、特許文献1と類似である。変形例として、フィールド酸化膜形成時の耐酸化マスクであるシリコン窒化膜をそのまま厚いゲート絶縁膜として使用している。
特開平2−271659号公報(第3−4頁、第1図) 特開平4−297063号公報(第3頁、第1、3図)
上述したように、一般の2重酸化法においては、始めに薄いゲート絶縁膜と厚いゲート絶縁膜の中間程度の膜厚のゲート絶縁膜を一様に形成する。例えば、薄いゲート絶縁膜を3nm、厚いゲート絶縁膜を7nmとすれば、始めのゲート絶縁膜を5〜6nm程度に形成する。その後、薄いゲート絶縁膜を形成する領域の始めのゲート絶縁膜をエッチング除去するが、この時、フィールド酸化膜も同時にエッチングされ膜厚が薄くなってしまう。フィールド酸化膜の薄膜化は、寄生MOSトランジスタがオンする閾値電圧を低下させ、回路としての動作や信頼性に悪影響を及ぼす。
特許文献1及び2に記載の半導体装置の製造方法では、フィールド酸化膜がゲート絶縁膜のエッチングによって薄膜化することを避けるため、ゲート絶縁膜を除去する工程を含んではいない。しかしながら、シリコン窒化膜直下のストレス緩和用の下敷き酸化膜をエッチング除去する工程が含まれている。下敷き酸化膜は20nm程度であるため、このエッチング工程でフィールド酸化膜は20〜30nm程度薄膜化する。十分な半導体層を有するバルク基板であれば、そのフィールド酸化膜を数百nmと厚く形成することができるため、20〜30nm程度の薄膜化は特に問題とならない。しかしながら、半導体層が40〜50nm程度のSOI(Silicon on Insulator)基板やSOS(Silicon on Sapphire)基板では、そのフィールド酸化膜は80〜100nm程度しかないため、20〜30nmの薄膜化は大きな問題となってしまう。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、支持基板を準備するステップと、支持基板に第1素子形成領域、第2素子形成領域及び素子分離領域を形成するステップと、第1素子形成領域及び第2素子形成領域に第1ゲート絶縁膜を形成するステップと、全面を第1多結晶シリコンで覆うステップと、第2素子形成領域上の第1多結晶シリコンに開口部を形成して第1ゲート絶縁膜を露出するステップと、第2素子形成領域の第1ゲート絶縁膜を除去するステップと、第2素子形成領域に第1ゲート絶縁膜よりも厚い第2ゲート絶縁膜を形成するステップと、全面を第2多結晶シリコンで覆うステップと、第1素子形成領域上の第2多結晶シリコンを所定の膜厚まで除去するステップと、第1素子形成領域及び第2素子形成領域にゲート電極を形成するステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
また、別の発明に係る半導体装置の製造方法は、支持基板を準備するステップと、支持基板上を第1絶縁膜で覆うステップと、第1絶縁膜上を第2絶縁膜で覆うステップと、第1素子形成領域及び第2素子形成領域を除いて第2絶縁膜を除去するステップと、支持基板を熱酸化して素子分離領域を形成するステップと、全面を第3絶縁膜で覆うステップと、第3絶縁膜上を第4絶縁膜で覆うステップと、第1素子形成領域上及び第2素子形成領域上の第2絶縁膜が露出するまで第3絶縁膜及び第4絶縁膜を除去するステップと、第1素子形成領域上及び第2素子形成領域上の第2絶縁膜及び第1絶縁膜を除去するステップと第1素子形成領域に第1ゲート絶縁膜を形成するステップと、第2素子形成領域に第1ゲート絶縁膜よりも厚い第2ゲート絶縁膜を形成するステップと、第1素子形成領域及び第2素子形成領域にゲート電極を形成するステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
本発明によれば、異なる膜厚のゲート絶縁膜を形成する際、始めに、相対的に薄い第1ゲート絶縁膜を形成してから、ゲート絶縁膜を相対的に厚く形成したい領域の第1ゲート絶縁膜を除去して再酸化を行い、厚い第2ゲート絶縁膜を形成する。除去する第1ゲート絶縁膜が薄いため、従来の2重酸化法で問題となるゲート絶縁膜除去時のフィールド酸化膜の薄膜化(目減り)を低減することができる。さらに、厚い第2ゲート絶縁膜を形成する再酸化の工程において、薄い第1ゲート絶縁膜の耐酸化マスクとして多結晶シリコンを使用することにより、ゲート電極の形成も同時に行うことができる。
また、別の発明によれば、予めフィールド酸化膜の膜厚を、第3絶縁膜及び第4絶縁膜を積層してかさ上げすることにより、ゲート絶縁膜除去時にフィールド酸化膜の薄膜化(目減り)が生じても、その影響を低減することができる。本発明は、厚いフィールド酸化膜を形成することができないSOI基板やSOS基板を使用する半導体装置において、特に有効となる。
(1) 第1実施形態
第1実施形態では、薄いゲート酸化膜を除去してから厚いゲート酸化膜を形成する。また、厚いゲート酸化膜形成時の耐酸化マスクとして多結晶シリコンを使用する。
図1(a)乃至(d)、及び図2(e)乃至(g)は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
まず、図1(a)に示すように、シリコン支持基板1上にバッファとなるシリコン酸化膜(図示せず)、シリコン窒化膜(図示せず)を順次形成し、通常のLOCOS法などによりフィールド酸化膜2を形成して素子分離を行うと同時に、素子形成領域3と素子形成領域4を形成する。後の工程において、素子形成領域3には薄いゲート絶縁膜を有するMOS型半導体素子が、素子形成領域4には厚いゲート絶縁膜を有するMOS型半導体素子が形成される。なお、シリコン支持基板1はバルク基板に限定されるものではなく、図5(a)に示すようなSOI基板100や、図5(b)に示すようなSOS基板101を使用することも可能である。図5(a)において、100aはシリコン基板、100bは埋め込み酸化膜、100cは半導体層をそれぞれ示している。また、図5(b)において、101aはサファイア基板、101bは半導体層をそれぞれ示している。
次に、図1(b)に示すように、素子形成領域3と素子形成領域4に公知の熱酸化技術により薄いゲート酸化膜5を形成する。薄いゲート酸化膜5の膜厚は3nm程度である。続いて、CVD(Chemical Vapor Deposition)法などにより多結晶シリコン6を全面に堆積する。
次に、多結晶シリコン6上にフォトレジスト(図示せず)を塗布し、露光、現像の工程を経て、多結晶シリコン6上には素子形成領域4の上方が開口されたレジストパターンが形成される。このレジストパターンをマスクとして、多結晶シリコン6をエッチング除去する。続いて、フッ酸(HF)系のエッチング液で素子形成領域4の薄いゲート酸化膜5を除去し、図1(c)示すように、素子形成領域4においてシリコン支持基板1の表面を露出する。なお、薄いゲート酸化膜5のエッチング除去工程において、多結晶シリコン6に覆われていないフィールド酸化膜2の表面も4.5〜6nm(薄いゲート酸化膜5の膜厚3nmの1.5〜2倍)程度エッチングされて薄膜化する。しかしながら、フィールド酸化膜2の膜厚は、通常のバルク基板においては500〜1000nm程度、SOI基板やSOS基板においても80〜100nm程度あるため、4.5〜6nmの薄膜化はほとんど無視できる量である。
次に、図1(d)に示すように、素子形成領域4に公知の熱酸化技術により厚いゲート酸化膜7を形成する。厚いゲート酸化膜7の膜厚は7nm程度である。厚いゲート酸化膜7の熱酸化処理の際、既に薄いゲート酸化膜5が形成された素子形成領域3においては、多結晶シリコン6が耐酸化マスクとなるため、薄いゲート酸化膜5が再酸化によって厚膜化することはない。
次に、CVD法などにより多結晶シリコン8を全面に堆積する。この工程で、素子形成領域3上の多結晶シリコンの膜厚は、図2(e)に示すように、素子形成領域4上の約2倍となる。
次に、図2(f)に示すように、公知のリソグラフィ技術とエッチング技術により、素子形成領域3上の多結晶シリコン8を所定の膜厚になるまで除去する。
次に、図2(g)に示すように、公知のリソグラフィ技術とエッチング技術により、素子形成領域3にゲート電極9を、素子形成領域4にゲート電極10を形成する。
その後は公知の手法により、MOS型半導体素子を形成する。(図示せず)
なお、本実施形態では、2種類のゲート酸化膜を形成する方法について説明したが、3種類以上の異なるゲート酸化膜厚を有する半導体装置の製造においても、本発明は適用可能である。
〔作用効果〕
第1実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、異なる膜厚のゲート酸化膜を形成する際、始めに薄いゲート酸化膜5を一様に形成してから、薄いゲート酸化膜5を除去して厚いゲート酸化膜7を形成するため、ゲート酸化膜除去時のフィールド酸化膜2の目減り量を低減することができる。具体的には、薄いゲート酸化膜5の膜厚を3nmとした場合、その目減り量は、フィールド酸化膜厚が500〜1000nm程度のバルク基板においては1%前後、フィールド酸化膜厚が80〜100nm程度のSOI基板やSOS基板においても10%に満たない。
また、厚いゲート酸化膜7を形成する際の耐酸化マスクとして、ゲート電極材料である多結晶シリコンを使用するため、異なる膜厚のゲート酸化膜を形成すると同時にゲート電極も形成することができる。
(2)第2実施形態
第2実施形態では、LOCOS法で形成したフィールド酸化膜に対し、CVD法で膜厚のかさ上げを行っている。さらに、SOG(Spin on Glass)法により表面段差を平坦化している。
図3(a)乃至(d)、及び図4(e)乃至(g)は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
まず、図3(a)に示すように、シリコン支持基板1上に熱酸化法によりシリコン酸化膜11を形成し、さらにCVD法によりシリコン窒化膜12を堆積する。このシリコン酸化膜11は、ストレス緩和用の下敷き酸化膜として機能し、シリコン窒化膜12は、後述するフィールド酸化膜形成時の耐酸化マスクとして機能する。なお、シリコン支持基板1はバルク基板に限定されるものではなく、図6(a)に示すようなSOI基板100や、図6(b)に示すようなSOS基板101を使用することも可能である。図6(a)において、100aはシリコン基板、100bは埋め込み酸化膜、100cは半導体層をそれぞれ示している。また、図6(b)において、101aはサファイア基板、101bは半導体層をそれぞれ示している。
次に、シリコン窒化膜12上にフォトレジスト(図示せず)を塗布し、露光、現像の工程を経て、シリコン窒化膜12上には素子分離領域の上方が開口されたレジストパターンが形成される。このレジストパターンをマスクとしてシリコン窒化膜12をエッチング除去し、図3(b)に示すように、素子分離領域のシリコン酸化膜11の表面を露出する。なお、本実施形態では素子分離領域のシリコン酸化膜11を残しているが、除去することも可能である。
次に、フォトレジストを除去した後、シリコン酸化膜11を介して素子分離領域のシリコン支持基板1を熱酸化処理し、図3(c)に示すように、フィールド酸化膜2を形成する。同時に、素子形成領域3と素子形成領域4が形成される。
次に、図3(d)に示すように、全面にCVD法によりシリコン酸化膜13を堆積し、さらに、シリコン酸化膜13上にSOG法によりシリコン酸化膜14を形成する。シリコン酸化膜14を形成する目的は、シリコン酸化膜13の表面段差を解消するためである。
次に、図4(e)に示すように、素子形成領域3上と素子形成領域4上のシリコン窒化膜12の表面が露出するまで、シリコン酸化膜13とシリコン酸化膜14をエッチバックする。このエッチバック工程において、SOG法によるシリコン酸化膜14は完全に除去しなければならない。なぜならば、SOG膜はシリカ(SiO2)をアルコールなどの溶媒に溶かした液であり、比較的水分を多く含んでいる。そのため、SOG膜のエッチバック残りは腐食などの原因になってしまうからである。
次に、図4(f)に示すように、素子形成領域3上と素子形成領域4上のシリコン窒化膜12、及びシリコン酸化膜11を順次選択的にエッチング除去すれば、熱酸化によるフィールド酸化膜2とCVD法によるシリコン酸化膜13で構成される厚いフィールド酸化膜15が形成される。
次に、図4(g)に示すように、従来の2重酸化法により、素子形成領域3に薄いゲート酸化膜5を、素子形成領域4に厚いゲート酸化膜7を形成する。つまり、最初に薄いゲート酸化膜5と厚いゲート酸化膜7との中間膜厚のゲート酸化膜を一様に形成し、それを部分的に除去する工程を経て2種類のゲート酸化膜を形成する。なお、ゲート酸化膜の形成は、熱酸化、プラズマ酸化、またはラジカル酸化などで形成される。続いて、公知のリソグラフィ技術とエッチング技術により、素子形成領域3にゲート電極9を、素子形成領域4にゲート電極10を形成する。
その後は公知の手法により、MOS型半導体素子を形成する。(図示せず)
なお、本実施形態では、2種類のゲート酸化膜を形成する方法について説明したが、3種類以上の異なるゲート酸化膜厚を有する半導体装置の製造においても、本発明は適用可能である。
〔作用効果〕
第2実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、LOCOS法で形成したフィールド酸化膜2に対して、予めCVD法で膜厚のかさ上げを行うことにより、素子分離領域と素子形成領域の段差を大きく設定することができる。従って、既に完成された従来の2重酸化法を適用しても、ゲート酸化膜除去時のフィールド酸化膜の目減り量があまり問題とならない。これは、厚いフィールド酸化膜を形成することができないSOI基板やSOS基板において、特に有効な手段となる。
(3)第3実施形態
第3実施形態では、第2実施形態と同様に、LOCOS法で形成したフィールド酸化膜に対し、CVD法で膜厚のかさ上げを行っている。本実施形態では、BPSG(Boron Phosphorous Silicate Glass)膜により表面段差を平坦化している。
本発明の第3実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図は、第2実施形態に係る同断面図、図3(a)乃至(d)、及び図4(e)乃至(g)と同様である。
ただし、本発明の第3実施形態では、図3(d)において、CVD法により全面にシリコン酸化膜13を堆積した後、シリコン酸化膜13上にCVD法によりBPSG膜16を堆積する。続いて、窒素雰囲気中でリフローを行い、表面段差を平坦化する。
第2実施形態で使用したSOG膜は、エッチバックにより完全に除去しなければならない。それに対し、BPSG膜は水分を含まないため、SOG膜よりもプロセス的な制約が少なくなる。また、比較的低温で流動化するリフロー性を有しているため、平坦化膜材料としても使用しやすい。
なお、本実施形態においても第2実施形態と同様に、シリコン支持基板1はバルク基板に限定されるものではなく、図6(a)に示すようなSOI基板100や、図6(b)に示すようなSOS基板101を使用することも可能である。
〔作用効果〕
第3実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、LOCOS法で形成したフィールド酸化膜2に対して、予めCVD法で膜厚のかさ上げを行うことにより、素子分離領域と素子形成領域の段差を大きく設定することができる。従って、既に完成された従来の2重酸化法を適用しても、ゲート酸化膜除去時のフィールド酸化膜の目減り量があまり問題とならない。これは、厚いフィールド酸化膜を形成することができないSOI基板やSOS基板において、特に有効な手段となる。
また、平坦化膜材料としてBPSG膜を用いることで、SOG膜の場合に懸念されるようなエッチバック残りに起因する腐食などの問題が生じることはないため、プロセス的な制約を減らすことができる。
第1実施形態に係る半導体装置製造方法の工程断面図。 第1実施形態に係る半導体装置製造方法の工程断面図。 第2、及び第3実施形態に係る半導体装置製造方法の工程断面図。 第2、及び第3実施形態に係る半導体装置製造方法の工程断面図。 第1実施形態においてSOI基板及びSOS基板を使用した工程断面図。 第2、及び3実施形態においてSOI基板及びSOS基板を使用した工程断面図。
1 シリコン支持基板
2 フィールド酸化膜(熱酸化膜)
3 素子形成領域(薄いゲート酸化膜形成領域)
4 素子形成領域(厚いゲート酸化膜形成領域)
5 薄いゲート酸化膜
6、8 多結晶シリコン
7 厚いゲート酸化膜
9、10 ゲート電極
11 シリコン酸化膜(下敷き酸化膜)
12 シリコン窒化膜
13 シリコン酸化膜(CVD膜)
14 シリコン酸化膜(SOG膜)
15 フィールド酸化膜(熱酸化膜+CVD膜)
16 シリコン酸化膜(BPSG膜)
100 SOI基板
100a シリコン基板
100b 埋め込み酸化膜(BOX)
100c、101b 半導体層
101 SOS基板
101a サファイア基板

Claims (13)

  1. 支持基板を準備するステップと、
    前記支持基板に第1素子形成領域、第2素子形成領域及び素子分離領域を形成するステップと、
    前記第1素子形成領域及び前記第2素子形成領域に第1ゲート絶縁膜を形成するステップと、
    全面を第1多結晶シリコンで覆うステップと、
    前記第2素子形成領域上の前記第1多結晶シリコンに開口部を形成して前記第1ゲート絶縁膜を露出するステップと、
    前記第2素子形成領域の前記第1ゲート絶縁膜を除去するステップと、
    前記第2素子形成領域に前記第1ゲート絶縁膜よりも厚い第2ゲート絶縁膜を形成するステップと、
    全面を第2多結晶シリコンで覆うステップと、
    前記第1素子形成領域上の前記第2多結晶シリコンを所定の膜厚まで除去するステップと、
    前記第1素子形成領域及び前記第2素子形成領域にゲート電極を形成するステップと、
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記支持基板は、バルクシリコン基板、SOI基板、またはSOS(Silicon on Sapphire)基板であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記第1ゲート絶縁膜を除去するステップは、前記第1素子形成領域が前記第1多結晶シリコンに覆われた状態で実行されることを特徴とする、請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記第2ゲート絶縁膜を形成するステップは、前記第1素子形成領域が前記第1多結晶シリコンに覆われた状態で実行されることを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 前記第1ゲート絶縁膜、及び前記第2ゲート絶縁膜は、熱酸化によるシリコン酸化膜であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
  6. 支持基板を準備するステップと、
    前記支持基板上を第1絶縁膜で覆うステップと、
    前記第1絶縁膜上を第2絶縁膜で覆うステップと、
    第1素子形成領域及び第2素子形成領域を除いて第2絶縁膜を除去するステップと、
    前記支持基板を熱酸化して素子分離領域を形成するステップと、
    全面を第3絶縁膜で覆うステップと、
    前記第3絶縁膜上を第4絶縁膜で覆うステップと、
    前記第1素子形成領域上及び前記第2素子形成領域上の前記第2絶縁膜が露出するまで前記第3絶縁膜及び前記第4絶縁膜を除去するステップと、
    前記第1素子形成領域上及び前記第2素子形成領域上の前記第2絶縁膜及び前記第1絶縁膜を除去するステップと
    前記第1素子形成領域に第1ゲート絶縁膜を形成するステップと、
    前記第2素子形成領域に前記第1ゲート絶縁膜よりも厚い第2ゲート絶縁膜を形成するステップと、
    前記第1素子形成領域及び前記第2素子形成領域にゲート電極を形成するステップと、
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 前記支持基板は、バルクシリコン基板、SOI基板、またはSOS(Silicon on Sapphire)基板であることを特徴とする、請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 前記第3絶縁膜は、CVD法により形成されるシリコン酸化膜であることを特徴とする、請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 前記第4絶縁膜は、SOG法により形成されるシリコン酸化膜であることを特徴とする、請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 前記第4絶縁膜は、ボロンとリンを含んだシリコン酸化膜(BPSG膜)であることを特徴とする、請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
  11. 前記第1絶縁膜はシリコン酸化膜であり、前記第2絶縁膜はシリコン窒化膜であることを特徴とする、請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
  12. 前記第1ゲート絶縁膜、及び前記第2ゲート絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする、請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
  13. 前期シリコン酸化膜は、熱酸化、プラズマ酸化、またはラジカル酸化によって形成されることを特徴とする、請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
JP2004171265A 2004-06-09 2004-06-09 半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP4472434B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004171265A JP4472434B2 (ja) 2004-06-09 2004-06-09 半導体装置の製造方法
US11/079,296 US7312124B2 (en) 2004-06-09 2005-03-15 Method of manufacturing a semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004171265A JP4472434B2 (ja) 2004-06-09 2004-06-09 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005353745A true JP2005353745A (ja) 2005-12-22
JP4472434B2 JP4472434B2 (ja) 2010-06-02

Family

ID=35461060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004171265A Expired - Fee Related JP4472434B2 (ja) 2004-06-09 2004-06-09 半導体装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7312124B2 (ja)
JP (1) JP4472434B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7709348B2 (en) 2008-02-04 2010-05-04 Oki Semiconductor Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024895A (ja) * 2004-06-07 2006-01-26 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
DE102006013209B4 (de) * 2006-03-22 2017-03-09 Austriamicrosystems Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit Oxidschichten und Halbleiterbauelement mit Oxidschichten
CN104952734B (zh) * 2015-07-16 2020-01-24 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 半导体结构及其制造方法
GB2574003B (en) 2018-05-21 2020-05-27 X Fab Sarawak Sdn Bhd Improvements relating to semiconductor devices
GB2574002B (en) * 2018-05-21 2020-12-09 X Fab Sarawak Sdn Bhd Improved semiconductor device and method of fabrication

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02271659A (ja) 1989-04-13 1990-11-06 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP3107582B2 (ja) 1991-03-26 2000-11-13 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US6201275B1 (en) * 1995-06-30 2001-03-13 Nippon Steel Corporation Semiconductor device having semiconductor regions of different conductivity types isolated by field oxide, and method of manufacturing the same
US5668035A (en) * 1996-06-10 1997-09-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method for fabricating a dual-gate dielectric module for memory with embedded logic technology
JP4774568B2 (ja) * 1999-10-01 2011-09-14 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US20060205129A1 (en) * 2005-02-25 2006-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7709348B2 (en) 2008-02-04 2010-05-04 Oki Semiconductor Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US7312124B2 (en) 2007-12-25
JP4472434B2 (ja) 2010-06-02
US20050277238A1 (en) 2005-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6482715B2 (en) Method of forming shallow trench isolation layer in semiconductor device
US8269281B2 (en) Method for forming gate oxide of semiconductor device
US20050287764A1 (en) Method of fabricating shallow trench isolation by ultra-thin simox processing
EP1487011A1 (en) Integrated circuits having adjacent P-type doped regions having shallow trench isolation structures without liner layers therein therebetween and methods of forming same
JP2005026658A (ja) フラッシュメモリ素子の製造方法
JP2002246460A (ja) 浅いトレンチアイソレーション構造を有する半導体装置及びその製造方法
US7202123B1 (en) Mesa isolation technology for extremely thin silicon-on-insulator semiconductor devices
US20090191688A1 (en) Shallow Trench Isolation Process Using Two Liners
JP2003092346A (ja) トレンチ素子分離膜を備えるsoi素子及びその製造方法
JP2005150403A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2005197644A (ja) 半導体素子及びその素子分離方法
US20040195632A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US11961740B2 (en) Manufacturing method for integrating gate dielectric layers of different thicknesses
US7312124B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device
JP2005116744A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2003197731A (ja) 半導体素子の素子分離膜の形成方法
JP2004296754A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR100510772B1 (ko) 반도체용 실리콘 온 인슐레이터 기판의 형성 방법
JP2007012697A (ja) 半導体素子の製造方法
JP2005197405A (ja) 半導体装置とその製造方法
US20050112824A1 (en) Method of forming gate oxide layers with multiple thicknesses on substrate
JP2005286141A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2005167068A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR101780124B1 (ko) 더미 게이트 구조체를 갖는 반도체 디바이스
JP2001196463A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060804

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20070125

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070216

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20081126

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20090204

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090728

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090804

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090930

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091110

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100107

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100223

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100303

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130312

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140312

Year of fee payment: 4

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees