JP2008182165A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 基板上に設けられ、一対の不純物領域の間に設けられたチャネル形成領域を含む島状の結晶性半導体層と、
   前記結晶性半導体層の周囲を囲み、前記結晶性半導体層の側面に接して設けられた第１絶縁層と、
   前記チャネル形成領域上に設けられ、前記結晶性半導体層を横断するように設けられたゲート電極と、
   前記チャネル形成領域と前記ゲート電極との間に設けられた第２絶縁層と、
   前記結晶性半導体層及び前記ゲート電極の上に形成された第３絶縁層と、
   前記第３絶縁層を介して、前記一対の不純物領域とそれぞれ電気的に接続される一対の導電層と、
   を有し、
   前記チャネル形成領域の膜厚は５０ｎｍ乃至７０ｎｍの範囲で設けられ、
   前記一対の不純物領域は前記チャネル形成領域よりも膜厚が大きい領域を有し、
   前記一対の不純物領域と前記一対の導電層とは、前記チャネル形成領域よりも膜厚が大きい領域で電気的に接続されており、
   前記第２絶縁層は、前記ゲート電極が重畳する領域の前記結晶性半導体層及び前記第１絶縁層を覆うことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記一対の不純物領域は一部にシリサイド領域を有し、
   前記シリサイド領域で前記導電層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記一対の不純物領域において前記チャネル形成領域よりも膜厚が大きい領域は、膜厚８０ｎｍ乃至１００ｎｍの範囲であることを特徴とする半導体装置。
4. 基板上に島状の結晶性半導体層を形成し、
   前記結晶性半導体層の周囲を囲み、前記結晶性半導体層の側面と接する第１絶縁層を形成し、
   前記結晶性半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記選択的にエッチングした領域を膜厚５０ｎｍ乃至７０ｎｍの範囲にし、
   前記結晶性半導体層及び前記第１絶縁層の上に第２絶縁層を形成し、
   前記第２絶縁層を介して前記結晶性半導体層の前記選択的にエッチングした領域上にゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極をマスクとして前記結晶性半導体層に不純物元素を添加し、自己整合的に一対の不純物領域と、前記一対の不純物領域の間にチャネル形成領域と、を形成し、
   前記結晶性半導体層及び前記ゲート電極の上に第３絶縁層を形成し、
   前記第３絶縁層を介して前記一対の不純物領域とそれぞれ電気的に接続される一対の導電層を形成し、
   前記ゲート電極は前記結晶性半導体層を横断するように形成され、
   前記チャネル形成領域は前記結晶性半導体層の前記選択的にエッチングした領域に形成され、
   前記一対の不純物領域は前記結晶性半導体層のエッチングされなかった領域に形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項４において、
   前記一対の不純物領域に接する金属層を形成し、
   熱処理を行うことにより、前記金属層と、前記金属層と接する前記一対の不純物領域の一部と、を反応させ、前記一対の不純物領域の一部にシリサイド領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。