JP2008177477A - フレキシブル基板及び半導体装置 - Google Patents
フレキシブル基板及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008177477A JP2008177477A JP2007011385A JP2007011385A JP2008177477A JP 2008177477 A JP2008177477 A JP 2008177477A JP 2007011385 A JP2007011385 A JP 2007011385A JP 2007011385 A JP2007011385 A JP 2007011385A JP 2008177477 A JP2008177477 A JP 2008177477A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- wiring
- flexible substrate
- chip mounting
- mounting region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 209
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 85
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 27
- WABPQHHGFIMREM-BJUDXGSMSA-N lead-206 Chemical compound [206Pb] WABPQHHGFIMREM-BJUDXGSMSA-N 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 6
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 4
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/4985—Flexible insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
【解決手段】フレキシブル基板101は、半導体チップ搭載領域103を一表面に有する基材100と、その一表面上に形成された複数のインナーリード106と、この複数のインナーリード106のうちの2つに結線されたジャンパ配線111とを備えている。ジャンパ配線111の第1配線部121は半導体チップ搭載領域103を横断している。これにより、半導体チップ搭載領域103内から半導体チップ搭載領域103外への気泡の排出効果を高めることができる。
【選択図】図1
Description
半導体チップを搭載する半導体チップ搭載領域と、上記半導体チップを搭載しない半導体チップ非搭載領域とを一表面に有する基材と、
上記基材の上記一表面上に形成されると共に、上記半導体チップに接続される複数のインナーリードと、
上記複数のインナーリードに結線されたジャンパ配線と
を備え、
上記ジャンパ配線は、
上記半導体チップ搭載領域上及び上記半導体チップ非搭載領域上に形成され、上記半導体チップ搭載領域を横断する第1配線部と、
上記半導体チップ非搭載領域上に形成され、一端が上記第1配線部の一端に連なる第2配線部と、
上記半導体チップ非搭載領域上に形成され、一端が上記第1配線部の他端に連なる第3配線部と、
上記半導体チップ搭載領域上及び上記半導体チップ非搭載領域上に形成されていると共に、一端が上記第2配線部の他端に連なり、かつ、他端が上記複数のインナーリードのうちの1つに連なる第4配線部と、
上記半導体チップ搭載領域上及び上記半導体チップ非搭載領域上に形成されていると共に、一端が上記第3配線部の他端に連なり、かつ、他端が上記複数のインナーリードのうちの他の1つに連なる第5配線部と
から成ることを特徴としている。
上記ジャンパ配線に結線された上記インナーリードの幅は、上記ジャンパ配線に結線されていない上記インナーリードの幅とは異なる。
上記基材の上記一表面上に形成されたパターン保護膜を備え、
上記ジャンパ配線の上記半導体チップ搭載領域外の部分に関して少なくとも一部が、上記パターン保護膜に覆われずに露出している。
上記ジャンパ配線は、厚さ1〜50μmの範囲内、かつ、幅6〜300μmの範囲内の金属箔である。
本発明のフレキシブル基板と、
上記フレキシブル基板の上記半導体チップ搭載領域に搭載された半導体チップと
を備えたことを特徴としている。
上記半導体チップの上記フレキシブル基板側の表面には複数の突起電極が形成されていて、
上記半導体チップの上記フレキシブル基板側の表面は長方形状であり、
上記突起電極は、上記半導体チップの上記フレキシブル基板側の表面の短辺近傍以外の部分に形成されている。
上記半導体チップの上記フレキシブル基板側の表面には複数の突起電極が形成されていて、
上記ジャンパ配線に接続される上記突起電極の電位はグランド電位である。
上記半導体チップの上記フレキシブル基板側の表面には複数の突起電極が形成されていて、
上記ジャンパ配線に接続される上記突起電極が出力する電流は、上記半導体チップが外部へ出力する電流である。
図1に、本発明の第1実施形態のフレキシブル基板101の要部を上方から見た概略図を示す。
図4に、本発明の第2実施形態の半導体装置の要部を上方から見た概略図を示す。また、図4において、図1に示した第1実施形態の構成部と同一構成部は、図1における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。また、図4では、上記半導体装置が備える半導体チップ104の図示を省略している。
図6に、本発明の第3実施形態の半導体装置の要部を上方から見た概略図を示す。また、図6において、図1に示した第1実施形態の構成部と同一構成部は、図1における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。また、図6では、上記半導体装置が備える半導体チップの図示を省略している。
101,201 フレキシブル基板
102 配線
103 半導体チップ搭載領域
105,205,305 突起電極
106,206 インナーリード
111,211 ジャンパ配線
112 ソルダレジスト
121,221 第1配線部
122,222 第2配線部
123,223 第3配線部
124,224 第4配線部
125,225 第5配線部
Claims (8)
- 半導体チップ搭載領域を一表面に有する基材と、
上記基材の上記一表面上に形成された複数のインナーリードと、
上記インナーリードに結線され、上記半導体チップ搭載領域を横断する配線と
を備えたことを特徴とするフレキシブル基板。 - 請求項1に記載のフレキシブル基板において、
上記配線に結線された上記インナーリードの幅は、上記配線に結線されていない上記インナーリードの幅とは異なることを特徴とするフレキシブル基板。 - 請求項1に記載のフレキシブル基板において、
上記基材の上記一表面上に形成されたパターン保護膜を備え、
上記配線の上記半導体チップ搭載領域外の部分に関して少なくとも一部が、上記パターン保護膜に覆われずに露出していることを特徴とするフレキシブル基板。 - 請求項1に記載のフレキシブル基板において、
上記配線は、厚さ1〜50μmの範囲内、かつ、幅6〜300μmの範囲内の金属箔であることを特徴とするフレキシブル基板。 - 請求項1に記載のフレキシブル基板と、
上記フレキシブル基板の上記半導体チップ搭載領域に搭載された半導体チップと
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
上記半導体チップの上記フレキシブル基板側の表面には複数の突起電極が形成されていて、
上記半導体チップの上記フレキシブル基板側の表面は長方形状であり、
上記突起電極は、上記半導体チップの上記フレキシブル基板側の表面の短辺近傍以外の部分に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
上記半導体チップの上記フレキシブル基板側の表面には複数の突起電極が形成されていて、
上記配線に接続される上記突起電極の電位はグランド電位であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
上記半導体チップの上記フレキシブル基板側の表面には複数の突起電極が形成されていて、
上記配線に接続される上記突起電極が扱う電流は、上記半導体チップが外部へ出力する電流であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007011385A JP4287882B2 (ja) | 2007-01-22 | 2007-01-22 | フレキシブル基板及び半導体装置 |
PCT/JP2007/073648 WO2008090684A1 (ja) | 2007-01-22 | 2007-12-07 | フレキシブル基板及び半導体装置 |
TW101121964A TWI420639B (zh) | 2007-01-22 | 2008-01-04 | Semiconductor device |
TW97100465A TWI401779B (zh) | 2007-01-22 | 2008-01-04 | Flexible substrate and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007011385A JP4287882B2 (ja) | 2007-01-22 | 2007-01-22 | フレキシブル基板及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008177477A true JP2008177477A (ja) | 2008-07-31 |
JP4287882B2 JP4287882B2 (ja) | 2009-07-01 |
Family
ID=39644262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007011385A Active JP4287882B2 (ja) | 2007-01-22 | 2007-01-22 | フレキシブル基板及び半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4287882B2 (ja) |
TW (2) | TWI401779B (ja) |
WO (1) | WO2008090684A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016072525A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2021136432A (ja) * | 2020-02-26 | 2021-09-13 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | フリップチップボンディング構造体及びその回路基板 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5960633B2 (ja) * | 2013-03-22 | 2016-08-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
TWI726441B (zh) * | 2019-10-08 | 2021-05-01 | 南茂科技股份有限公司 | 可撓性線路基板及薄膜覆晶封裝結構 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2685040B2 (ja) * | 1995-12-28 | 1997-12-03 | 日本電気株式会社 | テープキャリアパッケージ |
JP3613098B2 (ja) * | 1998-12-21 | 2005-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板ならびにそれを用いた表示装置および電子機器 |
JP2002164629A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-06-07 | Seiko Epson Corp | 配線基板、その製造方法、表示装置および電子機器 |
JP3983972B2 (ja) * | 2000-11-29 | 2007-09-26 | セイコーインスツル株式会社 | 電子回路モジュール |
JP2002270649A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3814227B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2006-08-23 | オプトレックス株式会社 | チップオンフィルム基板 |
JP3685196B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2005-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | 配線基板、半導体装置及びその製造方法並びに電子機器 |
-
2007
- 2007-01-22 JP JP2007011385A patent/JP4287882B2/ja active Active
- 2007-12-07 WO PCT/JP2007/073648 patent/WO2008090684A1/ja active Application Filing
-
2008
- 2008-01-04 TW TW97100465A patent/TWI401779B/zh active
- 2008-01-04 TW TW101121964A patent/TWI420639B/zh active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016072525A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2021136432A (ja) * | 2020-02-26 | 2021-09-13 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | フリップチップボンディング構造体及びその回路基板 |
JP7030166B2 (ja) | 2020-02-26 | 2022-03-04 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | フリップチップボンディング構造体及びその回路基板 |
US11322437B2 (en) | 2020-02-26 | 2022-05-03 | Chipbond Technology Corporation | Flip chip interconnection and circuit board thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4287882B2 (ja) | 2009-07-01 |
WO2008090684A1 (ja) | 2008-07-31 |
TWI401779B (zh) | 2013-07-11 |
TW200843070A (en) | 2008-11-01 |
TWI420639B (zh) | 2013-12-21 |
TW201244040A (en) | 2012-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7193328B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4781097B2 (ja) | テープキャリアパッケージ及びそれを搭載した表示装置 | |
JP4068635B2 (ja) | 配線基板 | |
JP2008153494A (ja) | フリップチップ実装用基板 | |
JP2002124544A (ja) | Cof用テープキャリアおよびこれを用いて製造されるcof構造の半導体装置 | |
JP4819335B2 (ja) | 半導体チップパッケージ | |
JP4185954B2 (ja) | フレキシブル基板及び半導体装置 | |
WO2006132130A1 (ja) | 半導体装置、基板および半導体装置の製造方法 | |
JP4287882B2 (ja) | フレキシブル基板及び半導体装置 | |
JP2007005452A (ja) | 半導体装置 | |
JP7030166B2 (ja) | フリップチップボンディング構造体及びその回路基板 | |
KR100764668B1 (ko) | 플립칩 접속용 기판 및 그 제조방법 | |
US10763200B2 (en) | Mounting structure and module | |
US11309238B2 (en) | Layout structure of a flexible circuit board | |
KR100671808B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JPH10313167A (ja) | 配線基板 | |
JP2016162813A (ja) | プリント基板及びハンダ付け方法 | |
KR102191249B1 (ko) | 칩 저항 소자 어셈블리 | |
US7187065B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device unit | |
JP2005159235A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、配線基板、電子モジュール並びに電子機器 | |
JP2006135247A (ja) | 半導体装置 | |
TWM582231U (zh) | 噴墨晶片封裝結構 | |
JP2006332415A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04352463A (ja) | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 | |
JP2004325751A (ja) | 液晶表示パネル用可撓配線板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090324 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090327 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4287882 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130403 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |