JP4185954B2 - フレキシブル基板及び半導体装置 - Google Patents
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Description
半導体チップ搭載領域と金属箔パターン形成領域とを一表面に有する基材と、
上記金属箔パターン形成領域に形成され、金属箔から成る複数の配線パターンと
を備え、
上記金属箔パターン形成領域の少なくとも一部では、上記配線パターン同士の間隔に対する上記配線パターンの幅の比率が1を越え且つ8.7以下となるように、上記複数の配線パターンが形成され、
上記金属箔パターン形成領域には、金属箔から成るベタパターンが形成され、
上記ベタパターンには非貫通穴が形成され、
上記非貫通穴は単数または複数あり、上記非貫通穴の平面視の形が長方形であり、
上記非貫通穴が複数ある場合は、上記複数の非貫通穴が上記長方形の短辺と平行な方向に並ぶように配置されていることを特徴としている。
また、上記金属箔パターン形成領域には、金属箔から成るベタパターンが形成されているので、配線パターン及びベタパターンの放熱効果により、放熱性をさらに改善することができる。
また、上記ベタパターンには非貫通穴が形成されているので、ベタパターンの表面積が大きくなり、ベタパターンの放熱効果を高めることができる。
また、上記非貫通穴が複数ある場合は、複数の非貫通穴が長方形の短辺と平行な方向に並ぶように配置されているので、非貫通穴の数を多くすることができる。
本発明のフレキシブル基板は、
半導体チップ搭載領域と金属箔パターン形成領域とを一表面に有する基材と、
上記金属箔パターン形成領域に形成され、金属箔から成る複数の配線パターンと
を備え、
上記金属箔パターン形成領域の少なくとも一部では、上記配線パターン同士の間隔に対する上記配線パターンの幅の比率が1を越え且つ8.7以下となるように、上記複数の配線パターンが形成され、
上記金属箔パターン形成領域には、金属箔から成るベタパターンが形成され、
上記ベタパターンには非貫通穴が形成され、
上記非貫通穴は単数または複数あり、上記非貫通穴の平面視の形が円または多角形であり、
上記非貫通穴が複数ある場合は、上記複数の非貫通穴がマトリクス状に配置されていることを特徴としている。
上記構成のフレキシブル基板によれば、上記配線パターン同士の間隔に対する配線パターンの幅の比率が1を越え且つ8.7以下となる。つまり、上記配線パターンの幅を配線パターン同士の間隔で割った値が1を越え且つ8.7以下となる。このとき、上記配線パターン同士の間隔の単位と配線パターンの幅の単位とは同じである。
したがって、上記フレキシブル基板は、配線パターンの表面積が大きくなって、配線パターンの放熱効果を高めることができる結果、放熱性を改善することができる。
また、上記フレキシブル基板の放熱性が改善することによって、金属箔パターン形成領域に形成される例えばベタパターンを小さくしたり、そのベタパターンを無くしたりすることができるので、フレキシブル基板は小型化することができる。
また、上記配線パターン同士の間隔に対する配線パターンの幅の比率が1以下となるように、複数の配線パターンを形成すると、配線パターンの放熱効果が低くなってしまう。
また、上記配線パターン同士の間隔に対する配線パターンの幅の比率が8.7を越えるように、複数の配線パターンを形成すると、配線パターン同士が接触する不具合が発生する確率が非常に高くなる。
また、上記金属箔パターン形成領域には、金属箔から成るベタパターンが形成されているので、配線パターン及びベタパターンの放熱効果により、放熱性をさらに改善することができる。
また、上記ベタパターンには非貫通穴が形成されているので、ベタパターンの表面積が大きくなり、ベタパターンの放熱効果を高めることができる。
また、上記非貫通穴が複数ある場合は、複数の非貫通穴がマトリクス状に配置されているので、非貫通穴の数を多くすることができる。
上記配線パターン同士の間隔に対する上記配線パターンの幅の比率が1を越え且つ8.7以下となるように形成された上記複数の配線パターンは、ファンアウト構造を有する。
上記基材の上記一表面において、上記半導体チップ搭載領域以外の領域は全て上記金属箔パターン形成領域である。
上記ベタパターンの少なくとも一部が上記半導体チップ搭載領域を横断している。
本発明のフレキシブル基板と、
上記半導体チップ搭載領域に搭載されると共に、上記複数の配線パターンに接続された半導体チップと
を備えたことを特徴としている。
図1に、本発明の参考例のフレキシブル基板1を上方から見た概略図を示す。
配線パターン2の幅Wを配線パターン2同士の間隔Dで割った値が1を越え且つ8.7以下である場合、他の比率に比べ放熱効率が高くなる。
図4に、本発明の一実施の形態のフレキシブル基板21を上方から見た概略図を示す。また、図4において、図1に示した参考例の構成部と同一構成部は、図1における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
2 配線パターン
3 基材
4 金属箔パターン形成領域
5,6,7,25,26,27 ベタパターン
8 半導体チップ搭載領域
9 半導体チップ
10 突起電極
50,51,52,53 穴
D 配線パターン同士の間隔
W 配線パターンの幅
Claims (6)
- 半導体チップ搭載領域と金属箔パターン形成領域とを一表面に有する基材と、
上記金属箔パターン形成領域に形成され、金属箔から成る複数の配線パターンと
を備え、
上記金属箔パターン形成領域の少なくとも一部では、上記配線パターン同士の間隔に対する上記配線パターンの幅の比率が1を越え且つ8.7以下となるように、上記複数の配線パターンが形成され、
上記金属箔パターン形成領域には、金属箔から成るベタパターンが形成され、
上記ベタパターンには非貫通穴が形成され、
上記非貫通穴は単数または複数あり、上記非貫通穴の平面視の形が長方形であり、
上記非貫通穴が複数ある場合は、上記複数の非貫通穴が上記長方形の短辺と平行な方向に並ぶように配置されていることを特徴とするフレキシブル基板。 - 半導体チップ搭載領域と金属箔パターン形成領域とを一表面に有する基材と、
上記金属箔パターン形成領域に形成され、金属箔から成る複数の配線パターンと
を備え、
上記金属箔パターン形成領域の少なくとも一部では、上記配線パターン同士の間隔に対する上記配線パターンの幅の比率が1を越え且つ8.7以下となるように、上記複数の配線パターンが形成され、
上記金属箔パターン形成領域には、金属箔から成るベタパターンが形成され、
上記ベタパターンには非貫通穴が形成され、
上記非貫通穴は単数または複数あり、上記非貫通穴の平面視の形が円または多角形であり、
上記非貫通穴が複数ある場合は、上記複数の非貫通穴がマトリクス状に配置されていることを特徴とするフレキシブル基板。 - 請求項1または2に記載のフレキシブル基板において、
上記配線パターン同士の間隔に対する上記配線パターンの幅の比率が1を越え且つ8.7以下となるように形成された上記複数の配線パターンは、ファンアウト構造を有することを特徴とするフレキシブル基板。 - 請求項1または2に記載のフレキシブル基板において、
上記基材の上記一表面において、上記半導体チップ搭載領域以外の領域は全て上記金属箔パターン形成領域であることを特徴とするフレキシブル基板。 - 請求項1または2に記載のフレキシブル基板において、
上記ベタパターンの少なくとも一部が上記半導体チップ搭載領域を横断していることを特徴とするフレキシブル基板。 - 請求項1または2に記載のフレキシブル基板と、
上記半導体チップ搭載領域に搭載されると共に、上記複数の配線パターンに接続された半導体チップと
を備えたことを特徴とする半導体装置。
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