JP2008166784A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、基板と、基板上に形成された第1導電型窒化物半導体層120と、第1導電型窒化物半導体層120上に形成された活性層と、活性層上に形成された第2導電型窒化物半導体層と、第2導電型窒化物半導体層上に形成された透明電極150と、透明電極150上に形成された第2導電型電極パッド170aと、第2導電型電極パッド170aから一方向に延びて線状に形成された第2導電型電極170と、第1導電型窒化物半導体層上に第2導電型電極パッド170aと同一の辺に隣接して形成された第1導電型電極パッド160aと、第1導電型電極パッド160aから一方向に延びて線状に形成された第1導電型電極160とを含む。
【選択図】図3
Description
以下、本発明の実施形態の第1変形例による窒化物半導体発光素子(LED)の構造について、図5を参照して説明する。ただし、第1変形例の構成のうち上述の実施形態と同一の部分についての説明は省略し、第1変形例において異なる構成についてのみ詳述する。
以下、本発明の実施形態の第2変形例による窒化物半導体発光素子(LED)の構造について、図6を参照して説明する。ただし、第2変形例の構成のうち本発明の第1変形例と同一の部分についての説明は省略し、第2変形例において異なる構成についてのみ詳述することにする。
110 バッファ層
120 第1導電型窒化物半導体層
130 活性層
140 第2導電型窒化物半導体層
150 透明電極
160 第1導電型電極
160a 第1導電型電極パッド
160b 第1導電型接続電極
170 第2導電型電極
170a 第2導電型電極パッド
170b 第2導電型接続電極
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に形成された第1導電型窒化物半導体層と、
前記第1導電型窒化物半導体層の所定領域上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された第2導電型窒化物半導体層と、
前記第2導電型窒化物半導体層上に形成された透明電極と、
前記透明電極上に形成された第2導電型電極パッドと、
前記第2導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第2導電型電極と、
前記第1導電型窒化物半導体層上の、前記活性層が形成されていない部分に前記第2導電型電極パッドと同一の辺に隣接して形成された第1導電型電極パッドと、
前記第1導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第1導電型電極と、
を含む窒化物半導体発光素子。 - 基板と、
前記基板上に形成された第1導電型窒化物半導体層と、
前記第1導電型窒化物半導体層の所定領域上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された第2導電型窒化物半導体層と、
前記第2導電型窒化物半導体層上に形成された透明電極と、
前記透明電極上に、互いに同一の辺に隣接し互いに分離して形成された2つ以上の第2導電型電極パッドと、
前記第2導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第2導電型電極と、
前記第1導電型窒化物半導体層上の、前記活性層が形成されていない部分に前記第2導電型電極パッドと同一の辺に隣接して形成された1つ以上の第1導電型電極パッドと、
前記第1導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第1導電型電極と、
を含む窒化物半導体発光素子。 - 基板と、
前記基板上に形成された第1導電型窒化物半導体層と、
前記第1導電型窒化物半導体層の所定領域上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された第2導電型窒化物半導体層と、
前記第2導電型窒化物半導体層上に形成された透明電極と、
前記透明電極上に、互いに同一の辺に隣接して形成された1つ以上の第2導電型電極パッドと、
前記第2導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第2導電型電極と、
前記第1導電型窒化物半導体層上の、前記活性層が形成されていない部分に前記第2導電型電極パッドと同一の辺に隣接し互いに分離して形成された2つ以上の第1導電型電極パッドと、
前記第1導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第1導電型電極と、
を含む窒化物半導体発光素子。 - 線状に形成された前記第1導電型電極および前記第2導電型電極は、それぞれ前記第1導電型電極パッドおよび前記第2導電型電極パッドと互いに交わる部分から直線または曲線で形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1導電型電極および前記第2導電型電極は、前記第1導電型電極パッドおよび前記第2導電型電極パッドに隣接する辺と反対側の辺側から前記第1導電型電極パッドおよび前記第2導電型電極パッドに隣接する辺側に向かうように曲がった形態となって互いにかみ合うフィンガー構造に形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1導電型窒化物半導体層および前記第2導電型窒化物半導体層は、n型またはp型であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記活性層は、前記第1導電型窒化物半導体層の四方の最外郭の辺から離隔して形成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子。
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