JP2008158424A - 接続構造、電気光学装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】中継層93は、第2層間絶縁層42の上面42aから第2層間絶縁層42の端面42b及び下部容量電極71の端面71bに延びている。中継層93は、コンタクトホール85を介して画素電極9aに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極71は、中継層93と共に高濃度ドレイン領域1e及び画素電極9a間の電気的な接続を中継する。したがって、液晶装置1によれば、非開口領域に形成された下部容量電極71と、中継層93との接続領域を小さく、或いはまったく無くすことが可能である。
【選択図】図8
Description
先ず、図1乃至図3を参照しながら、本発明の第1の発明に係る接続構造の実施形態を説明する。図1は、本実施形態に係る接続構造を断面図である。図2及び図3は、本実施形態に係る接続構造の比較例を示した断面図である。
<2−1:電気光学装置>
次に、図4乃至図9を参照しながら、本発明の第2の発明に係る電気光学装置を説明する。図4は、本実施形態に係る電気光学装置の平面図であり、図5は、図4のV−V´断面図である。図6は、本実施形態に係る電気光学装置における複数の画素部の等価回路図である。図7は、本実施形態に係る電気光学装置における複数の画素部の平面図である。図8は、図7のVIII−VIII´断面図である。図9は、中継層93の構造を詳細に示した断面図である。
次に、図10及び図11を参照しながら、本発明の第3の発明に係る電気光学装置の製造方法を説明する。図10及び図11は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な工程を示した要部工程断面図である。尚、本実施形態では、上述した液晶装置1を製造する場合を例に挙げ、下部容量電極71及び中継層93を相互に接続する接続構造を中心に説明するが、液晶装置1の他の部分も当該接続構造と平行して、或いは相前後して形成される。
<3−1:電気光学装置>
次に、図12を参照しながら、本発明の第4の発明に係る電気光学装置の実施形態である液晶装置800の構成を説明する。図12は、本実施形態に係る液晶装置800が有する画素部の構成を示す断面図である。尚、液晶装置800は、液晶装置1と略同様の構成を有しているため、以下では、液晶装置800の特徴となる部分を詳細に説明し、液晶装置1と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。また、本実施形態では、本発明の第4の発明における「導電層」の一例として、半導体層1aを例にあげているため、本発明の第4の発明における「第1部分」及び「第2部分」の夫々として、「データ線側導電部」及び「画素電極側導電部」を例に挙げているが、第1部分及び第2部分は、これら導電部に限定されるものではなく、液晶装置等の電気光学装置に形成された導電層の各々一部を構成する部分であって、互いに異なる電位を有している部分であれば、後に詳細に説明するように本発明の第4の発明に係る電気光学装置に特有の作用効果が得られる。
次に、図13及び図14を参照しながら、本発明の第5の発明に係る電気光学装置の製造方法を説明する。図13及び図14は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な工程を示した要部工程断面図である。本実施形態では、上述した液晶装置800の製造方法を例に挙げる。
次に、図15を参照しながら、上述した電気光学装置を備えた電子機器を適用した場合を説明する。図15は、上述した電気光学装置を備えた電子機器の一例であって、上述した液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタの構成例を示す平面図である。
Claims (14)
- 基板上に形成された第1導電膜と、
前記第1導電膜上に形成されており、前記第1導電膜の一の端面が臨む側に向かって臨む他の端面を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜の上面から前記一の端面及び前記他の端面に延びるように形成されており、前記一の端面を介して前記第1導電膜と相互に電気的に接続された第2導電膜と
を備えたことを特徴とする接続構造。 - 基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられる複数の画素の夫々に形成された画素電極と、
前記複数の画素のうち互いに隣接する画素の夫々の開口領域を隔てる非開口領域に形成され、且つ前記画素電極に電気的に接続されており、前記開口領域に臨む一の端面を有する第1導電膜と、
前記第1導電膜上に形成されており、前記開口領域に臨む他の端面を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上から前記一の端面及び前記他の端面に延びるように形成されており、前記一の端面を介して前記第1導電膜に電気的に接続された第2導電膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。 - 前記第2導電膜は、前記第1導電膜及び前記画素電極を電気的に中継する島状の中継層であり、前記第2導電膜のうち前記絶縁膜上に延びる部分は前記データ線と同層に形成されていること
を特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。 - 前記第1導電膜は、半導体膜であり、
前記第2導電膜は、前記半導体膜に接するチタン膜を含んでいること
を特徴とする請求項2又は3に記載の電気光学装置。 - 前記第2導電膜は、前記チタン膜より高い導電率を有する金属膜と、前記金属膜を保護する保護膜とを有していること
を特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。 - 基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線の交差に対応して設けられる複数の画素のうち互いに隣接する画素の夫々の開口領域を隔てる非開口領域に第1導電膜を形成する第1工程と、
前記第1導電膜を覆うように絶縁膜を形成する第2工程と、
前記第1導電膜の一の端面が前記開口領域に向かって露出するように前記絶縁膜を除去する第3工程と、
前記絶縁膜上から、前記第3工程において露出した前記絶縁膜の他の端面、及び前記一の端面に延び、且つ前記一の端面を介して前記第1導電膜に電気的に接続される第2導電膜を形成する第4工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記第3工程において、前記絶縁膜をドライエッチングによって除去すること
を特徴とする請求項6に記載の電気光学装置の製造方法。 - 基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられる複数の画素の夫々に形成された画素電極と、
前記複数の画素のうち互いに隣接する画素の開口領域を互いに隔てる非開口領域に形成された導電層のうち前記基板上の互いに重ならない第1領域及び第2領域の夫々において、前記導電層の各々一部を構成する第1部分及び第2部分と、
前記第1領域及び前記第2領域を隔てる領域を介して前記第1領域の側から前記第2領域の側に臨み、且つ前記第1領域から前記第2領域に向かって前記第1部分の上面に近づくように前記第1部分の上面に対して傾斜した第1傾斜面を有しており、前記第1領域のうち前記隔てる領域側に延びる第1部分領域において前記第1部分が露出するように前記第1部分上に形成された第1絶縁部と、
前記隔てる領域を介して前記第2領域の側から前記第1領域の側に臨み、且つ前記第2領域から前記第1領域に向かって前記第2部分の上面に近づくように前記第2部分の上面に対して傾斜した第2傾斜面を有しており、前記第2領域のうち前記隔てる領域側に延びる第2部分領域において前記第2部分が露出するように前記第1絶縁部と同層に形成された第2絶縁部と、
前記第1絶縁部の上面から前記第1傾斜面及び前記第1部分の上面に延びる第1導電膜と、
前記第2絶縁部の上面から前記第2傾斜面及び前記第2部分の上面に延びており、前記第1導電膜に供給される電位と異なる電位を有する第2導電膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。 - 前記導電層は、半導体層であり、
前記半導体層のうち前記隔てる領域に延びる部分は、チャネル領域部であり、
前記第1部分は、前記チャネル領域部からみて前記データ線側に電気的に接続されたデータ線側導電部であり、
前記第2部分は、前記チャネル領域部からみて前記画素電極側に電気的に接続された画素電極側導電部であること
を特徴とする請求項8に記載の電気光学装置。 - 前記第1導電膜及び前記第2導電膜の夫々は、前記半導体層に接するチタン膜を含んでいること
を特徴とする請求項9に記載の電気光学装置。 - 前記第1導電膜及び前記第2導電膜は、前記チタン膜より高い導電率を有する金属膜と、前記金属膜を保護する保護膜とを有していること
を特徴とする請求項10に記載の電気光学装置。 - 基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線の交差に対応して形成される画素電極が設けられる複数の画素のうち互いに隣接する画素の夫々の開口領域を互いに隔てる非開口領域となるべき領域において、前記非開口領域のうち前記基板上で互いに重ならない第1領域及び第2領域の夫々に位置する第1部分及び第2部分を含む導電層を形成する第1工程と、
前記導電層上に絶縁層を形成する第2工程と、
前記第1領域において前記第1部分が露出するように前記絶縁層を貫通しており、前記第1領域及び前記第2領域を隔てる領域を介して前記第1領域の側から前記第2領域の側に臨み、且つ前記第1領域から前記第2領域に向かって前記第1部分の上面に近づくように前記第1部分の上面に対して傾斜した第1内壁面を有する第1穴部を形成する第3工程と、
前記第2領域において前記第2部分が露出するように前記絶縁膜を貫通しており、前記隔てる領域を介して前記第2領域の側から前記第1領域の側に臨み、且つ前記第2領域から前記第1領域に向かって前記第2部分の上面に近づくように前記第2部分の上面に対して傾斜した第2内壁面を有する第2穴部を形成する第4工程と、
前記絶縁膜の上面から、前記第1部分のうち前記第1穴部に露出する第1露出部、及び前記第2部分のうち前記第2穴部に露出する第2露出部の夫々に延びる導電膜を形成する第5工程と、
前記隔てる領域、前記第1領域のうち前記隔てる領域に近い側に延びる領域、及び前記第2領域のうち前記隔てる領域に近い側に延びる領域において、前記導電膜及び前記絶縁膜を除去する第6工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記第6工程において、前記絶縁膜及び前記導電膜に噴射するガスのガス比を調整可能なドライエッチング法を用いて、前記絶縁膜及び前記導電膜を選択的に除去すること
を特徴とする請求項13に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記導電層は、半導体層であり、
前記半導体層のうち前記隔てる領域に延びる部分は、チャネル領域部であり、
前記第1部分は、前記チャネル領域部からみて前記データ線側に電気的に接続されたデータ線側導電部であり、
前記第2部分は、前記チャネル領域部からみて前記画素電極側に電気的に接続された画素電極側導電部であり、
前記第6工程において、前記データ線側導電部及び前記画素電極側導電部の夫々は、前記半導体層の下層側に延びる部分がエッチングされないようにエッチングストッパーとして兼用されること
を特徴とする請求項13に記載の電気光学装置の製造方法。
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