JP2008135632A - キャパシタ電極の製造方法と製造システムおよび記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板W表面のシリコン酸化膜100を除去してキャパシタ電極103を製造するキャパシタ電極103の製造方法であって、基板Wを第1の処理温度にして、ハロゲン元素を含むガスを供給し、シリコン酸化膜100とハロゲン元素を含むガスとを化学反応させて、シリコン酸化膜100を反応生成物に変質させる工程と、基板Wを前記第1の処理温度よりも高い第2の処理温度にして、反応生成物に変質させたシリコン酸化膜100を除去する工程と、を有する。本発明によれば、ストレージノードホール101の内面に円筒形状のキャパシタ電極103を形成した後、キャパシタ電極103の周りに残っていたシリコン酸化膜100を除去するに際し、leaningを回避できる。
【選択図】図4
Description
Oxide Etchant)やDHF(Diluted Hydro Fluoric acid)などのエッチング液を用いた湿式エッチングが一般に行われている。
Silicated Glass)膜100が成膜されており、更に、BPSG膜100には、円柱形状のストレージノードホール101が、ウェハW表面のストレージノード102に達する深さにパターン形成されている。なお、このストレージノードホール101は、ウェハWの表面にBPSG膜100を成膜させた後、フォトリソ工程等を経て形成される。
2 搬入出部
3 ロードロック室
4 反応処理装置
5 熱処理装置
6 制御コンピュータ
20 反応処理室
21 載置台
22 温調手段
50 熱処理室
51 載置台
52 温調手段
100 BPSG膜
101 ストレージノードホール
103 キャパシタ電極
C キャリア
W ウェハ
Claims (17)
- 基板表面のシリコン酸化膜を除去してキャパシタ電極を製造するキャパシタ電極の製造方法であって、
前記基板を第1の処理温度にして、ハロゲン元素を含むガスを供給し、前記シリコン酸化膜と前記ハロゲン元素を含むガスとを化学反応させて、前記シリコン酸化膜を反応生成物に変質させる工程と、
前記基板を前記第1の処理温度よりも高い第2の処理温度にして、前記反応生成物に変質させた前記シリコン酸化膜を除去する工程と、を有することを特徴とする、キャパシタ電極の製造方法。 - 前記シリコン酸化膜がBPSG膜であることを特徴とする、請求項1に記載のキャパシタ電極の製造方法。
- 前記キャパシタ電極がシリンダー型であることを特徴とする、請求項1または2に記載のキャパシタ電極の製造方法。
- 前記ハロゲン元素を含むガスは、HFを含むガスであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のキャパシタ電極の製造方法。
- 前記シリコン酸化膜を反応生成物に変質させる工程を、所定の減圧下で行うことを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載のキャパシタ電極の製造方法。
- 前記反応生成物を加熱して除去する工程を、所定の減圧下で行うことを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載のキャパシタ電極の製造方法。
- 前記反応生成物を加熱して除去する工程において、塩基性ガスを供給することを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載のキャパシタ電極の製造方法。
- 前記塩基性ガスはアンモニアガスであることを特徴とする、請求項7に記載のキャパシタ電極の製造方法。
- 基板表面のシリコン酸化膜を除去してキャパシタ電極を製造するキャパシタ電極の製造システムであって、
基板表面に露出した前記シリコン酸化膜を反応生成物に変質させる反応処理装置と、前記反応生成物に変質させた前記シリコン酸化膜に対して熱処理を行う熱処理装置と、を備え、
前記反応処理装置は、基板を収納する反応処理室と、前記反応処理室内において前記基板を載置させ、前記基板を所望の温度にさせる載置台と、前記反応処理室内にハロゲン元素を含むガスを供給するガス供給源と、を備え、
前記熱処理装置は、基板を収納する熱処理室と、前記熱処理室内において前記基板を載置させ、前記基板を所望の温度にさせる載置台と、を備えることを特徴とする、キャパシタ電極の製造システム。 - 前記ハロゲン元素を含むガスは、HFを含むガスであることを特徴とする、請求項9に記載のキャパシタ電極の製造システム。
- 前記反応処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源を備えることを特徴とする、請求項9または10に記載のキャパシタ電極の製造システム。
- 前記反応処理室内を所望の圧力に減圧させる減圧機構を有することを特徴とする、請求項9〜11のいずれかに記載のキャパシタ電極の製造システム。
- 前記熱処理装置は、前記熱処理室内に塩基性ガスを供給するガス供給源を備えることを特徴とする、請求項9〜12のいずれかに記載のキャパシタ電極の製造システム。
- 前記塩基性ガスはアンモニアガスであることを特徴とする、請求項13に記載のキャパシタ電極の製造システム。
- 前記熱処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源を備えることを特徴とする、請求項9〜14のいずれかに記載のキャパシタ電極の製造システム。
- 前記熱処理室内を所望の圧力に減圧させる減圧機構を有することを特徴とする、請求項9〜15のいずれかに記載のキャパシタ電極の製造システム。
- 製造システムの制御コンピュータによって実行することが可能なプログラムが記録された記録媒体であって、
前記プログラムは、前記制御コンピュータによって実行されることにより、前記製造システムに、請求項1〜8のいずれかに記載のキャパシタ電極の製造方法を行わせるものであることを特徴とする、記録媒体。
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