JP2006278436A - プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム、コンピュータ記録媒体及び処理レシピが記録された記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン酸化膜102上には、マスクとして開口部104を有るアモルファスカーボン膜103が形成されている。第1ステップ及び第3ステップには、第2ステップよりC/F原子数の比が高いフルオロカーボンガスを含むエッチングガスを使用する。第1ステップでは、シリコン酸化膜102の途中までホール105を形成し、第2ステップでは、下地のSiN膜101が露出し始めるか、露出し始める直前までホール105を形成し、第3ステップでは、オーバーエッチングを行う。
【選択図】図1
Description
(第1ステップ)
(第2ステップ)
(第3ステップ)
Claims (16)
- マスクを介して、シリコン酸化膜に、エッチング工程によってホールを形成するプラズマエッチング方法であって、
フルオロカーボンガスを含むエッチングガスを使用し、かつ、エッチング工程の初期に使用するフルオロカーボンガス及びエッチング工程の終期に使用するフルオロカーボンガスのC/F(炭素原子数/フッ素原子数)比が、エッチング工程の中期に使用するフルオロカーボンガスのC/F比よりも大きいことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1記載のプラズマエッチング方法であって、
前記ホールの径が0.13μm以下であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1又は2記載のプラズマエッチング方法あって、
前記ホールのアスペクト比が、15以上であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1〜3いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、
前記エッチング工程の初期に使用するフルオロカーボンガス及び前記エッチング工程の終期に使用するフルオロカーボンガスは、水素を含まず、そのC/F比が5/8以上であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1〜3いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、
前記エッチング工程の初期に使用するフルオロカーボンガス及び前記エッチング工程の終期に使用するフルオロカーボンガスは、水素を含まず、そのC/F比が2/3以上であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1〜3いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、
前記エッチング工程の初期に使用するフルオロカーボンガス及び前記エッチング工程の終期に使用するフルオロカーボンガスは、水素を含まず、そのC/F比が5/8以上、2/3以下であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1〜6いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、
前記エッチング工程の中期に使用するフルオロカーボンガスは、水素を含まず、そのC/F比が1/2以下であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1〜7いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、
前記エッチングガスが、フルオロカーボンガスの他に希ガスと酸素を含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1〜8いずれか1項記載のプラズマエッチング方法であって、
前記マスクがアモルファスカーボンから構成されていることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - シリコン窒化膜上に形成されたシリコン酸化膜に、ホール径0.13μm以下のホールを形成するプラズマエッチング方法であって、
C4 F6 又はC5 F8 を含むエッチングガスを使用して前記シリコン酸化膜の途中までエッチングを行う第1ステップと、
前記第1ステップの後、C4 F8 を含むエッチングガスを使用して前記シリコン酸化膜のエッチングを行う第2ステップと、
前記第2ステップの後、C4 F6 又はC5 F8 を含むエッチングガスを使用してオーバーエッチングを行う第3ステップと
を具備したことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項10記載のプラズマエッチング方法であって、
前記第1ステップ及び前記第3ステップに使用するエッチングガスが、C4 F6 又はC5 F8 と希ガスと酸素の混合ガスからなり、
前記第2ステップに使用するエッチングガスが、C4 F8 と希ガスと酸素の混合ガスからなることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 被処理体を収容する処理容器と、
前記処理容器内にエッチングガスを供給するエッチングガス供給手段と、
前記エッチングガス供給手段から供給された前記エッチングガスをプラズマ化して前記被処理体をプラズマエッチングするプラズマ生成手段と、
前記処理容器内で請求項1から請求項11いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるように制御する制御部と
を備えたことを特徴とするエッチング装置。 - コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項1から請求項11いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマ処理装置を制御することを特徴とする制御プログラム。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に請求項1から請求項11いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマ処理装置を制御することを特徴とするコンピュータ記憶媒体。 - 所定のマスクを介して、シリコン酸化膜に、エッチング工程によってホールを形成するプラズマエッチング装置を制御するための処理レシピが記録された記録媒体であって、
前記処理レシピが、
フルオロカーボンガスを含むエッチングガスを使用してエッチングを行う第1のエッチング工程と、
前記第1のエッチング工程の後、フルオロカーボンガスを含むエッチングガスを使用してエッチングを行う第2のエッチング工程と、
前記第2のエッチング工程の後、フルオロカーボンガスを含むのエッチングガスを使用してエッチングを行う第3のエッチング工程と
を有し、前記第1及び第3のエッチング工程に使用するフルオロカーボンガスのC/F (炭素原子数/フッ素原子数)比が、前記第2のエッチング工程に使用するフルオロカーボンガスのC/F比よりも大きいことを特徴とする処理レシピが記録された記録媒体。 - 所定のマスクを介して、窒化シリコン膜上に形成されたシリコン酸化膜に、エッチング工程によってホールを形成するプラズマエッチング装置を制御するための処理レシピが記録された記録媒体であって、前記処理レシピが、
C4 F6 又はC5 F8 を含むエッチングガスを使用して前記シリコン酸化膜の途中までエッチングを行う第1ステップと、
前記第1ステップの後、C4 F8 を含むエッチングガスを使用して前記シリコン酸化膜のエッチングを行う第2ステップと、
前記第2ステップの後、C4 F6 又はC5 F8 を含むエッチングガスを使用してオーバーエッチングを行う第3ステップと
を具備したことを特徴とする処理レシピが記録された記録媒体。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008135632A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Tokyo Electron Ltd | キャパシタ電極の製造方法と製造システムおよび記録媒体 |
JP2008166513A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Tokyo Electron Ltd | キャパシタ電極の製造方法、エッチング方法およびエッチングシステム、ならびに記憶媒体 |
WO2009041560A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Zeon Corporation | プラズマエッチング方法 |
JP2009206444A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Nippon Zeon Co Ltd | プラズマエッチング方法 |
JP2010031222A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-02-12 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | シリカ系塗膜形成用塗布液およびその調製方法 |
WO2013018776A1 (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
JP2013080909A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-05-02 | Lam Research Corporation | 3dフラッシュ構造用のエッチングプロセス |
US8679358B2 (en) | 2011-03-03 | 2014-03-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and computer-readable storage medium |
CN110021524A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-16 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法 |
CN111326413A (zh) * | 2013-05-15 | 2020-06-23 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 |
KR20220109325A (ko) | 2021-01-28 | 2022-08-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
WO2022234805A1 (ja) * | 2021-05-06 | 2022-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理システム |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000150465A (ja) * | 1999-01-01 | 2000-05-30 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
JP2002110647A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2003133293A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003347281A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 絶縁膜のエッチング方法および半導体装置のコンタクト形成方法 |
JP2005033163A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の金属配線形成方法 |
JP2005045053A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-03-28 JP JP2005091580A patent/JP4663368B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000150465A (ja) * | 1999-01-01 | 2000-05-30 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
JP2002110647A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2003133293A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003347281A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 絶縁膜のエッチング方法および半導体装置のコンタクト形成方法 |
JP2005033163A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の金属配線形成方法 |
JP2005045053A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008135632A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Tokyo Electron Ltd | キャパシタ電極の製造方法と製造システムおよび記録媒体 |
JP2008166513A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Tokyo Electron Ltd | キャパシタ電極の製造方法、エッチング方法およびエッチングシステム、ならびに記憶媒体 |
US8535551B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-09-17 | Zeon Corporation | Plasma etching method |
WO2009041560A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Zeon Corporation | プラズマエッチング方法 |
JP2009206444A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Nippon Zeon Co Ltd | プラズマエッチング方法 |
JP2010031222A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-02-12 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | シリカ系塗膜形成用塗布液およびその調製方法 |
US8679358B2 (en) | 2011-03-03 | 2014-03-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and computer-readable storage medium |
JP2013033856A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法 |
WO2013018776A1 (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
US9034198B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-05-19 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method |
JP2013080909A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-05-02 | Lam Research Corporation | 3dフラッシュ構造用のエッチングプロセス |
CN111326413A (zh) * | 2013-05-15 | 2020-06-23 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 |
CN110021524A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-16 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法 |
CN110021524B (zh) * | 2017-12-27 | 2022-12-23 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法 |
KR20220109325A (ko) | 2021-01-28 | 2022-08-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
WO2022234805A1 (ja) * | 2021-05-06 | 2022-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理システム |
JPWO2022234805A1 (ja) * | 2021-05-06 | 2022-11-10 | ||
JP7325160B2 (ja) | 2021-05-06 | 2023-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理システム |
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