JP2008130181A - 磁気記憶媒体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板11に積層した記憶層15にレジストマスクRを形成し、レジストマスクRを使用して記憶層15に凹部Hを形成した。次いで、凹部Hの内部と、レジストマスクRの上部と、にそれぞれ非磁性層16を形成し、凹部Hに形成する非磁性層16の膜厚と、記憶層15の膜厚(凹部Hの深さ)と、を略同じ厚さにした。そして、レジストマスクRと、レジストマスクRに形成した非磁性層16と、を記憶層15の記憶面15aから剥離した。
【選択図】図4
Description
えば、特許文献3)。
体の平坦性を向上させた磁気記憶媒体の製造方法を提供することにある。
請求項3に記載の発明では、請求項1又は2に記載の磁気記憶媒体の製造方法において、前記レジストマスクを剥離した後に、前記磁性層と前記非磁性層とからなる前記基板の表面に前記非磁性材料を用いた等方的なスパッタ成膜を施し、前記磁性層と前記非磁性層の表面段差を補償する犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記犠牲層をエッチングして前記磁性層を露出させる犠牲層除去工程と、を備えたことを要旨とする。
以下、本発明を具体化した第一実施形態を図面に従って説明する。まず、本発明によって製造した磁気記憶媒体について説明する。磁気記憶媒体は、例えば、垂直磁気記憶方式などの磁気ディスクである。図1は、磁気ディスク10を説明する概略断面図である。
下地層12は、基板11の表面荒れを緩和するためのバッファ層であって、基板11と軟磁性層13との間の密着性を確保する。また、下地層12は、上層の結晶配向を規定するためのシード層であって、積層される軟磁性層13の結晶配向を規定する。下地層12には、例えば、Ta、Ti、W、Crから選択された少なくとも1種類の元素を含む非晶質もしくは微結晶の合金、又はこれらの積層膜を用いることができる。
向に滑らせて磁気ディスク10や磁気ヘッドの破損を防ぐ層である。潤滑層18の表面18aは、記憶面15aと非磁性面16aが共通する平坦面を形成する分だけ、より平坦に形成される。潤滑層18には、例えば、パーフロロポリエーテル化合物など、公知の有機潤滑剤を用いることができる。
まず、図2において、基板11をスパッタ装置に搬入し、各層用のターゲットを用いて下地層12、軟磁性層13、配向層14、記憶層15を順に積層する(磁性層形成工程)。
フィによって形成する。あるいは、レジストマスクRは、ナノインプリント用ポリマーを用いたナノインプリント法などによって直接描画してもよい。また、ArFレーザを使用するArFレジスト、KrFレーザを使用するKrFレジストを用いてもよい。
aからレジストマスクRと、レジストマスクRに堆積した非磁性層16と、を剥離除去する。これによって、凹部Hの内部にのみ非磁性層16を形成させることができ、かつ、その非磁性面16aを記憶面15aと面一の平坦面にすることができる。
以下、本発明を具体化した第二実施形態を図面に従って説明する。図6〜図9は、磁気ディスク10の製造方法を示す工程図である。第二実施形態は、第一実施形態に示した非磁性層形成工程以降の製造工程を変更したものである。
素ラジカル)を含む水素プラズマに晒してもよい。これによれば、記憶層15や非磁性層16に付着したハロゲン系の活性種を水素活性種によって還元させることができる。これによって、記憶層15のパターンの腐食(アフターコロージョン)を回避させることができ、また記憶層15と保護層17との間の密着性又は非磁性層16と保護層17との間の密着性を確保することができる。
次に、上記第一実施形態に基づいた実施例1を以下に説明する。
まず、直径が62.5mmの円盤状のガラスディスク基板を基板11として用い、該基板11をスパッタ装置に搬入した。
得た。そして、レジストマスクRを有した基板11をRIE装置に搬入し、基板11の全体を、Cl2とArの混合ガスを用いた反応性プラズマPL1に晒し、記憶層15のパターンを得た。また、記憶層15をパターニングした後に、基板11の全体を水素プラズマに晒して記憶層15及び配向層14の表面に還元処理を施した。
(実施例2)
次に、上記第二実施形態に基づいた実施例2を以下に説明する。
する平坦な犠牲面21aを得た。
上記実施形態によれば、以下の効果を奏する。
ができ、記憶面15aの過剰なエッチングを回避させることができる。
・上記実施形態では、レジストマスクRの側壁を、基板11の法線方向に沿う形状に構成した。これに限らず、例えば、図12に示すように、レジストマスクRの側壁をテーパ状に形成し、レジストマスクRの開口を拡大させる構成にしてもよい。これによれば、凹部Hの周縁に入射するスパッタ粒子SP2の入射角を拡大させることができる。そのため、凹部Hの周縁で非磁性材料の堆積速度を増加させることができる。よって、非磁性面16aが断面円弧状を呈する場合(図12の二点鎖線)には、非磁性面16aを、より平坦にさせることができる(図12の実線)。
Claims (4)
- 基板に磁性層を形成する磁性層形成工程と、
前記磁性層にレジストマスクを形成するマスク形成工程と、
前記レジストマスクを使用して前記磁性層に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部と前記レジストマスクとからなる前記基板の表面に前記凹部の深さに応じた膜厚の非磁性層を形成する非磁性層形成工程と、
前記レジストマスクに堆積した前記非磁性層を前記レジストマスクとともに前記磁性層から剥離するレジスト剥離工程と、
を備えたことを特徴とする磁気記憶媒体の製造方法。 - 請求項1に記載の磁気記憶媒体の製造方法において、
前記非磁性層形成工程は、
非磁性材料を用いた異方性を有するスパッタ成膜によって非磁性層を形成すること、
を特徴とする磁気記憶媒体の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の磁気記憶媒体の製造方法において、
前記レジストマスクを剥離した後に、前記磁性層と前記非磁性層とからなる前記基板の表面に非磁性材料を用いた等方的なスパッタ成膜を施し、前記磁性層と前記非磁性層の表面段差を補償する犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記犠牲層をエッチングして前記磁性層を露出させる犠牲層除去工程と、
を備えたことを特徴とする磁気記憶媒体の製造方法。 - 請求項3に記載の磁気記憶媒体の製造方法において、
前記犠牲層除去工程は、所定波長の光の発光強度を検出し、前記光の発光強度が前記磁性材料からの光の発光強度になるときに前記犠牲層のエッチングを終了すること、
を特徴とする磁気記憶媒体の製造方法。
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