九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種磁性儲存媒體之製造方法。 【先前技術】 一般而έ，磁碟等磁性儲存媒體係藉由構成儲存層 磁性粒子之微細化等而達到面記錄密度的高密度 2 °在進行面記錄密度之高密度化時，因隨著儲存層之 、:晶微細化所伴隨之熱波動（thermal fluctuation )，會產 ^磁化反轉及窄磁軌化。結果使與相鄰接磁執的串音 (cr0sstaik)，及因磁頭的記錄磁場擴大而引起之寫入相 鄰接磁執等問題明顯化。 —因此，例如專利文獻1係提出一種實現提升面記錄 费度之所謂離散型（di獄tetype)磁性記麟體。該磁 ^己錄媒體储由將儲存層形成為特定的凹凸圖樣，且 藉由將非磁性材料充填於凹凸圖樣之凹部所形成。 ，例如於專利文獻2係揭示了—種使用於半導體元件 之微細加工技術中所利用之反應性離子蝕刻等乾式蝕 刻法，於儲存層形成凹凸圖樣之加卫技術。對於將非磁 性材料充填於館存層之凹部之充填技術係可使用在半 導體元件一之微細加工技術中所利用之滅鑛等成膜技術。 另一方面，為有效獲得磁電阻效應 (magnetoresmance effect) ’磁碟與磁頭之間的距離係 以奈米級（例如l〇nm以下）予以控制。在磁性記錄媒 體中’若其表面具有段差，冑使磁頭之上浮動作不穩 定，導致寫入不良或讀取不良之問題。 當使用上述濺鍍等成膜技術將非磁性材料充填於 5 上述凹部時，非磁性材料 果，磁性儲存媒體之表部内與凸部上。結 現凹凸形狀。因此，：上=儲存層的凹凸圖案而呈 料之表面平坦化，使磁Him於凹部之非磁性材 之要求。例如，於專利332相同水平面（1—) Ρ"ΓΓ "〇 ί I ^ #，J "" CMP ( ^icti Milica! P〇llShmg，化學機械研磨）等研磨技術應用於平坦化技 術。 5上述，因磁碟與磁頭間的距離係以奈米級 予表面，必須將其段差（例如儲存層的 凸部表面與非磁性材料表面之差）抑制在數 3nm)以下。 然而 在CMP技術中難以獲得上述加工精密度， 且會導致使非磁性材料殘留於儲存層的凸部、或過度研 等問題。此外，在cmp技術中難以去 淨等時十分耗費時間及成本之問 等在光 (專利文獻1)日本專利特開平9_97419號公報 (專利文獻2)曰本專利特開2〇〇〇_32271〇號公報 (專利文獻3)曰本專利特開2〇〇3_16622號公報 【發明内容】 本發明係提供一種提升磁性儲存媒體之平坦性的 磁性儲存媒體之製造方法。 本發明之第一方面係為一種磁性儲存媒體之製造 方法。該方法係包含：磁性層形成步驟，其係將磁性層 升 板上光罩形成步驟’其係為於前述磁性居夕 =罩於前述磁性層形成凹二性 前述凹部深度㈣應_厚之非磁性層；以及 步驟’其係為將沉積於前述阻劑光罩上方 層連同前述_光罩—起自前賴性層_。切磁性 【實施方式】 (弟一實施態樣） Μ二下按f圖式說明本發明第一實施態樣之磁性儲 存媒體。百先說明藉由本發明所製造之贿 4 磁性儲存媒體係為例如垂直磁性儲存型等之磁碟1、_笙 一圖係為磁碟1 〇之概略剖面圖。 ’' 在第一圖中，磁碟10係具有：基板u ;底層， 其係層積於基板11之上表面；軟磁性層13;配向^ 14; 儲存層15,其係作為磁性層；非磁性層16;保護^ 17 j 及濁滑層18。 基板U係可使用例如結晶化玻璃基板、強化玻璃 基板、梦基板、鋁合金基板等非磁性基板。 底層12係為用以緩和基板丨丨表面不平之缓衝層， 以確保基板11與軟磁性層13之密接性。此外，底層12 亦可具有作為用以規定上層之結晶配向的種晶層的功 能，以規定所層積之軟磁性層13之結晶配向。底層12 係可使用例如包含選自Ta、Ti、w、Cr中至少一種元素 之非a日貝或微結晶之合金、或該等之層積膜。 軟磁性層13係為用以促進儲存層15之垂直配向之 磁性層’具有軟磁性特性。軟磁性層13係可使用例如 包含選自 Fe、Co、Ni、A卜 Si、Ta、Ti、Zr、Hf、V、
Nb、C、B中至少一種元素之非晶質或微結晶之合金、 成该等合金之層積膜。 配向層14係為用以規定儲存層15的結晶配向之 層。配向層14係可使用例如RU、Ta' pt、Mg〇等單層 構造、或在MgO層上層積RU層或丁&層的多層構造等 儲存層15係依照每一進行儲存、再生的資料磁執 分離，該等分離的儲存層15係分別具有與基板n的上 表面平行之上表面（儲存面15a)。各儲存層15係於資 料區域與伺服區域具有不同的形狀與尺寸。在第一圖 中，為便於說明，係顯示以相等間距寬度所形成之資二 區域的一部分。各儲存層15為了達成面儲存密度的高 密度化，以沿著其膜厚方向具有磁化容易軸（垂直磁化 膜）者為佳。 關於構成儲存層15的磁性材料係可使用例如選自 Co、Ni、Fe、Co系合金中之至少一種強磁性材料。'或 者，關於構成儲存層15的磁性材料係可使用例如以 CoCr、CoPt、CoCrPt 等為主體，含有 Si〇2、Al2〇3、ha 的微粒膜（Granular Film)。儲存層15的層構诰可.3 層構造’或者亦可使用由一對強磁性層= 磁性層之間的非磁性層所構成的多層構造。亦即，各儲 存層15之形成亦可藉由一對強磁性層之各層透過失在 強磁性層的非磁性結合層’以反強磁性方式結合磁化而 達成。。 非磁性層16為使各儲存層磁性分離，係充填於儲 存層15間的空間（凹部H)。各非磁性層16的上表面^非 1363337 — 磁性面16a)係形成於與鄰接儲存層15之儲存面15a連 •- 接的平坦面。例如，各非磁性面16a與各儲存面15a的 最大段差為3nm以下。構成非磁性層16的非磁性材料 係可使用 Si02、AI2O3、Ta2〇3、MgF2 等。 保護層17係為用以保護儲存層15及非磁性層i6 之層，具有例如0·5至15nm的膜厚。保護層17係可使 用例如類鑽碳（Diamond-Like Carbon，DLC)、氣化石山 氧化鋁、氧化錯等。 .·反 鲁 潤滑層18係為當磁碟1〇與磁頭相接觸時用以防 止磁頭朝面方向滑動而使磁碟1〇或磁頭破損之層。潤 滑層18的表面18a為維持由儲存面15a與非磁性面16 卿成之共通的平坦面，α更為平坦之方式形成。潤滑 層18係可使用例如全氟聚醚（perflu〇r〇㈧丨”止打）化合 物等周知的有機潤滑劑。 接著，以下說明磁碟1〇之製造方法。第二圖至第 五圖係為顯示磁碟10之製造方法的步驟圖。 首先，於第二圖中，將基板11搬入濺鍍裝置，接 • 著使用各層用的靶材，依序層積底層12、軟磁性層13、 配向層14、儲存層15 (磁性層形成步驟）。 於第二圖中，在形成儲存層15之後，將與資料磁 執相對應之阻劑光罩R形成於儲存層15上（光罩形成 步驟）。阻劑光罩R係例如將電子束（EB:服⑽⑽如咖） 用正型阻劑旋塗於儲存層15，藉由進行EB微影(EB lithography)所形成。或者，阻劑光罩R亦可藉由使用奈 米壓印用聚合物的奈米壓印法（nan〇 imprint)等而直接 描繪。此外’亦可採用使用ArF雷射的ArF阻劑、使用 KrF雷射的KrF阻劑。 9 1363337 . 在形成阻劑光罩R之後，藉由將基板11整體曝露 • 在反應性電漿PL1，以阻劑光罩r為光罩形成儲存層15 的圖樣（凹部H)(凹部形成步驟）。關於蝕刻氣體係可 使，Cl2、BC13、HBr、C4F8、CF4等卤素系氣體、該鹵 素系氣體與Ar或&的混合氣體、NH3與CO的混合氣 體等。 ” 再者，在將儲存層15蝕刻後，亦可將基板n整體 曝露在含有氫活性種（氫離子、氫自由基）的氫電漿、 電漿、或在Ar及N2之至少一者含有氫或水之混合 氣體的電漿。藉此，附著於儲存層15之圖樣及所露出 之配向層14之鹵素活性種可藉由氫活性種還原。藉此 • 可避免儲存層15的圖樣腐蝕（後端腐蝕 (after-corrosion))’且可確保配向層14與非磁性層16 的密接性。 於第四圖中，在形成儲存層15的圖案後，使非磁 性材料的濺鍍粒子SP1以遍及基板整體方式沉積（非磁 性層形成步驟）。亦即，在凹部Η的内部及阻劑光罩R • 的上部形成非磁性層16。 此時’使濺鍍粒子SP1對於基板11的入射方向與 基板11的法線方向近乎一致，對基板11整體施行異向 性減1錢。所謂異向性濺鍍係指使濺鍍粒子僅朝基板的大 致法線方向進行的濺鍍。藉此，由於使濺鍍粒子SP1的 入射方向接近基板11的法線方向，因此可使濺鍍粒子 spl均勻地於凹部Η的大致全域沉積。接著，在沉積於 凹部Η之磁性層16的膜厚與儲存層15的膜厚（凹部η 的深度）實質上大致相同的時間點時即結束非磁性層16 的成膜。藉此可使非磁性面16a與儲存面15a平坦化， 10 1363337 成為均勻的水平面。 於第五圖中，在形成非磁性層16後，使阻劑剝離 液接觸阻劑光罩R，藉此將阻劑光罩R自各儲存層Μ 二1曰St離(阻劑剝離步驟)。關於阻劑剝離液係 可使用將=光罩R溶解且使儲存層15及非磁性層Μ 不溶’ ^維持其磁性特性的有機溶劑。具體而言，在阻 而白將夂具有阻劑光罩R的基板11浸潰於阻 劑剝離液中，而自各儲存層15的儲存面15a將阻 R及沉^阻劑光罩R的非磁性層16予以剝離去除罩 措此可僅於凹部Η的内部形成非磁性層‘亦即，可 =性面⑹及儲存面⑸形成為具有均勻水平面的平 在將阻劑光罩R剥離去除後，在基板η的表面（儲 存面15a及非磁性面]盛接位崎成 Γ史昭笛闰、* )層積保護層17及潤滑層18 2照第一圖）。更詳而言之，例如使用採用乙烯等炉 乳體的fVD法，在儲存層15及非磁性層16的上側層 積類鑽碳層（DLC層：保護層17)。接著，在保 曰 塗佈潤滑劑（例如全氟聚⑷層積潤滑層18。^ ^ 濁滑層㈣表面18a形成具有高平坦性_碟=。了在 (第二實施態樣） ,以下按照圖式說明本發明第二實施態樣之 之製造方法。第六圖至第九圖係為顯示磁碟⑺制止 方法的步驟圖。在第二實施態樣中，係將第 = 中所顯不之非磁性層形成步驟（第四圖） 法予以變更。 无艾I造方 於第六圖中，在凹部形成步驟（第三圖）結束後，
II 1363337 體，非磁性材料的藏鍍粒子卿非磁性 I ^ 。接著，藉由異向性濺鍍，在凹部H的内 部及阻ΐ光罩R的上部形成㈣性層丨6。 七ΐ中，在形成非磁性層16後，與第一實施 ί罢：1二藉由使阻劑剝離液接觸阻劑光罩R，將阻劑 15鍾在阻劑光罩R的非磁性層16自各儲存層 _\ 5a予以剝離去除（阻劑剝離步驟）。藉此 可僅於凹。卩Η的内部形成非磁性層16。
11螫U中’在將阻劑光罩R剝離去除後，在基板 莊存面i5a及非磁性面16a)施行等向性濺鍍， 曰/儿貝非磁性材料的濺鍍粒子SP3。亦即，在儲存面 5a及非^面16a之上形成具有擴及基板u整體之平 Ϊί面犧牲面2U)的犧牲層21。在此，所謂等向性 鍍粒子由所有方向入射，而不僅朝基板的 法線方向入射的濺鍍（犧牲層形成步驟）。
藉此’由於賤鍍粒子SP3係由所有方向入射，因此 2儲存面15a與非磁性面如的段差消失的 =粒子SP3。因此’可在基板η整體形成更為平坦的 ^牲面21a。接耆’於犧牲層21補償儲存面15&與非磁 姓：—之間的段差呈現平坦的犧牲面21a的時間點 二犧牲層21的成膜。II此可使犧牲層21的膜厚最小 ，且可使犧牲層21的成膜所需時間為最短。 第九圖Γ在形成犧牲層21後，藉由將基板11 ^曝露在反應性電漿PL2，以—致的㈣速度對犧牲 整體進打侧，直至露出儲存面15a為止（犧牲層 =除步驟）。#刻氣體係可使用C4F8、CF4等鹵素系氣 體、該鹵«氣體與Αι*或④的混合氣體等。 12 /
姓刻二：匕層二的犧牲面21&為平坦面，因此當依序 相i岸的而露出儲存面15a時，在與凹部H 16a , / ' έ!ί^
Etch· 處、，·° 束犧牲層 21 的 RIE (Reactive Ion Λ子钱刻）時，在基板11表面係形成 八有^存面…相同水平面的平坦非磁性面16a。 曝露=右在牲層21 #刻後，亦可將基板11整體 ::==(氯離子、氯自由基)的氯電漿。 種使附著在儲存層15或非磁性層 腐絲錄種還原。藉此可避免儲存層15的圖樣 腐蝕（後端腐# (aftepc_siQn» 15與保護層Π的密接性、以及非磁性層了::= 17的密接性。 ，、保邊層 此外，犧牲層21之RIE結束之時間點亦 ==光的發光強度予以規定。第十圖係顯= 由僅以儲存層15❸RIE所得之光的發光強度光譜胖 由僅以犠牲層21❾RIE所得之光的發光強度光講。^ 十一圖係顯示在犠牲層去除步驟中之325nm與 之光之發光強度的經時變化。 亦即，如第十圖所示，首先預先量測藉由僅以儲存 層15的RIE所得之光的發光強度及藉由僅以犧牲層21 的RIE所得之光的發光強度。接著，根據該等量測結θ果， 規定在由储存層15所得的光與由犧牲層21所得的σ光之 間具有不同發光強度的波長（檢測波長：於第十圖中係 為 325nm 與 375nm)。 ^ ' 於第十圖中，若為具有325nm波長的光，由犧牲層 21所得之光的強度（虛線）係高於由儲存層15所得^ 13 1363337 光的強度（實線）。相反地’若為具有375nm波長的光， 由儲存層15所得之光的強度（實線）係高於由犧牲層 21所得之光的強度（虛線）。因此，在犧牲層去除步驟 中’當依序姓刻犧牲層21整體而露出儲存面i5a時，會 因犧牲層21的消失而使325nm之光的強度急遽降低， 且因儲存面15a的露出而使375nm之光的強度急遽增 加。亦即，如第十一圖所示，根據藉由RIE所得之325ηιη 及375nm之光的發光強度’可將325nm之光的強度急 遽降低且375nm之光的強度急遽増加的時間（第十一圖 的終點時間Τ〇規定為犧牲層21之RIE的終點。藉此， 可確實避免儲存層15過度蝕刻。結果，可將儲存面i5a 及非磁性面16a在更高的重現性下形成為平坦面。 在將犧牲層21蝕刻之後，由基板n表面（儲存面 15a及非磁性面16a)侧依序層積保護層17及潤滑層 18。藉此可補償儲存層15及非磁性層丨6之間的段差， 而可形成具有更高平坦性的磁碟1〇。 (實施例1) 接著在以下說明根據上述第一實施態樣的實施例 1 ° 首先’以具有62,5mm直徑的圓盤狀玻璃碟片基板 作為基板11而搬入錢鑛裝置。 接著，如第二圖所示，使用CoTa靶材，獲得具有 200nm獏厚的CoTa層作為底層12。此外，使用c〇TaZr 粑材’獲得具有500nm膜厚之c〇TaZr層作為軟磁性層 13 °此外’使用Ru靶材，獲得具有5nnl膜厚之Ru層 作為配向層14。接著，使用以c〇Crpt為主體，含有Si〇2 14 1363337 的靶材，形成具有20nm膜厚之C〇CrPt-Si02層作為儲存 層15。 在形成儲存層15後’如第三圖所示’將EB用正型 阻劑旋塗於儲存層15上進行eb微影，藉此獲得與資料 磁軌相對應的阻劑光罩R。接著，將具有阻劑光罩R的 基板11搬入RIE裝置，且將基板丨丨整體曝露在使用ci2 與Ar之混合氣體的反應性電漿pu，藉此獲得儲存層 15的圖樣。此外’將儲存層15圖樣化後，將基板u整 體曝露在氩電漿’對儲存層15及配向層14的表面施行 還原處理。 在形成儲存層15的圖樣之後，將具有阻劑光罩R 的基板11搬入濺鍍裝置，且將Si〇2靶材與基板u之間 的距離擴大至300mm。此外，將si〇2靶材與基板u之 間的壓力減壓至7xl〇-3Pa為止。藉此使濺鍍粒子spi的 入射方向接近基板11的法線方向。亦即，抑制濺鍍粒 子SP1的散亂。接著，如第四圖所示，將Si〇2靶材進行 濺鑛，分別使Si〇2的賤錢粒子SP1沉積在凹部H的内 部與阻劑光罩R的上部。具體而言，施行異向濺鍍，直 至沉積在凹部Η的非磁性層16的膜厚與儲存層15的膜 厚（凹部Η的深度）大致相同為止。藉此獲得與儲存面 15a連接的平坦非磁性面i6a。 在形成非磁性層16後，將具有阻劑光罩R的基板 11浸潰於阻劑剝離液中，如第五圖所示，將阻劑光罩r 及沉積在阻劑光罩R的非磁性層16予以剝離去除。藉 此在基板11上獲得由儲存面15a及非磁性面16a所構成 的平坦表面。於該狀態下量測基板u表面（儲存面ba 及非磁性面16a)的最大段差。實施例1的最大段差為 15 1363337 3nm以下’可以奈米級控制磁碟1G及磁頭之間的距離。 最後，在基板η表面（儲存面15a及非磁性面 層積保護層Π及潤滑層18，獲得具有較高平坦性的磁 碟10 〇 .(實施例2) 2接著在以下說明根據上述第二實施態樣的實施例 首先與實施例1相同地，以具有62 5_直徑的 圓盤狀玻璃碟片基板作為基板η搬入濺鑛裝置，獲得 底層12、軟磁性層13、配向層μ、儲存層μ。接著， 與實施例1相同地，在儲存層15上形成阻劑光罩R，藉 由以阻劑光罩R為光罩的RIE，獲得儲存層15的圖樣: 此外，將基板11整體曝露於氫電襞中，對儲存層及 配向層14的表面施行還原處理。 在形成儲存層15的圖樣後，將具有阻劑光罩尺的 基板11搬入濺鍍裝置。接著，如第六圖所示，藉由使 用Si〇2靶材的異向性濺鍍，在凹部H的内部及阻劑光 罩R的上部沉積Si〇2的錢錢粒子sp2。 在形成非磁性層16之後，將具有阻劑光罩R的基 板11 >艾 >貝於阻劑剝離液中，如第七圖所示，將阻劑光 罩R及沉積在阻劑光罩R的非磁性層16剝離去除。藉 此僅於凹部Η的内部獲得非磁性層μ。 曰 在將阻劑光罩R剝離後，將基板U搬入濺鍍裝置， 且將Si〇2把材與基板11之間的距離設定在相較於上述 異向性濺鍍時更短的70mm。此外，將si〇2乾材與某^ 11之間的壓力設定在相較於上述異向性濺鍍時的 16 1363337 i.〇Pa。藉此使濺鍍粒子SP3的入射方向自基板η的法 線方向傾斜。亦即，促進濺鍍粒子SP3散亂。接著，如 第八圖所示，藉由在儲存面15a及非磁性面i6a之上沉 積Si〇2的濺鍍粒子SP3，形成具有i〇nm膜厚的犧牲層 21。亦即，獲得用以補償儲存面15a及非磁性面之 段差的平坦的犧牲面21a。 在形成犧牲面21a後，將基板11搬入rie裝置， 且將基板11整面曝露於反應性電漿PL2中，藉此蝕刻 犧牲層21至終點時間Te為止。此外，在將犧牲層21 触刻後，將基板11整體曝露於氫電漿中，藉此對儲存 層15的儲存面15a及非磁性層16的非磁性面i6a施行 還原處理。對於反應性電漿PL2的蝕刻氣體係使用c4F8 與Ar的混合氣體或CF4與Ar的混合氣體。對於作為電 漿源的天線線圈係供給800W的高頻電力，對於作為自 偏壓電壓之供給源的基板電極係供給100W的偏壓用高 頻電力。腔室壓力係設定為〇.5Pa。 藉由如上所述之RIE條件，可避免儲存層15過度 钱刻。結果’在基板11表面獲得具有與儲存面15a相同 水平面的平坦的非磁性面l6a。於該狀態下量測基板U 表面（儲存面15a及非磁性面i6a)的最大段差。實施 例2的最大段差為lnm以下，可以奈米級充分控制磁碟 10及磁頭之間的距離。 最後，在基板11表面（儲存面15a及非磁性面16a) 層積保護層17及潤滑層18,獲得具有高平坦性的磁碟 10 ° 上述各實施態樣之磁碟1〇之製造方法係具有以下 優點。 17 1363337 在储方法，使用阻劑光以 =^ Λ ί儲存層15的料（凹部Η的深度）大 將1^光罩R及形成在阻劑光罩 R上=魏層16自儲存層15之儲存面 且，=开擇性地僅於凹Μ形成非磁性層16。而 且可使形成在凹部Η内部之韭讲从a ^ 部Η的深度大致相同。社』之；：性層16的膜厚與凹 存面…及非磁性層16的:磁將二存層15的错 平面的平坦面，因此可使 a /成具有均勻水 REi比 ϋ w文嵫磲1〇的表面18a更為平坦。 因此，可提升磁性儲存媒體的平坦性。 ⑺根據第-實施態樣之製造料，在具有凹部r ί凹；1Η整:二于使用非磁性材料的異向性濺鍍，藉此 在凹。卩Η的内部及阻劑光罩R的上 =内因此，可使其有異向性的麵粒子則朝向凹部& 磁性^度方向）人射。因此，可形成更為平坦的非 (3)根據第二實施態樣之製造方法， 剝離後，睛_ 15之儲存面15a^=HR =性面i6a雙方施行採用非磁性材料的等向性曰麟。 儲f面…及非磁性面⑹的上側形成用以補 ^貝儲存面15a及非磁性面16a之段差的犧牲層21。亦 即，在基板11表面形成平坦的犧牲面21a。 牲層jl曝露在具有一致之蝕刻速度的反應性電漿 pL2’藉此蝕刻犧牲層21至露出儲存層15之儲存面 為止。
1S 1363337 面形成Hί存面⑸的表面及非磁性面16a的表 犧牲面21a。接著，藉由均勻地蝕 露出儲存面…為止’可形成更為平坦的 磁性面恤。因此’可避免儲存面15a 進根實絲樣之製造方法，在將犧牲層η 接ί ΐ二進行檢測具有特定波長之光的發光強度。 1st’有檢測波長之光的發光強度到達藉由儲存層 的餘刻所得之光的發光強度時，使犧牲層21的银刻 因，’當露出儲存層15時，可使犧牲層。的姓 j〜束。猎此，可避免儲存層15過度蝕刻。因此，可 耗升磁碟10的平坦性，而可使其磁性特性穩定。 形態此外’上述各實施形態之製造方㈣可變更為以下 •在上述各實施形態中，例如，如第十二圖 ， 2可將阻劑光罩R的側壁形成為錐狀，而使阻 ；R =口擴大。藉此可將入射至凹部η之周緣的賤錢粒子 的入射角擴大。因此，可使非磁性材料於凹部 =緣的沉積速度增加。因此’即使在非磁性面16 = =面圓弧狀時（第十二圖的二點鏈線），亦可使 = 面！6a之形成更為平坦（第十二圖之實線）。 ^ •於上述各實施態樣中，例如，'如第十三 亦可將阻劑光罩R的側壁形成在逆錐部 ° 不 罩R之底部間的間隔擴大。藉此，非磁性材劑光 =由凹部Η的内部予以逆賤鍍，附著於阻劑光= 。側壁。因此可抑制因逆賤鍍所引起之 化。因此’當非磁性面16a呈現剖面皿狀 $的^ 19 1363337 的二點鏈線），亦可使非磁性面16a之形成更為平坦（第 十三圖的實線）。 •在上述各實施形態中，例如，亦可以阻劑光罩R 為光罩，將儲存層15及配向層14之雙方進行蝕刻。亦 即，亦可以軟磁性層13構成凹部Η的底面。 •在上述第一實施態樣中，在靶材與基板之間的距 離大於靶材直徑之條件下，異向性濺鍍的壓力條件並不 限定為7xl(T3Pa，只要是lxH^Pa以下即可。 【圖式簡單說明】 第一圖係為顯示本發明之磁性儲存媒體之概略剖 面圖。 第二圖係為顯示第一實施態樣之磁性儲存媒體之 製造方法中之磁性層形成步驟的概略剖面圖。 第三圖係為顯示第一實施態樣之磁性儲存媒體之 製造方法令之光罩形成步驟及凹部形成步驟的概略剖 面圖。 第四圖係為顯示第一實施態樣之磁性儲存媒體之 製造方法中之非磁性層形成步驟的概略剖面圖。 第五圖係為顯示第一實施態樣之磁性儲存媒體之 製造方法中之阻劑剝離步驟的概略剖面圖。 第六圖係為顯示第二實施態樣之磁性儲存媒體之 製造方法中之磁性層形成步驟的概略剖面圖。 第七圖係為顯示第二實施態樣之磁性儲存媒體之 製造方法中之阻劑剝離步驟的概略剖面圖。 第八圖係為顯示第二實施態樣之磁性儲存媒體之 製造方法中之犠牲層形成步驟的概略剖面圖。 20 1363337 第九圖係為顯示第二實施態樣之磁性儲存媒體之 製造方法中之犠牲層去除步驟的概略剖面圖。 第十圖係為顯示藉由磁性層的蝕刻所得之光的發 光強度光譜及藉由犠牲層的蝕刻所得之光的發光強度 光譜的概略圖。 第十一圖係為顯示於犠牲層去除步驟中之325nm 與375nm之光之發光強度的經時變化概略圖。 第十二圖係為顯示變更例之磁性儲存媒體之製造 方法的概略剖面圖。 第十三圖係顯示其他變更例之磁性儲存媒體之製 造方法的概略剖面圖。 【主要元件符號說明】 10 磁碟 18a 潤滑層18的表面 11 基板 21 犧牲層 12 底層 21a 犧牲面 13 軟磁性層 Η 凹部 14 配向層 PL1 反應性電漿 15 儲存層 PL2 反應性電漿 15a 儲存面 R 阻劑光罩 16 非磁性層 SP1 藏鍵粒子 16a 非磁性面 SP2 濺鍍粒子 17 保護層 SP3 濺鍍粒子 18 潤滑層 21