JP2008107767A - 光学フィルムおよび位相差板、並びに液晶化合物 - Google Patents

Abstract

【課題】簡便な製造工程で作製可能な、複屈折の逆波長分散性を有する光学フィルム、及び当該光学フィルムからなる位相差板を提供する。
【解決手段】低分子化合物を少なくとも１種類以上含有する、配向処理がなされた光学フィルムであって、配向方向に対して複屈折Δｎ（５５０ｎｍ）が０より大きく、且つ、下記数式（１）及び（２）を満たす、前記フィルム。
数式（１） ０．５＜Δｎ（４５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＜１．０
数式（２） １．０５＜Δｎ（６３０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＜１．５
【選択図】なし

Description

本発明は、フィルムに添加するとフィルムに逆波長分散性を付与することができる新規化合物に関する。また、本発明は、当該化合物を含有する光学フィルムに関する。また、本発明は、広帯域λ／４板のような複屈折の逆波長分散性を有する位相差板に関する。さらに本発明は、当該位相差板を用いた偏光板および液晶表示装置に関する。

液晶表示装置に用いられる位相差板は、各種表示モードのカラーＴＦＴ液晶表示装置等において広視野角での高コントラスト比と色シフトとを改善する目的で広く使用されている。この位相差板の種類には、直線偏光を円偏光に変換する１／４波長板（以下、「λ／４板」と略す）、および直線偏光の偏光振動面を９０°変換する１／２波長板（以下、「λ／２板」と略す）等がある。しかし、従来の位相差板は、単色光に対しては、光線波長のλ／４またはλ／２の位相差に調整可能であるが、可視光域の光線が混在している合成波である白色光に対しては、各波長での偏光状態に分布が生じ、有色の偏光に変換されるという問題がある。これは、位相差板を構成する材料が、位相差について波長分散性を有することに起因する。

この様な問題を解決するため、広い波長域の光に対して均一な位相差を与え得る広帯域位相差板が種々検討されている。例えば、複屈折光の位相差が１／４波長である１／４波長板と、複屈折光の位相差が１／２波長である１／２波長板とを、それぞれの光軸が交差した状態で貼り合わせた位相差板が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、光学的位相差値が１６０〜３２０ｎｍである位相差板を少なくとも２枚、それぞれの遅相軸が互いに平行でも直交でもない角度で積層してなる位相差板が開示されている（例えば、特許文献２参照）。

しかしながら、上記の位相差板を製造するには、二枚の高分子フィルムの光学的向き（光軸や遅相軸）を調節するという煩雑な工程が必要になる。高分子フィルムの光学的向きは、一般にシート状あるいはロール状フィルムの縦方向または横方向に相当する。シートあるいはロールの斜め方向に光軸や遅相軸を有する高分子フィルムは、大量に工業的に生産するのが困難である。さらに、二つの高分子フィルムの光学的向きを平行でも直交でもない角度に設定する必要がある。従って、これらの位相差板を製造するためには、二種類の高分子フィルムを所定の角度にカットしてチップを得、このチップを貼り合わせる工程を経て製造しなければならない。チップの貼り合わせ工程等は、操作が煩雑であり、軸ズレによる品質低下が起きやすく、歩留まりが低くなり、コストが増大し、汚染による劣化も起きやすい。また、高分子フィルムの光学的位相差値を厳密に調節することも困難であり、品質の低下等がより起きやすい。

このような問題を解決するために、位相差板を積層しない、一枚の位相差板での広帯域λ／４板の作製方法が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
この方法は、正の屈折率異方性を有する高分子のモノマー単位と負の複屈折性を有するモノマー単位を共重合させた高分子フィルムを用い一軸延伸によって作製するものである。この延伸した高分子フィルムは逆波長分散性を有するために、一枚の位相差フィルムで広帯域λ／４板を作製することができ、上記のような問題点を解決できるが、得られる位相差値の範囲が狭いため何層もフィルムを積層しなければ十分な光学特性が得られない。その結果、偏光板が分厚く、重くなる。また、フィルムを積層する工程で光軸ズレの発生や異物混入等の発生を防止する必要があり、製造が煩雑であるという問題もある。

また、特許文献４ではセルロースアシレートフィルムの上層に重合性液晶化合物を塗布、乾燥、重合し、この硬化膜を剥離後セルロースアシレートフィルムのみを１５０℃にて２０％延伸することで逆波長分散フィルムが作製されている。この方法においても、製造が煩雑であるという問題を解消できない。

特開平１０−６８８１６号公報 特開平１０−９０５２１号公報 国際公開第００／２６７５号パンフレット 特開２００５−２４２２９３号公報

上記問題点に鑑み本発明の目的は、新規な化合物を提供し、それにより簡便な製造工程で作製可能な、広帯域λ／４板のような複屈折の逆波長分散性を有する位相差板を提供することにある。またこの新規な化合物を用いた液晶組成物、位相差板、楕円偏光板を提供することにある。

上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、ある特定の材料を特定フィルムに添加し延伸するだけで、該特定フィルムにおける波長分散を逆分散とすることが可能であることを見いだし本発明を完成するに至った。

本発明の目的は、下記手段により達成された。
［１］低分子化合物を少なくとも１種類以上含有する、配向処理がなされた光学フィルムであって、配向方向に対して複屈折Δｎ（５５０ｎｍ）が０より大きく、且つ、下記数式（１）及び（２）を満たすことを特徴とする、前記フィルム。
数式（１） ０．５＜Δｎ（４５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＜１．０
数式（２） １．０５＜Δｎ（６３０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＜１．５
［２］前記低分子化合物の分子量が１００〜１５００であることを特徴とする、［１］項に記載の光学フィルム。
［３］前記低分子化合物がフィルム質量に対して０．１〜５０質量％含まれることを特徴とする、［１］または［２］項に記載の光学フィルム。
［４］下記数式（１’）及び（２’）を満たすことを特徴とする、［１］〜［３］のいずれか１項に記載の光学フィルム。
数式（１’） ０．７＜Δｎ（４５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＜０．９
数式（２’） １．０５＜Δｎ（６３０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＜１．２５

［５］前記低分子化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする、［１］〜［４］のいずれか１項に記載の光学フィルム。

（式中、Ｌ₁およびＬ₂は各々独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａ₁およびＡ₂は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂、およびＲ₃は各々独立に置換基を表す。Ｘは第１４〜１６族の非金属原子を表す（ただし、Ｘには水素原子又は置換基が結合してもよい。）。ｎは０から２までの整数を表す。）
［６］前記低分子化合物が、下記一般式（II）で表される化合物であることを特徴とする、［１］〜［５］のいずれか１項に記載の光学フィルム。

（式中、Ｌ₁およびＬ₂は各々独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａ₁およびＡ₂は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄およびＲ₅は各々独立に置換基を表す。ｎは０から２までの整数を表す。）
［７］前記一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物が液晶性を示す化合物である［５］または［６］項記載の光学フィルム。
［８］前記Ｒ₂およびＲ₃が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゾイルオキシ基を４位に有するベンゼン環、置換もしくは無置換のシクロヘキシル基を４位に有するベンゼン環、置換もしくは無置換のベンゼン環を４位に有するシクロヘキサン環、または、置換もしくは無置換のシクロヘキシル基を４位に有するシクロへキサン環である［５］〜［７］のいずれか１項に記載の光学フィルム。
［９］セルロース化合物を主成分とする高分子組成物から形成されることを特徴とする、［１］〜［８］のいずれか１項に記載の光学フィルム。
［１０］前記セルロース化合物がセルロースアシレートであることを特徴とする、［９］項に記載の光学フィルム。

［１１］［１］〜［１０］のいずれか１項に記載の光学フィルムからなる位相差板。
［１２］［１１］項に記載の位相差板を含む、偏光板。
［１３］［１１］項に記載の位相差板または［１２］項に記載の偏光板を含む、液晶表示装置。
［１４］下記一般式（II）で表される化合物。

（式中、Ｌ₁およびＬ₂は各々独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａ₁およびＡ₂は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄およびＲ₅は各々独立に置換基を表す。ｎは０から２までの整数を表す。）
［１５］液晶性を示す化合物である［１４］項記載の化合物。
［１６］前記Ｒ₂およびＲ₃が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゾイルオキシ基を４位に有するベンゼン環、置換もしくは無置換のシクロヘキシル基を４位に有するベンゼン環、置換もしくは無置換のベンゼン環を４位に有するシクロヘキサン環、または、置換もしくは無置換のシクロヘキシル基を４位に有するシクロへキサン環である［１４］または［１５］項記載の化合物。
［１７］［１４］〜［１６］のいずれか１項に記載の化合物を含む、液晶組成物。

なお、上記において、Δｎ（４５０ｎｍ）、Δｎ（５５０ｎｍ）およびΔｎ（６３０ｎｍ）はそれぞれ、４５０ｎｍ、５５０ｎｍおよび６３０ｎｍにおけるフィルムの複屈折率を意味する。

本発明の化合物は、フィルムに添加するとフィルムに逆波長分散性を付与することができる。また、当該化合物を含有する本発明の光学フィルムは逆波長分散性を有し、当該光学フィルムからなる位相差板はλ／４板として有用であり、液晶表示装置に好ましく適用することができる。

以下、本発明について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。

［低分子化合物（一般式（Ｉ）又は（II）で表される化合物）］
高分子組成物を延伸等の配向処理を行ったフィルムにおいて、配向方向に対して複屈折Δｎ（５５０ｎｍ）が正でありかつ特定波長における複屈折Δｎが数式
数式（１） ０．５＜Δｎ（４５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＜１．０
数式（２） １．０５＜Δｎ（６３０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＜１．５
のようなΔｎの波長分散性を発現させるためには、配向方向（以下、ＴＤ方向と示す）とそれに直交する方向（以下、ＭＤ方向と示す）における吸収波長と遷移モーメントの方向を上手く配置する必要がある。ここで、青（４５０ｎｍ）、緑（５５０ｎｍ）、赤（６３０ｎｍ）であり、視野角特性向上のためにはそれぞれの波長における最適レターデーションに合わせる必要がある。本発明では、最も重要な緑（５５０ｎｍ）に対して正の複屈折性を与えた場合の好適な青（４５０ｎｍ）、赤（６３０ｎｍ）の範囲が前記の数式（１）及び（２）の範囲となる。Δｎ（４５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）の値が小さすぎると最適な緑に対しての最適な青のレターデーションが大きくなってしまうため、視野角特性が悪くなり、逆に、大きすぎると最適な緑に対しての最適な青のレターデーションが小さくなってしまうため、視野角特性が悪くなる。また、Δｎ（６３０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）の値が小さすぎると最適な緑に対しての最適な赤のレターデーションが小さくなってしまうため、視野角特性が悪くなり、逆に、大きすぎると最適な緑に対しての最適な赤のレターデーションが大きくなってしまうため、視野角特性が悪くなる。また、Δｎ（４５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）およびΔｎ（６３０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）は、下記数式（１’）及び（２’）の範囲となることが好ましい。
数式（１’） ０．７＜Δｎ（４５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＜０．９
数式（２’） １．０５＜Δｎ（６３０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＜１．２５

ΔｎはＴＤ方向の屈折率からＭＤ方向の屈折率を差し引いた値であるため、ＴＤ方向の屈折率の波長分散性よりも、ＭＤ方向の波長分散性が、より右肩下がり（左を短波長側、右を長波長側とおいたときのΔｎの傾き）であれば、その差し引いた値は、
数式（３）：１＞｜Δｎ（４５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）｜、および
数式（４）：１＜｜Δｎ（６３０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）｜
を満足する。屈折率の波長分散性は、Ｌｏｒｅｎｔｚ−Ｌｏｒｅｎｚの式で表されているように、物質の吸収に密接な関係にあるため、ＭＤ方向の波長分散性をより右肩下がりにするためには、ＴＤ方向に比較してＭＤ方向の吸収遷移波長をより長波化できれば、数式（３）及び（４）を満たすフィルムを設計することができる。例えば延伸処理を行ったポリマー材料では、ＭＤ方向は分子の鎖に直交方向である。そのような高分子幅方向の吸収遷移波長を長波化することは高分子材料としては非常に困難である。

本発明では、高分子材料に対して低分子化合物を添加し配向することで、低分子化合物の吸収遷移波長が高分子幅方向（ＭＤ方向）に長波であれば、数式（３）及び（４）を満たすフィルムを設計することができる。
低分子化合物の屈折率の大きさがＭＤ方向に比べてＴＤ方向に大きければ、フィルムとしてＴＤ方向に対して複屈折Δｎ（５５０ｎｍ）が正であることに問題がないが、逆に低分子化合物の屈折率の大きさがＴＤ方向に比べてＭＤ方向に大きくても高分子材料の屈折率がＴＤ方向に大きく、フィルムとして複屈折Δｎ（５５０ｎｍ）が正であれば問題ない。

Δｎについては、例えば液晶便覧（２０００年、丸善株式会社）２０１頁に詳細な説明がある。このΔｎは一般的には温度依存性を示す。本発明においてΔｎの測定温度は任意であるが、好ましくはフィルム状態でのΔｎは−２０℃から１２０℃の範囲の一定の温度で行われる。

本発明に用いられる低分子化合物の分子量は１００〜１５００であることが好ましい。
本発明では、前記低分子化合物として、下記一般式（Ｉ）で表される化合物が好ましく、下記一般式（II）で表される化合物がより好ましい。

（式中、Ｌ₁およびＬ₂は各々独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａ₁およびＡ₂は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂、およびＲ₃は各々独立に置換基を表す。Ｘは第１４〜１６族の非金属原子を表す（ただし、Ｘには水素原子又は置換基が結合してもよい。）。ｎは０から２までの整数を表す。）

（一般式（II）中、Ｌ₁およびＬ₂は各々独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａ₁およびＡ₂は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄およびＲ₅は各々独立に置換基を表す。ｎは０から２までの整数を表す。）

一般式（Ｉ）又は（II）において、Ｌ₁およびＬ₂が表す二価の連結基としては、好ましくは下記の例が挙げられる。

さらに好ましくは−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−である。

一般式（Ｉ）又は（II）において、Ｒ₁は置換基であり、複数存在する場合は同じでも異なっていてもよく、環を形成しても良い。置換基の例としては下記のものが適用できる。

ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル基）、

アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル基）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル基）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基）、

アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５または６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）、

シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）、

アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基）、

スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）、

スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル基）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）、アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）、

アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイルベンゾイル基）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）、

アリールおよびヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換または無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基）を表わす。

上記の置換基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。

Ｒ₁は好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、シアノ基、アミノ基であり、さらに好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基である。

Ｒ₂、Ｒ₃は各々独立に置換基を表す。例としては上記Ｒ₁の例があげられる。本発明の効果を得る上で、光学フィルムとした際の本発明に係る低分子が、より高い配向秩序度により配向することが好ましい。本発明に係る低分子が、一般式（Ｉ）または一般式（ＩＩ）で表される化合物である場合、Ｒ₂およびＲ₃が配向秩序に、より大きな影響を及ぼす。配向秩序度を高くするためには、一般式（Ｉ）または一般式（ＩＩ）で表される化合物は液晶性を示すことが好ましい。更に、配向秩序度を高くするという観点から、Ｒ₂およびＲ₃は、好ましくはそれぞれ独立に置換もしくは無置換のベンゼン環、置換もしくは無置換のシクロヘキサン環である。より好ましくは置換基を有するベンゼン環、置換基を有するシクロヘキサン環であり、さらに好ましくは４位に置換基を有するベンゼン環、４位に置換基を有するシクロヘキサン環である。さらに好ましくは置換もしくは無置換のベンゾイルオキシ基を４位に有するベンゼン環、置換もしくは無置換のシクロヘキシル基を４位に有するベンゼン環、置換もしくは無置換のベンゼン環を４位に有するシクロヘキサン環、または、置換もしくは無置換のシクロヘキシル基を４位に有するシクロへキサン環であり、中でも、置換もしくは無置換のシクロヘキシル基を４位に有するシクロへキサン環を好適に挙げることができる。また、さらに好ましくは４位に置換基を有するベンゾイルオキシ基を４位に有するベンゼン環、４位に置換基を有するシクロヘキシル基を４位に有するベンゼン環、４位に置換基を有するベンゼン環を４位に有するシクロヘキサン環、４位に置換基を有するシクロヘキシル基を４位に有するシクロへキサン環である。最も好ましくは、４位に置換基を有するシクロヘキシル基を４位に有するシクロへキサン環であり、４位に置換基を有するシクロへシル基の置換基としては、特に制限されるものではないが、アルキル基を好適に挙げることができる。

また、４位に置換基を有するシクロヘキサン環にはシス体およびトランス体の立体異性体が存在するが、本発明においては限定されず、両者の混合物でも良い。好ましくはトランス-シクロヘキサン環である。

Ｒ₄、Ｒ₅は各々独立に置換基を表す。例としては上記Ｒ₁の例があげられる。好ましくは、ハメットの置換基定数σ_p値が０より大きい電子吸引性の置換基であることが好ましく、σ_p値が０〜１．５の電子吸引性の置換基を有していることがさらに好ましい。このような置換基としてはトリフルオロメチル基、シアノ基、カルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。また、Ｒ₄とＲ₅とが結合して環を形成してもよい。
なお、ハメットの置換基定数のσ_p、σ_mに関しては、例えば、稲本直樹著「ハメット則−構造と反応性−」（丸善）、日本化学会編「新実験化学講座１４ 有機化合物の合成と反応Ｖ」２６０５頁（丸善）、仲谷忠雄著「理論有機化学解説」２１７頁（東京化学同人）、ケミカル レビュー，９１巻，１６５〜１９５頁（１９９１年）等の成書に詳しく解説されている。

Ａ₁およびＡ₂は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子または置換基）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。好ましくは−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは置換基を表し、例としては上記Ｒ₁の例が挙げられる。）または−Ｓ−である。

Ｘは第１４〜１６族の非金属原子を表す。ただし、Ｘには水素原子又は置換基が結合してもよい。Ｘは＝Ｏ、＝Ｓ、＝ＮＲ’、＝Ｃ(Ｒ’)Ｒ’が好ましい（ここでＲ’は置換基を表し、例としては上記Ｒ₁の例が挙げられる。）。
ｎは０〜２の整数を表し、好ましくは０又は１である。

以下に、一般式（Ｉ）又は（II）で表される化合物の具体例を示すが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。下記化合物に関しては、指定のない限り括弧（ ）内の数字にて例示化合物（Ｘ）と示す。

一般式（Ｉ）又は（II）で表される化合物の合成は、既知の方法を参照して行うことができる。例えば、例示化合物（１）は、下記スキームに従って合成することができる。

前記スキーム中、化合物（１−Ａ）から化合物（１−Ｄ）までの合成は、“Journal of Chemical Crystallography”(1997)；27(9)；p.515-526．に記載の方法を参照して行うことができる。
さらに、前記スキームに示したように、化合物（１−Ｅ）のテトラヒドロフラン溶液に、メタンスルホン酸クロライドを加え、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミンを滴下し攪拌した後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミンを加え、化合物（１−Ｄ）のテトラヒドロフラン溶液を滴下し、その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）のテトラヒドロフラン溶液を滴下することで、例示化合物（１）を得ることができる。

一般式（Ｉ）又は（II）で表される化合物は、光学フィルム用のレターデーション制御剤（特に、レターデーション上昇および波長分散制御剤）としての役割を果たす。特に延伸によるＲｅ発現性および波長分散に優れたフィルムを得るためのレターデーション制御剤として好適な役割を果たす。

また、一般式（Ｉ）又は（II）で表される化合物は、液晶性を発現する化合物としても用いることができ、当該化合物を含有する液晶組成物を構成することができる。液晶組成物における前記一般式（Ｉ）又は（II）で表される化合物の含有量は、要求される逆波長分散性の必要度合いによって適宜決定される。

［高分子組成物］
前記の一般式（Ｉ）又は（II）で表される化合物は、高分子組成物に含有されることが好ましい。当該高分子組成物は、通常用いられる重合体であれば特に制限はない。例えば、エステル、カーボネート、オレフィン、アセチレン、シクロオレフィン、ノルボルネンなどからなる高分子組成物またはセルロース化合物が挙げられる。高分子組成物はセルロース化合物を主成分とすることが好ましい。
ここで、「主成分とする」とは、セルロース化合物を、高分子組成物全体に対して好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７５質量％以上含有することをいう。
また、本発明において、「セルロース化合物」とは、例えば、セルロースを基本構造とする化合物であって、セルロースを原料として生物的あるいは化学的に官能基を導入して得られるセルロース骨格を有する化合物を含むものをいう。セルロース化合物として好ましいものはセルロースエステルであり、より好ましくはセルロースアシレート（セルローストリアシレート、セルロースアシレートプロピオネート等が挙げられる。）である。また、本発明においては異なる２種類以上のセルロース化合物を混合して用いてもよい。

本発明の好ましい組成物は、一般式（Ｉ）又は（II）で表される化合物を少なくとも１種と、セルロース化合物とを含む組成物である。
本発明における、一般式（Ｉ）又は（II）で表される化合物の含有量は、セルロース化合物に対して０．１〜５０質量部であることが好ましく、０．１〜３０質量部であることがより好ましく、０．５〜３０質量部であることがさらに好ましく、１〜３０質量部であることが最も好ましい。
本発明に用いられるセルロース化合物は、好ましくはセルロースアシレートである。
以下、セルロースアシレートを例にして、本発明の好ましい態様を説明する。

＜セルロースアシレート原料綿＞
本発明に用いられるセルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ、針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えば「プラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂」（丸澤・宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）や発明協会公開技報２００１−１７４５（７〜８頁）に記載のセルロースを用いることができ、本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

前記の特定のセルロースアシレートは、セルロースの水酸基をアセチル基及び炭素原子数が３以上のアシル基で置換して得られたセルロースの混合脂肪酸エステルであって、セルロースの水酸基への置換度が下記数式（５）及び数式（６）を満足するセルロースアシレートであることが好ましい。
数式（５）：２．０≦Ａ＋Ｂ≦３．０
数式（６）：０＜Ｂ
上記式中Ａは、セルロースの水酸基に置換されているアセチル基の置換度を表し、Ｂはセルロースの水酸基に置換されている炭素原子数３以上のアシル基の置換度を表す。

セルロースを構成するβ−１，４結合しているグルコース単位は、２位、３位及び６位に遊離の水酸基を有している。セルロースアシレートは、これらの水酸基の一部又は全部を、アシル基によってエステル化した重合体（ポリマー）である。アシル置換度は、２位、３位及び６位のそれぞれについて、セルロースがエステル化している割合（１００％のエステル化は置換度１）を意味する。

＜セルロースアシレートの重合度＞
本発明におけるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度で１８０〜７００であることが好ましく、セルロースアセテートにおいては、１８０〜５５０がより好ましく、１８０〜４００がさらに好ましく、１８０〜３５０が特に好ましい。重合度を７００以下とすることにより、セルロースアシレートのドープ溶液の粘度が高くなり過ぎず、流延によるフィルム製造が容易になる傾向にある。また、重合度を１８０以上とすることにより、作製したフィルムの強度がより向上する傾向にあり好ましい。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫・斉藤秀夫著、「繊維学会誌」、第１８巻、第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。具体的には、特開平９−９５５３８号公報に記載の方法に従って測定することができる。
また、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィによって評価され、その多分散性指数Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）が小さく、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがより好ましく、１．０〜１．６であることがさらに好ましい。

低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量部に対して０．５〜２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。セルロースアシレートフィルムの製造時に使用される際には、セルロースアシレートの含水率は２質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましく、０．７質量％以下であることがさらに好ましい。通常のセルロースアシレートは、２．５〜５質量％の割合で含水していることが知られている。このような場合、上記本発明において好ましい含水率にするため、セルロースアシレートを乾燥することが好ましい。乾燥方法は目的とする含水率とすることができる方法であれば特に限定されない。
また、本発明におけるセルロースアシレートの原料綿や合成方法としては、例えば、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、７頁〜１２頁、２００１年３月１５日発行、発明協会）に記載のものを好ましく採用できる。

＜セルロースアシレートへの添加剤＞
本発明のセルロースアシレート溶液には、上記一般式（Ｉ）又は（II）で表される化合物のほか、種々の添加剤（例えば、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤等）を加えることができる。また、一般式（Ｉ）又は（II）で表される化合物および他の添加剤の添加時期は、ドープ作製工程の何れにおいて添加してもよく、また、ドープ調製工程の最後に調製工程としてこれらの添加剤を添加してもよい。

これらの添加剤は、固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば、２０℃未満の紫外線吸収剤と２０℃以上の紫外線吸収剤を混合して用いたり、同様に可塑剤を混合して用いたりすることができる。具体的には、特開２００１−１５１９０１号公報に記載の方法を採用できる。

（紫外線吸収剤）
紫外線吸収剤としては、目的に応じ任意の種類のものを選択することができ、サリチル酸エステル系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、ベンゾエート系、シアノアクリレート系、ニッケル錯塩系等の吸収剤を用いることができ、好ましくはベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、サリチル酸エステル系である。

ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の例として、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−アセトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４，４’−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロキシ）プロポキシベンゾフェノン等を挙げることができる。

ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、２（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−５’−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール等を挙げることができる。

サリチル酸エステル系としては、フェニルサリシレート、ｐ−オクチルフェニルサリシレート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルサリシレート等を挙げることができる。

これら例示した紫外線吸収剤の中でも、特に２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４，４’−メトキシベンゾフェノン、２（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾールが特に好ましい。

紫外線吸収剤は、吸収波長の異なる複数の吸収剤を複合して用いることが、広い波長範囲で高い遮断効果を得ることができるので好ましい。液晶用紫外線吸収剤は、液晶の劣化防止の観点から、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れ、且つ、液晶表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものが好ましい。特に好ましい紫外線吸収剤は、上述のベンゾトリアゾール系化合物やベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物である。中でも、ベンゾトリアゾール系化合物は、セルロースエステルに対する不用な着色が少ないことから、好ましい。

また、紫外線吸収剤については、特開昭６０−２３５８５２号、特開平３−１９９２０１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号、同６−１１８２３３号、同６−１４８４３０号、同７−１１０５６号、同７−１１０５５号、同７−１１０５６号、同８−２９６１９号、同８−２３９５０９号、特開２０００−２０４１７３号の各公報に記載の化合物も用いることができる。

紫外線吸収剤の添加量は、セルロースアシレートに対し０．００１〜５質量％が好ましく、０．０１〜１質量％がより好ましい。添加量が０．００１質量％以上であれば添加効果が十分に発揮されうるので好ましく、添加量が５質量％以下であればフィルム表面への紫外線吸収剤のブリードアウトを抑制できるので好ましい。

また紫外線吸収剤は、セルロースアシレート溶解時に同時に添加してもよいし、溶解後のドープに添加してもよい。特にスタティックミキサ等を用い、流延直前にドープに紫外線吸収剤溶液を添加する形態が、分光吸収特性を容易に調整することができるので好ましい。

（劣化防止剤）
前記劣化防止剤は、セルローストリアセテート等が劣化、分解するのを防止するために添加してもよい。劣化防止剤としては、ブチルアミン、ヒンダードアミン化合物（特開平８−３２５５３７号公報）、グアニジン化合物（特開平５−２７１４７１号公報）、ベンゾトリアゾール系ＵＶ吸収剤（特開平６−２３５８１９号公報）、ベンゾフェノン系ＵＶ吸収剤（特開平６−１１８２３３号公報）などの化合物を用いることができる。

（可塑剤）
可塑剤としては、リン酸エステルおよび／またはカルボン酸エステルであることが好ましい。リン酸エステル系可塑剤としては、例えばトリフェニルホスフェート（ＴＰＰ）、トリクレジルホスフェート（ＴＣＰ）、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ビフェニルジフェニルホスフェート（ＢＤＰ）、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェート等が好ましい。また、カルボン酸エステル系可塑剤としては、例えばジメチルフタレート（ＤＭＰ）、ジエチルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジフェニルフタレート（ＤＰＰ）、ジエチルヘキシルフタレート（ＤＥＨＰ）、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴＥ）、Ｏ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴＢ）、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、トリアセチン、トリブチリン、ブチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等が好ましい。さらに、前記可塑剤が、（ジ）ペンタエリスリトールエステル類、グリセロールエステル類、ジグリセロールエステル類であることが好ましい。

（剥離促進剤）
剥離促進剤としては、クエン酸のエチルエステル類が好ましい例として挙げられる。
（赤外吸収剤）
赤外吸収剤としては、例えば特開２００１−１９４５２２号公報に記載のものが好ましい。

（染料）
本発明では、色相調整のための染料を添加してもよい。染料の含有量は、セルロースアシレートに対する質量割合で１０〜１０００ｐｐｍが好ましく、５０〜５００ｐｐｍがさらに好ましい。この様に染料を含有させることにより、セルロースアシレートフィルムのライトパイピングが減少でき、黄色味を改良することができる。これらの化合物は、セルロースアシレート溶液の調製の際に、セルロースアシレートや溶媒と共に添加してもよいし、溶液調製中や調製後に添加してもよい。またインライン添加する紫外線吸収剤液に添加してもよい。特開平５−３４８５８号公報に記載の染料を用いることができる。

（マット剤微粒子）
本発明のセルロースアシレートフィルムには、マット剤として微粒子を加えてもよい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子は、ケイ素を含むものが濁度が低くなる点でより好ましく、特に二酸化ケイ素が好ましい。二酸化ケイ素の微粒子は、１次平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフィルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットルが好ましく、１００〜２００ｇ／リットルがさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。

これらの微粒子は、通常平均粒子サイズが０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子サイズは０．２μｍ〜１．５μｍが好ましく、０．４μｍ〜１．２μｍがさらに好ましく、０．６μｍ〜１．１μｍが最も好ましい。１次／２次粒子サイズはフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒子サイズとした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子サイズとした。

二酸化ケイ素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上、いずれも商品名、日本アエロジル(株)製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上、いずれも商品名、日本アエロジル(株)製）の商品名で市販されており、使用することができる。

これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが、１次平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化ケイ素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。

本発明において２次平均粒子サイズの小さな粒子を有するセルロースアシレートフィルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作製し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレートドープ液と混合する方法がある。この方法は二酸化ケイ素微粒子の分散性がよく、二酸化ケイ素微粒子が更に再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行い、これを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、二酸化ケイ素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化ケイ素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％がより好ましく、１５〜２０質量％がさらに好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ²あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇが更に好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。

使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。

（化合物添加の比率）
本発明のセルロースアシレートフィルムにおいては、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシレート質量に対して５〜４５質量％であることが好ましい。より好ましくは１０〜４０質量％であり、さらに好ましくは１５〜３０質量％である。これらの化合物としては上述したように、光学異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤などである。さらに、分子量が２０００以下の化合物の総量が上記範囲内であることがより好ましい。これら化合物の総量を５質量％以上とすることにより、セルロースアシレート単体の性質が出にくくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しにくくなる。またこれら化合物の総量を４５質量％以下とすることにより、セルロースアシレートフィルム中に化合物が相溶する限界を超え、フィルム表面に析出してフィルムの白濁（フィルムからの泣き出し）が抑止される傾向にあり好ましい。

＜セルロースアシレート溶液の有機溶媒＞
本発明では、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造することが好ましく、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いて製造されることが好ましい。本発明の主溶媒として好ましく用いられる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、および炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。

以上、本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としてもよいし、例えば公開技法（公開技報２００１−１７４５、１２頁〜１６頁、２００１年発行、発明協会）に記載されているように、非塩素系溶媒を主溶媒としてもよい。

その他、本発明のセルロースアシレート溶液及びフィルムについての溶媒は、その溶解方法も含め以下の特許文献に開示されているものを、好ましい態様としてあげることができる。特開２０００−９５８７６号、特開平１２−９５８７７号、特開平１０−３２４７７４号、特開平８−１５２５１４号、特開平１０−３３０５３８号、特開平９−９５５３８号、特開平９−９５５５７号、特開平１０−２３５６６４号、特開平１２−６３５３４号、特開平１１−２１３７９号、特開平１０−１８２８５３号、特開平１０−２７８０５６号、特開平１０−２７９７０２号、特開平１０−３２３８５３号、特開平１０−２３７１８６号、特開平１１−６０８０７号、特開平１１−１５２３４２号、特開平１１−２９２９８８号、特開平１１−６０７５２号、特開平１１−６０７５２号の各公報。
これらの特許文献によると本発明のセルロースアシレートに好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、それらも、本発明においても好ましい態様である。

［光学フィルム］
次に、セルロースアシレート溶液を用いたフィルムの製造方法について述べる。本発明のセルロースアシレートフィルムを製造する方法及び設備は、従来セルローストリアセテートフィルム製造に供する溶液流延製膜方法及び溶液流延製膜装置を広く採用することができる。
＜セルロースアシレートフィルムの製造工程＞
（溶解工程）
セルロースアシレート溶液（ドープ）の調製は、その溶解方法は特に限定されず、室温でもよくさらには冷却溶解法または高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施される。本発明におけるセルロースアシレート溶液の調製、さらには溶解工程に伴う溶液濃縮、ろ過の各工程に関しては、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２２頁〜２５頁、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて詳細に記載されている製造工程が好ましく用いられる。

本発明におけるセルロースアシレート溶液のドープ透明度としては８５％以上であることが好ましく、８８％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。本発明においてはセルロースアシレートドープ溶液に各種の添加剤が十分に溶解していることを確認した。具体的なドープ透明度の算出方法としては、ドープ溶液を１ｃｍ角のガラスセルに注入し、分光光度計（ＵＶ−３１５０、商品名、島津製作所）で５５０ｎｍの吸光度を測定する。溶媒のみをあらかじめブランクとして測定しておき、ブランクの吸光度との比からセルロースアシレート溶液の透明度を算出する。

（流延、乾燥、巻き取り工程）
溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロースアシレート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば、回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて得られたフィルムを乾燥装置のロール群で機械的に搬送し乾燥を終了して巻き取り機でロール状に所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。本発明のセルロースアシレートフィルムの主な用途である、電子ディスプレイ用の光学部材である機能性保護膜やハロゲン化銀写真感光材料に用いる溶液流延製膜方法においては、溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフィルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらについては、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２５頁〜３０頁、２００１年３月１５日発行、発明協会）に詳細に記載されており、流延（共流延を含む）、金属支持体、乾燥、剥離などに分類され、本発明において好ましく用いることができる。

（延伸処理）
本発明に好ましく用いられるセルロースアシレートフィルムは、延伸処理によりレターデーション値を調整することが好ましい。特に、セルロースアシレートフィルムの面内レターデーション値を高い値とする場合には、積極的に幅方向に延伸する方法、例えば、特開昭６２−１１５０３５号、特開平４−１５２１２５号、特開平４−２８４２１１号、特開平４−２９８３１０号、及び特開平１１−４８２７１号の各公報などに記載されている、製造したフィルムを延伸する方法を用いることができる。

フィルムの延伸は、常温又は加熱条件下で実施する。加熱温度は、フィルムのガラス転移温度以下であることが好ましい。フィルムの延伸は、縦又は横だけの一軸延伸でもよく、同時又は逐次２軸延伸でもよい。フィルムは、１〜２００％の延伸を行うことが好ましく、１〜１００％の延伸を行うことがより好ましく、１〜５０％の延伸を行うことがさらに好ましい。

上記偏光板を斜めから見たときの光漏れの抑制のためには、偏光膜の透過軸とセルロースアシレートフィルムの面内の遅相軸を平行に配置する必要がある。連続的に製造されるロールフィルム状の偏光膜の透過軸は、一般的に、ロールフィルムの幅方向に平行であるので、前記ロールフィルム状の偏光膜とロールフィルム状のセルロースアシレートフィルムからなる保護膜を連続的に貼り合せるためには、ロールフィルム状の保護膜の面内遅相軸は、フィルムの幅方向に平行であることが必要となる。従って幅方向により多く延伸することが好ましい。また延伸処理は、製膜工程の途中で行ってもよいし、製膜して巻き取った原反を延伸処理してもよい。前者の場合には残留溶媒を含んだ状態で延伸を行ってもよく、残留溶媒量が２〜３０質量％で好ましく延伸することができる。

乾燥後得られる、本発明に好ましく用いられるセルロースアシレートフィルムの厚さは、使用目的によって異なり、５〜５００μｍの範囲であることが好ましく、２０〜３００μｍの範囲であることがより好ましく、３０〜１５０μｍの範囲であることがさらに好ましい。また、光学用、特にＶＡ液晶表示装置用としては、４０〜１１０μｍであることが好ましい。フィルム厚さの調整は、所望の厚さになるように、ドープ中に含まれる固形分濃度、ダイの口金のスリット間隙、ダイからの押し出し圧力、金属支持体速度等を調節すればよい。

以上のようにして得られた、セルロースアシレートフィルムの幅は０．５〜３ｍが好ましく、より好ましくは０．６〜２．５ｍ、さらに好ましくは０．８〜２．２ｍである。長さは、１ロール当たり１００〜１００００ｍで巻き取るのが好ましく、より好ましくは５００〜７０００ｍであり、さらに好ましくは１０００〜６０００ｍである。巻き取る際、少なくとも片端にナーリングを付与するのが好ましく、ナーリングの幅は３ｍｍ〜５０ｍｍが好ましく、より好ましくは５ｍｍ〜３０ｍｍ、高さは０．５〜５００μｍが好ましく、より好ましくは１〜２００μｍである。これは片押しであっても両押しであってもよい。

フィルムの幅方向のＲｅ（５９０）値のばらつきは、±５ｎｍであることが好ましく、±３ｎｍであることが更に好ましい。また幅方向のＲｔｈ（５９０）値のバラツキは±１０ｎｍが好ましく、±５ｎｍであることが更に好ましい。また、長さ方向のＲｅ値、及びＲｔｈ値のバラツキも、幅方向のバラツキの範囲内であることが好ましい。

＜セルロースアシレートフィルムの光学特性＞
（Ｒｅ、Ｒｔｈの測定）
本明細書において、Ｒｅ（λ）、Ｒｔｈ（λ）は、それぞれ波長λにおける面内のレターデーション及び厚さ方向のレターデーションを表す。Ｒｅ（λ）は“ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ”（商品名、王子計測機器(株)製）において、波長λｎｍの光をフィルムの法線方向に入射させて測定される。Ｒｔｈ（λ）は、前記Ｒｅ（λ）、面内の遅相軸（“ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ”により判断される）を傾斜軸（回転軸）として、フィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値、及び面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）として、フィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の、合計３つの方向で測定したレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基に“ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ”が算出する。
ここで平均屈折率の仮定値は「ポリマーハンドブック」（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。

Ｒｅ（λ）値、Ｒｔｈ（λ）値は、それぞれ、以下の数式（７）、（８）を満たすことが、液晶表示装置、特にＶＡモード、ＯＣＢモード液晶表示装置の視野角を広くするために好ましい。また特にセルロースアシレートフィルムが、偏光板の液晶セル側の保護膜に用いられる場合に好ましい。
数式（７）：０ｎｍ≦Ｒｅ（５９０）≦２００ｎｍ
数式（８）：０ｎｍ≦Ｒｔｈ（５９０）≦４００ｎｍ
（式中、Ｒｅ（５９０）、Ｒｔｈ（５９０）は、波長λ＝５９０ｎｍにおける値（単位：ｎｍ）である。）
さらに好ましくは、
数式（７−１）：３０ｎｍ≦Ｒｅ（５９０）≦１５０ｎｍ
数式（８−１）：３０ｎｍ≦Ｒｔｈ（５９０）≦３００ｎｍ

本発明に好ましく用いられるセルロースアシレートフィルムをＶＡモード、ＯＣＢモードに使用する場合、セルの両側に１枚ずつ合計２枚使用する形態（２枚型）と、セルの上下のいずれか一方の側にのみ使用する形態（１枚型）の２通りがある。
２枚型の場合、Ｒｅ（５９０）は２０〜１００ｎｍが好ましく、３０〜７０ｎｍがさらに好ましい。Ｒｔｈ（５９０）については７０〜３００ｎｍが好ましく、１００〜２００ｎｍがさらに好ましい。
１枚型の場合、Ｒｅ（５９０）は３０〜１５０ｎｍが好ましく、４０〜１００ｎｍがさらに好ましい。Ｒｔｈ（５９０）については１００〜３００ｎｍが好ましく、１５０〜２５０ｎｍがさらに好ましい。

＜フィルムの透湿度＞
本発明の光学補償シートに用いるセルロースアシレートフィルムの透湿度は、ＪＩＳ規格ＪＩＳ Ｚ ０２０８をもとに、温度６０℃、湿度９５％ＲＨ（相対湿度）の条件において測定し、膜厚８０μｍに換算して４００〜２０００ｇ／ｍ²・２４ｈであることが好ましい。５００〜１８００ｇ／ｍ²・２４ｈであることがより好ましく、６００〜１６００ｇ／ｍ²・２４ｈであることが特に好ましい。２０００ｇ／ｍ²・２４ｈ以下とすることにより、フィルムのＲｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超えにくくなり、好ましい。また、本発明のセルロースアシレートフィルムに光学異方性層を積層して光学補償フィルムとした場合も、Ｒｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超えにくくなり、好ましい。この光学補償シートや偏光板が液晶表示装置に組み込まれた場合、色味の変化や視野角の低下を引き起こしにくくなる。また、セルロースアシレートフィルムの透湿度を４００ｇ／ｍ²・２４ｈ以上とすることにより、偏光膜の両面などに貼り付けて偏光板を作製する場合に、セルロースアシレートフィルムによって接着剤が乾燥しにくくなり、接着不良を生じにくくできる。
セルロースアシレートフィルムの膜厚が厚ければ透湿度は小さくなり、膜厚が薄ければ透湿度は大きくなる傾向にある。そこで、本発明における透湿度は、膜厚を８０μｍに換算した値として述べている。膜厚の換算は、（８０μｍ換算の透湿度＝実測の透湿度×実測の膜厚μｍ／８０μｍ）として求める。
透湿度の測定法は、「高分子の物性ＩＩ」（高分子実験講座４，共立出版）の２８５頁〜２９４頁：蒸気透過量の測定（質量法、温度計法、蒸気圧法、吸着量法）に記載の方法を適用することができ、本発明のセルロースアシレートフィルム試料７０ｍｍφを２５℃、９０％ＲＨ及び６０℃、９５％ＲＨでそれぞれ２４時間調湿し、透湿試験装置（ＫＫ−７０９００７、商品名、東洋精機(株)）にて、ＪＩＳ Ｚ−０２０８に従って、単位面積あたりの水分量を算出（ｇ／ｍ²）し、透湿度＝調湿後質量−調湿前質量で求める。

＜フィルムの残留溶剤量＞
本発明では、セルロースアシレートフィルムに対する残留溶剤量が、０．０１〜１．５質量％の範囲となる条件で乾燥することが好ましい。より好ましくは０．０１〜１．０質量％である。本発明のセルロースアシレートフィルムを支持体に用いる場合、残留溶剤量を該範囲内とすることでカールをより抑制できる。これは、前述のソルベントキャスト方法による成膜時の残留溶剤量が少なくすることで自由体積が小さくなることが主要な効果要因になるためと思われる。

［フィルムの吸湿膨張係数］
本発明のセルロースアシレートフィルムの吸湿膨張係数は３０×１０^-5／％ＲＨ以下とすることが好ましく、１５×１０^-5／％ＲＨ以下とすることがより好ましく、１０×１０^-5／％ＲＨ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は特に定めるものではなく、吸湿膨張係数は小さい方が好ましい傾向にあるが、より好ましくは、１．０×１０^-5／％ＲＨ以上の値である。吸湿膨張係数は、一定温度下において相対湿度を変化させた時の試料の長さの変化量を示す。この吸湿膨張係数を調節することで、本発明のセルロースアシレートフィルムを光学補償フィルム支持体として用いた際、光学補償フィルムの光学補償機能を維持したまま、額縁状の透過率上昇すなわち歪みによる光漏れを防止することができる。

＜表面処理＞
セルロースアシレートフィルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロースアシレートフィルムと各機能層（例えば、下塗層およびバック層）との接着の向上を達成することができる。例えば、グロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０^-3〜２０Ｔｏｒｒ（０．１３３Ｐａ〜２．６７ｋＰａ）の低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、更にまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、３０頁〜３２頁、２００１年３月１５日発行、発明協会）に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。

＜アルカリ鹸化処理＞
アルカリ鹸化処理は、セルロースアシレートフィルムを鹸化液の槽に直接浸漬する方法、又は鹸化液をセルロースアシレートフィルムに塗布する方法により実施することが好ましい。塗布方法としては、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、バーコーティング法及びＥ型塗布法を挙げることができる。アルカリ鹸化処理塗布液の溶媒は、鹸化液をセルロースアシレートフィルムに対して塗布するために、濡れ性がよく、また鹸化液溶媒によってセルロースアシレートフィルム表面に凹凸を形成させずに、面状を良好なまま保つ溶媒を選択することが好ましい。具体的には、アルコール系溶媒が好ましく、イソプロピルアルコールが特に好ましい。また、界面活性剤の水溶液を溶媒として使用することもできる。アルカリ鹸化塗布液のアルカリは、上記溶媒に溶解するアルカリが好ましく、ＫＯＨ、ＮａＯＨがさらに好ましい。鹸化塗布液のｐＨは１０以上が好ましく、１２以上がさらに好ましい。アルカリ鹸化時の反応条件は、室温で１秒〜５分が好ましく、５秒〜５分がさらに好ましく、２０秒〜３分が特に好ましい。アルカリ鹸化反応後、鹸化液塗布面を水洗あるいは酸で洗浄したあと水洗することが好ましい。

＜機能層＞
本発明のセルロースフィルムは、その用途として光学用途と写真感光材料に適用される。特に光学用途が液晶表示装置であることが好ましく、液晶表示装置が、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光素子、および該液晶セルと該偏光素子との間に少なくとも一枚の光学補償シートを配置した構成であることがさらに好ましい。これらの液晶表示装置としては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＡＦＬＣ（Ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ Ｂｅｎｄ）、ＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）およびＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）が好ましい。
その際に前述の光学用途に本発明のセルロースフィルムを用いるに際し、各種の機能層を付与することが実施される。それらは、例えば、帯電防止層、硬化樹脂層（透明ハードコート層）、反射防止層、易接着層、防眩層、光学補償層、配向層、液晶層などである。本発明のセルロースフィルムを用いることができるこれらの機能層及びその材料としては、界面活性剤、滑り剤、マット剤、帯電防止層、ハードコート層などが挙げられ、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、３２頁〜４５頁、２００１年３月１５日発行、発明協会）に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。

［偏光板］
本発明のセルロースフィルムの用途について説明する。
本発明のセルロースフィルムは特に偏光板保護膜用として有用である。偏光板保護膜として用いる場合、偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたセルロースフィルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフィルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光膜の両面に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて貼り合わせる方法がある。アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号公報、特開平６−１１８２３２号公報に記載されているような易接着加工を施してもよい。
保護膜処理面と偏光膜を貼り合わせるのに使用される接着剤としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。
偏光板は偏光膜及びその両面を保護する保護膜で構成されており、更に該偏光板の一方の面にプロテクトフィルムを、反対面にセパレートフィルムを貼合して構成してもよい。プロテクトフィルム及びセパレートフィルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。この場合、プロテクトフィルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。又、セパレートフィルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶板へ貼合する面側に用いられる。
液晶表示装置には通常２枚の偏光板の間に液晶を含む基板が配置されているが、本発明のセルロースフィルムを適用した偏光板保護膜はどの部位に配置しても優れた表示性が得られる。特に液晶表示装置の表示側最表面の偏光板保護膜には透明ハードコート層、防眩層、反射防止層等が設けられるため、該偏光板保護膜をこの部分に用いることが特に好ましい。

［光学補償フィルム（位相差板）］
本発明のセルロースフィルムは、様々な用途で用いることができ、液晶表示装置の光学補償フィルムとして用いると特に効果がある。なお、光学補償フィルムとは、一般に液晶表示装置に用いられ、位相差を補償する光学材料のことを指し、位相差板、光学補償シートなどと同義である。光学補償フィルムは複屈折性を有し、液晶表示装置の表示画面の着色を取り除いたり、視野角特性を改善したりする目的で用いられる。

［液晶表示装置］
＜一般的な液晶表示装置の構成＞
セルロースフィルムを光学補償フィルムとして用いる場合は、偏光膜の透過軸と、セルロースフィルムからなる光学補償フィルムの遅相軸とをどのような角度で配置しても構わない。液晶表示装置は、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光膜、および該液晶セルと該偏光膜との間に少なくとも一枚の光学補償フィルムを配置した構成を有している。
液晶セルの液晶層は、通常は、二枚の基板の間にスペーサーを挟み込んで形成した空間に液晶を封入して形成する。透明電極層は、導電性物質を含む透明な膜として基板上に形成する。液晶セルには、さらにガスバリアー層、ハードコート層あるいは（透明電極層の接着に用いる）アンダーコート層（下塗り層）を設けてもよい。これらの層は、通常、基板上に設けられる。液晶セルの基板は、好ましくは５０μｍ〜２ｍｍの厚さを有する。

＜液晶表示装置の種類＞
本発明のセルロースフィルムは、様々な表示モードの液晶セルに用いることができる。具体的には、ＴＮ、ＩＰＳ、ＦＬＣ、ＡＦＬＣ、ＯＣＢ、ＳＴＮ、ＶＡ、ＥＣＢ、およびＨＡＮ等の表示モードが挙げられる。また、上記表示モードを配向分割した表示モードにおいても用いることができる。また、本発明のセルロースフィルムは、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表示装置においても好ましく用いることができる。

（ＴＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースフィルムを、ＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。ＴＮモードの液晶セルとＴＮ型液晶表示装置については、古くから良く知られている。ＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平３−９３２５号、特開平６−１４８４２９号、特開平８−５０２０６号、特開平９−２６５７２号の各公報の記載に従って作製することができる。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３６，（１９９７），ｐ．１４３や、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３６，（１９９７），ｐ．１０６８）の記載に従って作製することができる。

（ＳＴＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースフィルムを、ＳＴＮモードの液晶セルを有するＳＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。一般的にＳＴＮ型液晶表示装置では、液晶セル中の棒状液晶性分子が９０〜３６０度の範囲にねじられており、棒状液晶性分子の屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）との積（Δｎｄ）が３００〜１５００ｎｍの範囲にある。ＳＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開２０００−１０５３１６号公報の記載に従って作製することができる。

（ＶＡ型液晶表示装置）
本発明のセルロースフィルムは、ＶＡモードの液晶セルを有するＶＡ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として特に有利に用いられる。ＶＡ型液晶表示装置に用いる光学補償シートのＲｅ値を０〜１５０ｎｍとし、Ｒｔｈ値を７０〜４００ｎｍとすることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に二枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈ値は７０〜２５０ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に一枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈ値は１５０〜４００ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置は、例えば特開平１０−１２３５７６号公報に記載されているような配向分割された方式であってもよい。

（ＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置）
本発明のセルロースフィルムは、ＩＰＳモードおよびＥＣＢモードの液晶セルを有するＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体、または偏光板の保護膜としても有利に用いられる。これらのモードは黒表示時に液晶材料が略平行に配向する態様であり、電圧無印加状態で液晶分子を基板面に対して平行配向させて、黒表示する。これらの態様において本発明のセルロースフィルムを用いた偏光板は色味の改善、視野角拡大、コントラストの良化に寄与する。この態様においては、液晶セルの上下の前記偏光板の保護膜のうち、液晶セルと偏光板との間に配置された保護膜（セル側の保護膜）に本発明のセルロースフィルムを用いた偏光板を少なくとも片側一方に用いることが好ましい。更に好ましくは、偏光板の保護膜と液晶セルの間に光学異方性層を配置し、配置された光学異方性層のレターデーション値を、液晶層のΔｎ・ｄの値の２倍以下に設定するのが好ましい。

（ＯＣＢ型液晶表示装置およびＨＡＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースフィルムは、ＯＣＢモードの液晶セルを有するＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮモードの液晶セルを有するＨＡＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートには、レターデーション値の絶対値が最小となる方向が光学補償シートの面内にも法線方向にも存在しないことが好ましい。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートの光学的性質も、光学的異方性層の光学的性質、支持体の光学的性質および光学的異方性層と支持体との配置により決定される。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平９−１９７３９７号公報の記載に従って作製することができる。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３８，（１９９９），ｐ．２８３７）の記載に従って作製することができる。

（反射型液晶表示装置）
本発明のセルロースフィルムは、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＨＡＮ型、ＧＨ（Ｇｕｅｓｔ−Ｈｏｓｔ）型の反射型液晶表示装置の光学補償シートとしても有利に用いられる。これらの表示モードは古くから良く知られている。ＴＮ型反射型液晶表示装置については、特開平１０−１２３４７８号公報、国際公開ＷＯ９８／４８３２０号パンフレット、特許第３０２２４７７号公報の記載に従って作製することができる。反射型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、国際公開ＷＯ００／６５３８４号の記載に従って作製することができる。

（その他の液晶表示装置）
本発明のセルロースフィルムは、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ）モードの液晶セルを有するＡＳＭ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＡＳＭモードの液晶セルは、セルの厚さが位置調整可能な樹脂スペーサーにより維持されているとの特徴がある。その他の性質は、ＴＮモードの液晶セルと同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳＭ型液晶表示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）他の論文（Ｋｕｍｅ ｅｔ ａｌ．，ＳＩＤ ９８ Ｄｉｇｅｓｔ，（１９９８），ｐ．１０８９）の記載に従って作製することができる。

＜ハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルム＞
本発明のセルロースフィルムは、また、ハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルムに好ましく用いることができる。ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＣＲＴ、ＥＬ等のフラットパネルディスプレイの視認性を向上する目的で、本発明のセルロースフィルムの片面または両面にハードコート層、防眩層、反射防止層の何れかあるいは全てを付与することができる。このような防眩フィルム、反射防止フィルムとしての望ましい実施態様は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、５４頁〜５７頁、２００１年３月１５日発行、発明協会）に詳細に記載されており、本発明のセルロースフィルムを好ましく用いることができる。

＜写真フィルム支持体＞
さらに、本発明のセルロースフィルムは、ハロゲン化銀写真感光材料の支持体としても適用できる。具体的には、特開２０００−１０５４４５号公報にカラーネガティブに関する記載に従って、本発明のセルロースフィルムが好ましく用いられる。またカラー反転ハロゲン化銀写真感光材料の支持体としての適用も好ましく、特開平１１−２８２１１９号公報に記載されている各種の素材や処方さらには処理方法に従って、作製することができる。

＜透明基板＞
本発明のセルロースフィルムは、光学的異方性がゼロに近く、優れた透明性を持たせることもできることから、液晶表示装置の液晶セルガラス基板の代替、すなわち駆動液晶を封入する透明基板としても用いることができる。
液晶を封入する透明基板はガスバリアー性に優れる必要があることから、必要に応じて本発明のセルロースフィルムの表面にガスバリアー層を設けてもよい。ガスバリアー層の形態や材質は特に限定されないが、本発明のセルロースフィルムの少なくとも片面にＳｉＯ₂等を蒸着したり、塩化ビニリデン系ポリマーやビニルアルコール系ポリマーなど相対的にガスバリアー性の高いポリマーのコート層を設ける方法が考えられ、これらを適宜使用できる。
また液晶を封入する透明基板として用いるには、電圧印加によって液晶を駆動するための透明電極を設けてもよい。透明電極としては特に限定されないが、本発明のセルロースフィルムの少なくとも片面に、金属膜、金属酸化物膜などを積層することによって透明電極を設けることができる。中でも透明性、導電性、機械的特性の点から、金属酸化物膜が好ましく、なかでも酸化スズを主として酸化亜鉛を２〜１５質量％含む酸化インジウムの薄膜が好ましく使用できる。これら技術の詳細は例えば、特開２００１−１２５０７９号公報や特開２０００−２２７６０３号公報に記載の方法を用いることができる。

本発明のセルロースフィルムのＲｅ値とＲｔｈ値をそれぞれ好ましい範囲に制御するためには、使用する一般式（Ｉ）又は（II）で表される化合物（レターデーション制御剤）の種類および添加量、ならびにフィルムの延伸倍率を適宜調整することが好ましい。特に、本発明では、一般式（Ｉ）又は（II）で表される化合物の中から、所望のＲｔｈ値を達成し得るレターデーション制御剤を選択し、かつ、所望のＲｅ値が得られるように、該レターデーション制御剤の添加量およびフィルムの延伸倍率を適宜設定することにより、所望のＲｅ値およびＲｔｈ値を有するセルロースフィルムを得ることができる。

以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

実施例１
［例示化合物（１）の合成］
下記スキームに従い、例示化合物（１）を合成した。

化合物（１−Ａ）から化合物（１−Ｄ）までの合成は“Journal of Chemical Crystallography”(1997)；27(9)；p.515-526．に記載の方法で行った。

化合物（１−Ｅ）（Yantai valiant Fine Chem.製）１２．３４ｇ（４４ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍｌ溶液に、氷冷下にてメタンスルホン酸クロライド３．４ｍｌ（４４ｍｍｏｌ）を加え、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン８．０５ｍｌ（４６．２ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下した。１時間攪拌した後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン８．０５ｍｌ（４６．２ｍｍｏｌ）を加え、化合物（１−Ｄ）４．９７ｇのテトラヒドロフラン５０ｍｌ溶液を滴下した。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）０．０５ｇのテトラヒドロフラン２０ｍｌ溶液を滴下した。氷冷下にて１時間攪拌した後、室温まで昇温し、６時間攪拌した。酢酸エチルおよび水を加えて分液し、有機層を水、１Ｎ塩酸水、水の順に水洗した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。塩化メチレン／メタノール混合溶媒を溶離液とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製を行うことで、例示化合物（１）５．６ｇを得た（収率７２ｍｏｌ％）。

実施例２、３、４
［例示化合物（２）、（３）、（４）の合成］
合成例１における４−（トランス−４−ペンチルシクロへキシル）シクロヘキサンカルボン酸をそれぞれ４−（トランス−４−ブチルシクロへキシル）シクロヘキサンカルボン酸、４−（トランス−４−プロピルシクロへキシル）シクロヘキサンカルボン酸、４−（トランス−４−エチルシクロへキシル）シクロヘキサンカルボン酸に変更したこと以外は合成例１と同様にして例示化合物（２）、（３）、（４）を合成した。

実施例５
［例示化合物（１６）の合成］
下記スキームに従い、例示化合物（１６）を合成した。

化合物（１−Ａ）から化合物（１−Ｃ）までの合成は“Journal of Chemical Crystallography”(1997)；27(9)；p.515-526．に記載の方法で行った。

化合物（１−Ｃ）６２．７ｇ（０．２ｍｏｌ）のＮ−メチルピロリドン５００ｍｌ溶液に、シアノ酢酸イソプロピルエステル３０ｍｌ（０．２４ｍｏｌ）を加え、内温１２０度で５時間攪拌した。冷却した後、酢酸エチルおよび水を加えて分液し、有機層を水洗した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去し固化させた。固形物をアセトン／へキサン混合溶媒で分散させ、ろ過を行う作業を２度繰り返すことで、化合物（１６−Ｄ）５８．０ｇを得た（収率９３ｍｏｌ％）。

化合物（１６−Ｅ）（Yantai valiant Fine Chem．製）１０．４９ｇ（４４ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍｌ溶液に、氷冷下にてメタンスルホン酸クロライド３．４ｍｌ（４４ｍｍｏｌ）を加え、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン８．０５ｍｌ（４６．２ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下した。１時間攪拌した後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン８．０５ｍｌ（４６．２ｍｍｏｌ）を加え、化合物（１６−Ｄ）６．１９ｇ（２０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン５０ｍｌ溶液を滴下した。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）０．０５ｇのテトラヒドロフラン２０ｍｌ溶液を滴下した。氷冷下にて１時間攪拌した後、室温まで昇温し、６時間攪拌した。酢酸エチルおよび水を加えて分液し、有機層を水、１Ｎ塩酸水、水の順に水洗した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。塩化メチレン／メタノール混合溶媒を溶離液とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製を行うことで、例示化合物（１６）５．４ｇを得た（収率３６ｍｏｌ％）。

実施例６
［例示化合物（２０）の合成］
合成例５におけるシアノ酢酸イソプロピルエステルをシアノ酢酸３−メトキシブチルエステルに変更したこと以外は合成例５と同様にして例示化合物（２０）を合成した。

実施例７
［例示化合物（４９）の合成］
下記スキームに従い、例示化合物（４９）を合成した。

３−メトキシ−１−ブタノール２００ｇ（１．９２ｍｏｌ）の酢酸エチル溶液にトリエチルアミン１８５ｇ（１．８３ｍｏｌ）を加えた。反応系を２℃に冷却した後、メタンスルホン酸クロライド２０９ｇ（１．８３ｍｏｌ）を、反応系の温度を１５℃以下に保ちつつ滴下した。滴下終了後、１０℃以下で３０分攪拌した後、室温まで昇温し、３時間攪拌した。水を加えて分液し、有機層を水、１Ｎ塩酸水、水の順に水洗を行った。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去することで化合物（４９−Ａ）の粗製物２９２．２ｇを得た（収率８８ｍｏｌ％）。

パラヒドロキシ安息香酸メチル６０ｇ（０．３９４ｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１６００ｍｌ溶液に炭酸カリウム７０．８ｇ（０．５１２ｍｏｌ）を加え、化合物（４９−Ａ）８９ｇ（０．４８８ｍｏｌ）を加えた。反応系を１００℃まで昇温し、６時間攪拌した。反応終了後、系を冷却したところに水、酢酸エチル１Ｌを加え分液した。有機層を水、１Ｎ塩酸水、水の順に水洗を行った。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。得られた粗製物にメタノール８５ｍｌを加え、水酸化カリウム６６．４ｇ（１．１８２ｍｏｌ）の水溶液２４０ｍｌを滴下した。反応系を５０℃まで加熱し、そのまま４時間攪拌した。ＴＬＣにて反応終了を確認し、反応系を５℃に冷却した。５℃に冷却した１Ｎ塩酸水１Ｌに反応液をゆっくりと滴下した。生成した結晶をろ取し、乾燥することで化合物（４９−Ｂ）７３．４ｇを得た（収率８３ｍｏｌ％）。

化合物（４９−Ｂ）５０ｇ（０．２２３ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５００ｍｌ溶液に氷冷下にてメタンスルホニルクロライド１７．３ｍｌ（０．２２４ｍｏｌ）を加え、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン４０ｍｌ（０．２３０ｍｏｌ）をゆっくりと滴下した。１時間攪拌した後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン４０ｍｌ（０．２３０ｍｏｌ）、パラヒドロキシベンズアルデヒド３０．２ｇ（０．２４７ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン１００ｍｌ溶液を滴下した。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを０．２ｇのテトラヒドロフラン１００ｍｌ溶液を滴下した。氷冷下にて１時間攪拌した後、室温まで昇温し、６時間攪拌した。水を加えて分液し、有機層を水、１Ｎ塩酸水、水の順に水洗を行った。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去することで化合物（４９−Ｃ）の粗製物６６ｇを得た（収率９０ｍｏｌ％）。

化合物（４９−Ｃ）４３ｇ（０．１３ｍｏｌ）のアセトニトリル２００ｍｌ溶液を１０℃まで冷却し、リン酸二水素ナトリウム４．２１ｇ（０．０２７ｍｏｌ）の水溶液２５ｍｌを滴下し、３０％過酸化水素水２３ｍｌ（０．１９５ｍｏｌ）を滴下した。亜塩素酸ナトリウム１５．９ｇの水溶液１２５ｍｌをゆっくりと滴下した。反応系の温度を５０℃まで昇温し、３時間攪拌した。ＴＬＣにて反応終了を確認した後、系の温度を１０℃まで冷却した。５℃に冷却した１Ｎ塩酸水１．５Ｌに反応液をゆっくりと滴下した。生成した結晶をろ取し、乾燥することで化合物（４９−Ｄ）３８．８ｇを得た（収率８７ｍｏｌ％）。

化合物（４９−Ｄ）３０ｇ（８８ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４３０ｍｌ溶液に氷冷下にてメタンスルホニルクロライド６．８ｍｌ（８８ｍｍｏｌ）を加え、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン１７ｍｌ（９７ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下した。１時間攪拌した後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン１７ｍｌ（９７ｍｍｏｌ）を加え、化合物（１−Ｄ）９．９ｇ（４０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液を滴下した。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン０．１ｇのテトラヒドロフラン５０ｍｌ溶液を滴下した。氷冷下にて１時間攪拌した後、室温まで昇温し、６時間攪拌した。酢酸エチルおよび水を加えて分液し、有機層を水、１Ｎ塩酸水、水の順に水洗した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。塩化メチレン／メタノール混合溶媒を溶離液とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製を行うことで、例示化合物（４９）２６．７ｇを得た（収率７４ｍｏｌ％）。

実施例８
［例示化合物（１２９）の合成］
下記スキームに従い、例示化合物（１２９）を合成した。

化合物（１２９−Ａ）３７７ｇ（４．４３ｍｏｌ）、２−メトキシブタノール（１２９−Ｂ）４６０ｇ（４．４３ｍｏｌ）のトルエン１．４Ｌ溶液に、パラトルエンスルホン酸（ＰＴＳ）を２．７ｇ加え、Dean-Starkを用いて還流しながら脱水した。反応終了後、トルエンを１Ｌ留去した。反応系の温度を室温に戻し、酢酸エチルおよび水を加えて分液し、有機層を水、飽和炭酸水素ナトリウム水、１Ｎ塩酸水、水の順に水洗した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去することで化合物（１２９−Ｃ）の粗製物６５１ｇを得た。

化合物（１−Ｃ）１０１ｇ（０．３２２ｍｏｌ）のＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）８００ｍｌ溶液に、化合物（１２９−Ｃ）の粗製物６６．２（０．３８７ｍｏｌ）を加え、内温１２０度で２時間攪拌した。冷却した後、氷冷した１Ｎ塩酸水３Ｌに反応溶液を流し込んだ。固形物をろ取、乾燥した。固形物をアセトン／へキサン混合溶媒で分散させ、ろ過を行う作業を２度繰り返した。固形物を酢酸（ＡｃＯＨ）にて再結晶し、ろ取、乾燥をすることで、化合物（１２９−Ｄ）１１２ｇを得た（収率９８ｍｏｌ％）。

化合物（１６−Ｅ）（Yantai valiant Fine Chem.製）１３４ｇ（５６２ｍｍｏｌ）のトルエン５００ｍｌ溶液に、塩化チオニル６２．４ｍｌ（８５５ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流させた。カルボン酸の消費をＴＬＣにて確認した後、溶媒を留去させた。そのものを、化合物（１２９−Ｄ）８３ｇ（２３５ｍｍｏｌ）、ピリジン４６．１ｍｌ（５７０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン７００ｍｌ溶液に氷冷下にて滴下した。反応終了後、メタノール５Ｌに流し込み、ろ取した。固形物を塩化メチレンに溶解させ、塩化メチレンを溶離液とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製を行うことで、例示化合物（１２９）１６４ｇを得た（収率８８ｍｏｌ％）。

実施例９
［例示化合物（１２４）の合成］
下記スキームに従い、実施例８における２−メトキシブタノール（１２９−Ｂ）を２−メチル−２，４−ブタンジオール（１２４−Ｂ）に変更したこと以外は実施例８と同様にして、例示化合物（１２４）を合成した。

実施例１０
［例示化合物（１４０）、例示化合物（１４１）、例示化合物（１４２）の混合物調製］
下記スキームに従い、例示化合物（１４０）、例示化合物（１４１）、例示化合物（１４２）の混合物を調製した。

化合物（１６−Ｅ）（Yantai valiant Fine Chem.製）１３.３ｇ（５６ｍｍｏｌ）のトルエン５０ｍｌ溶液に、塩化チオニル６．１ｍｌ（８４ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流させた。カルボン酸の消費をＴＬＣにて確認した後、溶媒を留去させた。そのものを、化合物（１２９−Ｄ）２０ｇ（５６．６ｍｍｏｌ）、ピリジン４．５ｍｌ（５６ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン２００ｍｌ溶液に氷冷下にて滴下した。反応終了後、酢酸エチルおよび水を加えて分液し、有機層を水、１Ｎ塩酸水、水の順に水洗した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。酢酸エチル／へキサン混合溶媒を溶離液とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製を行うことで、化合物（１４０−１４２−Ｅ）９．６ｇを得た（収率３０ｍｏｌ％）。

化合物（１４０−１４２−Ｅ）５ｇ（８．７３ｍｍｏｌ）、ピリジン０．７ｍｌ（８．７３ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン１００ｍｌ溶液に氷冷下、Synthesis(１９９１)；ｐ４４１に記載の方法で合成した化合物（１４４−Ｆ）０．８ｇ（３．８ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン１０ｍｌ溶液を滴下した。反応終了後、メタノールに反応溶液を流し込みろ過を行った。固形物を酢酸エチルにて晶析することで、例示化合物（１４０）、例示化合物（１４１）、例示化合物（１４２）の混合物３．４ｇを得た（収率７０ｍｏｌ％）。

実施例１１
［例示化合物（１２８）の合成］
下記スキームに従い、例示化合物（１２８）を合成した。

化合物（１２９−Ａ）９３．６ｇ（１．１ｍｏｌ）、化合物（１２８−Ｂ）５３ｇ（０．５ｍｏｌ）のトルエン３００ｍＬ溶液に、パラトルエンスルホン酸を２．０ｇ加え、Dean-Starkを用いて還流しながら脱水した。反応終了後、トルエンを２００ｍＬ留去した。反応系の温度を室温に戻し、酢酸エチルおよび水を加えて分液し、有機層を水、飽和炭酸水素ナトリウム水、１Ｎ塩酸水、水の順に水洗した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去することで化合物（１２８−Ｃ）の粗製物８６．２ｇ（収率７２ｍｏｌ％）を得た。

化合物（１−Ｃ）３５ｇ（１１２ｍｍｏｌ）、酢酸６．４ｍｌ、Ｎ−メチルピロリドン３５０ｍｌ溶液に、化合物（１２８−Ｃ）の粗製物１２．２（５１ｍｍｏｌ）を加え、内温１００度で５時間攪拌した。冷却した後、セライトにて残留固形物を取り除き、ろ液を水１．５Ｌに流し込んだ。固形物をろ取、乾燥した。固形物に酢酸エチルを加えて煮沸させ、放冷後にろ取し乾燥させることで、化合物（１２８−Ｄ）２２．８ｇ（収率７４ｍｏｌ％）を得た。

化合物（１６−Ｅ）（Yantai valiant Fine Chem.製）３４．７ｇ（１４６ｍｍｏｌ）のトルエン３００ｍｌ溶液に、塩化チオニル１６ｍｌ（２２０ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流させた。カルボン酸の消費をＴＬＣにて確認した後、溶媒を留去させた。そのものを、化合物（１２８−Ｄ）２０ｇ（３３ｍｍｏｌ）、ピリジン１１．５（１４６ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン２００ｍｌ溶液に氷冷下にて滴下した。反応終了後、メタノール１．５Ｌに流し込み、ろ取した。固形物を塩化メチレンに溶解させ、塩化メチレンを溶離液とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製を行うことで、例示化合物（１２８）２６ｇを得た（収率５３ｍｏｌ％）。

実施例１２
［例示化合物（１００）と例示化合物（１１６）の混合物調製］
下記スキームに従い、例示化合物（１００）と例示化合物（１１６）の混合物を調製した。

ピロリジン−ジチオカルバメートアンモニウム塩１００ｇ（０．６１ｍｏｌ）のジメチルホルムアミド６００ｍｌ溶液に化合物（１００−Ａ）１００ｇ（０．６１ｍｏｌ）の酢酸溶液を外設５℃にて滴下した。滴下終了後、室温まで昇温し、反応を完結させた。その後、ベンゾキノン（ＢｚＱ）６６ｇ（０．６１ｍｏｌ）を分割添加し、室温でさらに２時間攪拌させた。反応終了後、ろ取を行い、固体を酢酸、アセトンにて懸け洗いをした。乾燥することで化合物（１００−Ｃ）１５５ｇを得た（収率６９ｍｏｌ％）。

化合物（１００−Ｃ）４７ｇ（１２７ｍｍｏｌ）、Ｎ−メチルピロリドン４００ｍｌ溶液に、実施例９で得られた化合物（１２４−Ｃ）の粗製物２８．３ｇ（１６５ｍｍｏｌ）を加え、内温１００度で３時間攪拌した。反応終了後冷却し、セライトにて残留固形物を取り除き、酢酸エチルおよび水を加えて分液した。有機層を水、１Ｎ塩酸水、水の順に水洗した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。酢酸エチル／へキサン混合溶媒を溶離液とし、シリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製を行うことで、化合物（１００−１１６−Ｄ）４０ｇを得た（収率７７ｍｏｌ％）。

化合物（１６−Ｅ）（Yantai valiant Fine Chem.製）５５．９ｇ（２３５ｍｍｏｌ）のトルエン２４０ｍｌ溶液に、塩化チオニル２５．８ｍｌ（３５３ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流させた。カルボン酸の消費をＴＬＣにて確認した後、溶媒を留去させた。そのものを、化合物（１００−１１６−Ｄ）４０ｇ（９７．７ｍｍｏｌ）、ピリジン（Ｐｙ．）１８．８ｍｌ（２３２ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン４３０ｍｌ溶液に氷冷下にて滴下した。反応終了後、酢酸エチルおよび水を加えて分液した。有機層を水、１Ｎ塩酸水、水の順に水洗した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。酢酸エチル／へキサン混合溶媒にて晶析を行うことで、例示化合物（１００）と例示化合物（１１６）の混合物合７３ｇを得た（収率８８ｍｏｌ％）。

実施例１３
［例示化合物（１２４）、例示化合物（１２２）、例示化合物（１３３）の混合物合成］
下記スキームに従い、実施例９の化合物（１６−Ｅ）を化合物（１６−Ｅ）と化合物（１６’−Ｅ）との等モル混合物に置き換えした以外は実施例９と同様にして、例示化合物（１２４）と例示化合物（１２２）と例示化合物（１３３）との混合物を合成した。

［実施例１４］
（セルロースアセテートフィルムの作製１）
下記セルロースアセテート溶液組成の各成分をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。

（セルロースアセテート溶液組成）
酢化度６０．９％のセルロースアセテート １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤） ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤） ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３１８質量部
メタノール（第２溶媒） ４７質量部

別のミキシングタンクに、例示化合物（１６）、例示化合物（２０）、例示化合物（１２４）、例示化合物（１２９）または比較化合物（１）と、メチレンクロライド８７質量部およびメタノール１３質量部とを投入し、加熱しながら攪拌して、各レターデーション制御剤溶液を調製した。
セルロースアセテート溶液４７４質量部に上記調製したレターデーション制御剤溶液をそれぞれ３６質量部混合し、充分に攪拌してドープを調製した。例示化合物又は比較化合物の量は、セルロースアセテート１００質量部に対して表１に記載の質量部を添加するように、各レターデーション制御剤溶液を調製した。

得られたドープを、バンド流延機を用いて流延した。残留溶剤量が１５質量％のフィルムを、１５０℃の条件で、自由端一軸延伸で１５％の延伸倍率で横延伸して、セルロースアセテートフィルム（厚さ：９２μｍ）を製造した。
作製したセルロースアセテートフィルムについて、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６３０ｎｍにおけるＲｅ値を、KOBRA 21ADH（商品名、王子計測機器(株)製）において各波長の光をフィルム法線方向に入射させて測定した。結果を表１に示す。なお、表１中のＮｏ．１は、レターデーション制御剤溶液を加えないこと以外は同様にして製造されたセルロースアセテートフィルムである。

表１の結果から明らかなように、レターデーション制御剤溶液を用いなかった試料Ｎｏ．１はＲｅ値が著しく小さく、延伸によるＲｅ発現性が得られないことがわかった。また、上記数式（１）及び（２）を満たさず、複屈折Δｎの波長分散性に劣ることがわかった。また、比較化合物（１）を添加した試料Ｎｏ．１０、１１は各波長におけるＲｅ値は大きかったものの、上記数式（１）及び（２）を満たさず、複屈折Δｎの波長分散性に劣ることがわかった。
これに対し、本発明の試料（試料Ｎｏ．２〜９）はいずれも各波長におけるＲｅ値が大きく、かつ、上記数式（１）及び（２）を満たし、複屈折Δｎの波長分散性が優れることがわかった。

比較化合物（１）を添加した試料Ｎｏ．１０と、当該比較化合物（１）と同質量部の例示化合物（１６）及び例示化合物（２０）を添加した試料Ｎｏ．３及び５とを比較すると、Ｒｅ（５５０ｎｍ）の値は大きく差がないが、試料Ｎｏ．３及び５は数式（１）及び（２）を満たすのに対して、試料Ｎｏ．１０は満たさないことがわかる。また、比較化合物（１）を添加した試料Ｎｏ．１１と、当該比較化合物（１）と同質量部の例示化合物（１２４）及び例示化合物（１２９）を添加した試料Ｎｏ．７及び９とを比較すると、Ｒｅ（５５０ｎｍ）の値は大きく、かつ試料Ｎｏ．７及び９は下記数式（１）及び（２）を満たすのに対して、試料Ｎｏ．１１は満たさないことがわかる。
また、例示化合物（１６）の添加量を変化させた試料Ｎｏ．２、３及び４を比較すると、添加量の増大につれてＲｅ値が増大することがわかる。

［実施例１５］
（セルロースアセテートフィルムの作製２）
実施例１４で作成したドープを、バンド流延機を用いて流延した。残留溶剤量が１５質量％のフィルムを、１５０℃の条件で、固定端一軸延伸で１５％の延伸倍率で横延伸して、セルロースアセテートフィルム（厚さ：８０μｍ）を製造した。
作製したセルロースアセテートフィルムについて、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６３０ｎｍにおけるＲｅ値を、KOBRA 21ADH（商品名、王子計測機器(株)製）において各波長の光をフィルム法線方向に入射させて測定した。結果を表２に示す。なお、表２中のＮｏ．２１は、レターデーション制御剤溶液を加えないこと以外は同様にして製造されたセルロースアセテートフィルムである。

実施例１４と同様、表２の結果から明らかなように、レターデーション制御剤溶液を用いなかった試料Ｎｏ．２１および比較化合物（１）を添加した試料Ｎｏ．２６、２７では、上記数式（１）及び（２）を満たさず、複屈折Δｎの波長分散性に劣ることがわかった。これに対し、本発明の試料（試料Ｎｏ．２２〜２５）はいずれも各波長におけるＲｅ値が大きく、かつ、上記数式（１）及び（２）を満たし、複屈折Δｎの波長分散性が優れることがわかった。

［実施例１６］
（偏光板の作製）
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を作製した。

上記実施例１４で作製したセルロースアシレートフィルム（表１、Ｎｏ．４）をポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の片側に貼り付けた。なお、ケン化処理は以下のような条件で行った。

１．５モル／リットルの水酸化ナトリウム水溶液を調製し、５５℃に保温した。０．０１モル／リットルの希硫酸水溶液を調製し、３５℃に保温した。作製したセルロースアシレートフィルムを上記の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬した後、水に浸漬し水酸化ナトリウム水溶液を十分に洗い流した。次いで、上記の希硫酸水溶液に１分間浸漬した後、水に浸漬し希硫酸水溶液を十分に洗い流した。最後に試料を１２０℃で十分に乾燥させた。
市販のセルローストリアシレートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、商品名、富士写真フイルム(株)製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光子の反対側に貼り付け、７０℃で１０分以上乾燥した。
偏光膜の透過軸と上記のように作製したセルロースアシレートフィルムの遅相軸とが平行になるように配置した。偏光膜の透過軸と市販のセルローストリアシレートフィルムの遅相軸とは直交するように配置した。

（液晶セルの作製）
液晶セルは、基板間のセルギャップを３．６μｍとし、負の誘電率異方性を有する液晶材料（「ＭＬＣ６６０８」、商品名、メルク社製）を基板間に滴下注入して封入し、基板間に液晶層を形成して作製した。液晶層のレターデーション（即ち、液晶層の厚さｄ（μｍ）と屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄ）を３００ｎｍとした。なお、液晶材料は垂直配向するように配向させた。

（ＶＡパネルへの実装）
上記の垂直配向型液晶セルを使用した液晶表示装置の上側偏光板（観察者側）には、市販品のスーパーハイコントラスト品（株式会社サンリッツ社製、商品名、ＨＬＣ２−５６１８）を用いた。下側偏光板（バックライト側）には上記実施例１４で作製したフィルム（表１、Ｎｏ．４、Ｎｏ．６、Ｎｏ．８）、および上記実施例１５で作製したフィルム（表２、Ｎｏ．２３、Ｎｏ．２５）を備えた偏光板を、該セルロースアシレートフィルムが液晶セル側となるように設置した。上側偏光板および下側偏光板は粘着剤を介して液晶セルに貼りつけた。上側偏光板の透過軸が上下方向に、そして下側偏光板の透過軸が左右方向になるように、クロスニコル配置とした。

液晶セルに５５Ｈｚの矩形波電圧を印加した。白表示５Ｖ、黒表示０Ｖのノーマリーブラックモードとした。黒表示の方位角４５度、極角６０度方向視野角における黒表示及び、方位角４５度極角６０度と方位角１８０度極角６０度との色ずれを観察した。

作製した液晶表示装置を観察した結果、本発明のフィルムを用いた液晶パネルは正面方向および視野角方向のいずれにおいても、ニュートラルな黒表示が実現することを確認できる。

［実施例１７］
（逆分散液晶化合物の評価）
本発明の例示化合物（１６）について、くさび型の液晶セル（N-Wedge NLCD-057、商品名、NIPPO DENKI CO.,LTD.製）に２００℃で注入し、１８０℃における４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍのΔｎを求めたところ、それぞれ、Δｎ（４５０ｎｍ）＝０．０３７、Δｎ（５５０ｎｍ）＝０．０４６、Δｎ（６５０ｎｍ）＝０．０５１であった。即ちΔｎ（４５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＝０．８０、Δｎ（６５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＝１．１１であることがわかった。下記表３に示す。

本発明の例示化合物（２０）について、上記同様の４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍのΔｎを求めたところ、それぞれ、Δｎ（４５０ｎｍ）＝０．０３６、Δｎ（５５０ｎｍ）＝０．０４４、Δｎ（６５０ｎｍ）＝０．０５１であった。即ちΔｎ（４５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＝０．８２、Δｎ（６５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＝１．１６であることがわかった。下記表３に示す。

例示化合物（４）、（２８）、（１２４）、（１２８）、（１６９）についても例示化合物（１６）と同様の方法でΔｎ（４５０ｎｍ）、Δｎ（５５０ｎｍ）、Δｎ（６５０ｎｍ）を求めた。その結果を表３に示す。

（一般的な棒状液晶化合物との比較）
定法により合成可能な棒状液晶化合物（比較化合物（Ａ））をくさび型の液晶セル（N-Wedge NLCD-057、商品名、NIPPO DENKI CO.,LTD.製）に２１０℃で注入し、１５０℃における４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍのΔｎを求めたところ、それぞれ、Δｎ（４５０ｎｍ）＝０．１２６、Δｎ（５５０ｎｍ）＝０．１１１、Δｎ（６５０ｎｍ）＝０．１０８であった。即ちΔｎ（４５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＝１．１４、Δｎ（６５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＝０．９７であることがわかった。下記表３に示す。

表３から明らかなように、一般的な棒状液晶化合物（比較化合物（Ａ））の波長分散性が、右肩下がり（左を短波長側、右を長波長側とおいたときのΔｎの傾き）の正常分散であるのに対して、本発明の例示化合物（４）、（１６）、（２０）、（２８）、（１２４）、（１２８）、および（１６９）は、右肩上がりの逆分散液晶化合物であることが分かる。
なお、実施例１７において、Δｎ（４５０ｎｍ）、Δｎ（５５０ｎｍ）およびΔｎ（６５０ｎｍ）はそれぞれ、４５０ｎｍ、５５０ｎｍおよび６５０ｎｍにおける液晶化合物の複屈折率を意味する。

［実施例１８］
（Δｎの波長分散が正常分散である液晶化合物を含有する液晶組成物）
本発明の液晶化合物（２０）と一般的な液晶化合物（前記比較化合物（Ａ））をジクロロメタンに一度溶解させた後、減圧下でジクロロメタンを除去し、液晶組成物を得た。この液晶組成物を上記同様の操作にてネマチック相における４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍのΔｎを求めると右肩上がりの逆分散液晶組成物であることが分かる。すなわち、本発明のΔｎの波長分散が逆分散である液晶化合物と波長分散が正常分散である液晶化合物を混合することで、その中間の波長分散性を有する液晶組成物を得ることが可能となる。

Claims (17)

1. 低分子化合物を少なくとも１種類以上含有する、配向処理がなされた光学フィルムであって、配向方向に対して複屈折Δｎ（５５０ｎｍ）が０より大きく、且つ、下記数式（１）及び（２）を満たすことを特徴とする、前記フィルム。
   数式（１） ０．５＜Δｎ（４５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＜１．０
   数式（２） １．０５＜Δｎ（６３０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＜１．５
2. 前記低分子化合物の分子量が１００〜１５００であることを特徴とする、請求項１に記載の光学フィルム。
3. 前記低分子化合物がフィルム質量に対して０．１〜５０質量％含まれることを特徴とする、請求項１または２に記載の光学フィルム。
4. 下記数式（１’）及び（２’）を満たすことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学フィルム。
   数式（１’） ０．７＜Δｎ（４５０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＜０．９
   数式（２’） １．０５＜Δｎ（６３０ｎｍ）／Δｎ（５５０ｎｍ）＜１．２５
5. 前記低分子化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学フィルム。
   

   

   （式中、Ｌ₁およびＬ₂は各々独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａ₁およびＡ₂は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂、およびＲ₃は各々独立に置換基を表す。Ｘは第１４〜１６族の非金属原子を表す（ただし、Ｘには水素原子又は置換基が結合してもよい。）。ｎは０から２までの整数を表す。）
6. 前記低分子化合物が、下記一般式（II）で表される化合物であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光学フィルム。
   

   

   （式中、Ｌ₁およびＬ₂は各々独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａ₁およびＡ₂は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄およびＲ₅は各々独立に置換基を表す。ｎは０から２までの整数を表す。）
7. 前記一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物が液晶性を示す化合物である請求項５または６記載の光学フィルム。
8. 前記Ｒ₂およびＲ₃が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゾイルオキシ基を４位に有するベンゼン環、置換もしくは無置換のシクロヘキシル基を４位に有するベンゼン環、置換もしくは無置換のベンゼン環を４位に有するシクロヘキサン環、または、置換もしくは無置換のシクロヘキシル基を４位に有するシクロへキサン環である請求項５〜７のいずれか１項に記載の光学フィルム。
9. セルロース化合物を主成分とする高分子組成物から形成されることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光学フィルム。
10. 前記セルロース化合物がセルロースアシレートであることを特徴とする、請求項９に記載の光学フィルム。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光学フィルムからなる位相差板。
12. 請求項１１に記載の位相差板を含む、偏光板。
13. 請求項１１に記載の位相差板または請求項１２に記載の偏光板を含む、液晶表示装置。
14. 下記一般式（II）で表される化合物。
    

    

    （式中、Ｌ₁およびＬ₂は各々独立に単結合または二価の連結基を表す。Ａ₁およびＡ₂は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄およびＲ₅は各々独立に置換基を表す。ｎは０から２までの整数を表す。）
15. 液晶性を示す化合物である請求項１４記載の化合物。
16. 前記Ｒ₂およびＲ₃が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゾイルオキシ基を４位に有するベンゼン環、置換もしくは無置換のシクロヘキシル基を４位に有するベンゼン環、置換もしくは無置換のベンゼン環を４位に有するシクロヘキサン環、または、置換もしくは無置換のシクロヘキシル基を４位に有するシクロへキサン環である請求項１４または１５記載の化合物。
17. 請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の化合物を含む、液晶組成物。