JP2008091880A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 基板上に選択的形状の光学要素のアレイを形成する方法であって、
   光学層が上部に配置された基板を設けるステップと、
   前記光学層上に所定の厚みの犠牲層を堆積させるステップと、
   前記犠牲層上に粒子層を配置するステップと、
   エッチングサイクルを実行するステップと
   を備え、
   前記エッチングサイクルが、
   前記粒子層内の粒子の大きさを縮小するように、第１のエッチングプロセスを使用して前記粒子層をエッチングするステップと、
   粒子をさらに縮小することで、前記犠牲層のエリア上にマスクを形成して前記犠牲層から表面構造を作るように、第２のエッチングプロセスを使用して、前記犠牲層および前記粒子層を同時にエッチングするステップと、
   ドライエッチングによって、前記犠牲層からの前記表面構造を前記光学層に転写するステップと、
   を備える方法。
2. 前記第１のエッチングプロセスが、前記第２のエッチングプロセスより高速、前記第２のエッチングプロセスより低速、および前記第２のエッチングプロセスと同じ速度を備える群から選択された速度で前記粒子をエッチングする、請求項１に記載の方法。
3. 前記表面構造の転写ステップの前に、
   各表面構造の選択された形状を形成するように、前記粒子の大きさをさらに縮小し、前記表面構造を形作るために、前記エッチングサイクルを少なくとも１回繰り返すステップをさらに備える、請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記配置ステップの前に、親水性になるように前記犠牲層の表面を処理するステップをさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
5. 前記基板が、ＬＥＤウェハ、光電池ウェハ、および光検出器ウェハを備える群から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記光学層が、２つ以上の層を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記エッチングステップの少なくとも１つが、ドライエッチングを備え、前記ドライエッチングが、ＲＩＥ、ＩＣＰ、またはイオンミリングの１つ、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記粒子の形状が、球形および楕円形を備える群から選択される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
9. 前記粒子が、規則的なパターン、不規則的なパターン、および部分的に規則的なパターンを備える群から選択されたパターンで配置される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
10. 前記規則的なパターンが、六方稠密パターンである、請求項９に記載の方法。
11. 前記粒子の材料が、重合体、誘電材料、および金属の１つ、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
12. 前記重合体が、ポリスチレンである、請求項１１に記載の方法。
13. 前記光学要素が、以下のデバイス、すなわち、ＬＥＤ、光検出器、光電池、またはフォトニック結晶デバイスの１つ内にコンポーネントを形成する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 各第１のエッチングプロセスが、第１の所定の持続時間の間実行される、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
15. 前記第１の所定の持続時間が、各光学要素の選択された形状の関数である、請求項１４に記載の方法。
16. 前記第１のエッチングプロセスの各サイクルの前記第１の所定の持続時間が、前記第１のエッチングプロセスの他のサイクルの前記第１の所定の持続時間に依存しないものである、請求項１４または１５に記載の方法。
17. 各第２のエッチングプロセスが、第２の所定の持続時間の間実行される、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
18. 前記第２の所定の持続時間が、各光学要素の選択された形状の関数である、請求項１７に記載の方法。
19. 前記第２のエッチングプロセスの各サイクルの前記第２の所定の持続時間が、前記第２のエッチングプロセスの他のサイクルの前記第２の所定の持続時間に依存しないものである、請求項１７または１８に記載の方法。