JP5298035B2 - 基板の加工方法 - Google Patents
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Description
図1から図3を参照して本発明の実施形態に係る基板に二次元的に分布する多数の微小な穴を形成する方法を説明する。
図4から図6を参照して本発明の参考例に係る基板に二次元的に分布する多数の円柱を形成する方法を説明する。
1a,1b 面
2 金属層
3 ナノ粒子
4 シリカ溶液
5 SiO2マスク
5a 開口
6 金属マスク
6a 開口
6b 円形領域
7 穴
8 円柱
11 ドライエッチング装置
12 天板
13 チャンバ
13a ガス導入口
13b 排気口
14 ICPコイル
15A,15B 高周波電源
16 下部電極
17 静電チャック
17a 電極
18 直流電源
19 伝熱ガス供給源
20 冷却機構
21 エッチングガス供給源
22 真空排気装置
31A,31B,31C フォトニック結晶
32 バッファ層
33 n型GaN層
34 多重量子井戸層
35 p型GaN層
36 ITO層
36a 表面
37 メサ構造
38 n側電極
Claims (3)
- 基板の被加工面に金属層を形成する工程と、
前記金属層上に複数の樹脂製の微小粒子を単層配置する工程と、
単層配置された前記微小粒子を利用して前記金属層を選択的に除去して金属マスクを形成する工程と、
前記金属マスクから露出した前記基板をプラズマの照射により選択にエッチングし、前記基板の前記微小粒子の配置箇所にそれぞれ微細構造を形成する工程と
を備え、
前記微小粒子を単層配置する工程は、前記微小粒子を含有するシリカ溶液を前記金属層上に塗布して、前記微小粒子と前記金属層との間にシリカ溶液の層を設けるものであり、
前記金属マスクを形成する工程は、
前記基板の加熱により前記微小粒子を除去すると共に前記シリカ溶液の層を硬化させ、前記微小粒子の配置箇所にそれぞれ開口を有するSiO 2 マスクを形成する工程と、
前記SiO 2 マスクから露出する前記金属層をプラズマの照射により選択的にエッチングし、前記微小粒子の配置箇所にそれぞれ開口を有する金属マスクを得る工程と
を備え、
前記微細構造を形成する工程により、前記基板の前記微小粒子の配置箇所にそれぞれ微細凹状構造が形成される、基板の加工方法。 - 前記基板の前記被加工面はSF又はITOであり、前記金属層はCr、Ru、又はNiである、請求項1に記載の基板の加工方法。
- 前記微細構造を形成する工程の後に、プラズマの照射により選択的にエッチングして前記SiO2マスクと前記金属マスクを除去する工程をさらに備える、請求項1又は請求項2に記載の基板の加工方法。
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