JP2013508254A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. ガラス成分を提供することと、
   凹陥部が画成されたパターン付き表面を有し、且つ、前記ガラス成分よりも、より高いリフロー温度を有する物質から形成された、モールド基板を提供することと、
   前記パターン付き表面の表面湿潤性を、前記ガラス成分と比較して、より高くすることと、
   前記ガラス成分の少なくとも１部分を、前記モールド基板の前記パターン付き表面により画成された前記凹陥部に流し込むことと、
   前記モールド基板の前記パターン付き表面上の前記ガラス成分を凝固させて、ガラスレイヤを形成することと、
   前記モールド基板の下層の前記パターン付き表面の１部分が、前記モールド基板の少なくとも１部分が前記凝固ガラスレイヤに埋め込まれた状態で、露出されるまで、物質を前記凝固ガラスレイヤから除去し、それにより、前記物質が埋め込まれた前記ガラス基板を形成することと、
   を含み、
   前記モールド基板の前記物質は、任意で、シリコンを含む半導体物質である、
   ガラス基板に物質を埋め込む方法。
2. 前記パターン付き表面の前記表面湿潤性を高くするステップは、前記パターン付き表面を粗面化すること又は前記パターン付き表面をドライエッチングすることとしてさらに定義される、請求項１に記載の方法。
3. 前記パターン付き表面の前記表面湿潤性を高くするステップは、前記パターン付き表面上に湿潤性物質のレイヤを、前記湿潤性物質が、前記モールド基板の前記物質と比較すると、前記ガラス成分に対してより高い湿潤性を有する状態で、堆積することとしてさらに定義される、請求項１に記載の方法。
4. 前記ガラス成分は陽極接合が可能であり、且つ、前記ガラス成分は、前記ガラス成分を前記凹陥部に流し込むステップが実施される前に、前記モールド基板の前記パターン付き表面に真空下で陽極接合される、請求項１に記載の方法。
5. 前記凝固ガラスレイヤから物質を除去するステップは、前記凝固ガラスレイヤを平坦化することとしてさらに定義され、任意で、前記凝固ガラスレイヤの表面が前記モールド基板の表面と同一高さになるまで平坦化される、請求項１から請求項４のいずれかに記載の方法。
6. 前記モールド基板の前記表面にパターン形成を行い、それにより、前記凹陥部が画成された前記パターン付き表面を形成するステップをさらに含む、請求項１から請求項４のいずれかに記載の方法。
7. 前記ガラス成分の少なくとも１部分を前記凹陥部に流し込むステップは、前記ガラス成分のビーズを前記モールド基板の前記パターン付き表面上に配置するさらなるステップを含む、請求項１から請求項４のいずれかに記載の方法。
8. 前記パターン付き表面の反対側の前記モールド基板の表面から、前記モールド基板の前記物質の少なくとも１部分が前記凝固ガラスレイヤに埋め込まれた状態で、物質を除去するステップをさらに含み、任意で、前記モールド基板の前記表面から前記物質を除去するステップは、前記凝固ガラスレイヤの１部分が露出されるまで前記モールド基板を平坦化することとしてさらに定義される、請求項１から請求項４のいずれかに記載の方法。
9. 前記モールド基板は平坦な犠牲レイヤ上に配置され、任意で、前記平坦な犠牲レイヤは、前記平坦な犠牲レイヤの一方側面上の前記モールド基板と、前記平坦な犠牲レイヤの他方側面上の坦持ウェーハとの間に、前記モールド基板と前記坦持ウェーハとが、前記平坦な犠牲レイヤの幅により離間される状態で、配置され、そして任意で、前記ガラス成分を前記凹陥部に流し込む前記ステップの後に、前記モールド基板および前記凝固ガラスレイヤを前記平坦な犠牲レイヤから解放するステップをさらに含む、請求項１から請求項４のいずれかに記載の方法。
10. 請求項１から請求項４のいずれかの方法にしたがって形成された、前記凝固ガラスレイヤと、前記凝固ガラスレイヤに埋め込まれた物質とを含む、ガラス基板。