JP2008091463A - 両面フレキシブル銅張積層基板及びキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】極薄銅箔とポリイミド樹脂層との接着強度が高く、しかも極薄銅箔における皺の発生が十分に抑止された両面フレキシブル銅張積層基板を効率良く且つ確実に得ることが可能な両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法を提供すること
【解決手段】キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているキャリア付極薄銅箔から前記キャリアを剥離してなる極薄銅箔を両面に備える両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法であって、
前記キャリア付極薄銅箔の極薄銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成してキャリア付片面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
他の前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す工程と、
前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記キャリア付片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
前記キャリア付両面フレキシブル銅張積層基板から前記キャリアを剥離して前記両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
を含むことを特徴とする両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法。
【選択図】なし
【解決手段】キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているキャリア付極薄銅箔から前記キャリアを剥離してなる極薄銅箔を両面に備える両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法であって、
前記キャリア付極薄銅箔の極薄銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成してキャリア付片面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
他の前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す工程と、
前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記キャリア付片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
前記キャリア付両面フレキシブル銅張積層基板から前記キャリアを剥離して前記両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
を含むことを特徴とする両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法。
【選択図】なし
Description
本発明は、キャリア付極薄銅箔を用いた両面フレキシブル銅張積層基板及びキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法に関する。
近年、電子機器の高機能化、軽薄短小化に伴い、ファインピッチ化に対応可能なフレキシブルプリント基板の材料が要求されている。このようなフレキシブルプリント基板においては、回路形成する方法として、銅箔をエッチングして配線を形成する手法、すなわち、サブトラクティブ工法が主として用いられている。そして、このようなサブトラクティブ工法を用いて製造される両面銅張積層板の配線においても100μmピッチ以下が要求されており、そのため使用される銅箔の厚みは20μm以下であることが必要とされる。しかしながら、両面銅張積層基板を用いた多層基板は、層間に穴あけ加工を行い、銅メッキにて導通させる際に回路を形成する同時に銅メッキされることから銅箔厚みが増してしまうという問題があり、両面銅張積層基板の銅箔の厚みをより薄くすることが要求されている。
このような問題を解決するために、例えば、特開2003−340963号公報(特許文献1)には、キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されている複合銅箔(以下、キャリア付極薄銅箔という)を用いて、銅箔の厚みが薄い両面銅張積層基板を得る技術が開示されている。また、このような技術に関連して、例えば、特開2001−140091号公報には、キャリア箔層を構成する素材の熱膨張率と電解銅箔層を構成する素材の熱膨張率との差が4×10−7/deg以上であるキャリア付極薄銅箔が開示されている。さらに、特開2003−94553号公報(特許文献3)には、持体銅箔と極薄銅箔との間に、Cu−Ni−Mo合金からなる剥離層を有するキャリア付極薄銅箔が開示されている。
しかしながら、上記特許文献等に記載のようなキャリア付極薄銅箔を用いて両面銅張積層基板を製造した場合には、キャリア付極薄銅箔を高温(例えば300℃以上)でラミネート等により積層した際に極薄銅箔に皺が発生するという問題があった。また、このような両面銅張積層基板においては、極薄銅箔と樹脂層との接着強度が不十分であり、チップオンフィルム(COF)用途のような微細細線で且つ高温での実装を必要とする用途に用いることは困難であった。
一方、極薄銅箔と樹脂層との接着強度を改善するための技術として、例えば、特開2004−42579号公報には、キャリア付き極薄銅箔と熱圧着性の芳香族ポリイミド層及び高耐熱性の芳香族ポリイミド層からなる熱圧着性多層ポリイミドフィルムとが加圧下に熱圧着−冷却して積層されてなり、銅箔と熱圧着性多層ポリイミドフィルムとの接着強度が0.7N/mm以上で、キャリアと銅箔との剥離強度が0.2N/mm以下である両面銅張積層基板が開示されている。しかしながら、上記特許文献4に記載のような両面銅張積層基板も、極薄銅箔と樹脂層との接着強度の点で未だ必ずしも十分なものではなかった。
特開2003−340963号公報
特開2001−140091号公報
特開2003−94553号公報
特開2004−42579号公報
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、極薄銅箔とポリイミド樹脂層との接着強度が高く、しかも極薄銅箔における皺の発生が十分に抑止された両面フレキシブル銅張積層基板を効率良く且つ確実に得ることが可能な両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているキャリア付極薄銅箔から前記キャリアを剥離してなる極薄銅箔を備える両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法において、キャリア付極薄銅箔に特定の焼鈍処理を施し、その後、このキャリア付極薄銅箔を片面フレキシブル銅張積層基板に積層することによって、極薄銅箔とポリイミド樹脂層との接着強度が高く、しかも極薄銅箔における皺の発生が十分に抑止された両面フレキシブル銅張積層基板を効率良く且つ確実に得ることが可能となることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法は、キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているキャリア付極薄銅箔から前記キャリアを剥離してなる極薄銅箔を両面に備える両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法であって、
前記キャリア付極薄銅箔の極薄銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成してキャリア付片面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
他の前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す工程と、
前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記キャリア付片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
前記キャリア付両面フレキシブル銅張積層基板から前記キャリアを剥離して前記両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
前記キャリア付極薄銅箔の極薄銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成してキャリア付片面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
他の前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す工程と、
前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記キャリア付片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
前記キャリア付両面フレキシブル銅張積層基板から前記キャリアを剥離して前記両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
また、本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の第2の製造方法は、キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているキャリア付極薄銅箔から前記キャリアを剥離してなる極薄銅箔を一方の面に、且つ他の銅箔を他方の面に備える両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法であって、
前記銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成して片面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す工程と、
前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
前記キャリア付両面フレキシブル銅張積層基板から前記キャリアを剥離して前記両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
前記銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成して片面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す工程と、
前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
前記キャリア付両面フレキシブル銅張積層基板から前記キャリアを剥離して前記両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
さらに、本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の第1及び第2の製造方法においては、前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔が、温度を30℃から395℃まで変化させた場合における、前記キャリアの伸び率(ΔL1/L0)と前記極薄銅箔の伸び率(ΔL2/L0)との差の絶対値(|ΔL1−ΔL2|/L0)の最大値が0〜1.5%の範囲となるものであることが好ましい。
また、本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の第1及び第2の製造方法においては、前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔が、温度を300℃から395℃まで変化させた場合における、前記キャリアの熱膨張係数(α1)と前記極薄銅箔の熱膨張係数(α2)との差の絶対値(|α1−α2|)の平均値が0〜100ppm/Kの範囲となるものであることが好ましい。
さらに、本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の第1及び第2の製造方法においては、前記焼鈍処理における処理温度が150〜250℃の範囲であることが好ましい。
また、本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の第1及び第2の製造方法においては、前記焼鈍処理における処理時間が15〜90分間の範囲であることが好ましい。
さらに、本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の第1及び第2の製造方法においては、前記キャリア付極薄銅箔の極薄銅箔の厚みが0.1〜10μmであり、且つ前記キャリアの厚みが5〜100μmであることが好ましい。
また、本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の第1及び第2の製造方法においては、前記ポリイミド樹脂層が、熱膨張係数が20ppm/K以上の高熱膨張性樹脂層と熱膨張係数が20ppm/K未満の低熱膨張性樹脂層とを備える積層体であり、且つ該積層体の熱膨張係数が15〜25ppm/Kの範囲であることが好ましい。
本発明のキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法は、キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているキャリア付極薄銅箔を両面に備えるキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法であって、
前記キャリア付極薄銅箔の極薄銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成してキャリア付片面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
他の前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す工程と、
前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記キャリア付片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
前記キャリア付極薄銅箔の極薄銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成してキャリア付片面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
他の前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す工程と、
前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記キャリア付片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
本発明のキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の第2の製造方法は、キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているキャリア付極薄銅箔を一方の面に、且つ他の銅箔を他方の面に備えるキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法であって、
前記銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成して片面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す工程と、
前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
前記銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成して片面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す工程と、
前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
なお、本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法によって極薄銅箔とポリイミド樹脂層との接着強度が高く、しかも極薄銅箔における皺の発生が十分に抑止された両面フレキシブル銅張積層基板を効率良く且つ確実に得ることが可能となる理由は必ずしも定かではないが、本発明者らは以下のように推察する。すなわち、片面フレキシブル銅張積層基板にキャリア付極薄銅箔をラミネート等の方法で積層する際には、前記キャリア付極薄銅箔に急激な熱負荷がかかる。そして、このような急激な熱負荷によって前記キャリア付極薄銅箔におけるキャリアと極薄銅箔との間に伸びの度合いの差が生ずることにより、キャリア付極薄銅箔が変形し、それが片面フレキシブル銅張積層基板に積層されるため、両面フレキシブル銅張積層基板に皺が発生するものと本発明者らは推察する。
これに対し、本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法においては、前記キャリア付極薄銅箔を積層する前に、前記キャリア付極薄銅箔に特定の焼鈍処理を施している。このような焼鈍処理によって前記キャリア付極薄銅箔におけるキャリアと極薄銅箔との間に伸びの度合いの差を小さくすることができ、前記キャリアと前記極薄銅箔との間の伸び率や熱膨張係数の差も特定の範囲とすることができる。そのため、上記のような急激な熱負荷が焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔にかかった場合であっても、前記極薄銅箔における皺の発生が十分に抑止される。また、このように本発明においては前記極薄銅箔における皺の発生が十分に抑止されるため、片面フレキシブル銅張積層基板にキャリア付極薄銅箔を積層する際の温度を適宜選択することが可能となり、例えばその温度を300度以上という高温にすることも可能となる。そのため、本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法によれば、ポリイミド樹脂層と前記極薄銅箔との接着強度が高い両面フレキシブル銅張積層基板を効率良く且つ確実に得ることが可能となるものと本発明者らは推察する。
本発明によれば、極薄銅箔とポリイミド樹脂層との接着強度が高く、しかも極薄銅箔における皺の発生が十分に抑止された両面フレキシブル銅張積層基板を効率良く且つ確実に得ることが可能な両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法を提供することが可能となる。
以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。
<両面フレキシブル銅張積層基板及びキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法>
先ず、本発明の両面フレキシブル銅張積層基板及びキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法について説明する。本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法は、キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているキャリア付極薄銅箔から前記キャリアを剥離してなる極薄銅箔を両面に備える両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法である。また、本発明のキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法は、キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているキャリア付極薄銅箔を両面に備える両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法である。
先ず、本発明の両面フレキシブル銅張積層基板及びキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法について説明する。本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法は、キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているキャリア付極薄銅箔から前記キャリアを剥離してなる極薄銅箔を両面に備える両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法である。また、本発明のキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法は、キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているキャリア付極薄銅箔を両面に備える両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法である。
(第1の工程)
本発明の第1の製造方法においては、前記キャリア付極薄銅箔の極薄銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成してキャリア付片面フレキシブル銅張積層基板を得る(第1の工程)。
本発明の第1の製造方法においては、前記キャリア付極薄銅箔の極薄銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成してキャリア付片面フレキシブル銅張積層基板を得る(第1の工程)。
このような第1の工程においては、先ず、キャリア付極薄銅箔を準備する。このようなキャリア付極薄銅箔は、キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているものである。そして、このようなキャリアの材料としては、例えば、銅、鉄、アルミニウム等の金属、それらの金属を主成分とする合金、エンジニアリングプラスチックス等の耐熱性樹脂を挙げることができる。これらの材料の中でも、ハンドリング性に優れ且つ安価であるという観点から、銅、銅を主成分とする合金が好ましい。また、このようなキャリアの厚さとしては、厚みが5〜100μmの範囲であることが好ましく、12〜50μmの範囲であることがより好ましく、12〜30μmの範囲が特に好ましい。前記キャリアの厚みが前記下限未満では、基板の製造における搬送性が安定しない傾向にあり、他方、前記上限を超えると、後工程において剥離されるキャリアの量が増加し、しかもこのようなキャリアは再利用の適用が困難であるため、経済的に不利益となる傾向にある。
このようなキャリア付極薄銅箔にかかる極薄銅箔は、得られる両面フレキシブル銅張積層基板の銅箔となるものである。このような極薄銅箔の厚さとしては、厚みが0.1〜10μmの範囲であることが好ましく、0.3〜6μmの範囲であることがより好ましく、1〜3μmの範囲であることが特に好ましい。極薄銅箔の厚みが前記下限未満では、ピンホールが存在しやすく、安定した回路の形成に不具合が生じる傾向にあり、他方、前記上限を超えると得られる両面フレキシブル銅張積層基板において微細な回路形成が困難となる傾向にある。さらに、このような極薄銅箔の表面粗度(Rz)は、得られる両面フレキシブル銅張積層基板に回路形成処理を施した場合におけるパターン形状及び直線性の観点から、1μm以下であることが好ましく、0.01〜0.1μmの範囲であることがより好ましい。なお、表面粗度(Rz)とは、JIS B 0601に記載された方法に準じて表面粗さにおける十点平均粗さを測定した値を示す。
このようなキャリア付極薄銅箔にかかる剥離層は、極薄銅箔とキャリアとの剥離を容易にする目的(又は弱接着性を与える目的)で設けられるものである。このような剥離層の厚さとしてはより薄いことが望ましく、厚みが0.5μm以下であることが好ましく、50〜100nmの範囲であることがより好ましい。このような剥離層の材料としては、極薄銅箔とキャリアとの剥離を安定して容易にするものであればよく、特に限定はされないが、銅、クロム、ニッケル、コバルト等の金属、これらの金属の元素を含む化合物を挙げることができる。また、このような剥離層の材料として、例えば特許文献1に記載されているような有機化合物系材料も使用でき、必要に応じて弱粘接着剤を使用することができる。
このような第1の工程においては、次に、前述したキャリア付極薄銅箔の極薄銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成してキャリア付片面フレキシブル銅張積層基板を得る。このようなポリイミド樹脂層は、ポリイミド樹脂からなる層であって、両面フレキシブル銅張積層基板の絶縁層として機能する層である。
また、このようなポリイミド樹脂層は、ポリイミド樹脂からなる単一の層であってもよいが、ポリイミド樹脂からなる複数の層を備える積層体であってもよい。さらに、このようなポリイミド樹脂層は、ポリイミド樹脂層と極薄銅箔との接着強度の観点から、熱膨張係数が20ppm/K以上(より好ましくは、30〜100ppm/Kの範囲)の高熱膨張性樹脂層と熱膨張係数が20ppm/K未満(より好ましくは、0〜19ppm/Kの範囲)の低熱膨張性樹脂層とを備える積層体であることが好ましい。また、このような積層体の熱膨張係数は15〜25ppm/Kの範囲であることが好ましく、15〜23ppm/Kの範囲であることがより好ましく、15〜20ppm/Kの範囲であることが特に好ましい。なお、このようにポリイミド樹脂層が積層体である場合には、ポリイミド樹脂層と極薄銅箔との接着強度の観点から、銅箔と接する層が高熱膨張性樹脂層であることが好ましい。
このようなポリイミド樹脂とは、樹脂骨格中にイミド結合を有するものをいう。そして、このようなポリイミド樹脂としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドエステル、ポリベンズイミダゾールが挙げられる。また、これらのポリイミド樹脂は、原料となるジアミンと酸無水物(酸二無水物)とをイミド化することにより得ることができる。
このようなポリイミド樹脂の原料となるジアミンとしては、例えば、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(DAPE)、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(1,3−BAB)、2,2’−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン(BAPP)、4,4’−ジアミノ−2,2’−ジメチルビフェニル(DADMB)、2−メトキシ−4,4’−ジアミノベンズアニリド(MABA)を挙げることができる。また、このようなポリイミド樹脂の原料となる酸無水物としては、例えば、無水ピロメリット酸(PMDA)、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)を挙げることができる。これらのジアミン及び酸無水物は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
また、これらのポリイミド樹脂の原料の中でも、前記高熱膨張性樹脂層を形成する場合においては、ジアミンとして、DAPE、1,3−BAB、BAPP等を用いることが好ましく、DAPE、BAPPを用いることがより好ましい。また、酸無水物として、PMDA、BPDA、BTDA、DSDA等を用いることが好ましく、PMDA、BPDA、BTDAを用いることがより好ましい。これらのジアミン及び酸無水物は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。一方、前記低熱膨張性樹脂層を形成する場合においては、ジアミンとして、DADMB、MABA、1,3−BAB等を用いることが好ましく、DADMB、1,3−BABを用いることがより好ましい。また、酸無水物として、PMDA、BPDAを用いることが好ましい。これらのジアミン及び酸無水物は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
以上説明したようなポリイミド樹脂層を形成する方法としては、前記ポリイミド樹脂の原料を含有するポリイミド樹脂前駆体溶液、前記ポリイミド樹脂を含有するポリイミド樹脂溶液等の樹脂溶液を準備し、この樹脂溶液を前記極薄銅箔の表面に塗工し、その後乾燥及び熱処理してポリイミド樹脂層を形成する方法を挙げられる。このような樹脂溶液に用いる溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、n−メチルピロリジノン、2−ブタノン、ジグライム、キシレンを挙げることができる。これらの溶媒は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
また、このような樹脂溶液の塗工方法としては、適宜公知の方法を用いることができ、例えば、ロールコーター、ダイコーター、バーコーターを挙げることができる。さらに、このような樹脂溶液の塗布量としては、ポリイミド樹脂層の厚みが5〜100μmの範囲(より好ましくは10〜50μmの範囲)となるような量とすることが好ましい。さらに、このような塗工方法においては、ポリイミド樹脂層の厚みのばらつきが±1.5μmの範囲内となるように塗工することが好ましい。
そして、このような樹脂溶液が前記極薄銅箔の表面に塗工された後に、乾燥及び熱処理をすることによりポリイミド樹脂層を形成することができる。このような乾燥の条件としては、樹脂用液中の溶媒を除去できる条件であればよく、例えば温度が100℃以上であればよい。また、このような熱処理は、120℃以上の温度で行われる処理であればよく、単に樹脂溶液中の溶媒をさらに除去するための処理であってもよいが、樹脂の性状改質やイミド化等の反応がなされる処理であることが好ましい。例えば、樹脂溶液としてポリイミド樹脂前駆体溶液を用いる場合には、このような熱処理の温度が120〜350℃の範囲であることが好ましく、このような熱処理の時間が15分以上であることが好ましい。
(第2の工程)
また、本発明の第1の製造方法においては、他の前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す(第2の工程)。
また、本発明の第1の製造方法においては、他の前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す(第2の工程)。
このような第2の工程においては、先ず、前述した第1の工程によりポリイミド樹脂層が形成されたキャリア付極薄銅箔とは別にキャリア付極薄銅箔を準備する。このようなキャリア付極薄銅箔としては、前記説明した通りのものを用いる。
このような第2の工程においては、次に、キャリア付極薄銅箔に焼鈍処理を施す。このような焼鈍処理とは、キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱する処理のことをいう。また、このような焼鈍処理の方法としては、例えば、(i)ロール状のキャリア付極薄銅箔を加熱炉(好ましくは真空又は窒素雰囲気の加熱炉)に入れ、そのまま加熱する方法、(ii)ロール状のキャリア付極薄銅箔をロール・トウ・ロール方式で連続的に搬送しつつ、数段の加熱炉を通過させて加熱する方法、(iii)ロール状のキャリア付極薄銅箔をロール・トウ・ロール方式で連続的に搬送しつつ、加熱したロールに接触させて加熱する方法を挙げることができる。
このような焼鈍処理においては、処理温度が120℃以上であることが必要である。処理温度が120℃未満では極薄銅箔における皺の発生を十分に抑止することができない。また、焼鈍処理による効果及び極薄銅箔の劣化の抑制という観点から、処理温度は120〜280℃の範囲であることが好ましく、150〜250℃の範囲であることがより好ましく、150〜230℃の範囲であることが特に好ましい。なお、このような焼鈍処理における昇温速度は特に限定されない。
また、このような焼鈍処理においては、処理時間が5分間以上であることが必要である。処理時間が5分未満では極薄銅箔における皺の発生を十分に抑止することができない。また、焼鈍処理による効果及びその効率という観点から、処理時間は5〜120分の範囲であることが好ましく、20〜90分の範囲であることがより好ましく、40〜90分の範囲であることが特に好ましい。
さらに、このような焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔においては、温度を30℃から380℃まで変化させた場合における、前記キャリアの伸び率(ΔL1/L0)と前記極薄銅箔の伸び率(ΔL2/L0)との差の絶対値(|ΔL1−ΔL2|/L0)の最大値が0〜1.5%の範囲となることが好ましく、0〜1.4%の範囲となることがより好ましい。前記伸び率の差の絶対値(|ΔL1−ΔL2|/L0)の最大値が前記範囲内の値であれば、より確実に極薄銅箔における皺の発生を抑止することができる傾向にある。なお、伸び率とは、温度変化前の試料の長さ(L)に対する温度変化後の試料の伸びの変化量(ΔL)の比率のことをいう。
また、このような焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔においては、温度を300℃から380℃まで変化させた場合における、前記キャリアの熱膨張係数(α1)と前記極薄銅箔の熱膨張係数(α2)との差の絶対値(|α1−α2|)の平均値が0〜100ppm/Kの範囲となることが好ましく、0〜80ppm/Kの範囲となることがより好ましい。前記熱膨張係数の差の絶対値(|α1−α2|)の平均値が前記範囲内の値であれば、より確実に極薄銅箔における皺の発生を抑止することができる傾向にある。
(第3の工程)
本発明の第1の製造方法においては、前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記キャリア付片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る(第3の工程)。
本発明の第1の製造方法においては、前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記キャリア付片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る(第3の工程)。
このような第3の工程においては、先ず、前記第1の工程で得られたキャリア付片面フレキシブル銅張積層基板と、前記第2の工程で得られた焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔とを用いる。このような焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔としては、前記焼鈍処理を施したものをそのまま用いてもよく、前記焼鈍処理を施した後に冷却したものを用いてもよい。
このような第3の工程においては、次に、焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、キャリア付片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層する。このようにキャリア付片面フレキシブル銅張積層基板にキャリア付極薄銅箔を積層する方法としては、適宜公知の方法を採用することができ、例えば、通常のハイドロプレス、真空タイプのハイドロプレス、オートクレーブ加圧式真空プレス、加熱ロールプレス、ダブルベルトプレス、連続式熱ラミネータ等を用いる方法を挙げることができる。
また、キャリア付片面フレキシブル銅張積層基板にキャリア付極薄銅箔を積層する際の温度は、極薄銅箔とポリイミド樹脂層との接着強度の観点から、300〜430℃の範囲であることが好ましく、350〜400℃の範囲であることがより好ましい。
本発明のキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法は、以上説明したような第1の工程、第2の工程及び第3の工程を含む方法である。このような製造方法により得られるキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板においては、前記極薄銅箔が前記キャリアにより保護されているため、例えば輸送する際に前記極薄銅箔にキズがつきにくい。そして、回路形成工程を行い両面フレキシブル配線基板を作製する前に、このようなキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板に更に後述する第4の工程を行うことにより、両面フレキシブル銅張積層基板を得ることができる。また、このようなキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板においては、極薄銅箔における皺の発生の抑止、及び後述する第4の工程における作業性の観点から、前記極薄銅箔と前記キャリアとの剥離強度が3〜100N/mの範囲であることが好ましい。
(第4の工程)
本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法においては、前記キャリア付両面フレキシブル銅張積層基板から前記キャリアを剥離して前記両面フレキシブル銅張積層基板を得る(第4の工程)。
本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法においては、前記キャリア付両面フレキシブル銅張積層基板から前記キャリアを剥離して前記両面フレキシブル銅張積層基板を得る(第4の工程)。
このような第4の工程において、前記キャリア付両面フレキシブル銅張積層基板から前記キャリアを剥離する方法は特に制限されず、適宜公知の方法を用いることができる。また、このようにキャリアを剥離した際には、前記剥離層がキャリアと共に剥離されてもよく、前記剥離層が得られた両面フレキシブル銅張積層基板の極薄銅箔上に転写されていてもよい。また、このように転写されている剥離層が導体の性質を阻害する場合には、剥離層を適宜公知の方法で除去することが望ましい。さらに、このような第4の工程においては、得られた両面フレキシブル銅張積層基板の極薄銅箔にメッキ処理を施して極薄銅箔の厚みを調節してもよい。
また、このような両面フレキシブル銅張積層基板は、前記極薄銅箔と前記ポリイミド樹脂層との接着強度(初期接着強度)が0.8kN/m以上となるものであることが好ましい。さらに、このような両面フレキシブル銅張積層基板は、温度150℃の条件下で168時間の熱処理を施した場合において、熱処理前の初期接着強度に対する熱処理後の接着強度の比率(接着強度の耐熱保持率)が80%以上となるものであることが好ましい。
本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法は、以上説明したような第1の工程、第2の工程、第3の工程及び第4の工程を含む方法である。このような本発明の製造方法によれば、キャリア付極薄銅箔の変形に起因する両面フレキシブル銅張積層基板の極薄銅箔における皺の発生が十分に抑止された両面フレキシブル銅張積層基板を効率良く且つ確実に得ることができる。また、このような本発明の製造方法によれば、銅箔の厚みが0.1〜10μmという極めて薄い銅箔を備えた両面フレキシブル銅張積層基板を得ることができるため、微細な回路形成をすることが可能な両面フレキシブル銅張積層基板を提供することが可能となる。さらに、このような本発明の製造方法により得られる両面フレキシブル銅張積層基板は、前記極薄銅箔と前記ポリイミド樹脂層との接着強度が高いため、例えば、チップオンフィルム(COF)用途のような微細細線で且つ高温での実装を必要とする用途にも好適に用いることができる。
<両面フレキシブル銅張積層基板及びキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の第2の製造方法>
次に、本発明の両面フレキシブル銅張積層基板及びキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の第2の製造方法について説明する。本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の第2の製造方法においては、前記第1の工程において、前記キャリア付極薄銅箔に代えて他の銅箔を用いた以外は前述した両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法と同様にして、前記極薄銅箔を一方の面に、且つ他の銅箔を他方の面に備える両面フレキシブル銅張積層基板を得る(第1の工程、第2の工程、第3の工程、第4の工程)。
次に、本発明の両面フレキシブル銅張積層基板及びキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の第2の製造方法について説明する。本発明の両面フレキシブル銅張積層基板の第2の製造方法においては、前記第1の工程において、前記キャリア付極薄銅箔に代えて他の銅箔を用いた以外は前述した両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法と同様にして、前記極薄銅箔を一方の面に、且つ他の銅箔を他方の面に備える両面フレキシブル銅張積層基板を得る(第1の工程、第2の工程、第3の工程、第4の工程)。
また、本発明のキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の第2の製造方法においては、前記第1の工程において、前記キャリア付極薄銅箔に代えて他の銅箔を用いた以外は前述したキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の第1の製造方法と同様にして、前記キャリア付極薄銅箔を一方の面に、且つ他の銅箔を他方の面に備えるキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る(第1の工程、第2の工程、第3の工程)。
本発明の第2の製造方法にかかる他の銅箔としては特に限定されず、圧延銅箔、電解銅箔等の公知の銅箔を用いることができる。また、このような他の銅箔の厚さは特に限定されるものではないが、厚みが5〜35μmであることが好ましく、8〜20μmであることがより好ましい。他の銅箔の厚みが前記下限未満では、基板の製造における搬送性が安定しない傾向にあり、他方、前記上限を超えると得られる両面フレキシブル銅張積層基板において微細な回路形成が困難となる傾向にある。さらに、このような他の銅箔の表面粗度(Rz)は、他の銅箔とポリイミド樹脂層との接着強度の観点から、1μm以下であることが好ましく、0.01〜0.1μmの範囲であることがより好ましい。なお、表面粗度(Rz)とは、JIS B 0601に記載された方法に準じて表面粗さにおける十点平均粗さを測定した値を示す。
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
(合成例1)
先ず、溶媒としてN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)用い、この溶媒294gに2,2’−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン(BAPP)29.13g(0.071モル)を溶解させた。次に、この溶液に3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)3.225g(0.011モル)及び無水ピロメリット酸(PMDA)13.55g(0.062モル)を添加した後に、室温にて3時間攪拌して、これらの化合物を重合反応せしめて、ポリイミド前駆体溶液Aを得た。
先ず、溶媒としてN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)用い、この溶媒294gに2,2’−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン(BAPP)29.13g(0.071モル)を溶解させた。次に、この溶液に3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)3.225g(0.011モル)及び無水ピロメリット酸(PMDA)13.55g(0.062モル)を添加した後に、室温にて3時間攪拌して、これらの化合物を重合反応せしめて、ポリイミド前駆体溶液Aを得た。
なお、得られたポリイミド前駆体溶液Aを用いてポリイミドフィルムを作製し、そのポリイミドフィルムの熱膨張係数を測定した。すなわち、得られたポリイミド前駆体溶液Aを銅箔上に塗工した後に、130℃で5分間乾燥し、その後、15分かけて300℃まで昇温することによりイミド化を進行させてポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィルムの熱膨張係数は55ppm/Kであった。
(合成例2)
先ず、溶媒としてN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)用い、この溶媒3076gに4,4’−ジアミノ−2,2’−ジメチルビフェニル(DADMB)203.22g(0.957モル)及び1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(1,3−BAB)31.10g(0.106モル)を溶解させた。次に、この溶液に3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)61.96g(0.211モル)及び無水ピロメリット酸(PMDA)183.73g(0.842モル)を添加した後に、室温にて4時間攪拌して、これらの化合物を重合反応せしめて、ポリイミド前駆体溶液Bを得た。
先ず、溶媒としてN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)用い、この溶媒3076gに4,4’−ジアミノ−2,2’−ジメチルビフェニル(DADMB)203.22g(0.957モル)及び1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(1,3−BAB)31.10g(0.106モル)を溶解させた。次に、この溶液に3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)61.96g(0.211モル)及び無水ピロメリット酸(PMDA)183.73g(0.842モル)を添加した後に、室温にて4時間攪拌して、これらの化合物を重合反応せしめて、ポリイミド前駆体溶液Bを得た。
なお、得られたポリイミド前駆体溶液Bを用いてポリイミドフィルムを作製し、そのポリイミドフィルムの熱膨張係数を測定した。すなわち、得られたポリイミド前駆体溶液Bを銅箔上に塗工した後に、130℃で5分間乾燥し、その後、15分かけて300℃まで昇温することによりイミド化を進行させてポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィルムの熱膨張係数は15ppm/Kであった。
(実施例1)
先ず、キャリア付極薄銅箔(日本電解製、YSNAP−3B、キャリアの厚み:18μm、剥離層の厚み:約100nm、極薄銅箔の厚み:3μm)の極薄銅箔の表面に、合成例1で得られたポリイミド前駆体溶液Aを塗工し、130℃で5分間乾燥してポリイミド前駆体膜Aを形成した。その後、このポリイミド前駆体膜Aの表面に合成例2で得られたポリイミド前駆体溶液Bを塗工し、130℃で5分間乾燥してポリイミド前駆体膜Bを形成し、さらに、合成例1で得られたポリイミド前駆体溶液Aを塗工し、130℃で5分間乾燥してポリイミド前駆体膜Aを形成した。そして、15分かけて300℃まで昇温することによりイミド化を進行させ、ポリイミド樹脂層(3μmの高熱膨張性樹脂層/20μmの低熱膨張性樹脂層/2μmの高熱膨張性樹脂層)を形成してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得た。
先ず、キャリア付極薄銅箔(日本電解製、YSNAP−3B、キャリアの厚み:18μm、剥離層の厚み:約100nm、極薄銅箔の厚み:3μm)の極薄銅箔の表面に、合成例1で得られたポリイミド前駆体溶液Aを塗工し、130℃で5分間乾燥してポリイミド前駆体膜Aを形成した。その後、このポリイミド前駆体膜Aの表面に合成例2で得られたポリイミド前駆体溶液Bを塗工し、130℃で5分間乾燥してポリイミド前駆体膜Bを形成し、さらに、合成例1で得られたポリイミド前駆体溶液Aを塗工し、130℃で5分間乾燥してポリイミド前駆体膜Aを形成した。そして、15分かけて300℃まで昇温することによりイミド化を進行させ、ポリイミド樹脂層(3μmの高熱膨張性樹脂層/20μmの低熱膨張性樹脂層/2μmの高熱膨張性樹脂層)を形成してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得た。
次に、他のキャリア付極薄銅箔(日本電解製、YSNAP−3B、キャリアの厚み:18μm、剥離層の厚み:約100nm、極薄銅箔の厚み:3μm)を準備し、他のキャリア付極薄銅箔を加熱炉に入れて温度180℃の条件下にて30分間加熱(焼鈍処理)して、焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を得た。
そして、ロールプレスを用い、温度条件を380℃として、得られた焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、得られたキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に熱ラミネートしてキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得た。このようにして得られたキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を図1に示す。すなわち、図1に示すキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板6は、キャリア4上に剥離層3を介して極薄銅箔2が形成されている2枚のキャリア付極薄銅箔5、並びに高熱膨張性樹脂層1aと低熱膨張性樹脂層1bと高熱膨張性樹脂層1cとを備える積層体であるポリイミド樹脂層1を備えている。そして、図1に示すキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板6は、キャリア付極薄銅箔5が、キャリア4が外側になるようにして、ポリイミド樹脂層1の両面に積層されている。
次いで、得られたキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板からキャリアを剥離して両面フレキシブル銅張積層基板を得た。このようにして得られた両面フレキシブル銅張積層基板を図2に示す。すなわち、図2に示す両面フレキシブル銅張積層基板7は、2枚の極薄銅箔2、並びに高熱膨張性樹脂層1aと低熱膨張性樹脂層1bと高熱膨張性樹脂層1cとを備える積層体であるポリイミド樹脂層1を備えている。そして、図2に示す両面フレキシブル銅張積層基板7は、極薄銅箔2がポリイミド樹脂層1の両面に積層されている。
(実施例2)
焼鈍処理の処理時間を1時間とした以外は実施例1と同様にして両面フレキシブル銅張積層基板を得た。
焼鈍処理の処理時間を1時間とした以外は実施例1と同様にして両面フレキシブル銅張積層基板を得た。
(比較例1)
他のキャリア付極薄銅箔に焼鈍処理を施さなかった以外は実施例1と同様にして比較用の両面フレキシブル銅張積層基板を得た。
他のキャリア付極薄銅箔に焼鈍処理を施さなかった以外は実施例1と同様にして比較用の両面フレキシブル銅張積層基板を得た。
<伸び率及び熱膨張係数の測定方法>
サーマルメカニカルアナライザー(セイコーインスツルメント社製)を用い、引張モードにおける熱機械分析により、伸びの変化量をそれぞれ測定した。そして、その測定値から伸び率及び熱膨張係数を算出した。
サーマルメカニカルアナライザー(セイコーインスツルメント社製)を用い、引張モードにおける熱機械分析により、伸びの変化量をそれぞれ測定した。そして、その測定値から伸び率及び熱膨張係数を算出した。
なお、ポリイミドフィルムについては、温度を100℃から250℃まで変化させた場合における熱膨張係数の平均値を算出した。また、キャリア付極薄銅箔の伸び率については、温度を30℃から380℃まで変化させた場合における、キャリアの伸び率と極薄銅箔の伸び率との差の絶対値の最大値を算出した。さらに、キャリア付極薄銅箔の熱膨張係数については、温度を300℃から395℃まで変化させた場合における、キャリアの熱膨張係数と極薄銅箔の熱膨張係数との差の絶対値の平均値を算出した。
<接着強度(ピール強度)及び耐熱保持率の測定方法>
(i)測定用試料の作製
実施例1、2及び比較例1で得られた両面フレキシブル銅張積層基板を用いて試料を作成した。すなわち、測定を容易にするために、極薄銅箔を含めた銅箔の厚みが8μmとなるように、両面フレキシブル銅張積層基板に電解銅メッキを施した。そして、電解銅メッキした銅箔を幅1mmの直線状にパターン形成して試料Aを得た。また、この試料Aに温度150℃の条件下にて168時間の耐熱試験を行って試料Bを得た。
(i)測定用試料の作製
実施例1、2及び比較例1で得られた両面フレキシブル銅張積層基板を用いて試料を作成した。すなわち、測定を容易にするために、極薄銅箔を含めた銅箔の厚みが8μmとなるように、両面フレキシブル銅張積層基板に電解銅メッキを施した。そして、電解銅メッキした銅箔を幅1mmの直線状にパターン形成して試料Aを得た。また、この試料Aに温度150℃の条件下にて168時間の耐熱試験を行って試料Bを得た。
(ii)接着強度及び耐熱保持率の測定
測定装置としては、テンシロンテスター(東洋精機製作所社製)を用いた。そして、試料Aを評価する銅箔の反対側で両面テープによりステンレス板に固定した後に、銅箔を90°方向に50mm/分の速度で剥離して、接着強度を測定した。また、試料Bについても上記と同様の方法で接着強度を測定した。そして、試料Aの接着強度に対する試料Bの接着強度の比率(接着強度の耐熱保持率)を算出した。
測定装置としては、テンシロンテスター(東洋精機製作所社製)を用いた。そして、試料Aを評価する銅箔の反対側で両面テープによりステンレス板に固定した後に、銅箔を90°方向に50mm/分の速度で剥離して、接着強度を測定した。また、試料Bについても上記と同様の方法で接着強度を測定した。そして、試料Aの接着強度に対する試料Bの接着強度の比率(接着強度の耐熱保持率)を算出した。
<外観評価の方法>
実施例1、2及び比較例1で得られた両面フレキシブル銅張積層基板の外観を目視にて評価した。そして、皺の発生がなく外観が良好なものを「合格」と判定し、それ以外の場合を「不合格」と判定した。
実施例1、2及び比較例1で得られた両面フレキシブル銅張積層基板の外観を目視にて評価した。そして、皺の発生がなく外観が良好なものを「合格」と判定し、それ以外の場合を「不合格」と判定した。
<評価結果>
実施例1、2及び比較例1で得られた両面フレキシブル銅張積層基板の接着強度及び耐熱保持率の測定結果、並びに外観評価の結果をそれぞれ表1に示す。また、実施例1、2及び比較例1における、焼鈍処理の処理時間及び処理温度、並びに焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔(比較例1については未処理のキャリア付極薄銅箔)のキャリアの伸び率と極薄銅箔の伸び率との差(最大値)、及びキャリアの熱膨張係数と極薄銅箔の熱膨張係数との差(平均値)をそれぞれ表1に示す。
実施例1、2及び比較例1で得られた両面フレキシブル銅張積層基板の接着強度及び耐熱保持率の測定結果、並びに外観評価の結果をそれぞれ表1に示す。また、実施例1、2及び比較例1における、焼鈍処理の処理時間及び処理温度、並びに焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔(比較例1については未処理のキャリア付極薄銅箔)のキャリアの伸び率と極薄銅箔の伸び率との差(最大値)、及びキャリアの熱膨張係数と極薄銅箔の熱膨張係数との差(平均値)をそれぞれ表1に示す。
表1に示した結果から明らかなように、本発明の製造方法により得られた両面フレキシブル銅張積層基板(実施例1、2)は、極薄銅箔とポリイミド樹脂層との接着強度が高く、しかも極薄銅箔における皺の発生が十分に抑止されたものであった。
以上説明したように、本発明によれば、極薄銅箔とポリイミド樹脂層との接着強度が高く、しかも極薄銅箔における皺の発生が十分に抑止された両面フレキシブル銅張積層基板を効率良く且つ確実に得ることが可能な両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法を提供することが可能となる。
1…ポリイミド樹脂層、1a…高熱膨張性樹脂層、1b…低熱膨張性樹脂層、1c…高熱膨張性樹脂層、2…極薄銅箔、3…剥離層、4…キャリア、5…キャリア付極薄銅箔、6…キャリア付両面フレキシブル銅張積層基板、7…両面フレキシブル銅張積層基板。
Claims (10)
- キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているキャリア付極薄銅箔から前記キャリアを剥離してなる極薄銅箔を両面に備える両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法であって、
前記キャリア付極薄銅箔の極薄銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成してキャリア付片面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
他の前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す工程と、
前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記キャリア付片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
前記キャリア付両面フレキシブル銅張積層基板から前記キャリアを剥離して前記両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
を含むことを特徴とする両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法。 - キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているキャリア付極薄銅箔から前記キャリアを剥離してなる極薄銅箔を一方の面に、且つ他の銅箔を他方の面に備える両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法であって、
前記銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成して片面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す工程と、
前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
前記キャリア付両面フレキシブル銅張積層基板から前記キャリアを剥離して前記両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
を含むことを特徴とする両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法。 - 前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔が、温度を30℃から395℃まで変化させた場合における、前記キャリアの伸び率(ΔL1/L0)と前記極薄銅箔の伸び率(ΔL2/L0)との差の絶対値(|ΔL1−ΔL2|/L0)の最大値が0〜1.5%の範囲となるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法。
- 前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔が、温度を300℃から395℃まで変化させた場合における、前記キャリアの熱膨張係数(α1)と前記極薄銅箔の熱膨張係数(α2)との差の絶対値(|α1−α2|)の平均値が0〜100ppm/Kの範囲となるものであることを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載の両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法。
- 前記焼鈍処理における処理温度が150〜250℃の範囲であることを特徴とする請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載の両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法。
- 前記焼鈍処理における処理時間が15〜90分間の範囲であることを特徴とする請求項1〜5のうちのいずれか一項に記載の両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法。
- 前記キャリア付極薄銅箔の極薄銅箔の厚みが0.1〜10μmであり、且つ前記キャリアの厚みが5〜100μmであることを特徴とする請求項1〜6のうちのいずれか一項に記載の両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法。
- 前記ポリイミド樹脂層が、熱膨張係数が20ppm/K以上の高熱膨張性樹脂層と熱膨張係数が20ppm/K未満の低熱膨張性樹脂層とを備える積層体であり、且つ該積層体の熱膨張係数が15〜25ppm/Kの範囲であることを特徴とする請求項1〜7のうちのいずれか一項に記載の両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法。
- キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているキャリア付極薄銅箔を両面に備えるキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法であって、
前記キャリア付極薄銅箔の極薄銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成してキャリア付片面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
他の前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す工程と、
前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記キャリア付片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
を含むことを特徴とするキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法。 - キャリア上に剥離層を介して極薄銅箔が形成されているキャリア付極薄銅箔を一方の面に、且つ他の銅箔を他方の面に備えるキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法であって、
前記銅箔の表面にポリイミド樹脂層を形成して片面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
前記キャリア付極薄銅箔を120℃以上の温度条件下で5分間以上加熱することにより焼鈍処理を施す工程と、
前記焼鈍処理後のキャリア付極薄銅箔を、キャリアが外側になるようにして、前記片面フレキシブル銅張積層基板のポリイミド樹脂層の表面に積層してキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板を得る工程と、
を含むことを特徴とするキャリア付両面フレキシブル銅張積層基板の製造方法。
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