CN101396895A - 两面挠性覆铜叠层基板及带载体的所述基板的制造方法 - Google Patents

两面挠性覆铜叠层基板及带载体的所述基板的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，其是在两面上具有极薄铜箔的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，上述极薄铜箔是从在载体上通过剥离层形成极薄铜箔的带载体的极薄铜箔上，剥离上述载体而形成的。该法包括：在上述带载体的极薄铜箔的极薄铜箔表面上形成聚酰亚胺树脂层，得到带载体的单面挠性覆铜叠层基板的工序；对另外的上述带载体的极薄铜箔实施退火处理的工序；把上述退火处理后的带载体的极薄铜箔，使载体作为外侧，在上述带载体的单面挠性覆铜叠层基板的聚酰亚胺树脂层的表面上层叠，得到带载体的两面挠性覆铜叠层基板的工序；从上述带载体的两面挠性覆铜叠层基板上剥离上述载体，得到上述两面挠性覆铜叠层基板的工序。

Description

两面挠性覆铜叠层基板及带载体的所述基板的制造方法
技术领域
本发明涉及采用带载体的极薄铜箔的两面挠性覆铜叠层基板及带载体的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法。
背景技术
近年来，伴随着电子仪器的高性能化、轻薄短小化，要求能与小间距化对应的挠性印刷基板材料。在这种挠性印刷基板中，作为电路的形成方法，主要采用对铜箔进行蚀刻形成配线的方法，即主要使用消去法。但是，采用这种消去法制造的两面覆铜叠层板配线中，要求间距在100μm以下，因此，使用的铜箔厚度必需在20μm以下。然而，采用两面覆铜叠层基板的多层基板，在层间进行穿孔加工、利用电镀铜加以导通时，由于在形成电路的同时电镀铜，存在铜箔厚度增加的问题，故要求两面覆铜叠层基板的铜箔厚度更薄。
为了解决该问题，例如，特开2003-340963号公报(文献1)中公开了一种采用在载体上通过剥离层形成极薄铜箔的复合铜箔(下面称作带载体的极薄铜箔)，得到铜箔厚度薄的两面覆铜叠层基板的技术。另外，与该技术有关的，例如特开2001-140091号公报(文献2)中公开了一种构成载体铜箔的材料的热膨胀率与构成电解铜箔层的材料的热膨胀率之差在4×10-7/deg以上的带载体的极薄铜箔。另外，特开2003-94553号公报(文献3)中公开了一种在支持体铜箔与极薄铜箔之间具有包含Cu-Ni-Mo合金的剥离层的带载体的极薄铜箔。
但是，采用上述专利文献等中记载的带载体的极薄铜箔，制造两面覆铜叠层基板时，带载体的极薄铜箔在高温(例如300℃以上)通过层压等加以叠层时，有在极薄铜箔上发皱的问题。另外，在这种两面覆铜叠层基板中，极薄铜箔与树脂层的粘合强度不充分，难以在象芯片软膜构装技术(COF)用途这样的为细微细线并且必需于高温下安装的用途中使用。
另一方面，作为改善极薄铜箔与树脂层粘合强度的技术，例如，特开2004-42579号公报(文献4)中公开了一种两面覆铜叠层基板，其把带载体的极薄铜箔与包括热压接性芳香族聚酰亚胺层及高耐热性芳香族聚酰亚胺层的热压粘性多层聚酰亚胺膜在加压下热压接、冷却、叠层而构成，铜箔与热压粘性多层聚酰亚胺膜的粘合强度为0.7N/mm以上，载体与铜箔的剥离强度在0.2N/mm以下。但是，上述专利文献4中记载的两面覆铜叠层基板，在极薄铜箔与树脂层的粘合强度这点上未必充分。
发明内容
本发明是鉴于上述现有技术存在的课题而提出的，目的是提供一种有效而可靠地得到极薄铜箔与聚酰亚胺树脂层的粘合强度高，并且可以充分抑制极薄铜箔发皱的两面挠性覆铜叠层基板的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法。
本发明人等为达到上述目的而悉心研究的结果发现，在具有从载体上通过剥离层形成极薄铜箔的带载体的极薄铜箔上，剥离上述载体而形成的极薄铜箔的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法中，对带载体的极薄铜箔实施特定的退火处理，然后，通过把该带载体的极薄铜箔在单面挠性覆铜叠层基板上叠层，可以有效而可靠地得到极薄铜箔与聚酰亚胺树脂层的粘合强度高，并且可以充分抑制极薄铜箔中发皱的两面挠性覆铜叠层基板，从而完成本发明。
即，本发明的两面挠性覆铜叠层基板的第1制造方法，是从载体上通过剥离层形成极薄铜箔的带载体的极薄铜箔上，剥离上述载体而形成的两面具有极薄铜箔的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，该法包括：
在上述带载体的极薄铜箔的极薄铜箔表面上形成聚酰亚胺树脂层，得到带载体的单面挠性覆铜叠层基板的工序；
对另外的上述带载体的极薄铜箔实施退火处理的工序；
把上述退火处理后的带载体的极薄铜箔，使载体作为外侧，在上述带载体的单面挠性覆铜叠层基板的聚酰亚胺树脂层的表面上叠层，得到带载体的两面挠性覆铜叠层基板的工序；
从上述带载体的两面挠性覆铜叠层基板上，剥离上述载体，得到上述两面挠性覆铜叠层基板的工序。
另外，本发明的两面挠性覆铜叠层基板的第2制造方法，是在一个面上具有从在载体上通过剥离层形成极薄铜箔的带载体的极薄铜箔，剥离上述载体而形成的极薄铜箔，并且在另一面上具有另外铜箔的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，该法包括：
在上述铜箔的表面上形成聚酰亚胺树脂层，得到单面挠性覆铜叠层基板的工序；
对上述带载体的极薄铜箔实施退火处理的工序；
把上述退火处理后的带载体的极薄铜箔，使载体作为外侧，在上述单面挠性覆铜叠层基板的聚酰亚胺树脂层的表面上叠层，得到带载体的两面挠性覆铜叠层基板的工序；
从上述带载体的两面挠性覆铜叠层基板上剥离上述载体，得到上述两面挠性覆铜叠层基板的工序。
另外，在本发明的两面挠性覆铜叠层基板的第1及第2制造方法中，上述退火处理在120℃以上的温度条件下，加热5分钟以上的处理是优选的。
还有，在本发明的两面挠性覆铜叠层基板的第1及第2制造方法中，上述退火处理后的带载体的极薄铜箔，当温度从30℃变至395℃时，上述载体的伸长率(ΔL1/L0)与上述极薄铜箔的伸长率(ΔL2/ΔL0)之差的绝对值(|ΔL1-ΔL2|/L0)的最大值达到0～1.5％的范围是优选的。
另外，在本发明的两面挠性覆铜叠层基板的第1及第2制造方法中，上述退火处理后的带载体的极薄铜箔，当温度从300℃变化至395℃时，上述载体的热膨胀系数(α1)与上述极薄铜箔的热膨胀系数(α2)之差的绝对值(|α1-α2|)的平均值达到0～100ppm/K的范围是优选的。
另外，在本发明的两面挠性覆铜叠层基板的第1及第2制造方法中，上述退火处理中的处理温度达到150～250℃的范围是优选的。
另外，在本发明的两面挠性覆铜叠层基板的第1及第2制造方法中，上述退火处理中的处理时间达到15～90分钟的范围是优选的。
另外，在本发明的两面挠性覆铜叠层基板的第1及第2制造方法中，上述带载体的极薄铜箔的极薄铜箔的厚度为0.1～10μm，并且上述载体的厚度达到5～100μm是优选的。
另外，在本发明的两面挠性覆铜叠层基板的第1及第2制造方法中，上述聚酰亚胺树脂层为具有热膨胀系数20ppm/K以上的高热膨胀性树脂层与热膨胀系数低于20ppm/K的低热膨胀性树脂层的叠层体，并且，该叠层体的热膨胀系数处于15～25ppm/K的范围是优选的。
本发明的带载体的两面挠性覆铜叠层基板的第1制造方法，是其两面具有在载体上通过剥离层形成极薄铜箔的带载体的极薄铜箔的带载体的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，
该法包括：
在上述带载体的极薄铜箔的极薄铜箔表面上形成聚酰亚胺树脂层，得到带载体的单面挠性覆铜叠层基板的工序；
对另外的上述带载体的极薄铜箔实施退火处理的工序；
把上述退火处理后的带载体的极薄铜箔，使载体作为外侧，在上述带载体的单面挠性覆铜叠层基板的聚酰亚胺树脂层的表面上叠层，得到带载体的两面挠性覆铜叠层基板的工序。
本发明的带载体的两面挠性覆铜叠层基板的第2制造方法，是在一个面上具有在载体上通过剥离层形成极薄铜箔的带载体的极薄铜箔，而在另一个面上具有其他铜箔的带载体的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法。
该法包括：
在上述铜箔表面上形成聚酰亚胺树脂层，得到单面挠性覆铜叠层基板的工序；
对上述带载体的极薄铜箔实施退火处理的工序；
把上述退火处理后的带载体的极薄铜箔，使载体作为外侧，在上述单面挠性覆铜叠层基板的聚酰亚胺树脂层的表面上叠层，得到带载体的两面挠性覆铜叠层基板的工序。
另外，在本发明的带载体的两面挠性覆铜叠层基板的第1及第2制造方法中，上述退火处理在120℃以上的处理温度条件下加热5分钟以上进行处理是优选的。
还有，采用本发明的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，可以有效而可靠地得到极薄铜箔与聚酰亚胺树脂层的粘合强度高，并且可以充分抑止极薄铜箔发皱的两面挠性覆铜叠层基板的理由尚未确定，但本发明人推测如下。即，在单面挠性覆铜叠层基板上，把带载体的极薄铜箔采用层压等方法进行叠层时，对上述带载体的极薄铜箔施加急剧的热负荷。而且，本发明人推测，通过这种急剧的热负荷，在上述带载体的极薄铜箔中，由于载体与极薄铜箔之间产生伸长程度的差，带载体的极薄铜箔发生变形，由于其是在单面挠性覆铜叠层基板上叠层，故两面挠性覆铜叠层基板上产生皱纹。
对此，在本发明的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法中，在叠层上述带载体的极薄铜箔前，对上述带载体的极薄铜箔实施特定的退火处理。通过该退火处理，在上述带载体的极薄铜箔中，载体与极薄铜箔之间伸长程度的差可以变小，上述载体与上述极薄铜箔之间的伸长率或热膨胀系数差也可达到特定的范围。因此，上述急剧的热负荷，即使施加在退火处理后的带载体的极薄铜箔上，上述极薄铜箔中皱纹的发生也被充分抑止。另外，因此，本发明中由于上述极薄铜箔中皱纹的发生被充分抑止，故在单面挠性覆铜叠层基板上叠层带载体的极薄铜箔时的温度可适当选择，例如，其温度也可以达到300度以上的高温。因此，本发明人等推测，采用本发明的两面挠性覆铜叠层基板制造方法，可以有效的可靠地得到聚酰亚胺树脂层与上述极薄铜箔的粘合强度高的两面挠性覆铜叠层基板。
按照本发明，可以提供一种两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，其可以有效且可靠地得到极薄铜箔与聚酰亚胺树脂层的粘合强度高，并且极薄铜箔中皱纹发生被充分抑止的两面挠性覆铜叠层基板。
附图说明
图1是显示实施例中得到的带载体的两面挠性覆铜叠层基板的模式断面图。
图2是显示实施例中得到的两面挠性覆铜叠层基板的模式断面图。
具体实施方式
下面对本发明的优选实施方案加以详细说明。
<两面挠性覆铜叠层基板及带载体的两面挠性覆铜叠层基板的第1制造方法>
首先，对本发明的两面挠性覆铜叠层基板及带载体的两面挠性覆铜叠层基板的第1制造方法加以说明。本发明的两面挠性覆铜叠层基板的第1制造方法，是两面具有极薄铜箔的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，所述的极薄铜箔是从在载体上通过剥离层形成极薄铜箔的带载体的极薄铜箔上，剥离上述载体而形成的。另外，本发明的带载体的两面挠性覆铜叠层基板的第1制造方法，是两面具有在载体上通过剥离层形成极薄铜箔的带载体的极薄铜箔的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法。
(第1工序)
在本发明的第1制造方法中，在上述带载体的极薄铜箔的极薄铜箔表面形成聚酰亚胺树脂层，得到带载体的单面挠性覆铜叠层基板(第1工序)。
在该第1工序中，首先，准备带载体的极薄铜箔。这种带载体的极薄铜箔，是在载体上通过剥离层形成的极薄铜箔。而且，作为这种载体材料，例如，可以举出铜、铁、铝等金属、以这些金属作为主成分的合金、工程塑料等耐热性树脂。在这些材料中，从操作性优良且廉价的观点考虑，铜、以铜作为主成分的合金是优选的。另外，作为这种载体的厚度，厚度为5～10μm的范围是优选的，12～50μm的范围是更优选的，12～30μm的范围是特优选的。当上述载体的厚度处于低于上述下限时，在基板的制造中转送性有不稳定的倾向，另一方面，当超过上述上限时，在后面工序中被剥离的载体量增加，并且，由于这种载体难以再利用，故经济上有不利的倾向。
在该带载体的极薄铜箔上覆盖的极薄铜箔，是成为可得到的两面挠性覆铜叠层基板的铜箔。作为该极薄铜箔的厚度，厚度为0.1～10μm的范围是优选的，0.3～6μm的范围是更优选的，1～3μm的范围是特优选的。当极薄铜箔的厚度低于上述下限时，易存在针孔，对稳定的电路形成有产生不良的倾向，另一方面，当大于上述上限时，得到的两面挠性覆铜叠层基板中有难以形成细微电路的倾向。另外，该极薄铜箔的表面粗糙度(Rz)，对得到的两面挠性覆铜叠层基板，实施电路形成处理时，从图案形状及直线性的观点考虑，1μm以下是优选的，0.01～0.1μm的范围是更优选的。还有，所谓表面粗糙度(Rz)，表示按照JIS B 0601记载的方法，测定表面粗糙度中的10点平均粗糙度的值。
覆盖在该带载体的极薄铜箔上的剥离层，是为了容易剥离极薄铜箔与载体的目的(或为了赋予弱粘接性)而设置的层。作为这种剥离层的厚度，希望更薄，厚度达到0.5μm以下是优选的，50～100nm的范围是更优选的。作为这种剥离层的材料，只要能稳定而容易地把极薄铜箔与载体剥离的即可而未作特别限定，可以举出铜、铬、镍、钴等金属、含这些金属元素的化合物。另外，作为这种剥离层的材料，例如，也可以使用文献1中记载的有机化合物类材料，可根据需要使用弱粘接剂。
在该第1工序中，其次，在上述带载体的极薄铜箔的极薄铜箔表面上形成聚酰亚胺树脂层，得到带载体的单面挠性覆铜叠层基板。该聚酰亚胺树脂层是由聚酰亚胺树脂构成的层，是作为两面挠性覆铜叠层基板绝缘层起作用的层。
另外，该聚酰亚胺树脂层既可以是由聚酰亚胺树脂构成的单层，也可以是具有由聚酰亚胺树脂构成的多层的叠层体。另外，该聚酰亚胺树脂层，从聚酰亚胺树脂层与极薄铜箔的粘合强度的观点考虑，具有热膨胀系数20ppm/K以上(更优选30～100ppm/K的范围)的高热膨胀性树脂层与热膨胀系数低于20ppm/K(更优选0～19ppm/K的范围)的低热膨胀性树脂层的叠层体是优选的。另外，该叠层体的热膨胀系数处于15～25ppm/K的范围是优选的，15～23ppm/K的范围是更优选的，15～20ppm/K的范围是特优选的。还有，当这种聚酰亚胺树脂层为叠层体时，从聚酰亚胺树脂层与极薄铜箔的粘合强度的观点考虑，与铜箔接触的层为高热膨胀性树脂层是优选的。
所谓该聚酰亚胺树脂，意指树脂骨架中具有酰亚胺键的树脂，而且，作为这种聚酰亚胺树脂，例如，可以举出聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺酯、聚苯并咪唑。另外，这些聚酰亚胺树脂，可通过作为原料的二胺与酸酐(酸二酐)进行酰亚胺化得到。
作为这种聚酰亚胺树脂原料的二胺，例如，可以举出4，4′-二氨基二苯醚(DAPE)、1，3-双(4-氨基苯氧基)苯(1，3-BAB)、2，2′-双[4-(4-氨基苯氧基)苯]丙烷(BAPP)、4，4′-二氨基-2，2′-二甲基联苯(DADMB)、2-甲氧基-4，4′-二氨基N-苯甲酰苯胺(MABA)。另外，作为这种聚酰亚胺树脂原料的酸酐，例如，可以举出均苯四酸二酐(PMDA)、3，3′，4，4′-联苯基四羧酸二酐(BPDA)、3，3′，4，4′-二苯甲酮四酸二酐(BTDA)、3，3′，4，4′-二苯基砜四羧酸二酐(DSDA)。这些二胺及酸酐，既可以单独使用1种，也可以2种以上组合使用。
在这些聚酰亚胺树脂的原料中，在形成上述高热膨胀性树脂层时，作为二胺，采用DAPE、1，3-BAB、BAPP等是优选的，采用DAPE、BAPP等是更优选的。另外，作为酸酐，采用PMDA、BPDA、BTDA、DSDA等是优选的，采用PMDA、BPDA、BTDA是更优选的。这些二胺及酸酐，既可以1种单独使用，也可以2种以上组合使用。另一方面，在形成上述低热膨胀性树脂层时，作为二胺，采用DADMB、MABA、1，3-BAB等是优选的，采用DADMB、1，3-BAB是更优选的。另外，作为酸酐，采用PMDA、BPDA是优选的。这些二胺及酸酐，既可以1种单独使用，也可以2种以上组合使用。
作为形成上述说明的聚酰亚胺树脂层的方法，可以举出：准备含有上述聚酰亚胺树脂原料的聚酰亚胺树脂前体溶液、含上述聚酰亚胺树脂的聚酰亚胺树脂溶液等树脂溶液，把该树脂溶液涂在上述极薄铜箔上，然后，进行干燥及热处理，形成聚酰亚胺树脂层的方法。作为该树脂溶液中使用的溶剂，例如，可以举出N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)、N-甲基吡咯烷酮、2-丁酮、二甘醇二甲醚(Diglyme)、二甲苯。这些溶剂既可以1种单独使用，也可以2种以上组合使用。
另外，作为这种树脂溶液的涂布方法，可以采用适当的已知的方法，例如，可以举出辊筒涂布机、模涂布机(die coater)、棒涂布机。另外，作为这种树脂溶液的涂布量，使聚酰亚胺树脂层的厚度达到5～100μm范围(更优选10～50μm范围)的涂布量是优选的。另外，在这种涂布方法中，使聚酰亚胺树脂层的厚度偏差达到±1.5μm范围内进行涂布是优选的。
而且，这种树脂溶液在上述极薄铜箔的表面涂布后，通过进行干燥及热处理，可以形成聚酰亚胺树脂层。作为其干燥条件，只要是可以除去树脂溶液中的溶剂的条件即可，例如，温度只要在100℃以上即可。另外，该热处理，可以在120℃以上的温度进行处理，可以只是进一步除去树脂溶液中的溶剂的处理，但优选进行树脂的性质改变或酰亚胺化等反应的处理。例如，当采用聚酰亚胺树脂前体溶液作为树脂溶液时，这种热处理的温度达到120～350℃的范围是优选的，该热处理的时间为15分钟以上是优选的。
(第2工序)
另外，在本发明的第1制造方法中，对另一种上述带载体的极薄铜箔实施退火处理(第2工序)。
在该第2工序中，首先，准备另外一种带载体的极薄铜箔，其与通过上述第1工序形成聚酰亚胺树脂层的带载体的极薄铜箔不同。作为这种带载体的极薄铜箔，使用如上述说明的极薄铜箔。
在该第2工序中，其次，对带载体的极薄铜箔进行退火处理。该退火处理，把带载体的极薄铜箔于120℃以上的温度条件下加热5分钟以上进行处理是优选的。另外，作为该退火处理的方法，例如，可以举出(i)把圆筒状(ロ一ル状)的带载体的极薄铜箔放入加热炉中(优选真空或氮气氛加热炉)，直接加热的方法；(ii)把圆筒状的带载体的极薄铜箔用辊到辊(roll to roll)方式边连续传送边使其通过多段加热炉进行加热的方法；(iii)把圆筒状的带载体的极薄铜箔用辊到辊方式边连续传送边使其接触加过热的辊进行加热的方法。
在这种退火处理中，处理温度为120℃以上是优选的。当处理温度低于120℃时，有不能充分抑制极薄铜箔中的皱纹发生的倾向。另外，从退火处理的效果及抑制极薄铜箔老化的观点考虑，处理温度达到120～280℃的范围是更优选的，达到150～250℃的范围是尤其优选的，达到150～230℃的范围是特别优选的。还有，在这种退火处理中，升温速度未作特别限定。
另外，在这种退火处理中，处理时间5分钟以上是优选的。处理时间低于5分钟时，有不能充分抑制极薄铜箔中发生皱纹的倾向。另外，从退火处理的效果及其效率的观点考虑，处理时间达到5～120分的范围是更优选的，达到20～90分的范围是尤其优选的，达到40～90分的范围是特别优选的。
另外，该退火处理后的带载体的极薄铜箔，当温度从30℃变至380℃时，上述载体的伸长率(ΔL1/L0)与上述极薄铜箔的伸长率(ΔL2/ΔL0)之差的绝对值(|ΔL1-ΔL2|/L0)的最大值达到0～1.5％的范围是优选的，达到0～1.4％的范围是更优选的。如上述伸长率之差的绝对值(|ΔL1-ΔL2|/L0)的最大值为上述范围内的值，则有更加可靠地抑制极薄铜箔中发生皱纹的倾向。另外，所谓伸长率，意指温度变化后的试样伸长的变化量(ΔL)对温度变化前的试样长度(L)的比率。
另外，在上述退火处理后的带载体的极薄铜箔中，当温度从300℃变化至380℃时，上述载体的热膨胀系数(α1)与上述极薄铜箔的热膨胀系数(α2)之差的绝对值(|α1-α2|)的平均值达到0～100ppm/K的范围是优选的，达到0～80ppm/K的范围是更优选的。上述热膨胀系数之差的绝对值(|α1-α2|)的平均值如为上述范围内的值，则有更加可靠地抑制极薄铜箔中发生皱纹的倾向。
(第3工序)
在本发明的第1制造方法中，上述退火处理后的带载体的极薄铜箔，使载体作为外侧，在上述带载体的单面挠性覆铜叠层基板的聚酰亚胺树脂层表面叠层，得到带载体的两面挠性覆铜叠层基板(第3工序)。
在该第3工序中，首先，采用在上述第1工序中得到的带载体的单面挠性覆铜叠层基板和上述第2工序中得到的退火处理后的带载体的极薄铜箔。作为这种退火处理后的带载体的极薄铜箔，既可直接采用实施过上述退火处理的，也可采用实施过上述退火处理后加以冷却的极薄铜箔。
在该第3工序中，其次，把退火处理后的带载体的极薄铜箔，使载体作为外侧，在带载体的单面挠性覆铜叠层基板的聚酰亚胺树脂层的表面叠层。这样，作为在带载体的单面挠性覆铜叠层基板上层叠带载体的极薄铜箔的方法，可以采用适当的公知方法，例如，可以举出采用通常的液压机、真空液压机、高压釜加压式真空压力机、加热辊筒压力机、双层带压力机、连续式热叠层机等的方法。
另外，在带载体的单面挠性覆铜叠层基板上层叠带载体的极薄铜箔时的温度，从极薄铜箔与聚酰亚胺树脂层的粘合强度的观点考虑，300～430℃的范围是优选的，350～400℃的范围是更优选的。
本发明的带载体的两面挠性覆铜叠层基板的第1制造方法，是包括以上说明的第1工序、第2工序及第3工序的方法。采用该制造方法得到的带载体的两面挠性覆铜叠层基板，由于用上述载体保护上述极薄铜箔，因此，例如，在输送时对该极薄铜箔难产生伤痕。而且，在进行电路形成工序，制造两面挠性配线基板前，通过在这种带载体的两面挠性覆铜叠层基板上再进行下述第4工序，可以得到两面挠性覆铜叠层基板。另外，这种带载体的两面挠性覆铜叠层基板，从抑制极薄铜箔中皱纹的发生、以及下述第4工序的作业性的观点考虑，上述极薄铜箔与上述载体的剥离强度达到3～100N/m的范围是优选的。
(第4工序)
本发明的两面挠性覆铜叠层基板的第1制造方法中，从上述带载体的两面挠性覆铜叠层基板上，剥离上述载体，得到上述两面挠性覆铜叠层基板(第4工序)。
在该第4工序中，从上述带载体的两面挠性覆铜叠层基板上剥离上述载体的方法未作特别限定，可以采用适当的公知方法。另外，在剥离这种载体时，上述剥离层也可与载体同时剥离，也可把上述剥离层转印至得到的两面挠性覆铜叠层基板的极薄铜箔上。另外，当这种被转印的剥离层防碍导体的性质时，希望采用适当的公知方法除去剥离层。另外，在该第4工序中，也可对得到的两面挠性覆铜叠层基板的极薄铜箔实施镀覆处理，调节极薄铜箔的厚度。
另外，这种两面挠性覆铜叠层基板，其中，上述极薄铜箔与上述聚酰亚胺树脂层的粘合强度(初期粘合强度)达到0.8kN/m以上是优选的。另外，这种两面挠性覆铜叠层基板，在温度150℃的条件下实施168小时热处理时，热处理后的粘合强度对热处理前的初期粘合强度之比(粘合强度的耐热保持率)达到80％以上是优选的。
本发明的两面挠性覆铜叠层基板的第1制造方法，是包含以上说明的第1工序、第2工序、第3工序及第4工序的方法。如采用这种本发明的制造方法，可以有效可靠地得到由于带载体的极薄铜箔变形引起的两面挠性覆铜叠层基板的极薄铜箔中皱纹的发生被充分抑制的两面挠性覆铜叠层基板。另外，如按照这种本发明的制造方法，可以得到具有铜箔的厚度达0.1～10μm这样的极薄铜箔的两面挠性覆铜叠层基板，从而可以提供一种可形成细微电路的两面挠性覆铜叠层基板。另外，采用这种本发明的制造方法得到的两面挠性覆铜叠层基板，由于上述极薄铜箔与上述聚酰亚胺树脂层的粘合强度高，例如，也可适用于芯片软膜构装技术(COF)用途这样的细微细线且必需高温下安装的用途。
<两面挠性覆铜叠层基板及带载体的两面挠性覆铜叠层基板的第2制造方法>
其次，对本发明的两面挠性覆铜叠层基板及带载体的两面挠性覆铜叠层基板的第2制造方法加以说明。本发明的两面挠性覆铜叠层基板的第2制造方法中，除在上述第1工序中，用其他铜箔代替上述带载体的极薄铜箔以外，与上述两面挠性覆铜叠层基板的第1制造方法同样操作，得到其一个面上具有上述极薄铜箔，且在另一面上具有其他铜箔的两面挠性覆铜叠层基板(第1工序、第2工序、第3工序、第4工序)。
另外，本发明的带载体的两面挠性覆铜叠层基板的第2制造方法中，在上述第1工序中，除用其他铜箔代替上述带载体的极薄铜箔以外，与上述带载体的两面挠性覆铜叠层基板的第1制造方法同样操作，可以得到在一个面上具有上述带载体的极薄铜箔，且在另一面上具有其他铜箔的带载体的两面挠性覆铜叠层基板(第1工序、第2工序、第3工序)。
作为本发明的第2制造方法中涉及的其他铜箔未作特别限定，可以采用轧制铜箔、电解铜箔等公知的铜箔。另外，对这种其他铜箔的厚度未作特别限定，但厚度为5～35μm是优选的，8～20μm是更优选的。其他铜箔的厚度小于上述下限，在基板制造中传送性有不稳定的倾向，另一方面，当超过上述上限时，所得到的两面挠性覆铜叠层基板有难以形成微细电路的倾向。另外，这种其他铜箔的表面粗糙度(Rz)，从其他铜箔与聚酰亚胺树脂层粘合强度的观点考虑，1μm以下是优选的，处于0.01～0.1μm的范围是更优选的。还有，所谓表面粗糙度(Rz)，意指按照JIS B 0601记载的方法测定的表面粗糙度的10点平均粗糙度值。
实施例
下面，根据实施例及比较例，更具体地说明本发明，但本发明不受以下实施例的限定。
(合成例1)
首先，采用N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)作为溶剂，在该溶剂294g中溶解2，2′-双[4-(4-氨基苯氧基)苯]丙烷(BAPP)29.13g(0.071摩尔)。然后，往该溶液中添加3，3′，4，4′-联苯基四羧酸二酐(BPDA)3.225g(0.011摩尔)及均苯四酸二酐(PMDA)13.55g(0.062摩尔)后，于室温搅拌3小时，使这些化合物发生聚合反应，得到聚酰亚胺前体溶液A。
还有，采用得到的聚酰亚胺前体溶液A制造聚酰亚胺膜，测定该聚酰亚胺膜的热膨胀系数。即，通过把得到的聚酰亚胺前体溶液A在铜箔上涂布后，于130℃干燥5分钟，然后，用15分钟升温至300℃，进行酰亚胺化，得到聚酰亚胺膜。所得到的聚酰亚胺膜的热膨胀系数为55ppm/K。
(合成例2)
首先，采用N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)作为溶剂，在该溶剂3076g中溶解4，4′-二氨基-2，2′-二甲基联苯(DADMB)203.22g(0.957摩尔)及1，3-双(4-氨基苯氧基)苯(1，3-BAB)31.10g(0.106摩尔)。然后，往该溶液中添加3，3′，4，4′-联苯基四羧酸二酐(BPDA)61.96g(0.211摩尔)及均苯四酸二酐(PMDA)183.73g(0.842摩尔)后，于室温搅拌4小时，使这些化合物进行聚合反应，得到聚酰亚胺前体溶液B。
还有，采用得到的聚酰亚胺前体溶液B制造聚酰亚胺膜，测定该聚酰亚胺膜的热膨胀系数。即，通过把得到的聚酰亚胺前体溶液B在铜箔上涂布后，于130℃干燥5分钟，然后，用15分钟升温至300℃，进行酰亚胺化，得到聚酰亚胺膜。所得到的聚酰亚胺膜的热膨胀系数为15ppm/K。
(实施例1)
首先，在带载体的极薄铜箔(日本电解制造，YSNAP-3B，载体的厚度：18μm，剥离层厚度：约100nm，极薄铜箔厚度：3μm)的极薄铜箔表面上，涂布合成例1中得到的聚酰亚胺前体溶液A，于130℃干燥5分钟，形成聚酰亚胺前体膜A。然后，在该聚酰亚胺前体膜A的表面上，涂布合成例2中得到的聚酰亚胺前体溶液B，于130℃干燥5分钟，形成聚酰亚胺前体膜B，进一步，涂布合成例1中得到的聚酰亚胺前体溶液A，于130℃干燥5分钟，形成聚酰亚胺前体膜A。然后，通过用15分钟升温至300℃，进行酰亚胺化，形成聚酰亚胺树脂层(3μm的高热膨胀性树脂层/20μm的低热膨胀性树脂层/2μm的高热膨胀性树脂层)，得到带载体的两面挠性覆铜叠层基板。
其次，准备另外的带载体的极薄铜箔(日本电解制造，YSNAP-3B，载体的厚度：18μm，剥离层厚度：约100nm，极薄铜箔厚度：3μm)，把另外的带载体的极薄铜箔放入加热炉，于温度180℃条件下进行30分钟加热(退火处理)，得到退火处理后的带载体的极薄铜箔。
然后，采用辊筒压力机，温度条件设为380℃，把得到的退火处理后的带载体的极薄铜箔，使载体作为外侧，在得到的带载体的两面挠性覆铜叠层基板的聚酰亚胺树脂层的表面上热层叠，得到带载体的两面挠性覆铜叠层基板。这样得到的带载体的两面挠性覆铜叠层基板示于图1。即，图1所示的带载体的两面挠性覆铜叠层基板6具有：在载体4上通过剥离层3形成极薄铜箔2的2枚带载体的极薄铜箔5，以及，作为叠层体的聚酰亚胺树脂层1，该叠层体具有高热膨胀性树脂层1a、低热膨胀性树脂层1b和高热膨胀性树脂层1c。而且，图1所示的带载体的两面挠性覆铜叠层基板6，其带载体的极薄铜箔5，以载体4作为外侧，在聚酰亚胺树脂层1的两面上叠层。
其次，从得到的带载体的两面挠性覆铜叠层基板上剥离载体，得到两面挠性覆铜叠层基板。这样得到的两面挠性覆铜叠层基板示于图2。即，图2所示的两面挠性覆铜叠层基板7具有：2枚极薄铜箔2，以及，作为叠层体的聚酰亚胺树脂层1，该叠层体具有高热膨胀性树脂层1a、低热膨胀性树脂层1b和高热膨胀性树脂层1c。而且，图2所示的两面挠性覆铜叠层基板7，其极薄铜箔2在聚酰亚胺树脂层1的两面上叠层。
(实施例2)
除把退火处理的处理时间设定为1小时外，与实施例1同样操作，得到两面挠性覆铜叠层基板。
(比较例1)
除把另外的带载体的极薄铜箔不进行退火处理外，与实施例1同样操作，得到比较用的两面挠性覆铜叠层基板。
<伸长率及热膨胀系数测定方法>
采用热机械分析仪(セイコ-インスツルメント社制造)，通过拉伸模式的热机械分析，分别测定伸长的变化量。然后，从其测定值算出伸长率及热膨胀系数。
还有，对聚酰亚胺膜，算出在使温度从100℃变至250℃时的热膨胀系数的平均值。另外，对带载体的极薄铜箔的伸长率，算出在使温度从30℃变至380℃时的载体的伸长率与极薄铜箔的伸长率之差的绝对值的最大值。另外，对带载体的极薄铜箔的热膨胀系数，算出在使温度从300℃变至395℃时的载体的热膨胀系数与极薄铜箔的热膨胀系数之差的绝对值的平均值。
<粘合强度(剥离强度)及耐热保持率的测定方法>
(i)测定用试样的制作
采用实施例1、2及比较例1中得到的两面挠性覆铜叠层基板制作试样。即，为了容易地进行测定，对两面挠性覆铜叠层基板实施电解铜镀覆，使含极薄铜箔的铜箔厚度达到8μm。然后，把电解铜镀覆的铜箔以宽1mm的直线状形成图案，得到试样A。另外，把该试样A在温度150℃的条件下进行168小时的耐热试验，得到试样B。
(ii)粘合强度及耐热保持率的测定
作为测定装置，采用万能拉力试验机(テンシロンテスタ一)(东洋精机制作所社制造)。然后，在评价试样A的铜箔对侧，用两面胶带固定在不锈钢板上后，在90°方向上把铜箔以50mm/分的速度剥离，测定粘合强度。另外，对试样B，采用与上述同样的方法测定粘合强度。然后，算出试样B的粘合强度对试样A的粘合强度的比率(粘合强度的耐热保持率)。
<外观评价方法>
对在实施例1、2及比较例1中得到的两面挠性覆铜叠层基板的外观进行目视评价。然后，把不发生皱纹、外观良好的判断为“合格”，其他判断为“不合格”。
<评价结果>
实施例1、2及比较例1中得到的两面挠性覆铜叠层基板的粘合强度及耐热保持率的测定结果，以及外观评价结果分别示于表1。另外，在实施例1、2及比较例1中，退火处理的处理时间及处理温度，以及退火处理后的带载体的极薄铜箔(比较例1为未处理的带载体的极薄铜箔)的载体伸长率与极薄铜箔的伸长率之差(最大值)，以及载体的热膨胀系数与极薄铜箔的热膨胀系数之差(平均值)分别示于表1。
表1
从表1所示的结果可知，采用本发明的制造方法得到的两面挠性覆铜叠层基板(实施例1、2)，极薄铜箔与聚酰亚胺树脂层的粘合强度高，并且，极薄铜箔中皱纹的发生被充分抑制。
如上所述，按照本发明，可提供一种两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，其可以效率良好地、可靠地得到极薄铜箔与聚酰亚胺树脂层的粘合强度高，并且，极薄铜箔中皱纹的发生被充分抑制的两面挠性覆铜叠层基板。

Claims (12)

1.一种两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，其是从在载体上通过剥离层形成极薄铜箔的带载体的极薄铜箔上，剥离上述载体而形成的两面具有极薄铜箔的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，该法包括：
在上述带载体的极薄铜箔的极薄铜箔表面上形成聚酰亚胺树脂层，得到带载体的单面挠性覆铜叠层基板的工序；
对另外的上述带载体的极薄铜箔实施退火处理的工序；
把上述退火处理后的带载体的极薄铜箔，使载体作为外侧，在上述带载体的单面挠性覆铜叠层基板的聚酰亚胺树脂层的表面上层叠，得到带载体的两面挠性覆铜叠层基板的工序；
从上述带载体的两面挠性覆铜叠层基板上剥离上述载体，得到上述两面挠性覆铜叠层基板的工序。
2.一种两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，其是在一个面上具有极薄铜箔，该极薄铜箔是从在载体上通过剥离层形成极薄铜箔的带载体的极薄铜箔上剥离上述载体而形成的极薄铜箔，并且，在另一面上具有其他铜箔的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，该法包括：
在上述铜箔表面上形成聚酰亚胺树脂层，得到单面挠性覆铜叠层基板的工序；
对上述带载体的极薄铜箔实施退火处理的工序；
把上述退火处理后的带载体的极薄铜箔，使载体作为外侧，在上述单面挠性覆铜叠层基板的聚酰亚胺树脂层的表面上层叠，得到带载体的两面挠性覆铜叠层基板的工序；
从上述带载体的两面挠性覆铜叠层基板上剥离上述载体，得到带载体的两面挠性覆铜叠层基板的工序。
3.按照权利要求1或2中记载的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，其中，上述退火处理在120℃以上的温度条件下加热5分钟以上进行处理。
4.按照权利要求1或2中记载的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，其中，上述退火处理后的带载体的极薄铜箔，当使温度从30℃变至395℃时，上述载体的伸长率(ΔL1/L0)与上述极薄铜箔的伸长率(ΔL2/ΔL0)之差的绝对值(|ΔL1-ΔL2|/L0)的最大值为0～1.5％的范围。
5.按照权利要求1或2中记载的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，其中，上述退火处理后的带载体的极薄铜箔，当使温度从300℃变化至395℃时，上述载体的热膨胀系数(α1)与上述极薄铜箔的热膨胀系数(α2)之差的绝对值(|α1-α2|)的平均值为0～100ppm/K的范围。
6.按照权利要求1或2中记载的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，其中，上述退火处理中的处理温度为150～250℃的范围。
7.按照权利要求1或2中记载的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，其中，上述退火处理中的处理时间为15～90分钟的范围。
8.按照权利要求1或2中记载的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，其中，上述带载体的极薄铜箔的极薄铜箔的厚度为0.1～10μm，并且上述载体的厚度达到5～100μm。
9.按照权利要求1或2中记载的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，其中，上述聚酰亚胺树脂层为具有热膨胀系数20ppm/K以上的高热膨胀性树脂层和热膨胀系数低于20ppm/K的低热膨胀性树脂层的叠层体，并且，该叠层体的热膨胀系数处于15～25ppm/K的范围。
10.一种带载体的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，其是在两面具有在载体上通过剥离层形成极薄铜箔的带载体的极薄铜箔的带载体的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，该法包括：
在上述带载体的极薄铜箔的极薄铜箔表面上形成聚酰亚胺树脂层，得到带载体的单面挠性覆铜叠层基板的工序；
对另外的上述带载体的极薄铜箔实施退火处理的工序；
把上述退火处理后的带载体的极薄铜箔，使载体作为外侧，在上述带载体的单面挠性覆铜叠层基板的聚酰亚胺树脂层的表面上叠层，得到带载体的两面挠性覆铜叠层基板的工序。
11.一种带载体的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，其是在一个面上具有在载体上通过剥离层形成极薄铜箔的带载体的极薄铜箔，并且，在另一面上具有其他铜箔的带载体的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，该法包括：
在上述铜箔表面上形成聚酰亚胺树脂层，得到单面挠性覆铜叠层基板的工序；
对上述带载体的极薄铜箔实施退火处理的工序；
把上述退火处理后的带载体的极薄铜箔，使载体作为外侧，在上述单面挠性覆铜叠层基板的聚酰亚胺树脂层的表面上层叠，得到带载体的两面挠性覆铜叠层基板的工序。
12.按照权利要求10或11中记载的带载体的两面挠性覆铜叠层基板的制造方法，其中，上述退火处理在120℃以上的处理温度条件下加热5分钟以上进行处理。
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