JP2008088051A - エピタキシャルウェーハおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法であって、シリコン単結晶ウェーハの主表面上にシリコンをエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル成長工程と、前記ウェーハの主表面を特定の処理液で100℃以下の温度で処理し、前記ウェーハの主表面上に付着したパーティクルを除去しつつ、所定膜厚の酸化膜を形成するウェーハ平坦化前処理工程と、前記主表面を鏡面研磨する表面研磨工程とを具えるエピタキシャルウェーハの製造方法である。
【選択図】図2
Description
特に、(110)結晶のエピタキシャルウェーハの場合には、エピタキシャル後の表面ラフネスが(100)結晶より劣っているため、エピタキシャル成長後に鏡面加工を行なっても、表面ラフネスおよびフラットネスを十分に向上させることはできない。
本発明の第2の態様は、前記酸化膜の所定膜厚は、0.5〜3.0nm(5〜30オングストローム)の範囲である上記第1の態様記載のエピタキシャルウェーハの製造方法である。
本発明の第3の態様は前記特定の処理液は、酸化剤を含む液である上記第1または第2の態様記載のエピタキシャルウェーハの製造方法である。
本発明の第4の態様は、前記酸化剤がオゾンおよび/または過酸化水素水である上記第3の態様記載のエピタキシャルウェーハの製造方法である。
本発明の第5の態様は、前記ウェーハ平坦化前処理工程に先立ち、ふっ酸含有溶液で自然酸化膜を除去する工程をさらに具える上記第1から第4の態様いずれかに記載のエピタキシャルウェーハの製造方法である。
本発明の第6の態様は、前記シリコン単結晶ウェーハは、両面研磨された{110}ウェーハである上記第1から第5の態様いずれかに記載のエピタキシャルウェーハの製造方法である。
本発明の第7の態様は、前記表面研磨工程は、ウェーハの主表面のみまたは表裏面の双方に鏡面研磨を施す工程である上記第1から第6の態様いずれかに記載のエピタキシャルウェーハの製造方法である。
本発明の第8の態様は、前記表面研磨工程に先立ち、ウェーハのエッジ部表面を鏡面研磨するエッジ研磨工程をさらに具える上記第1から第7の態様いずれかに記載のエピタキシャルウェーハの製造方法である。
本発明の第9の態様は、前記ウェーハ平坦化前処理工程は、前記エピタキシャル成長工程と前記エッジ研磨工程の間と、前記エッジ研磨工程と前記表面研磨工程の間のうちの少なくとも一方で行なう上記第8の態様記載のエピタキシャルウェーハの製造方法である。
本発明の第10の態様は、上記第1から第9の態様のいずれかに記載の製造方法により製造したエピタキシャルウェーハであって、主表面上で検出されるLPD (Light Point Defect)の最小検出サイズ(検出限界サイズ)が100nm 以下であることを特徴とするエピタキシャルウェーハである。
本発明の第11の態様は、上記第1から第9の態様のいずれかに記載の製造方法により製造したエピタキシャルウェーハであって、主表面上に存在するLPD の検出サイズ(検出されるLPDのサイズ)が100nm 以下であることを特徴とするエピタキシャルウェーハである。
図1は、従来の製造方法によってエピタキシャルウェーハを製造する工程を説明するためのフローチャートである。
この例では、前記表面研磨工程に先立ち、ウェーハのエッジ部表面を鏡面研磨するエッジ研磨工程をさらに具える。この実施形態は、特に高精度化の観点から、ウェーハのエッジ領域におけるエピタキシャル層の膜厚異常を是正する必要がある場合に好適である。
また、レーザ光を計測に用いるLPD 検査装置1による計測では、従来例は、LPD のサイズが80nm よりも小さい場合には、計測ノイズが大きくなりすぎて測定できないのに対し、実施例では、LPD のサイズが約45nm までは精度よく検出および計測できた。これは、本発明の製造方法により製造した(110)ウェーハ({110}ウェーハ)の表面ラフネスが良好であることに起因するものと考えられる。
2 ウェーハ
3、4 レンズ集光系
5 ミラー集光系
Claims (11)
- エピタキシャルウェーハの製造方法であって、
シリコン単結晶ウェーハの主表面上にシリコンをエピタキシャル成長させる工程と、
前記ウェーハの主表面を特定の処理液で100℃以下の温度で処理し、前記ウェーハの主表面上に付着したパーティクルを除去しつつ、所定膜厚の酸化膜を形成するウェーハ平坦化前処理工程と、
前記主表面を鏡面研磨する表面研磨工程とを具えるエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記酸化膜の所定膜厚は、0.5〜3.0nmの範囲である請求項1記載のエピタキシャルウェーハの製造方法
- 前記特定の処理液は、酸化剤を含む液である請求項1記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記酸化剤は、オゾンおよび/または過酸化水素水である請求項3記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記ウェーハ平坦化前処理工程に先立ち、ふっ酸含有溶液で自然酸化膜を除去する工程をさらに具える請求項1〜4のいずれか1項記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記シリコン単結晶ウェーハは、両面研磨された{110}ウェーハである請求項1〜4のいずれか1項記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記表面研磨工程は、ウェーハの主表面のみまたは主表面と裏面の双方に鏡面研磨を施す工程である請求項1〜4のいずれか1項記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記表面研磨工程に先立ち、ウェーハのエッジ部表面を鏡面研磨するエッジ研磨工程をさらに具える請求項1〜4のいずれか1項記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記ウェーハ平坦化前処理工程は、前記エピタキシャル成長工程と前記エッジ研磨工程の間と、前記エッジ研磨工程と前記表面研磨工程の間のうちの少なくとも一方で行なう請求項8記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項記載の製造方法により製造したエピタキシャルウェーハであって、主表面上で検出されるLPD の最小サイズが100nm 以下となることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
- 請求項1〜4のいずれか1項記載の製造方法により製造したエピタキシャルウェーハであって、主表面上に存在するLPD の検出サイズが100nm 以下であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
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