JP2008085284A - 過電圧保護素子の材料、過電圧保護素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】低いコストで製造し易い過電圧保護素子の材料及び製造方法を提供する。
【解決手段】所定の割合で非導体粉末と、金属導体粉末と、粘着剤とを均一に混合させ材料ペーストを形成する工程と、基板上にその材料ペーストを印刷する工程と、その基板に焼成処理をおこなう工程により過電圧保護素子を製作する。
【選択図】図5
【解決手段】所定の割合で非導体粉末と、金属導体粉末と、粘着剤とを均一に混合させ材料ペーストを形成する工程と、基板上にその材料ペーストを印刷する工程と、その基板に焼成処理をおこなう工程により過電圧保護素子を製作する。
【選択図】図5
Description
本発明は、過電圧保護素子の材料と構造に関する。さらに、本発明は、この過電圧保護素子を製造する方法にも関する。
一般的には、過電圧保護素子は、正常状態で保護しようとするシステムと並列接続されて、高インピーダンスの状態でグランドに接続される。異常な電荷がこの素子に入ると(過電圧が生じる)、高インピーダンスから瞬間的に低インピーダンスになって、この異常な侵入したエネルギーをグランドに導入させる。
高インピーダンスから瞬間的に低インピーダンスになることは、素子の作動とも言われる。その時に観察された電圧は、破壊電圧(breakdown voltage)と言われるが、トリガー電圧(trigger voltage)とも言われる。
先端放電の原理とは、電荷が一つの導体から他の導体に飛び、通常はトリガー電圧が二つの導体におけるギャップ(gap)の縮小に伴って減少することである。
ガス放電管(gas tube)は、過電圧エネルギーによって電極の表面で先端放電現象を発生させ、所定のガスを、通常はアルゴンを、グランドへ導入する。つまりこの電極の表面とグランドとの間は中空のガス室である、汎用される過電圧保護素子である。放電動作によるトリガー電圧は、この電極とグランドとのギャップによることになる。一般的には、ギャップが小さいほど、放電し易く、この時に観察されるトリガー電圧は小さくなる。ギャップが大き過ぎると、この電極に累積しなければならない電荷が多くなり、これにより放電するので、放電する時に観察されるトリガー電圧が大きくなる。素子と保護するシステムとが並列接続されているため、一般的には放電時のトリガー電圧が小さくなるほどよいと考えられるが、ガス放電管の放電ギャップはすべてミリメートル(mm)単位であって、放電点が一つだけしかないため、作動時のトリガー電圧が非常に高い。それと共に、このような素子が作動する時に、外側で「火花」が発生しないように、放電アークを一定の空間内に含む必要がある。これによって、丸筒のような各種形状の容器を用いて先端とグランドとを密閉する必要がある。また放電によって熱が発生するので、散熱のためにこの密閉した容器は通常大きい体積を有する。そのため、この素子はチップ(chip)化が難しく、現代による小型軽薄化の設計に用いることが難しいことは言うまでもない。
ところで、先端放電の原理を生かした保護素子と他の過電圧保護素子との最大の相違点は、放電する時に二つの電極間が中空状態になることである。この中空状態は、真空でもよいし、ガスでもよい。エネルギーが先頭から放出され、この中空を通ってグランドに入ることになり、何回作動するかにかかわらず、材料寿命における問題がほとんどない。市販の商品化された他の種類の保護素子を見ると、例えば、ダイオードや、酸化亜鉛(ZnO)抵抗器など、それらの主成分は半導体や半導体酸化物であり、エネルギーが半導体や半導体酸化物内に入る必要があるので、数回作動すると、破壊、インピーダンスの低下、漏れ電流の上昇、ショートなどのような現象がよく発生するから、使用寿命に制限がある。
従来技術1(本願の出願者による中華民国特開第253881号)においては、精密加工によって、対向する二つの電極の間に5〜30μmの電極隙間が形成される。即ち、放電ギャップが5〜30μmになる。放電エネルギーを、一方端の電極から中空ガス室を通って他方端の電極に放電させるようになる。この方法はガス放電管の縮小版に相当するが、素子毎における電極間の隙間が設計範囲内になるように、生産中に精密に加工したり制御する必要があり、その設備のコストと電極の隙間に制限がある。
従来技術2(本願の出願者による中華民国特開第475183号)においては、P-N界面を持つ材料を主なベースマトリクスとしている。よって、製作される素子における材料構造において、P−Nの混合した界面があり、一部の放電エネルギーがこの界面を通過し、つまりこのベースマトリクスの材料内部に入ることになる。P−N界面を持つ材料のすべてが放電エネルギーに耐えられるわけではないので、寿命が短いおそれがあり、コストを追加してこのベースマトリクスの材料を開発しなければならなくなる。
基本的には、この粉体材料は、P−N界面を有するので、「非導体」材料に属しない。
従来技術3(本願の出願者による米国特許NO.6645393)は、P−N界面を有する材料以外は、従来技術2と類似し、酸化亜鉛の抵抗器材料を使用するので、その特徴は上述の説明と同じである。実際にこの素子を製造する場合、酸化亜鉛の融点は約1700℃であるため、長時間に亘って何回か放電によって衝撃を与えると、この酸化亜鉛材料が破壊されて熔解する場合があることが見られる。
基本的には、酸化亜鉛の抵抗器材料は非線形抵抗(non−linear resistance)を有し可変抵抗材料(variable resistor)に属するため、本発明における「非導体」材料には属さない。
従来技術4(米国特許No.5068634)に記載された材料は、導体粉末が絶縁の粘着剤(binder)に分散され、導体粉末が完全に粘着剤に被覆されて、導体粉末の間が粘着剤によって隔てられるような構造を有している。その放電メカニズムは、導体間にコントロールされる。つまり導体表面を完全に被覆する粘着剤層の厚さによって、放電電圧の大きさが決められる。このような方法によって得られる電流−電圧カーブ(I−V curve)が、図1に示されている。
従来の抵抗器と同じように、その放電エネルギーは必ず両導体間にある粘着剤を通過し、粘着剤はこの放電エネルギーに耐えなければならない。この粘着剤が燃焼破壊され、元の絶縁した両導体の機能が失われ、素子がショートされてしまう可能性がある。
従来技術5(米国特許No.4726991)の特許に記載された材料は、導体や半導体粉体の表面全体に一つの絶縁層を被覆(coating)させて、絶縁層の厚さをコントロールすることによって放電電圧を調整するものである。この絶縁層の厚さは数百オングストローム(angstroms)以内であるので、このような材料構造は実用上いくつかの欠点を有する。まず、絶縁層の厚さが僅か数百オングストローム以内であるので、この厚さをコントロールすることは非常に難しい。カバーされた絶縁層が薄すぎると、素子がショートされてしまい、絶縁層の厚さが若干厚くなると、トリガー電圧が高められてしまう。これは、絶縁層を利用して導体や半導体粉体の表面を被覆させることによる欠点である。
従来技術6(米国特許No.5294374)における材料は、一つの絶縁層に被覆される導体粉末と、絶縁層に被覆されない半導体粉末との混合物によって構成され、その被覆厚さは70オングストローム〜1ミクロンであり、その被覆材料として半導体を用いることができる。基本的には、これらの材料はすべて絶縁材料や半導体材料で、電流を通過させないようにし、高い抵抗になり、被覆層の厚さが直接に素子のトリガー電圧に影響を与えるから、厚さの均一性が非常に重要である。
また、各種の導体粉末や、半導体粉末、非導体粉末が粘着剤を含む可変抵抗材料に均一に混合されることは、幾つかの米国特許に記載されている。その特許番号は、NO.3685026、NO.3685028、NO.4977357、NO.5260848、NO.5393596、NO.5807509等である。これらの材料の破壊/トリガー特性が、構造ではなく、粉末の組成により、つまり放電によるエネルギーが、これらの粉体の内部を通過する。したがって、その原理は本発明に記載の内容と異なる。
本発明の一つの目的は、低いコストで製造し易い過電圧保護素子の材料、この材料を利用して製造される過電圧保護素子およびその製造方法を提供することにある。
本発明の一つの実施態様によれば、過電圧保護素子の材料を提供する。この材料は、非導体粉末と、金属導体粉末と、粘着剤とを含む。
本発明の他の実施態様によれば、所定の割合で非導体粉末と、金属導体粉末と、粘着剤とを均一に混合させて材料ペースト(paste)を形成する工程と、基板上にその材料ペーストを印刷する工程と、その基板に焼成処理を行う工程とを含む、過電圧保護素子を製造する方法を提供する。
本発明のまた他の実施態様によれば、第一の電極と、第二の電極と、この第一の電極とこの第二の電極の間に接続される多孔構造とを含む、過電圧保護素子を提供する。
本発明における材料と構造は、基本的に先端放電原理とガス放電素子の機構を微小化して、従来の商業化プロセスによって、トリガー電圧が低く寿命が長いチップ型の素子を製造することができる。
本発明により製造された過電圧保護素子によれば、精密な加工設備を使用することなく、電極のギャップを容易に5μm以下にすることができる、また放電点の数が非常に多いので、異常な電荷がシステムに入る時に生じる過電圧が大幅に低下される。
本発明における過電圧保護素子の材料とその焼成構造は、使用されるベースマトリクスが非導体材料に属し、P−N界面又はP粉体とN粉体の混合構造を有しないので、放電エネルギーが放電点だけで放出される。放電エネルギーは、本発明におけるベースマトリクスの界面に対しては、破壊の可能性がない。したがって、本発明により製造される素子を利用することによって、使用寿命が延びる。
図1は、従来技術である米国特許No.5068634に開示された材料構造の電流−電圧グラフを示す。
図2は、トランスミッション・ライン・パルス(transmission line pulse,TLP)システムの回路を示す図である。
図3は、図2におけるTLPシステムの等価回路を示す図である。
図4は、従来技術による、高融点の非導体を用いて材料を焼結して生成された緻密な構造、又は孔隙が極少な構造を示す写真である。
図5は、本発明における過電圧保護素子の材料を用いて焼成された多孔構造を示す写真である。
図6は、本発明における材料と構造における電流−電圧グラフを示す。
図7は、本発明における一実施態様の過電圧保護素子70の正面図である。
図8は、図7における過電圧保護素子70の側面図である。
図9は、本発明における一実施態様による電流−電圧グラフを示す。
図10は、本発明における他の実施態様による過電圧保護素子100の正面図である。
図11は、図10における過電圧保護素子100の側面図である。
図12は、本発明における他の実施態様による電流−電圧グラフを示す。
図13は、本発明におけるまた別の実施態様による電流−電圧グラフを示す。
21…被試験素子、22…伝送線、23…高電圧発生器、31…パルス発生源、70…過電圧保護素子、71…アルミナ基板、72…第一の電極、73…第二の電極、74…電極隙間、75…材料(材料ペースト)、100…過電圧保護素子、101…アルミナ基板、102…第一の電極、103…第二の電極、104…材料(材料ペースト)、SW1…スイッチ、SW2…スイッチ、RH…抵抗、RL…負荷抵抗
添付図面を参照して、本発明をより詳しく説明する。これらの添付図面は、本発明を実施する好適な実施態様を説明するものである。但し、数種の実施態様によって例示されるが、本発明はこれらの実施態様に制限されない。
静電放電保護回路には、素子が一次破壊(first breakdown)領域にあることにより、ESD電流を排出するものが多い。素子はその一次破壊領域内にあっても損傷されない。この破壊領域には制限がある。この制限はいわゆる二次破壊(secondary breakdown)における特性であり、素子に外部から過度な(overstress)電圧や電流が印加されることにより、素子が二次破壊領域に入ると、永久的な損害を受ける恐れがある。従って、二次破壊点における電流は、ESD保護素子によるESDに耐え得る上限を示している。トランスミッション・ライン・パルス(transmission line pulse,TLP)システムは、素子や集積回路における二次破壊点の特性を測定するために特別に設計されたものであり、また高い電圧/電流による試験状態で素子の物理特性を分析することができる特殊な測量設備である。TLPシステムは、トランスミッション・ライン・パルスが発生する原理を応用して、単一で、且つエネルギーが上昇しつつあるパルスを提供する。図2と図3は、その原理及び等価回路図を示す。まずスイッチSW1をオンしてスイッチSW2をオフする状態で、高電圧発生器23によって、抵抗RHを介して高電圧を伝送線22に提供する。次に、スイッチSW2をオンし、充電された伝送線22にパルスを生成し、被試験素子(device under test,DUT)21に伝送し、オシロスコープによってDUT21における電圧電流値を測量する。図3は、図2の等価回路図である。ある一定のパルス幅tを有するパルス発生源31が、負荷抵抗RLを介してエネルギーを被試験素子21に与える。そして、オシロスコープ(図示されない)により被試験素子21の電圧と電流値を測量する。
本発明において、図6、9、12、13の電流−電圧グラフは、いずれも図2と図3に示したTLPシステムによって測定されたものである。
本発明における過電圧保護素子の材料は、少なくとも粒径が1〜50μmである非導体粉末と、粒径が0.01〜5μmである金属導体粉末と、粘着剤とを含む。この粘着剤はガラス(glass)及び/又は高分子樹脂(polymer resin)であってもよい。粘着剤がガラス粉末である場合、焼成処理は300℃〜1200℃で行われ、粘着剤が高分子樹脂である場合、焼成処理は室温から600℃までの間で行われ、粘着剤がガラス粉末と高分子樹脂である場合、焼成処理は300℃〜600℃で行われる。上記材料を均一に混合した後に、焼成すること(firing)によって、孔隙が10μm以下の多孔構造が形成される。孔隙は多孔構造の体積の約5%〜90%を占める。金属導体粉末がこの非導体の表面に均一に付着して、ドット状に分布している。構造における金属導体を伝導媒体とすることによって、先端放電の方法で電流が連続的に飛び、それによって過電圧のエネルギーが、微小隙間の放電点のある材料構造を有する素子を通過する。
本発明の材料と構造によると、基本的には、先端放電原理とガス放電素子の機構を微小化して、従来の商業化プロセスによって、トリガー電圧が低く寿命が長いチップ型の素子を製造することができる。
本発明の材料は焼成され、製品されると多孔構造になり、金属導体は非導体の表面に均一に分布する。金属導体間の距離は0.1〜10μmになる。形成された多孔構造では、非導体粉末のスタック時に自然にスタック孔隙が生成される。構造の強度、つまり粉体間の接着力は、焼結(sintering)により発生するのではなく、適当な適量の粘着剤で発生する。
本発明の材料において、非導体は高融点の酸化物や炭化物でもよい。このような高融点の非導体は、緻密な構造又は孔隙が非常に少ない構造に焼結(sintering)させるために、図4に示す酸化亜鉛の抵抗器のように、1200℃以上の高温を必要とする。また、高圧を印加する必要がある場合もあり、特殊な焼結プロセスまで要することもある。本発明によると、これらの非導体の焼結し難い特性を利用して、適当なガラスを選んで粉体と粉体の間における粘着剤として用いて、多孔構造を製造することができる。
例えば、分解温度が2600℃程度である炭化珪素SiCは、厚膜(thick film)プロセスや積層(multilayer)プロセスでよく使われる製造温度の1200℃以下では焼結現象を発生せず、パーティクル同士の間は適量且つ適当な粘着剤により粘着されて、多孔(porous)構造を形成する。適当な特性を持つ粘着剤を選んで、用量を調整して、粘着剤がこのベースマトリクスと金属導体の表面全体をカバーしないように、絶縁被覆膜(insulation coating)を形成する。
また、例えば、融点が約2000℃であるアルミナAl2O3は、厚膜プロセスでよく使われる焼成製造温度の1000℃以下では焼結現象を発生せず、パーティクル同士の間は適量且つ適当な粘着剤により粘着されて、多孔構造を形成する。適当な特性を持つ粘着剤を選んで、用量を調整して、粘着剤がこの多孔構造と金属導体の表面全体をカバーしないように、絶縁被覆膜を形成する。
本発明の材料において、非導体粉末は高温のガラス粉末でもよい。例えば、SiO2の含有量が90%以上であるガラス粉末であってもよい。このガラス粉末における特性によると、厚膜プロセスや積層プロセスでよく使われる製造温度の1200℃以下でも多孔性の構造が維持される。
本発明における材料において、金属導体粉末は、アルミ(Al)、金(Au)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、クロム(Cr)、鉄(Fe)、亜鉛(Zn)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、鉛(Pb)、イリジウム(Ir)、チタン(Ti)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、及びタングステン(W)などの金属や、その混合物又はその合金でもよい。これらの金属導体粉末がこの多孔構造の表面に均一に付着して、「放電点」即ち先端放電の場所となる。放電ギャップ、つまり各「放電点」の間の距離は、材料における金属導体粉末の用量と分散性によって決められる。本材料は、600℃〜1200℃で焼成して形成された放電の微小隙間が10μm以下である場合が多く、1μmにまでなる場合もある。また、提供される単位面積での放電点の数が非常に多いので、放電するのに必要な電圧値が大幅に減少される。
放電中には、放電エネルギーがベースマトリクスの表面における放電点に近づくか又は接触すると、放電が発生して、元の場所(source)から「放電点」に導かれる。次に、この「放電点」から隣接する次の放電点に先端放電する。このように、他方の一端のグランドまで、連続的に先端放電する。
本発明における過電圧保護素子の材料と構造は、図5の写真に示すように、灰色部分が非導体とガラスであり、白色部分が金属導体であり、黒色部分がホールである。本発明における材料と構造は、図6のような電流−電圧グラフを有している。図中、Vtはトリガー電圧、Vcはクランプ(clamping)電圧である。
本発明における過電圧保護素子の破壊電圧を調整する方法は、以下のようになる。
1.孔隙率(即ち孔隙が多孔構造の体積を占めるパーセント)を調整する、つまり非導体粉末の用量、粒径のサイズと形状を調整する。
2.金属導体粉末の用量や粒径のサイズを調整する。これによって、この非導体表面に均一に付着している金属導体粉末間の距離を変化させてコントロールする。
3.粉末の接触状況と程度、つまり粉末の粒径と形状、及び粘着剤に(ガラス及び/又は高分子樹脂)カバーされた粉末の面積から調整する。ガラス材料の場合、転移点(glass transition temperature)と高温流動性と用量に関係し、高分子材料の場合、その流動性と用量に関係する。
図7と図8は、本発明における一実施態様による過電圧保護素子70を示す正面図と側面図であり、本実施態様において、重量比が10%のAg粉末と、重量比が50%のアルミナ粉末と、重量比が10%のガラス粉末と、重量比が30%のエチルセルロース樹脂溶液とを用い、3本ロール(3-roll mill)で混練して、印刷可能な材料ペースト75を形成する。
アルミナ基板71には、まず1つの第一の電極72と第二の電極73を製造して、その後に電極隙間74及びその付近にある第一の電極72と第二の電極73の一部に材料ペーストをカバーする。850℃で焼成してから、本発明における材料75がアルミナ基板71、第一の電極72と第二の電極73の上に付着される。第一の電極72はシステムにおける回路に接続され、第二の電極73はグランドに接続されて、この素子70がシステム(図示されない)と並列接続されるようになる。異常なエネルギーがこのシステムに入ると、第一の電極72から材料75に導かれて、その後に材料75の内部の微小隙間により放電されて、過電圧エネルギーを第二の電極73に伝送してから、グランドに導入する。本実施態様における電流−電圧グラフは、図9のように示される。
図10と図11は、本発明における他の実施態様による過電圧保護素子100を示す正面図と側面図であり、本実施態様において、材料ペースト104は前の実施態様における材料ペースト75の成分と同じである。アルミナ基板101には、まず第一の電極102を製造する。次に第一の電極102の上に、本発明における材料ペースト104を印刷して、材料ペースト104の一部を電極102の上に付着させて、他の部分がアルミナ基板101の上に付着させる。最後に電極103を製造し、その一部を材料ペースト104に付着させ、他の部分をアルミナ基板101の上に付着させる。850℃で焼成した後、本発明における材料104は、アルミナ基板101及び第一の電極102の上に付着され、第二の電極103は材料104及びアルミナ基板101の上に付着される。第一の電極102はシステム(図示されない)における回路に接続され、第二の電極103はグランドに接続されて、この素子100がシステムと並列接続されるようになる。異常なエネルギーがシステムに入ると、第一の電極102から材料104に導かれて、その後に材料104の内部における微小隙間により放電されて、過電圧エネルギーを第二の電極103に伝送してから、グランドに導入する。本実施態様における電流−電圧グラフは、図12のように示される。
本発明におけるまた別の実施態様において、重量比が15%の白金粉末と、重量比が45%のアルミナ粉末と、重量比が15%のガラス粉末と、重量比が25%のエチルセルロース樹脂溶液とを用い、3本ロールで混練して、印刷可能な材料ペーストを形成し、上述の実施態様と同じ構造を製造する。本実施態様における電流−電圧グラフは、図13のように示される。
以上のように、本発明による特色及び技術内容が充分に記載されたが、当業者は本発明の記載及び教示に基づいて、本発明の主旨を逸脱せずに、各種の改変や変更を行うことができる。したがって、本発明における保護範囲は記載された実施態様に限らず、これらの改変や変更も含むべきである。
Claims (24)
- 非導体粉末と、
金属導体粉末と、
粘着剤と
を含む過電圧保護素子の材料。 - 上記非導体粉末の粒径は1〜50μmである請求項1に記載の過電圧保護素子の材料。
- 上記金属導体粉末の粒径は0.01〜5μmである請求項1に記載の過電圧保護素子の材料。
- 上記粘着剤はガラス粉末を含む請求項1に記載の過電圧保護素子の材料。
- 上記粘着剤は高分子樹脂溶液を含む請求項1に記載の過電圧保護素子の材料。
- 上記粘着剤はガラス粉末と高分子樹脂溶液とを含む請求項1に記載の過電圧保護素子の材料。
- 上記非導体粉末は高融点を有する炭化物である請求項1に記載の過電圧保護素子の材料。
- 上記高融点を有する炭化物は炭化珪素(SiC)である請求項7に記載の過電圧保護素子の材料。
- 上記非導体粉末は高融点を有する酸化物である請求項1に記載の過電圧保護素子の材料。
- 上記高融点を有する酸化物はアルミナ(Al2O3)である請求項9に記載の過電圧保護素子の材料。
- 上記非導体粉末は高温のガラス粉末である請求項1に記載の過電圧保護素子の材料。
- 上記高温のガラス粉末は、SiO2の含有量が90%以上になるガラス粉末である請求項11に記載の過電圧保護素子の材料。
- 上記金属導体粉末は、アルミ、金、ニッケル、銅、クロム、鉄、亜鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、鉛、イリジウム、チタン、銀、パラジウム、白金、及びタングステンからなる群や、その混合物、その合金より選ばれるものである請求項1に記載の過電圧保護素子の材料。
- 非導体粉末と、金属導体粉末と、粘着剤とを所定の割合で均一に混合して、材料ペーストを形成する工程と、
基板に上記材料ペーストを印刷する工程と、
上記基板を焼成処理させる工程と
を含む過電圧保護素子を製造する方法。 - 上記基板に上記材料ペーストを印刷する上記工程は、
上記基板に第一の電極と一第二の電極を形成する工程と、
上記基板に上記材料ペーストを印刷して、上記材料ペーストを上記第一の電極と上記第二の電極に部分的に重なるようにする工程と
を含む請求項14に記載の方法。 - 上記基板に上記材料ペーストを印刷する工程は、
上記基板に第一の電極を形成する工程と、
上記材料ペーストを上記基板に印刷して、上記材料ペーストが上記第一の電極に部分的に重なるようにする工程と、
上記基板に第二の電極を生成して、上記第二の電極が上記材料ペーストと部分的に重なるようにする工程と
を含む請求項14に記載の方法。 - 上記粘着剤がガラス粉末である場合、その焼成処理は300℃〜1200℃で行われる請求項14に記載の方法。
- 上記粘着剤が高分子樹脂溶液である場合、その焼成処理は室温から600℃の間で行われる請求項14に記載の方法。
- 上記粘着剤がガラス粉末及び高分子樹脂溶液である場合、その焼成処理は300℃〜600℃で行われる請求項14に記載の方法。
- 第一の電極と、
第二の電極と、
上記第一の電極と上記第二の電極の間に接続され、且つ請求項1ないし請求項13に記載の過電圧保護素子の材料を用いて焼成処理して生成された多孔構造と
を含む過電圧保護素子。 - 上記多孔構造における孔隙は10μm以下になる請求項20に記載の過電圧保護素子。
- 上記多孔構造における孔隙は多孔構造の体積の5%〜90%を占める請求項20に記載の過電圧保護素子。
- 基板をさらに含み、上記第一の電極と上記第二の電極とは隙間を隔て上記基板に付着すると共に、上記多孔構造は上記第一の電極と上記第二の電極の一部の上方、及び上記隙間に付着する請求項20に記載の過電圧保護素子。
- 基板をさらに含み、上記第一の電極は上記基板に付着し、上記多孔構造は上記基板と上記第一の電極との上に付着し、上記第二の電極は上記基板と上記多孔構造の上方に付着する請求項20に記載の過電圧保護素子。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW095136060A TW200816232A (en) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | Material of an over voltage protection device, over voltage protection device and manufacturing method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008085284A true JP2008085284A (ja) | 2008-04-10 |
Family
ID=39260546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006324730A Pending JP2008085284A (ja) | 2006-09-28 | 2006-11-30 | 過電圧保護素子の材料、過電圧保護素子およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080079533A1 (ja) |
JP (1) | JP2008085284A (ja) |
TW (1) | TW200816232A (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9374877B2 (en) | 2012-02-29 | 2016-06-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection device and method for producing the same |
US9386673B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-07-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection device and method for producing same |
US10714932B2 (en) | 2014-06-24 | 2020-07-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrostatic discharge protection device and method of manufacturing the same |
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US9368253B2 (en) | 2011-09-14 | 2016-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection device and method for producing the same |
KR20140114056A (ko) | 2012-02-29 | 2014-09-25 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | Esd 보호 디바이스 및 그 제조방법 |
US9373954B2 (en) | 2012-02-29 | 2016-06-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection device and method for producing the same |
US9374877B2 (en) | 2012-02-29 | 2016-06-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection device and method for producing the same |
US10714932B2 (en) | 2014-06-24 | 2020-07-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrostatic discharge protection device and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080079533A1 (en) | 2008-04-03 |
TW200816232A (en) | 2008-04-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090702 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100128 |