WO2012026121A1 - 過電圧保護部品および過電圧保護部品用の過電圧保護材料 - Google Patents

過電圧保護部品および過電圧保護部品用の過電圧保護材料 Download PDF

Info

Publication number
WO2012026121A1
WO2012026121A1 PCT/JP2011/004717 JP2011004717W WO2012026121A1 WO 2012026121 A1 WO2012026121 A1 WO 2012026121A1 JP 2011004717 W JP2011004717 W JP 2011004717W WO 2012026121 A1 WO2012026121 A1 WO 2012026121A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
overvoltage protection
discharge electrode
overvoltage
metal boride
compound powder
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/004717
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
野添 研治
徳永 英晃
井関 健
森野 貴
功一 吉岡
Original Assignee
パナソニック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニック株式会社 filed Critical パナソニック株式会社
Priority to JP2012530537A priority Critical patent/JP5877317B2/ja
Priority to US13/704,430 priority patent/US9001485B2/en
Priority to CN2011800413687A priority patent/CN103081262A/zh
Publication of WO2012026121A1 publication Critical patent/WO2012026121A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H02H9/044Physical layout, materials not provided for elsewhere
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06526Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/1006Thick film varistors

Definitions

  • the present invention relates to an overvoltage protection component that protects an electronic component or an electronic circuit from an overvoltage such as static electricity, and an overvoltage protection material for the overvoltage protection component.
  • the overvoltage protection component functions as an insulator in normal use, and when overvoltage is applied, the impedance of the component itself is greatly reduced or the component conducts electricity by discharging inside the component. It is.
  • an overvoltage protection material which is normally insulative between a pair of electrodes and which allows the overvoltage to pass when an overvoltage is applied.
  • Patent Document 1 a material in which metal particles having a passive layer formed on the surface are kneaded in a resin is known (see Patent Document 1).
  • an overvoltage protection material a material using a material containing another conductor or semiconductor particle in which a conductor or semiconductor having a high aspect ratio is dispersed in a nano-scale in a bonded body is also known (see Patent Document 2). ).
  • an overvoltage protection material a material in which a conductive inorganic material of 1 to 200 nm is discontinuously dispersed in an insulating material is also known (see Patent Document 3).
  • test in which a short pulse of high voltage is applied continuously is a more severe test than the actual application of static electricity.
  • a test method is also used.
  • a short circuit may occur due to melting of metal particles or the like in the overvoltage protection part formed between the pair of discharge electrodes of the overvoltage protection component.
  • the overvoltage protection component of the present invention includes a first discharge electrode, a second discharge electrode, and an overvoltage protection unit formed between the first discharge electrode and the second discharge electrode.
  • the overvoltage protection unit normally has an insulating property in which a voltage equal to or lower than a predetermined voltage is applied between the first discharge electrode and the second discharge electrode, and the first discharge electrode, the second discharge electrode, In the state in which an overvoltage larger than a predetermined voltage is applied during this period, it has a property of conducting.
  • the overvoltage protection part is comprised by the mixture of resin which has insulation, the inorganic compound which has insulation, and a boride metal compound powder.
  • the average particle size of the metal boride compound powder is 0.5 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the metal boride compound powder which is the conductor powder in the overvoltage protection part, has a high melting point, the metal boride compound powder is difficult to melt even when an overvoltage is applied. Short circuit is unlikely to occur. Further, since it is considered that the metal boride compound powder is easily oxidized at a high temperature and loses its conductivity, even if an overvoltage is applied such that the metal boride compound powder melts, it is difficult to cause a short circuit.
  • FIG. 1 is a front sectional view showing an example of an overvoltage protection component according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a front cross-sectional view showing another example of the overvoltage protection component in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a front sectional view showing an example of an overvoltage protection component according to an embodiment of the present invention.
  • the overvoltage protection component of the present embodiment includes an insulating substrate 1, a first discharge electrode 2, a second discharge electrode 3, an overvoltage protection unit 4, an intermediate layer 5, and protection.
  • a layer 6, back electrodes 7 and 8, end electrodes 9 and 10, and plating layers 11 and 12 are provided.
  • the insulating substrate 1 is a substrate having electrical insulation and heat resistance, and is made of alumina.
  • the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3 are electrodes formed on the insulating substrate 1 and are formed to face each other at their tip portions.
  • the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3 are conductors.
  • the material of the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3 is preferably gold if chemical stability is required, copper is preferable if high conductivity is required, and tungsten is required if heat resistance is required.
  • the high melting point material can be selected.
  • the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3 are made of CuNi alloy.
  • the manufacturing method of the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3 is as follows. First, a paste of CuNi alloy is printed and fired between a position where the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3 are formed and between the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3. Thereafter, the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3 are separated by irradiation with a laser beam. The first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3 are formed with a thickness of 5 ⁇ m to 10 ⁇ m. When the thickness of the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3 is thin, damages of the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3 are likely to be concentrated on one place by a severe repeated discharge test. In this case, the damaged first discharge electrode 2 or second discharge electrode 3 may be melted.
  • the distance between the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3 is set to 6 to 10 ⁇ m. This distance is called a so-called gap distance, and a shorter one can lower the discharge start voltage.
  • the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3 are formed by a thick film method such as printing. can do.
  • the overvoltage protection unit 4 is formed so as to be filled between the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3.
  • the overvoltage protection unit 4 has an insulating property in a normal state where a voltage equal to or lower than a predetermined voltage is applied between the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3. Further, the overvoltage protection unit 4 has a property of conducting when an overvoltage larger than a predetermined voltage is applied between the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3.
  • the predetermined voltage is a voltage determined by the material and composition of the overvoltage protection unit 4 or the distance between the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3.
  • the intermediate layer 5 is formed on the overvoltage protection unit 4 and is made of a resin such as silicone.
  • the intermediate layer 5 mitigates an impact when an overvoltage is applied to the overvoltage protection unit 4.
  • the protective layer 6 covers the overvoltage protection unit 4 and the intermediate layer 5, and protects the overvoltage protection unit 4 and the intermediate layer 5 from mechanical shock, moisture, and the like.
  • the back electrode 7 and the back electrode 8 are electrodes formed on the surface facing the top surface of the insulating substrate 1 on which the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3 are formed, that is, on the back surface of the insulating substrate 1.
  • the end surface electrode 9 is connected to the first discharge electrode 2 and the back surface electrode 7 from the end on the upper surface side of the insulating substrate 1 through the side surface of the insulating substrate 1 to the end portion on the back surface side of the insulating substrate 1. It is an electrode formed up to.
  • the end surface electrode 10 is connected to the second discharge electrode 3 and the back surface electrode 8 from the end on the top surface side of the insulating substrate 1 through the side surface of the insulating substrate 1 to the back surface side of the insulating substrate 1. It is the electrode formed to the edge part.
  • the plating layer 11 is formed so as to cover the end face electrode 9 by performing Ni plating on the surface of the end face electrode 9 and then performing Sn plating.
  • the plating layer 12 is formed so as to cover the end face electrode 10 by performing Ni plating on the surface of the end face electrode 10 and then performing Sn plating.
  • the overvoltage protection unit 4 is an overvoltage protection material made of a mixture of an insulating resin, an insulating inorganic compound, and a metal boride compound powder.
  • a silicone resin is used as this resin.
  • the overvoltage protection unit 4 is obtained by dispersing a metal boride compound powder and an insulating inorganic compound in a silicone resin.
  • oxides such as Al 2 O 3 and SiO 2 which are excellent in insulating properties and thermal conductivity are suitable. If higher thermal conductivity is required, non-oxides such as AlN, BN, SiC, and Si 3 N 4 may be used as the inorganic compound.
  • the relationship between the average particle diameter of the metal boride compound powder and the overvoltage characteristics will be described.
  • the characteristic it evaluated by the peak voltage which is one of the parameters
  • the test conditions are the test methods defined in IEC 61000-4-2.
  • overvoltage protection components having average particle diameters of 0.4 ⁇ m, 0.5 ⁇ m, 1.0 ⁇ m, 1.5 ⁇ m, 2.0 ⁇ m, 3.0 ⁇ m, and 5.0 ⁇ m were prepared.
  • 8 kV is applied to each of these overvoltage protection components by contact discharge, and the suppression characteristics are insufficient when the peak voltage detected on the protection circuit side exceeds 500 V, and those with a peak voltage of 400 to 500 V are suppressed.
  • Table 1 shows the test results.
  • the metal boride compound powder used for the test was LaB 6 , and the average particle size was measured by the Fisher method (FSSS (Fisher Sub Sieve Sizer)).
  • the average particle diameter of the metal boride compound powder is preferably 0.5 ⁇ m to 3.0 ⁇ m.
  • the overvoltage suppression characteristics are very good.
  • it is more preferable that the average particle diameter is 1 ⁇ m to 2 ⁇ m, since it is easy to form the metal boride compound powder into a powder and the overvoltage protection part 4 can be easily made by a printing method.
  • the metal boride compound powder has the properties of a high melting point and high conductivity.
  • the metal boride compound powder can be obtained by pulverizing the metal boride compound by a method such as a ball mill or a jet mill.
  • the second discharge electrode 3 is electrically connected to the ground side on the input side of the electronic circuit where it is desired to protect the first discharge electrode 2 of the overvoltage protection component.
  • the overvoltage protection unit 4 functions as an insulator, so that no current flows from the first discharge electrode 2 to the second discharge electrode 3, and an electric signal or the like flows to the input side of the electronic circuit.
  • the content of the metal boride compound powder in the overvoltage protection material is preferably 10 vol% to 50 vol%.
  • the content ratio of the metal boride compound powder in the overvoltage protection material is less than the above content ratio, even if an overvoltage is applied, the current caused by the overvoltage passes from the first discharge electrode 2 through the overvoltage protection section 4. This makes it difficult to flow to the second discharge electrode 3.
  • the content of the metal boride compound powder in the overvoltage protection material is higher than the above content, current easily flows through the overvoltage protection portion even during normal time when no overvoltage is applied, and the insulation resistance is likely to deteriorate.
  • the mixing ratio of the mixture in the overvoltage protection unit 4 of the present embodiment is as follows: 20% by volume of LaB 6 as a metal boride compound powder, 40% by volume of Al 2 O 3 as an inorganic compound having an insulating property, and 40% of silicone resin as an insulating resin. %.
  • the overvoltage protection unit 4 is obtained by dispersing metal boride compound powder in a silicone resin that is an insulator. Since the metal boride compound powder is a conductor, when an overvoltage is applied between the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3, the first discharge electrode 2 and the second discharge are passed through the metal boride compound powder. Discharge occurs between the electrodes 3. As a result, a current due to the overvoltage flows from the first discharge electrode 2 to the second discharge electrode 3.
  • the conductor powder in the overvoltage protection unit 4 is also heated. Possible damage.
  • the high melting point metal boride compound powder is used as the conductor powder of the overvoltage protection unit 4, it is possible to reduce the risk that the conductor powder melts due to heat during discharge. Thereby, the discharge current which flows from the 1st discharge electrode 2 to the 2nd discharge electrode 3 can be reduced, and the generation
  • TiB 2 titanium diboride
  • the reliability can be further improved.
  • TiB 2 has a high melting point of about 3000 ° C. and is chemically stable and hardly oxidized at room temperature, but has a remarkable characteristic that conductivity is impaired by oxidation at high temperature. Therefore, if the TiB 2 is hot enough to melt, TiB 2 oxidizes, it loses conductivity. For this reason, even if the TiB 2 powder in the overvoltage protection unit 4 melts and comes into contact with the adjacent TiB 2 powder, the melted TiB 2 powder is oxidized to produce TiO 2 and B 2 O 3 . Thereby, since it is thought that the overvoltage protection part 4 is insulated, it becomes difficult to produce a short circuit.
  • metal boride compound powder it may be used ZrB 2 which is a compound of Zr is the same titanium group as Ti. Since ZrB 2 has a higher melting point than TiB 2 , the occurrence of a short circuit can be more effectively prevented. Further, a mixed powder of TiB 2 powder and ZrB 2 powder may be used as the metal boride compound powder.
  • the metal boride compound powder it may be used LaB 6.
  • the number of boron per metal atom is larger than that of TiB 2, and more insulating B 2 O 3 is generated when oxidized, so that the occurrence of a short circuit can be further suppressed.
  • TiB 2, ZrB 2 may contain at least one kind of LaB 6.
  • the overvoltage protection component of the present invention is difficult to melt the metal boride compound powder, which is a conductor in the overvoltage protection unit 4, even in severe repeated tests. Since it becomes an insulator by being oxidized in the case, short-circuiting hardly occurs.
  • the overvoltage protection material that is the material of the overvoltage protection unit 4 is useful as it can be used as an overvoltage protection component as described above, thereby preventing the occurrence of a short circuit in the overvoltage protection component.
  • test results are shown in Table 2.
  • the average particle size of the metal boride compound or Al powder used in this test is 1 to 2 ⁇ m in any overvoltage protection element.
  • the heat capacity is also small if the average particle diameter of the metal boride compound powder is too small, it tends to become high temperature due to high energy during discharge. Since the metal boride compound powder becomes an insulator by being oxidized at a high temperature, static electricity cannot pass again. As a result, the electric charge due to overvoltage takes a path that passes through other metal boride compound powders, but the metal boride compound powder is also likely to be oxidized at high temperatures, so this path can also pass thereafter. Disappear. By repeating this, the overvoltage discharge path becomes a detour and the discharge characteristics may change.
  • an insulating oxide film is formed on the surface of the metal boride compound powder, but if the average particle size of the metal boride compound powder is small, the metal boride compound powder itself is affected by the effect of the oxide film formed on the surface. The electrical resistance value increases. For this reason, the static electricity suppression characteristic of the overvoltage protection unit 4 is deteriorated, in other words, the peak voltage value is increased.
  • the average particle diameter of the metal boride compound powder is increased, the number of metal boride compound powders passing when discharging between the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3 is decreased. For this reason, if the volume ratio occupied by the metal boride compound powder in the overvoltage protection unit 4 is made constant, the distance between the metal boride compound powders becomes long, and the static electricity suppression characteristics are deteriorated.
  • FIG. 2 is a front cross-sectional view showing another example of the overvoltage protection component in the present embodiment.
  • the constituent elements shown in FIG. 2 the constituent elements having the same functions as those shown in FIG.
  • the overvoltage protection component of FIG. 2 is different from the overvoltage protection component of FIG. 1 in that the first discharge electrode 2 and the second discharge electrode 3 are not opposed to each other at their respective tip portions, but in the respective plane directions. 2 are opposed to each other, and the intermediate layer 5 is not present in the overvoltage protection component of FIG.
  • the overvoltage protection unit uses a mixture of an insulating resin, an insulating inorganic compound, and a metal boride compound powder, but borated in an insulating ceramic or glass. What used the thing in which the metal compound powder was disperse
  • the overvoltage protection component and overvoltage protection material for an overvoltage protection component according to the present invention can protect electronic components and electronic circuits from overvoltage such as static electricity, and are industrially useful.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

本発明の過電圧保護部品は、第1の放電電極と、第2の放電電極と、第1の放電電極と第2の放電電極との間に形成された過電圧保護部とを備える。過電圧保護部は通常は絶縁体の性質を有するが、第1の放電電極2と第2の放電電極との間に過電圧が印加されると導通する性質を有する。さらに、過電圧保護部は、絶縁性を有する樹脂と絶縁性を有する無機化合物とホウ化金属化合物粉を混合させたものである。ホウ化金属化合物粉は高融点であるので溶融し難く、また溶融する程度の高温になった場合は酸化して導電性を失うために、高信頼性を実現できる。

Description

過電圧保護部品および過電圧保護部品用の過電圧保護材料
 本発明は、静電気などの過電圧から電子部品や電子回路等を保護する過電圧保護部品および過電圧保護部品用の過電圧保護材料に関する。
 電子部品や電子回路を静電気などの過電圧から保護する方法として、保護したい電子部品等の入力または出力の端子とグランドとの間に過電圧保護部品を接続する方法が広く知られている。ここで、過電圧保護部品は、通常の使用状態においては絶縁体として機能し、過電圧が印加されると部品自体のインピーダンスが大幅に低下したり、部品内部で放電したりすることにより電気を通す部品である。
 そのような過電圧保護部品として、一対の電極間に、通常は絶縁性を有し、過電圧が印加されるとその過電圧を通過させる過電圧保護材料を形成したものが知られている。
 過電圧保護材料としては、表面に不動態層を形成した金属粒子を樹脂中に混練したものが知られている(特許文献1参照。)。
 また、過電圧保護材料として、高アスペクト比の導体または半導体を結合体中にナノスケールで分散させ、さらに別の導体または半導体粒子を含む材料を用いたものも知られている(特許文献2参照。)。
 また、過電圧保護材料として、絶縁材料中に1~200nmの導電性無機材料を不連続に分散させたものも知られている(特許文献3参照。)。
 近年、過電圧保護部品には、高信頼性が求められるようになってきた。具体的には、過電圧保護部品に、より高電圧が印加された場合や、過電圧が多数回繰り返して印加された場合でも、過電圧保護部品が正常に動作する高い信頼性が求められるようになってきた。これは、過電圧保護部品が用いられる電子機器やその電子機器が使用される場所、用途、使用環境などにより、求められる信頼性が高くなることに基づいている。また、本来求められるレベルよりもさらに高いレベルの信頼性を過電圧保護部品に求めることで、電子機器の過電圧に対する安全率を高くする、言い換えると余裕を多く確保する、という考えに基づいている。例えば、より高電圧を多数回繰り返し印加する信頼性試験を行なう場合がある。特に、短パルスの高電圧を連続して繰り返し印加するような試験を行なう場合もある。
 短パルスの高電圧を連続して印加する試験は、実際の静電気の印加に比べると、より過酷な試験である。しかし、上記のように電子機器の過電圧に対する安全率を高くする観点から、そのような試験方法も用いられている。そして、このような試験においては、過電圧保護部品の一対の放電電極間に形成された過電圧保護部中の金属粒子などが溶融することによりショートを生じる場合がある。
特開2007-265713号公報 特表2010-515239号公報 特開2010-186742号公報
 本発明の過電圧保護部品は、第1の放電電極と、第2の放電電極と、第1の放電電極と第2の放電電極との間に形成された過電圧保護部とを備える。過電圧保護部は第1の放電電極と第2の放電電極との間に所定電圧以下の電圧が印加される通常では絶縁体の性質を有し、第1の放電電極と第2の放電電極との間に所定電圧より大きな過電圧が印加される状態では導通する性質を有する。また、過電圧保護部は絶縁性を有する樹脂と絶縁性を有する無機化合物とホウ化金属化合物粉との混合物により構成される。ホウ化金属化合物粉の平均粒径は0.5μm~3μmである。
 上記構成により、過電圧保護部中の導体粉であるホウ化金属化合物粉が高融点であるので、過電圧の印加時においてもホウ化金属化合物粉が溶融し難く、これにより、過酷な試験状況においても、ショートが生じ難い。さらに、ホウ化金属化合物粉は高温において酸化しやすく導電性を失うと考えられるので、もし、ホウ化金属化合物粉が溶融するような過電圧が印加された場合であっても、ショートを生じ難い。
図1は、本発明の実施の形態における過電圧保護部品の一例を示す正面断面図である。 図2は、本発明の実施の形態における過電圧保護部品の他の例を示す正面断面図である。
 以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態における過電圧保護部品の一例を示す正面断面図である。
 図1に示すように、本実施の形態の過電圧保護部品は、絶縁基板1と、第1の放電電極2と、第2の放電電極3と、過電圧保護部4と、中間層5と、保護層6と、裏面電極7、8と、端面電極9、10と、めっき層11、12とを備える。絶縁基板1は電気的絶縁性と耐熱性を備えた基板で、アルミナからなる。第1の放電電極2および第2の放電電極3は、絶縁基板1上に形成された電極であり、互いにその先端部で対向して形成されている。第1の放電電極2および第2の放電電極3は、導体である。第1の放電電極2および第2の放電電極3の材質は、化学的な安定性を求めるならば金が好ましく、高い導電性を求めるならば銅などが好ましく、耐熱性を求めるならばタングステンなどの高融点材料を選択することができる。本実施の形態においては、第1の放電電極2および第2の放電電極3の材質はCuNi合金を用いている。
 第1の放電電極2および第2の放電電極3の製造方法は以下の通りである。まず、第1の放電電極2および第2の放電電極3を形成する位置および、この第1の放電電極2および第2の放電電極3間に、CuNi合金のペーストを印刷焼成する。その後に、レーザー光線を照射して第1の放電電極2および第2の放電電極3を分離させる。この第1の放電電極2および第2の放電電極3は、5μm~10μmの厚みで形成される。第1の放電電極2および第2の放電電極3の厚みが薄いと、過酷な繰り返し放電試験により第1の放電電極2および第2の放電電極3のダメージが一箇所に集中しやすくなる。この場合、ダメージを受けた第1の放電電極2または第2の放電電極3の部分が溶融する恐れがある。しかし、第1の放電電極2および第2の放電電極3の厚みを厚くすることで、過酷な繰り返し放電試験によるダメージを分散することができる。その結果、第1の放電電極2および第2の放電電極3が溶融する恐れを低減することができる。また、第1の放電電極2と第2の放電電極3の距離は、6~10μmにしている。この距離は、所謂ギャップ間距離と呼ばれるもので、短い方が放電開始電圧を下げることができる。このように、第1の放電電極2および第2の放電電極3を5μm~10μmの厚みにすることで、第1の放電電極2および第2の放電電極3を印刷などの厚膜工法で形成することができる。
 過電圧保護部4は第1の放電電極2および第2の放電電極3間に充填されるように形成されている。過電圧保護部4は、第1の放電電極2および第2の放電電極3間に所定電圧以下の電圧が印加される通常状態では絶縁体の性質を有する。また、過電圧保護部4は、第1の放電電極2および第2の放電電極3間に所定電圧より大きな過電圧が印加される状態では導通する性質を有する。ここで、上記所定電圧は、過電圧保護部4を構成する材料やその組成、あるいは、第1の放電電極2および第2の放電電極3間の距離などにより決定される電圧である。
 中間層5は過電圧保護部4上に形成され、シリコーンなどの樹脂からなる。中間層5は、過電圧保護部4に過電圧が印加された時の衝撃を緩和する。
 保護層6は過電圧保護部4および中間層5を覆い、過電圧保護部4および中間層5を機械的衝撃や、湿気等から保護する。
 裏面電極7および裏面電極8は、第1の放電電極2および第2の放電電極3が形成された絶縁基板1の上面に対向する面、即ち絶縁基板1の裏面に形成された電極である。
 端面電極9は、第1の放電電極2および裏面電極7を電気的に接続するように、絶縁基板1の上面側の端部から絶縁基板1の側面を経て絶縁基板1の裏面側の端部まで形成された電極である。同様に、端面電極10は、第2の放電電極3および裏面電極8を電気的に接続するように、絶縁基板1の上面側の端部から絶縁基板1の側面を経て絶縁基板1の裏面側の端部まで形成された電極である。
 めっき層11は、端面電極9の表面にNiめっきを行い、その後にSnめっきを行うことにより、端面電極9を覆うように形成される。同様に、めっき層12は、端面電極10の表面にNiめっきを行い、その後にSnめっきを行うことにより、端面電極10を覆うように形成される。
 ここで、過電圧保護部4について詳細に説明する。過電圧保護部4は絶縁性を有する樹脂と絶縁性を有する無機化合物とホウ化金属化合物粉との混合物からなる過電圧保護材料である。この樹脂としてはシリコーン樹脂を用いている。過電圧保護部4は、シリコーン樹脂中にホウ化金属化合物粉と絶縁性を有する無機化合物を分散させたものである。絶縁性を有する無機化合物としては、絶縁性と熱伝導性に優れたAl23やSiO2のような酸化物が適している。さらに高い熱伝導性が求められる場合には、無機化合物としてAlN、BN、SiC、Si34のような非酸化物を用いても良い。
 次に、ホウ化金属化合物粉の平均粒径と、過電圧の特性との関係について説明する。特性については、静電気の抑制特性の指標の一つであるピーク電圧で評価した。試験条件は、IEC61000-4-2に定める試験方法である。試料として、平均粒径がそれぞれ0.4μm、0.5μm、1.0μm、1.5μm、2.0μm、3.0μm、5.0μmの過電圧保護部品を作成した。そして、これらの過電圧保護部品に、それぞれ接触放電にて8kVを印加し、保護回路側で検出されたピーク電圧が500Vを超えるものを抑制特性が不十分、ピーク電圧が400~500Vのものを抑制特性が良好、ピーク電圧が400V未満のものを非常に良好と判断した。表1に試験結果を示す。なお、試験に用いたホウ化金属化合物粉はLaBであり、平均粒径の測定は、フィッシャー法(FSSS(Fisher Sub Sieve Sizer))により行った。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 この試験結果から、ホウ化金属化合物粉の平均粒径は0.5μm~3.0μmが良いことがわかる。また、平均粒径が1μm~2μmであると過電圧の抑制特性も非常に良好である。さらに、平均粒径が1μm~2μmのものであると、ホウ化金属化合物粉を粉体に形成することが容易であり、印刷工法により過電圧保護部4を容易に作ることができるので、より好ましい。ホウ化金属化合物粉は融点が高く、導電性が高いという性質を備えている。なお、ホウ化金属化合物粉は、ホウ化金属化合物をボールミルまたはジェットミル等の方法で粉砕することで得ることができる。
 上記のような構成の過電圧保護部品の動作について、以下、説明する。
 過電圧保護部品の第1の放電電極2を保護したい電子回路の入力側に、第2の放電電極3をグランド側に電気的に接続する。過電圧が印加されない通常時は過電圧保護部4は絶縁体として機能するので、第1の放電電極2から第2の放電電極3へ電流は流れず、電気信号等は電子回路の入力側に流れる。
 このような接続方法において、電子回路の入力側に静電気などの過電圧が印加された時には、第1の放電電極2の電位も上昇してグランドの電位である第2の放電電極3との間で過電圧が印加された状態になる。この時、過電圧保護部4は導体として電気を通すので、過電圧に起因する電流は、保護したい電子回路の入力側に流れず、第1の放電電極2から過電圧保護部4を通って第2の放電電極3へ流れる。これにより、電子回路を過電圧から保護することができる。電子回路を過電圧から保護するには、過電圧保護材料中のホウ化金属化合物粉の含有率は10vol%~50vol%が好ましい。過電圧保護材料中のホウ化金属化合物粉の含有率が上記含有率よりも少ない場合は、過電圧が印加されても、過電圧に起因する電流は、第1の放電電極2から過電圧保護部4を通って第2の放電電極3へ流れにくくなる。また、過電圧保護材料中のホウ化金属化合物粉の含有率が上記含有率よりも多い場合は、過電圧が印加されない通常時でも過電圧保護部に電流が流れやすくなり絶縁抵抗が劣化しやすくなる。本実施の形態の過電圧保護部4における混合物の混合比は、ホウ化金属化合物粉としてLaB6を20vol%、絶縁性を有する無機化合物としてAl23を40vol%、絶縁樹脂としてシリコーン樹脂を40vol%とした。
 ここで、過電圧が印加された時の過電圧保護部4内の状態について、より詳細に説明する。過電圧保護部4は、絶縁体であるシリコーン樹脂中にホウ化金属化合物粉を分散させたものである。ホウ化金属化合物粉は導体であるから、第1の放電電極2と第2の放電電極3間に過電圧を印加すると、ホウ化金属化合物粉を介して第1の放電電極2と第2の放電電極3間に放電が生じる。これにより第1の放電電極2から第2の放電電極3へと過電圧に起因する電流が流れる。
 第1の放電電極2と第2の放電電極3間に放電が生じた際には、その放電が生じた部分には相当の熱が発生するので、過電圧保護部4内の導体粉も熱によるダメージを受ける可能性がある。しかし、過電圧保護部4の導体粉として、高融点のホウ化金属化合物粉を用いているので、放電の際の熱で、導体粉が溶融するリスクを低減することができる。これにより、第1の放電電極2から第2の放電電極3に流れる放電電流を低減でき、過酷な試験においてのショートの発生リスクを低減することができる。また、ホウ化金属化合物粉は高温で酸化し、導電性を失い易いと考えられる。したがって、もし、ホウ化金属化合物粉が溶融するような過電圧が印加されてもショートの発生を防止できる。
 また、ホウ化金属化合物粉として、TiB2(二ホウ化チタン)を用いると、さらに信頼性を向上させることができる。TiB2は、融点が3000℃前後と高く、常温では化学的に安定して酸化しにくいが、高温では酸化により導通性が損なわれるという特性が顕著である。従って、TiB2が溶融する程度の高温になっているときは、TiB2は酸化し、導電性を失う。このため、仮に過電圧保護部4中にあるTiB2粉が溶融して隣接するTiB2粉と接触しても、融けたTiB2粉が酸化してTiO2とB23が生成する。これにより、過電圧保護部4は絶縁化されていると考えられるため、ショートは生じにくくなる。
 なお、ホウ化金属化合物粉として、Tiと同じチタン族であるZrとの化合物であるZrB2を用いても良い。ZrB2はTiB2よりも融点が高いため、ショートの発生をより効果的に防止することができる。さらに、ホウ化金属化合物粉として、TiB2粉とZrB2粉の混合粉を用いてもよい。
 また、ホウ化金属化合物粉として、LaB6を用いても良い。LaB6を用いた場合、TiB2に比べて金属原子当りのホウ素数が多く、酸化したときに絶縁性のB23がより多く生成されるため、さらにショートの発生を抑えることができる。また、ホウ化金属化合物粉として、TiB2、ZrB2、LaB6の少なくとも一種類を含有しても良い。
 以上のように、本発明の過電圧保護部品は、過酷な繰り返し試験によっても過電圧保護部4中の導体であるホウ化金属化合物粉が溶融しにくく、また溶融する際には或いは溶融しなくとも高温において酸化することにより絶縁体になるので、ショートが生じ難い。
 また、過電圧保護部4の材料である過電圧保護材料は、上記のように過電圧保護部品として用いられることで、過電圧保護部品のショート発生を防止することができ、有用である。
 次に、ホウ化金属化合物粉に、それぞれTiB、ZrB、LaBを用いた場合と、ホウ化金属化合物粉の代わりにAl粉を用いた場合の4種類の過電圧保護部品の特性について説明する。
 試験条件は、IEC-61000-4-2に基づいて行い、気中放電で、印過電圧および印加回数を、+15kVで10回、-15kVで10回づつ繰り返しとした。その後、絶縁抵抗値を測定し、この絶縁抵抗値が1MΩ未満のものをショートしたものとして評価した。試験結果を表2に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 この試験結果は下記の通りである。
 Al粉を用いた過電圧保護部品は、20個中8個がショートした。20個中の絶縁抵抗値が最小のものは、1Ωであった。
 TiB粉を用いた過電圧保護部品は、20個中ショートしたものがなかった。20個中の絶縁抵抗値が最小のものは、33MΩであった。
 ZrB粉を用いた過電圧保護部品は、20個中ショートしたものがなかった。20個中の絶縁抵抗値が最小のものは、70MΩであった。
 LaB粉を用いた過電圧保護部品は、20個中ショートしたものがなかった。20個中の絶縁抵抗値が最小のものは、150MΩであった。
 この試験結果が示すように、ホウ化金属化合物粉を用いることでショートが生じ難くなり、さらにLaBを用いた場合には絶縁抵抗が非常に高いと言う格別な特性が得られる。なお、この試験に用いたホウ化金属化合物分またはAl粉の平均粒径は、いずれの過電圧保護素子においても1~2μmである。
 なお、ホウ化金属化合物粉の平均粒径は、小さすぎるとその熱容量も小さいため、放電時の高エネルギーによって高温になりやすい。ホウ化金属化合物粉は、高温で酸化することにより絶縁体となるので、再び静電気が通過することができなくなる。これにより、過電圧による電荷は、他のホウ化金属化合物粉を通過する経路をとることになるが、そのホウ化金属化合物粉も高温により酸化し易いので、この経路もその後は通過することができなくなる。この繰り返しにより、過電圧の放電経路が遠回りになってしまい、放電特性が変化する可能性がある。
 さらに、ホウ化金属化合物粉はその表面に絶縁性の酸化膜が形成されるが、ホウ化金属化合物粉の平均粒径が小さいと表面に形成された酸化膜の影響によってホウ化金属化合物粉自体の電気抵抗値が上昇する。そのために、過電圧保護部4の静電気の抑制特性が悪化、言い換えるとピーク電圧値を上げてしまう。
 一方、ホウ化金属化合物粉の平均粒径が大きくなると第1の放電電極2および第2の放電電極3間を放電する際に通過するホウ化金属化合物粉の数が少なくなる。このために、過電圧保護部4中のホウ化金属化合物粉が占める体積割合を一定にすると、ホウ化金属化合物粉同士の距離が長くなり、静電気の抑制特性を悪化させてしまう。
 なお、過電圧保護部品としては、図1の構成に限定されるものではなく、別の構成であってもよい。図2は、本実施の形態における過電圧保護部品の他の例を示す正面断面図である。図2に示す構成要素で、図1に示す構成要素と同じ機能の構成要素には同じ符号を付している。図2の過電圧保護部品が図1の過電圧保護部品と相違する点は、第1の放電電極2と第2の放電電極3とがそれぞれの先端部で互いに対向するのではなく、それぞれの面方向で互いに対向している点と、図2の過電圧保護部品には中間層5が存在していない点である。
 図2の構成のような過電圧保護部品であっても、図1の構成のような過電圧保護部品と同様の効果を奏する。
 なお、上記の実施の形態では、過電圧保護部は絶縁樹脂と絶縁性を有する無機化合物とホウ化金属化合物粉とを混合したものを用いているが、絶縁性を有するセラミックまたはガラス内にホウ化金属化合物粉が分散されたものを用いたものであっても良い。このようにすることにより、さらに耐熱性を向上させることができる。この場合も絶縁樹脂を用いた場合と同様に、ホウ化金属化合物粉にはTiB2、ZrB2、LaB6の少なくとも一種類を用いることが望ましい。
 本発明にかかる過電圧保護部品および過電圧保護部品用の過電圧保護材料は、電子部品や電子回路を静電気などの過電圧から保護することができ、産業上有用である。
 1  絶縁基板
 2  第1の放電電極
 3  第2の放電電極
 4  過電圧保護部
 5  中間層
 6  保護層
 7,8  裏面電極
 9,10  端面電極
 11,12  めっき層

Claims (5)

  1. 第1の放電電極と、
    第2の放電電極と、
    前記第1の放電電極と前記第2の放電電極との間に形成された過電圧保護部とを備え、
    前記過電圧保護部は前記第1の放電電極と前記第2の放電電極との間に所定電圧以下の電圧が印加される通常状態では絶縁体の性質を有し、前記第1の放電電極と前記第2の放電電極との間に前記所定電圧より大きな過電圧が印加される状態では導通する性質を有するものであり、
    前記過電圧保護部は絶縁性を有する樹脂と絶縁性を有する無機化合物とホウ化金属化合物粉との混合物により構成され、
    前記ホウ化金属化合物粉の平均粒径は0.5μm~3μmである過電圧保護部品。
  2. 前記ホウ化金属化合物粉はTiB2、ZrB2、LaB6の少なくとも一種類を含有する請求項1記載の過電圧保護部品。
  3. 前記第1の放電電極と前記第2の放電電極は、ともにCuNi合金からなり、その厚みは5μm~10μmである請求項2記載の過電圧保護部品。
  4. 絶縁性を有する樹脂と、絶縁性を有する無機化合物と、平均粒径が0.5μm~3μmであるホウ化金属化合物粉との混合物であり、所定電圧以下の電圧が印加される通常状態では絶縁性を有し、前記所定電圧より大きな過電圧が印加される状態では導通する性質を有する過電圧保護部品用の過電圧保護材料。
  5. 前記ホウ化金属化合物粉は、TiB2、ZrB2、LaB6の少なくとも一種類を含有する請求項4記載の過電圧保護部品用の過電圧保護材料。
PCT/JP2011/004717 2010-08-26 2011-08-25 過電圧保護部品および過電圧保護部品用の過電圧保護材料 WO2012026121A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012530537A JP5877317B2 (ja) 2010-08-26 2011-08-25 過電圧保護部品および過電圧保護部品用の過電圧保護材料
US13/704,430 US9001485B2 (en) 2010-08-26 2011-08-25 Overvoltage protection component, and overvoltage protection material for overvoltage protection component
CN2011800413687A CN103081262A (zh) 2010-08-26 2011-08-25 过电压保护部件及过电压保护部件用的过电压保护材料

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-189008 2010-08-26
JP2010189008 2010-08-26
JP2011-025735 2011-02-09
JP2011025735 2011-02-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012026121A1 true WO2012026121A1 (ja) 2012-03-01

Family

ID=45723143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/004717 WO2012026121A1 (ja) 2010-08-26 2011-08-25 過電圧保護部品および過電圧保護部品用の過電圧保護材料

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9001485B2 (ja)
JP (1) JP5877317B2 (ja)
CN (1) CN103081262A (ja)
WO (1) WO2012026121A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140321009A1 (en) * 2013-04-26 2014-10-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Esd protection material and esd protection device using the same
JP2019506741A (ja) * 2016-01-11 2019-03-07 ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトTdk Electronics Ag Esd保護機能を有するデバイス担体とその製造のための方法
CN113612211A (zh) * 2021-07-22 2021-11-05 西安交通大学 一种基于铜铬合金的高可焊性可控多层间隙过电压保护器

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10118712B2 (en) * 2011-08-17 2018-11-06 The Boeing Company Electrical conductor pathway system and method of making the same
KR20140128667A (ko) * 2013-04-29 2014-11-06 삼성전기주식회사 정전 방전 보호 소자 및 그 제조 방법, 그리고 상기 정전 방전 보호 소자를 구비하는 칩 부품
US9099861B2 (en) * 2013-05-23 2015-08-04 Inpaq Technology Co., Ltd. Over-voltage protection device and method for preparing the same
CN103805988B (zh) * 2013-12-16 2016-02-10 湖北工业大学 电火花熔覆涂层用的TiB2-ZrB2复相熔覆棒及其制备方法
US11393635B2 (en) 2018-11-19 2022-07-19 Kemet Electronics Corporation Ceramic overvoltage protection device having low capacitance and improved durability
US11178800B2 (en) 2018-11-19 2021-11-16 Kemet Electronics Corporation Ceramic overvoltage protection device having low capacitance and improved durability

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677010A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Hitachi Ltd 直線抵抗体
JP2005108865A (ja) * 2003-08-06 2005-04-21 Taiyosha Electric Co Ltd チップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法
JP2005191206A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗器およびその製造方法
JP2008085284A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Inpaq Technology Co Ltd 過電圧保護素子の材料、過電圧保護素子およびその製造方法
WO2008053717A1 (fr) * 2006-10-31 2008-05-08 Panasonic Corporation Composant antistatique et son procédé de fabrication
JP2010165660A (ja) * 2008-07-24 2010-07-29 Tdk Corp 静電気対策素子

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1381931A (zh) * 2001-04-03 2002-11-27 凤凰接触股份有限及两合公司 过电压保护元件和过电压保护装置
JP2007265713A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 静電気保護材料ペーストおよびそれを用いた静電気対策部品
KR20090045212A (ko) 2006-07-29 2009-05-07 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드 도전성 혹은 반도전성 유기 물질을 갖는 전압 절환형 유전체
CN101496114B (zh) 2006-07-29 2012-11-28 肖克科技有限公司 具有导电或半导电有机材料的电压可切换介电材料
US7968010B2 (en) * 2006-07-29 2011-06-28 Shocking Technologies, Inc. Method for electroplating a substrate
KR20090055017A (ko) 2006-09-24 2009-06-01 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드 스탭 전압 응답을 가진 전압 가변 유전 재료를 위한 조성물및 그 제조 방법
US8044561B2 (en) * 2008-08-28 2011-10-25 Federal-Mogul Ignition Company Ceramic electrode, ignition device therewith and methods of construction thereof
JP5544584B2 (ja) 2009-01-14 2014-07-09 Tdk株式会社 静電気対策素子及びその複合電子部品、並びに、複合基板の製造方法及び静電気対策素子の製造方法
CN102484355B (zh) * 2009-08-27 2014-12-10 株式会社村田制作所 Esd保护器件及其制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677010A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Hitachi Ltd 直線抵抗体
JP2005108865A (ja) * 2003-08-06 2005-04-21 Taiyosha Electric Co Ltd チップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法
JP2005191206A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗器およびその製造方法
JP2008085284A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Inpaq Technology Co Ltd 過電圧保護素子の材料、過電圧保護素子およびその製造方法
WO2008053717A1 (fr) * 2006-10-31 2008-05-08 Panasonic Corporation Composant antistatique et son procédé de fabrication
JP2010165660A (ja) * 2008-07-24 2010-07-29 Tdk Corp 静電気対策素子

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140321009A1 (en) * 2013-04-26 2014-10-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Esd protection material and esd protection device using the same
JP2019506741A (ja) * 2016-01-11 2019-03-07 ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトTdk Electronics Ag Esd保護機能を有するデバイス担体とその製造のための方法
CN113612211A (zh) * 2021-07-22 2021-11-05 西安交通大学 一种基于铜铬合金的高可焊性可控多层间隙过电压保护器
CN113612211B (zh) * 2021-07-22 2022-10-25 西安交通大学 一种基于铜铬合金的高可焊性可控多层间隙过电压保护器

Also Published As

Publication number Publication date
CN103081262A (zh) 2013-05-01
US20130083440A1 (en) 2013-04-04
US9001485B2 (en) 2015-04-07
JPWO2012026121A1 (ja) 2013-10-28
JP5877317B2 (ja) 2016-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5877317B2 (ja) 過電圧保護部品および過電圧保護部品用の過電圧保護材料
JP4697306B2 (ja) 静電気対策部品およびその製造方法
JP5971416B2 (ja) Esd保護装置
US9590417B2 (en) ESD protective device
CN103943291B (zh) 一种具有过流保护功能的静电抑制器及其制作方法
US8711537B2 (en) ESD protection device and method for producing the same
US11984285B2 (en) PPTC device having low melting temperature polymer body
US20140049357A1 (en) Over-current protection device
JP5649391B2 (ja) Esd保護デバイス
JP2011243380A (ja) Esd保護装置
JP4871285B2 (ja) 静電気対策部品
JPWO2008069190A1 (ja) 静電気対策部品およびその製造方法
WO2013175794A1 (ja) 電圧非直線性抵抗体およびこれを用いた積層バリスタ
JP2009117735A (ja) 静電気対策部品およびその製造方法
WO2019075685A1 (en) SURFACE MOUNT FUSE DEVICE COMPRISING A POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT BODY
US10971321B2 (en) Protection device and battery pack
JP2009267202A (ja) 静電気対策部品
CN203871099U (zh) 一种具有过流保护功能的静电抑制器
JP2010098024A (ja) 回路保護部品
JP2016157896A (ja) 過電圧保護部品および過電圧保護部品用の過電圧保護材料
JP6429591B2 (ja) 保護素子
CN108630834B (zh) 复合式保护元件以及电池组
JP2011258490A (ja) 過電圧保護部品およびその製造方法
JP2010232246A (ja) 過電圧保護部品
JP2009194130A (ja) 静電気対策部品

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180041368.7

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11819597

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012530537

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13704430

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11819597

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1