CN104521079A - Esd保护装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种ESD特性不易发生劣化的ESD保护装置。ESD保护装置(1)包括陶瓷绝缘材料(10)、第1及第2放电电极(21、22)、以及放电辅助部(51)。第1及第2放电电极(21、22)设置于陶瓷绝缘材料(10)。在第1放电电极(21)的前端部与第2放电电极(22)的前端部之间配置有放电辅助部(51)。放电辅助部(51)是降低第1放电电极(21)与第2放电电极(22)之间的放电开始电压的电极。放电辅助部(51)由包含有导电性粒子、半导体粒子以及绝缘性粒子中的至少一方的烧结体构成。第1及第2放电电极(21、22)包含构成半导体粒子的半导体材料和构成绝缘性粒子的绝缘材料中的至少一方。

Description

ESD保护装置
技术领域
本发明涉及ESD保护装置。
背景技术
以往，提出了各种用于抑制因静电放电(ESD：electro-static discharge)而引起的电子设备的破坏的ESD保护装置。例如在专利文献1中记载有以下ESD保护装置，该ESD保护装置中，在连接一对放电电极之间的区域具备通过使利用不具有导电性的无机材料进行了涂层的导电材料分散而得到的放电辅助部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开WO2009-098944号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
如专利文献1所记载的那样，通过设置放电辅助部，例如能够对ESD保护装置的ESD特性进行调整、以及使其稳定化。
然而，在具有放电辅助部的ESD保护装置中，由于反复发生放电，因此存在ESD特性劣化的问题。
本发明的主要目的在于提供一种ESD特性不易发生劣化的ESD保护装置。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明所涉及的ESD保护装置包括陶瓷绝缘材料、第1及第2放电电极、以及放电辅助部。第1及第2放电电极设置于陶瓷绝缘材料。在第1放电电极的前端部与第2放电电极的前端部之间配置有放电辅助部。放电辅助部是使第1放电电极与第2放电电极之间的放电开始电压降低的电极。放电辅助部由包含有导电性粒子、半导体粒子以及绝缘性粒子中的至少一方的烧结体构成。第1及第2放电电极包含构成半导体粒子的半导体材料和构成绝缘性粒子的绝缘材料中的至少一方。
在本发明所涉及的ESD保护装置的某一特定方面中，第1及第2放电电极中半导体材料和绝缘性材料的总含有量为20质量％以下。
在本发明所涉及的ESD保护装置的另一特定方面中，第1及第2放电电极中绝缘性材料的含有量为1质量％～10质量％。
在本发明所涉及的ESD保护装置的其他特定方面中，第1及第2放电电极中半导体材料的含有量为1质量％～20质量％。
在本发明所涉及的ESD保护装置的其他特定方面中，第1及第2放电电极包含由半导体材料和绝缘材料中的至少一方进行了涂层后得到的导电性粒子。
在本发明所涉及的ESD保护装置的又一其他特定方面中，第1及第2放电电极设置在陶瓷绝缘材料的表面上。
在本发明所涉及的ESD保护装置的又一其他特定方面中，第1及第2放电电极设置于陶瓷绝缘材料的内部。
在本发明的ESD保护装置的另一其他特定方面中，陶瓷绝缘材料具有空洞。第1及第2放电电极设置为使得其各自的前端部位于空洞内。
在本发明所涉及的ESD保护装置的另一其他特定方面中，ESD保护装置还包括第1外部电极、以及第2外部电极。第1外部电极配置在陶瓷绝缘材料上。第1外部电极与第1放电电极电连接。第2外部电极配置在陶瓷绝缘材料上。第2外部电极与第2放电电极电连接。
发明效果
根据本发明，能够提供一种ESD特性不易发生劣化的ESD保护装置。
附图说明
图1是表示实施方式1所涉及的ESD保护装置的简要剖视图。
图2是表示实施方式2所涉及的ESD保护装置的简要剖视图。
图3是表示实施方式3所涉及的ESD保护装置的简要剖视图。
图4是表示实施方式4所涉及的ESD保护装置的简要剖视图。
具体实施方式
下面，对实施本发明的优选实施方式的一个示例进行说明。然而，下述实施方式仅仅是例示。本发明不限于下述任一实施方式。
此外，在实施方式等所参照的各附图中，用相同的标号来参照实质上具有相同功能的构件。并且，实施方式等所参照的附图是示意性描述的图，附图中所绘制的物体的尺寸比率等可能会与现实中的物体的尺寸比率等不同。附图相互间的物体的尺寸比率等也有可能不同。具体的物体的尺寸比率等应当参考以下的说明来进行判断。
图1是表示本实施方式所涉及的ESD保护装置的简要剖视图。
如图1所示，ESD保护装置1包括具有空洞11的陶瓷绝缘材料10。陶瓷绝缘材料10是长方体形状。陶瓷绝缘材料10可以由适合的绝缘性陶瓷构成。具体而言，陶瓷绝缘材料10例如由包含Ba、Al、Si作为主要成分的低温共烧陶瓷(LTCC：LowTempertature Co-fired Ceramics)构成。陶瓷绝缘材料10也可以包含有碱金属成分及硼成分中的至少一方。陶瓷绝缘材料10优选包含有玻璃成分。
陶瓷绝缘材料10中设置有第1及第2放电电极21、22。第1及第2放电电极21、22设置于陶瓷绝缘材料10的内部。第1放电电极21的前端部和第2放电电极22的前端部位于空洞11内。第1放电电极21的前端部和第2放电电极22的前端部在空洞11内彼此相对。通过采用上述结构，能提高ESD保护装置1的响应性，并能提高ESD保护装置1的耐久性。
另外，第1放电电极21的前端部与第2放电电极22的前端部也未必需要设置为彼此相对。例如，也可以设置为使得第1放电电极21的前端部位于空洞11的一个内表面上，而第2放电电极22的前端部位于空洞11的另一个内表面上。即，只要是能够使得第1放电电极21的前端部与第2放电电极22的前端部之间发生放电的方式即可，对于第1及第2放电电极21、22的形状、配置等并没有特殊的限制。
此外，也可以设置多组第1及第2放电电极21、22。
在陶瓷绝缘材料10的外表面上设置有第1及第2外部电极31、32。第1外部电极31与第1放电电极21电连接。第2外部电极32与第2放电电极22电连接。
另外，第1及第2放电电极21、22、以及第1及第2外部电极31、32分别可以由Cu、Ag、Pd、Pt、Al、Ni、W、以及包含上述至少一种的合金等适当的材料构成。
在第1放电电极21的前端部与第2放电电极22的前端部之间配置有放电辅助部51。放电辅助部51具有能够降低第1放电电极21与第2放电电极22之间的放电开始电压的功能。具体而言，通过设置放电辅助部51，使得除了产生沿面放电和气体放电之外，还产生经由放电辅助部51进行的放电。通常，在沿面放电、气体放电、以及经由放电辅助部51进行的放电中，经由放电辅助部51进行的放电的开始电压最低。因此，通过设置放电辅助部51，能够降低第1放电电极21与第2放电电极22之间的放电开始电压。因此，能抑制ESD保护装置1的绝缘破坏。此外，通过设置放电辅助部51，还能改善ESD保护装置1的响应性。
放电辅助部51由包含有第1粒子51a和第2粒子51b的烧结体构成。第1粒子51a的粒子直径大于第2粒子51b的粒子直径。第1粒子51a的粒子直径例如可设为2μm～3μm左右。第2粒子51b的粒子直径例如可设为0.1μm～1μm左右。
第1粒子51a由导电性粒子构成。第2粒子51b由半导体粒子和绝缘性粒子中的至少一方构成。这里，半导体粒子是至少表面层由半导体材料构成的粒子，而不限于整体均由半导体材料构成的粒子。绝缘性粒子是至少表面层由绝缘材料构成的粒子，而不限于整体均由绝缘材料构成的粒子。
第2粒子51b可以仅由半导体粒子构成，也可以仅由绝缘性粒子构成，还可以由半导体粒子和绝缘性粒子构成。作为优选使用的导电性粒子的具体例，例如可以列举出Cu粒子、Ni粒子等。导电性粒子例如可以利用绝缘材料或半导体材料来进行涂层。作为优选使用的半导体粒子的具体例，例如可以列举出由碳化硅、碳化钛、碳化锆、碳化钼或碳化钨等碳化物构成的粒子、由氮化钛、氮化锆、氮化铬、氮化钒或氮化钽等氮化物构成的粒子、由硅化钛、硅化锆、硅化钨、硅化钼、硅化铬等硅化物构成的粒子、由硼化钛、硼化锆、硼化铬、硼化镧、硼化钼、硼化钨等硼化物构成的粒子、由氧化锌、钛酸锶等氧化物构成的粒子等。作为优选使用的绝缘性粒子的具体例，例如可以列举出氧化铝粒子等。
在陶瓷绝缘材料10和第1及第2放电电极21、22中的至少一方的前端部之间设置有保护层52。具体而言，保护层52设置为实质上覆盖空洞11的整个内壁。通过设置该保护层52，能抑制陶瓷绝缘材料10中所包含的成分到达前端部。由此，能抑制因ESD保护装置1的第1及第2放电电极21、22的劣化而引起的放电特性的下降。
保护层52优选由烧结温度比构成陶瓷绝缘材料10的陶瓷要高的陶瓷构成。陶瓷绝缘材料10优选包含有例如从铝、多铝红柱石、氧化锆、氧化镁、及石英所构成的组中选出的至少一种。
ESD保护装置1中，第1及第2放电电极21、22包含有构成第2粒子51b的半导体材料和绝缘材料中的至少一方。在第2粒子51b由半导体粒子构成的情况下，第1及第2放电电极21、22包含构成半导体粒子的半导体材料。在第2粒子51b由绝缘性粒子构成的情况下，第1及第2放电电极21、22包含构成绝缘性粒子的绝缘材料。在第2粒子51b由半导体粒子和绝缘性粒子构成的情况下，第1及第2放电电极21、22包含构成半导体粒子的半导体材料和构成绝缘性粒子的绝缘材料中的至少一方。由此，即使在ESD保护装置1中反复发生放电的情况下，ESD特性也不易发生劣化。其理由虽未确定，但可认为是由于在第1及第2放电电极21、22包含构成第2粒子51b的半导体材料及绝缘材料中的至少一方的情况下，第1及第2放电电极21、22与放电辅助部51之间的密接性提高，并且，第1及第2放电电极21、22与放电辅助部51之间的热膨胀率差变小。
另外，半导体材料、绝缘材料是降低导电性的成分。因此，在现有技术中，对于向放电电极添加半导体材料、绝缘材料这种方式，从会导致放电辅助部的导电性下降的观点来看，可认为这种方式并不是优选的。
优选为第1及第2放电电极21、22中半导体材料和绝缘材料的总含有量在20质量％以下。若第1及第2放电电极21、22中半导体材料和绝缘材料的总含有量过多，则有可能会导致第1及第2放电电极21、22的导电性变得过低。
在第2粒子51b包含绝缘性粒子的情况下，优选为第1及第2放电电极21、22中绝缘材料的含有量为1质量％～10质量％。若第1及第2放电电极21、22中绝缘材料的含有量过少，则有可能会导致无法充分抑制ESD特性的劣化。若第1及第2放电电极21、22中绝缘材料的含有量过多，则有可能会导致第1及第2放电电极21、22的导电性变得过低。
在第2粒子51b包含半导体粒子的情况下，优选为第1及第2放电电极21、22中半导体材料的含有量为1质量％～20质量％。若第1及第2放电电极21、22中半导体材料的含有量过少，则有可能会导致无法充分抑制ESD特性的劣化。若第1及第2放电电极21、22中半导体材料的含有量过多，则有可能会导致第1及第2放电电极21、22的导电性变得过低。
此外，若导电性粒子由半导体材料和绝缘材料中的至少一方进行了涂层，则能够使半导体材料、绝缘材料以较高的均匀性分散在导电性粒子的周围。因此，即使在半导体材料、绝缘材料的添加量较少的情况下，也能够提高第1及第2放电电极21、22与放电辅助部51之间的密接性。
此外，在如ESD保护装置1那样设置有保护层52的情况下，保护层52也与第1及第2放电电极21、22一样，优选包含半导体材料和绝缘材料中的至少一方。在该情况下，能够改善保护层52与放电辅助部51之间的密接性，且能够缩小保护层52与放电辅助部51之间的热膨胀率差。因此，还能够抑制放电辅助部51从保护层52剥离，从而能够更为有效地抑制ESD特性的劣化。
接着，对ESD保护装置1的制造方法的一个示例进行说明。
首先，准备用于构成陶瓷绝缘材料10的陶瓷生片。陶瓷生片优选包含玻璃成分。陶瓷生片也可以包含有碱金属成分、硼成分。陶瓷生片例如可以包含氧化钾等碱金属氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属硝酸盐等来作为碱金属成分。
接着，在陶瓷生片上涂布用于构成放电辅助部的放电辅助部形成用糊料，从而形成放电辅助部形成用糊料层。接着，在陶瓷生片上涂布用于构成放电电极的导电性糊料，从而形成导电性糊料层。然后在陶瓷生片上涂布用于形成空洞11的树脂糊料，从而形成树脂糊料层。另外，用于构成放电电极的导电性糊料包含有放电辅助部形成用糊料中所包含的绝缘材料和半导体材料中的至少一方。作为树脂糊料，例如优选使用聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚丙烯树脂、丙烯酸树脂等。
接着，对表面上形成有放电辅助部形成用糊料层的陶瓷生片、表面上形成有导电性糊料层的陶瓷生片、表面上形成有树脂糊料层的陶瓷生片、以及表面上未形成层的陶瓷生片适当进行层叠，由此来制作生片层叠体。
接着，对生片层叠体进行烧结。然后，例如通过镀敷或导电性糊料的烧接等在烧结体上形成第1及第2外部电极31、32，由此可完成ESD保护装置1。另外，生片层叠体的烧结例如可在850℃～1000℃左右的温度下进行。
在本实施方式中，以第1及第2放电电极21、22设置于陶瓷绝缘材料10的内部的示例进行了说明。但本发明并不限于该结构。例如，可以如图2所示那样，在陶瓷绝缘材料10的表面上设置第1及第2放电电极21、22。该情况下，优选在陶瓷绝缘材料10上设置有保护层60，使其覆盖第1及第2放电电极21、22各自的前端部。保护层60例如可由树脂构成。
此外，如图3所示那样，ESD保护装置2可以与布线基板设置为一体。即，ESD保护装置2可构成内置有至少一个具有ESD保护功能的ESD保护机构的ESD保护机构内置布线基板。
此外，如图4所示那样，ESD保护装置可以不具备保护层52。
(比较例1)
在下述条件下，按照上述实施方式中所说明的方法制作得到实质上具有与上述实施方式所涉及的ESD保护装置1相同的结构的ESD保护装置。
陶瓷绝缘材料的结构中所使用的陶瓷：以Ba、Al、及Si为主体的陶瓷
外部电极、内部导体：Cu
ESD保护装置的尺寸：长1.0mm×宽0.5mm×厚0.3mm
放电电极的宽度：100μm
放电间隙的距离：30μm
放电辅助部的第1粒子：平均粒子直径为2μm、由氧化铝进行涂层后得到的Cu粒子
放电辅助部的第2粒子：平均粒子直径为0.5μm的碳化硅粒子
放电电极：平均粒子直径为2μm的Cu粒子
(实施例1)
如下所述，制作得到除了使放电电极还包含有平均粒子直径为0.5μm的氧化铝粒子之外，其他结构与比较例1相同的ESD保护装置。
放电电极：包含平均粒子直径为2μm的Cu粒子、以及平均粒子直径为0.5μm的氧化铝粒子。另外，放电辅助部中由氧化铝进行了涂层的Cu粒子与碳化硅粒子的质量比为90：10。
放电电极中Cu粒子、氧化铝粒子、以及碳化硅粒子的质量比(Cu粒子：氧化铝粒子：碳化硅粒子)＝99.5：0.5：0。
(实施例2)
制作得到除了使放电电极中Cu粒子、氧化铝粒子、以及碳化硅粒子的质量比(Cu粒子：氧化铝粒子：碳化硅粒子)＝99：1：0之外，其他结构与实施例1相同的ESD保护装置。
(实施例3)
制作得到除了使放电电极中Cu粒子、氧化铝粒子、以及碳化硅粒子的质量比(Cu粒子：氧化铝粒子：碳化硅粒子)＝95：5：0之外，其他结构与实施例1相同的ESD保护装置。
(实施例4)
制作得到除了使放电电极中Cu粒子、氧化铝粒子、以及碳化硅粒子的质量比(Cu粒子：氧化铝粒子：碳化硅粒子)＝90：10：0之外，其他结构与实施例1相同的ESD保护装置。
(实施例5)
制作得到除了使放电电极中Cu粒子、氧化铝粒子、以及碳化硅粒子的质量比(Cu粒子：氧化铝粒子：碳化硅粒子)＝80：20：0之外，其他结构与实施例1相同的ESD保护装置。
(实施例6)
如下所述，制作得到除了使放电电极中包含平均粒子直径为0.5μm的碳化硅粒子之外，其他结构与比较例1相同的ESD保护装置。
放电电极：包含平均粒子直径为2μm的Cu粒子、以及平均粒子直径为0.5μm的碳化硅粒子。
放电电极中Cu粒子、氧化铝粒子、以及碳化硅粒子的质量比(Cu粒子：氧化铝粒子：碳化硅粒子)＝99.5：0：0.5。
(实施例7)
制作得到除了使放电电极中Cu粒子、氧化铝粒子、以及碳化硅粒子的质量比(Cu粒子：氧化铝粒子：碳化硅粒子)＝99：0：1之外，其他结构与实施例6相同的ESD保护装置。
(实施例8)
制作得到除了使放电电极中Cu粒子、氧化铝粒子、以及碳化硅粒子的质量比(Cu粒子：氧化铝粒子：碳化硅粒子)＝95：0：5之外，其他结构与实施例6相同的ESD保护装置。
(实施例9)
制作得到除了使放电电极中Cu粒子、氧化铝粒子、以及碳化硅粒子的质量比(Cu粒子：氧化铝粒子：碳化硅粒子)＝90：0：10之外，其他结构与实施例6相同的ESD保护装置。
(实施例10)
制作得到除了使放电电极中Cu粒子、氧化铝粒子、以及碳化硅粒子的质量比(Cu粒子：氧化铝粒子：碳化硅粒子)＝80：0：20之外，其他结构与实施例6相同的ESD保护装置。
(实施例11)
如下所述，制作得到除了使放电电极还包含平均粒子直径为0.5μm的氧化铝粒子、以及平均粒子直径为0.5μm的碳化硅粒子之外，其他结构与比较例1相同的ESD保护装置。
放电电极：包含平均粒子直径为2μm的Cu粒子、平均粒子直径为0.5μm的氧化铝粒子、以及平均粒子直径为0.5μm的碳化硅粒子。
放电电极中Cu粒子、氧化铝粒子、以及碳化硅粒子的质量比(Cu粒子：氧化铝粒子：碳化硅粒子)＝99：0.5：0.5。
(实施例12)
制作得到除了使放电电极中Cu粒子、氧化铝粒子、以及碳化硅粒子的质量比(Cu粒子：氧化铝粒子：碳化硅粒子)＝95：2.5：2.5之外，其他结构与实施例11相同的ESD保护装置。
(实施例13)
制作得到除了使放电电极中Cu粒子、氧化铝粒子、以及碳化硅粒子的质量比(Cu粒子：氧化铝粒子：碳化硅粒子)＝90：5：5之外，其他结构与实施例11相同的ESD保护装置。
(实施例14)
制作得到除了使放电电极中Cu粒子、氧化铝粒子、以及碳化硅粒子的质量比(Cu粒子：氧化铝粒子：碳化硅粒子)＝80：10：10之外，其他结构与实施例11相同的ESD保护装置。
(放电响应性评价)
通过进行IEC标准IEC61000-4-2中所定义的静电放电抗扰度试验，来对比较例1和实施例1～14中分别制作得到的ESD保护装置的放电响应性进行评价。若保护电路中所检测到的峰值电压超过700V，则评价为放电响应性不良(×)，若在500V～700V，则评价为放电响应性良好(○)，若小于500V，则评价为放电响应性尤其良好(◎)。表1中示出结果。
(反复耐受性评价)
对比较例1和实施例1～14中分别制作得到的ESD保护装置反复发生放电时的耐受性进行评价。具体而言，首先，施加8kV的电压，并进行100次接触放电，然后进行上述放电响应性评价。之后，再进行200次(总计300次)接触放电，然后进行上述放电响应性评价。之后，再进行200次(总计500次)接触放电，然后进行上述放电响应性评价。之后，再进行500次(总计1000次)接触放电，然后进行上述放电响应性评价。表1中示出结果。
[表1]
(实施例15)
制作得到除了将放电电极中所包含的Cu粒子中相当于80质量％的量的粒子变更为由氧化铝进行涂层后得到的Cu粒子之外，其他结构与比较例1相同的ESD保护装置。另外，在实施例15中，放电电极中氧化铝的含有量为0.5质量％。
(实施例16)
制作得到除了将放电电极中氧化铝的含有量设为1质量％以外，其他结构与实施例15相同的ESD保护装置。
(实施例17)
制作得到除了将放电电极中氧化铝的含有量设为3质量％以外，其他结构与实施例15相同的ESD保护装置。
(实施例18)
制作得到除了将放电电极中氧化铝的含有量设为5质量％以外，其他结构与实施例15相同的ESD保护装置。
(实施例19)
制作得到除了将放电电极中所包含的Cu粒子中相当于80质量％的量的粒子变更为由碳化硅进行涂层后得到的Cu粒子之外，其他结构与比较例1相同的ESD保护装置。另外，在实施例19中，放电电极中碳化硅的含有量为0.5质量％。
(实施例20)
制作得到除了将放电电极中碳化硅的含有量设为1质量％以外，其他结构与实施例15相同的ESD保护装置。
(实施例21)
制作得到除了将放电电极中碳化硅的含有量设为3质量％以外，其他结构与实施例15相同的ESD保护装置。
(实施例22)
制作得到除了将放电电极中碳化硅的含有量设为5质量％以外，其他结构与实施例15相同的ESD保护装置。
对于实施例15～22中分别制作得到的ESD保护装置，也与实施例1等相同地进行放电响应性评价和反复耐受性评价。表2、3中示出结果。
[表2]
[表3]
根据表1～3所示的结果可知，通过使放电电极中包含有放电辅助部所包含的绝缘材料和半导体材料中的至少一方，能够抑制放电响应性的下降，并且还能够抑制反复发生放电时的ESD特性的劣化。
标号说明
1，2 ESD保护装置
10 陶瓷绝缘材料
11 空洞
21 第1放电电极
22 第2放电电极
31 第1外部电极
32 第2外部电极
51 放电辅助部
51a 第1粒子
51b 第2粒子
52 保护层
60 保护层

Claims (9)

1.一种ESD保护装置，其特征在于，包括：
陶瓷绝缘材料；
第1及第2放电电极，该第1及第2放电电极设置于所述陶瓷绝缘材料；以及
放电辅助部，该放电辅助部配置于所述第1放电电极的前端部与所述第2放电电极的前端部之间，是使所述第1放电电极与所述第2放电电极之间的放电开始电压降低的电极，该放电辅助部由包含导电性粒子、半导体粒子及绝缘性粒子中的至少一方的烧结体构成，
所述第1及第2放电电极包含构成所述半导体粒子的半导体材料和构成所述绝缘性粒子的绝缘材料中的至少一方。
2.如权利要求1所述ESD保护装置，其特征在于，
所述第1及第2放电电极中所述半导体材料和所述绝缘性材料的总含有量为20质量％以下。
3.如权利要求2所述ESD保护装置，其特征在于，
所述第1及第2放电电极中所述绝缘性材料的含有量为1质量％～10质量％。
4.如权利要求2或3所述ESD保护装置，其特征在于，
所述第1及第2放电电极中所述半导体材料的含有量为1质量％～20质量％。
5.如权利要求1至4的任一项所述ESD保护装置，其特征在于，
所述第1及第2放电电极包含由所述半导体材料和所述绝缘材料中的至少一方进行了涂层后得到的导电性粒子。
6.如权利要求1至5的任一项所述ESD保护装置，其特征在于，
所述第1及第2放电电极设置在所述陶瓷绝缘材料的表面上。
7.如权利要求1至5的任一项所述ESD保护装置，其特征在于，
所述第1及第2放电电极设置于所述陶瓷绝缘材料的内部。
8.如权利要求7所述ESD保护装置，其特征在于，
所述陶瓷绝缘材料具有空洞，
所述第1及第2放电电极设置为使得其各自的前端部位于所述空洞内。
9.如权利要求1至8的任一项所述ESD保护装置，其特征在于，还包括：
第1外部电极，该第1外部电极配置在所述陶瓷绝缘材料上，与所述第1放电电极电连接；以及
第2外部电极，该第2外部电极配置在所述陶瓷绝缘材料上，与所述第2放电电极电连接。
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